JP2011088851A - チタンアミド錯体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子の製造用材料として有用なチタンアミド錯体の製造方法に関する。
アミド配位子を有するチタン錯体は、化学気相蒸着法(CVD法)又は原子層蒸着法(ALD法)などを用いて、チタン、窒化チタン、酸化チタン、チタン含有複合酸化物などのチタン含有薄膜を形成するための原料として注目されている。特許文献1に記載されているチタンアミド錯体は、良好な気化特性及び優れた熱安定性を持つことから、CVD法又はALD法などの手法によってチタン含有薄膜を形成するための原料として有用である。また、特許文献1には、このチタンアミド錯体の製造方法として、ジイミンと金属リチウム又は金属ナトリウムを反応させ、次いでテトラキス(ジアルキルアミド)チタンを反応させる製造方法が記載されている。
特許文献1に記載されているチタンアミド錯体の製造方法は、合成原料としてテトラキス(ジアルキルアミド)チタンを用いているため、必ずしも経済的な製法とは言えない。本発明の課題は、チタン含有薄膜をCVD法やALD法などにより製造するために有用なチタンアミド錯体を、入手容易な原料から簡便に収率良く製造する方法を提供することである。
本発明者等は上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、入手容易なチタンアルコキソ錯体を原料として用いても、リチウムジアルキルアミドとの反応によりチタンアミド錯体を簡便に収率良く製造する方法を見いだし、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、一般式(1)
以下に本発明をさらに詳細に説明する。一般式(3)で表されるチタンアミド錯体は、一般式(3a)
まず、一般式中のR1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7について説明する。
R1及びR4で表される炭素数1から6のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれのアルキル基でも良く、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、シクロペンチル基、シクロブチルメチル基、1−シクロプロピルエチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、1,1−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1,1,2−トリメチルプロピル基、1,2,2−トリメチルプロピル基、1−エチル−1−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、2−メチルシクロペンチル基、3−メチルシクロペンチル基、4−メチルシクロペンチル基等を例示することが出来る。チタンアミド錯体(3)の収率が良い点で、R1及びR4は各々独立に炭素数3から5の分岐状アルキル基が好ましく、R1及びR4が共にtert−ブチル基であること又はR1及びR4が共にtert−ペンチル基であることが更に好ましい。
R2及びR3で表される炭素数1から3のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれのアルキル基でも良く、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基を例示することが出来る。製造原料であるチタンアルコキソ錯体(1)を容易に入手できる点で、R2及びR3は水素原子が好ましい。
R5で表される炭素数1から6のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれのアルキル基でも良く、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、シクロペンチル基、シクロブチルメチル基、1−シクロプロピルエチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、1,1−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1,1,2−トリメチルプロピル基、1,2,2−トリメチルプロピル基、1−エチル−1−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、2−メチルシクロペンチル基、3−メチルシクロペンチル基、4−メチルシクロペンチル基等を例示することが出来る。チタンアミド錯体(3)の収率が良い点及び製造原料であるチタンアルコキソ錯体(1)を容易に入手できる点で、R5は炭素数2から4のアルキル基が好ましく、とりわけエチル基又はイソプロピル基が好ましい。
R6及びR7で表される炭素数1から4のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれのアルキル基でも良く、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基等を例示することが出来る。チタンアミド錯体(3)の収率が良い点で、R6及びR7の少なくとも一方がメチル基又はエチル基であることが好ましく、R6及びR7の両方が各々独立にメチル基又はエチル基であることが更に好ましい。
本発明の製造原料として用いるチタンアルコキソ錯体(1)は、特願2008−163477号明細書に記載の方法に準じて、すなわち下記反応式に従って容易に製造することが出来る。
次に本発明の製造方法について説明する。本発明の製造方法では、チタンアルコキソ錯体(1)とリチウムジアルキルアミド(2)を反応させることによって、チタンアミド錯体(3)を収率良く製造することが出来る。
また本発明の製造方法では、反応に用いるチタンアルコキソ錯体(1)とリチウムジアルキルアミド(2)の量に制限は無いが、チタンアミド錯体(3)の収率が良い点で、チタンアルコキソ錯体(1)に対してリチウムジアルキルアミド(2)を1.8から3.0当量の範囲から適宜選択して用いるのが好ましい。
さらに、本発明の製造方法では、溶媒を用いなくても良いが、チタンアミド錯体(3)の収率が良い点で、反応を有機溶媒中で実施することが好ましい。具体的な有機溶媒の種類としては、チタンアルコキソ錯体(1)、リチウムジアルキルアミド(2)又はチタンアミド錯体(3)と反応しないものであれば制限はない。例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等を挙げることが出来る。チタンアミド錯体(3)の収率が良い点で、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン又はこれらの混合物が好ましい。溶媒の量には特に制限はなく、適宜選択された量の溶媒を用いることによって収率良くチタンアミド錯体(3)を製造することができる。
さらに本発明の製造方法では、反応を実施する温度には特に制限は無いが、好ましくは−80〜100℃の範囲から適宜選ばれた温度でチタンアルコキソ錯体(1)とリチウムジアルキルアミド(2)を反応させることにより、チタンアミド錯体(3)を収率良く製造することができる。
反応終了後は、必要に応じてろ過、抽出、蒸留、昇華、結晶化等の一般的な精製方法を適宜選択して用いることにより、チタンアミド錯体(3)を精製することが出来る。
本発明の製造方法によって、チタン含有薄膜をCVD法やALD法などにより製造するために有用なチタンアミド錯体(3)を、入手容易な原料から簡便に収率良く製造することができる。
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書中では、Me、Et、iPr、tBu及びtPeは、それぞれメチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基及びtert−ペンチル基を示す。
参考例1
アルゴン雰囲気下で、N,N’−ジ(tert−ブチル)−1,4−ジアザ−1,3−ブタジエン(tBuNCHCHNtBu)8.68g(51.6mmol)をテトラヒドロフラン80mLに溶かし、ナトリウム2.37g(103mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。生成した濃赤色の反応液をテトラエトキソチタン(Ti(OEt)4)11.2g(49.1mmol)とヘキサン40mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。得られたスラリーから溶媒を減圧下で留去し、残渣にヘキサン80mLを加えた。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留(留出温度85℃/7Pa)することにより、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OEt)2)を濃赤色の液体として得た(収量10.68g、収率71%)。
アルゴン雰囲気下で、N,N’−ジ(tert−ブチル)−1,4−ジアザ−1,3−ブタジエン(tBuNCHCHNtBu)8.68g(51.6mmol)をテトラヒドロフラン80mLに溶かし、ナトリウム2.37g(103mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。生成した濃赤色の反応液をテトラエトキソチタン(Ti(OEt)4)11.2g(49.1mmol)とヘキサン40mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。得られたスラリーから溶媒を減圧下で留去し、残渣にヘキサン80mLを加えた。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留(留出温度85℃/7Pa)することにより、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OEt)2)を濃赤色の液体として得た(収量10.68g、収率71%)。
1H−NMR(500MHz,C6D6,δ/ppm)
5.98(s,2H),4.20(br,4H),1.29(s,18H),1.16−1.32(br,6H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
102.4,68.0−70.0(br),58.0,31.6,21.2。
5.98(s,2H),4.20(br,4H),1.29(s,18H),1.16−1.32(br,6H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
102.4,68.0−70.0(br),58.0,31.6,21.2。
参考例2
アルゴン雰囲気下で、N,N’−ジ(tert−ブチル)−1,4−ジアザ−1,3−ブタジエン(tBuNCHCHNtBu)2.22g(13.2mmol)をテトラヒドロフラン20mLに溶かし、ナトリウム606mg(26.4mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。生成した濃赤色の反応液をテトライソプロポキソチタン(Ti(OiPr)4)3.56g(12.5mmol)とヘキサン10mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。得られたスラリーから溶媒を減圧下で留去し、残渣にヘキサン20mLを加えた。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留(留出温度85℃/7Pa)することにより、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジイソプロポキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OiPr)2)を濃赤色の液体として得た(収量3.91g、収率93%)。
アルゴン雰囲気下で、N,N’−ジ(tert−ブチル)−1,4−ジアザ−1,3−ブタジエン(tBuNCHCHNtBu)2.22g(13.2mmol)をテトラヒドロフラン20mLに溶かし、ナトリウム606mg(26.4mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。生成した濃赤色の反応液をテトライソプロポキソチタン(Ti(OiPr)4)3.56g(12.5mmol)とヘキサン10mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。得られたスラリーから溶媒を減圧下で留去し、残渣にヘキサン20mLを加えた。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留(留出温度85℃/7Pa)することにより、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジイソプロポキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OiPr)2)を濃赤色の液体として得た(収量3.91g、収率93%)。
1H−NMR(500MHz,C6D6,δ/ppm)
5.96(s,2H),4.0−5.0(br,2H),1.30(s,18H),1.1−1.3(br,12H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
102.7,74.5(br),57.6,31.7,27.8。
5.96(s,2H),4.0−5.0(br,2H),1.30(s,18H),1.1−1.3(br,12H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
102.7,74.5(br),57.6,31.7,27.8。
参考例3
アルゴン雰囲気下で、N,N’−ジ(tert−ペンチル)−1,4−ジアザ−1,3−ブタジエン(tPeNCHCHNtPe)8.64g(44.0mmol)をテトラヒドロフラン70mLに溶かし、ナトリウム2.06g(89.6mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。生成した濃赤色の反応液をテトラエトキソチタン(Ti(OEt)4)9.75g(42.7mmol)とヘキサン40mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。得られたスラリーから溶媒を減圧下で留去し、残渣にヘキサン80mLを加えた。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留(留出温度100℃/7Pa)することにより、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ペンチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tPeNCHCHNtPe)(OEt)2)を濃赤色の液体として得た(収量11.04g、収率77%)。
アルゴン雰囲気下で、N,N’−ジ(tert−ペンチル)−1,4−ジアザ−1,3−ブタジエン(tPeNCHCHNtPe)8.64g(44.0mmol)をテトラヒドロフラン70mLに溶かし、ナトリウム2.06g(89.6mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。生成した濃赤色の反応液をテトラエトキソチタン(Ti(OEt)4)9.75g(42.7mmol)とヘキサン40mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。得られたスラリーから溶媒を減圧下で留去し、残渣にヘキサン80mLを加えた。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留(留出温度100℃/7Pa)することにより、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ペンチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tPeNCHCHNtPe)(OEt)2)を濃赤色の液体として得た(収量11.04g、収率77%)。
1H−NMR(500MHz,C6D6,δ/ppm)
5.91(s,2H),3.4−4.8(br,4H),1.55(q,J=8Hz,4H),1.25(s,12H),1.1−1.5(br,6H),0.80(t,J=8Hz,6H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
102.3,71.0(br),60.7,36.6,29.1(br),21.1,9.2。
5.91(s,2H),3.4−4.8(br,4H),1.55(q,J=8Hz,4H),1.25(s,12H),1.1−1.5(br,6H),0.80(t,J=8Hz,6H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
102.3,71.0(br),60.7,36.6,29.1(br),21.1,9.2。
実施例1
アルゴン雰囲気下で、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OEt)2)2.89g(9.44mmol)をテトラヒドロフラン10mLに溶かし、リチウムジメチルアミドのヘキサンスラリー(5.2wt%)20.8g(20.8mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。反応溶液から溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン10mlを加えて室温で10分間撹拌した。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度78℃/4Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ビス(ジメチルアミド)チタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(NMe2)2)を濃赤色の液体2.33gとして得た(収率83%)。
アルゴン雰囲気下で、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OEt)2)2.89g(9.44mmol)をテトラヒドロフラン10mLに溶かし、リチウムジメチルアミドのヘキサンスラリー(5.2wt%)20.8g(20.8mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。反応溶液から溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン10mlを加えて室温で10分間撹拌した。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度78℃/4Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ビス(ジメチルアミド)チタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(NMe2)2)を濃赤色の液体2.33gとして得た(収率83%)。
1H−NMR(500MHz,C6D6,δ/ppm)5.86(s,2H),3.06(s,12H),1.28(s,18H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)102.0,58.7,43.6,31.6。
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)102.0,58.7,43.6,31.6。
実施例2
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65M)14.5mLを−78℃に冷却し、テトラヒドロフラン10mL及びジエチルアミン1.73g(24.0mmol)を順に加えた。この混合物を室温まで徐々に温め、室温で30分間撹拌することにより、リチウムジエチルアミド溶液を調製した。このリチウムジエチルアミド溶液をエテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OEt)2)3.06g(10.0mmol)とテトラヒドロフラン10mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。反応溶液から溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン10mlを加えて室温で10分間撹拌した。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度115℃/8Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ビス(ジエチルアミド)チタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(NEt2)2)を濃赤色の液体3.10gとして得た(収率86%)。
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65M)14.5mLを−78℃に冷却し、テトラヒドロフラン10mL及びジエチルアミン1.73g(24.0mmol)を順に加えた。この混合物を室温まで徐々に温め、室温で30分間撹拌することにより、リチウムジエチルアミド溶液を調製した。このリチウムジエチルアミド溶液をエテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OEt)2)3.06g(10.0mmol)とテトラヒドロフラン10mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。反応溶液から溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン10mlを加えて室温で10分間撹拌した。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度115℃/8Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ビス(ジエチルアミド)チタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(NEt2)2)を濃赤色の液体3.10gとして得た(収率86%)。
1H−NMR(500MHz,C6D6,δ/ppm)5.85(s,2H),3.47(q,J=7Hz,4H),1.31(s,18H),1.10(t,J=7Hz,6H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)102.0,58.1,44.0,31.4,15.9。
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)102.0,58.1,44.0,31.4,15.9。
実施例3
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.54M)136mLを−78℃に冷却し、テトラヒドロフラン100mL及びジエチルアミン15.4g(210mmol)を順に加えた。この混合物を室温まで徐々に温め、室温で30分間撹拌することにより、リチウムジエチルアミド溶液を調製した。このリチウムジエチルアミド溶液をエテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジイソプロポキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OiPr)2)33.4g(100mmol)とテトラヒドロフラン100mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。反応溶液にクロロトリメチルシランを22.8g(210mmol)加え、さらに12時間室温で撹拌した。得られたスラリーから溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン100mlを加えて室温で10分間撹拌した。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度115℃/8Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ビス(ジエチルアミド)チタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(NEt2)2)を濃赤色の液体30.6gとして得た(収率85%)。このようにして得たTi(tBuNCHCHNtBu)(NEt2)2の1H及び13C−NMRスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例2で得たもののスペクトルと一致した。
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.54M)136mLを−78℃に冷却し、テトラヒドロフラン100mL及びジエチルアミン15.4g(210mmol)を順に加えた。この混合物を室温まで徐々に温め、室温で30分間撹拌することにより、リチウムジエチルアミド溶液を調製した。このリチウムジエチルアミド溶液をエテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジイソプロポキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OiPr)2)33.4g(100mmol)とテトラヒドロフラン100mLの混合物に加え、室温で12時間撹拌した。反応溶液にクロロトリメチルシランを22.8g(210mmol)加え、さらに12時間室温で撹拌した。得られたスラリーから溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン100mlを加えて室温で10分間撹拌した。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度115℃/8Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ビス(ジエチルアミド)チタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(NEt2)2)を濃赤色の液体30.6gとして得た(収率85%)。このようにして得たTi(tBuNCHCHNtBu)(NEt2)2の1H及び13C−NMRスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例2で得たもののスペクトルと一致した。
実施例4
アルゴン雰囲気下で、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ペンチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tPeNCHCHNtPe)(OEt)2)4.07g(12.2mmol)をテトラヒドロフラン10mLに溶かし、リチウムジメチルアミドのヘキサンスラリー(5.2wt%)29.3g(29.3mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。反応溶液から溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン10mlを加えた。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度106℃/8Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ペンチルアミド)ビス(ジメチルアミド)チタン(Ti(tPeNCHCHNtPe)(NMe2)2)を濃赤色の液体3.31gとして得た(収率82%)。
アルゴン雰囲気下で、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ペンチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tPeNCHCHNtPe)(OEt)2)4.07g(12.2mmol)をテトラヒドロフラン10mLに溶かし、リチウムジメチルアミドのヘキサンスラリー(5.2wt%)29.3g(29.3mmol)を加えて室温で12時間撹拌した。反応溶液から溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン10mlを加えた。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度106℃/8Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ペンチルアミド)ビス(ジメチルアミド)チタン(Ti(tPeNCHCHNtPe)(NMe2)2)を濃赤色の液体3.31gとして得た(収率82%)。
1H−NMR(500MHz,C6D6,δ/ppm)5.77(s,2H),3.05(s,6H),1.52(q,J=7Hz,2H),1.24(s,6H),0.78(t,J=7Hz,3H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)101.7,61.0,43.5,36.6,28.6,9.0。
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)101.7,61.0,43.5,36.6,28.6,9.0。
実施例5
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65M)33.5mLを−78℃に冷却し、テトラヒドロフラン23mL及びN−メチルブチルアミン4.81g(55.2mmol)を順に加えた。この混合物を室温まで徐々に温め、室温で30分間撹拌することにより、リチウムブチル(メチル)アミド溶液を調製した。このリチウムブチル(メチル)アミド溶液をエテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OEt)2)7.04g(23.0mmol)とテトラヒドロフラン23mLの混合物に加え、室温で15.5時間撹拌した。反応溶液から溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン23mlを加えて室温で30分間撹拌した。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度93℃/8Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ビス[ブチル(メチル)アミド]チタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(NBuMe)2)を濃赤色の液体6.87gとして得た(収率77%)。
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65M)33.5mLを−78℃に冷却し、テトラヒドロフラン23mL及びN−メチルブチルアミン4.81g(55.2mmol)を順に加えた。この混合物を室温まで徐々に温め、室温で30分間撹拌することにより、リチウムブチル(メチル)アミド溶液を調製した。このリチウムブチル(メチル)アミド溶液をエテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ジエトキソチタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(OEt)2)7.04g(23.0mmol)とテトラヒドロフラン23mLの混合物に加え、室温で15.5時間撹拌した。反応溶液から溶媒を減圧留去し、残渣にヘキサン23mlを加えて室温で30分間撹拌した。生成した不溶物をろ別して除去し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた濃赤色油状物を減圧蒸留することにより(留出温度93℃/8Pa)、エテン−1,2−ジイルビス(tert−ブチルアミド)ビス[ブチル(メチル)アミド]チタン(Ti(tBuNCHCHNtBu)(NBuMe)2)を濃赤色の液体6.87gとして得た(収率77%)。
1H−NMR(500MHz,C6D6,δ/ppm)5.89(s,2H),3.41(br,4H),3.02(s,6H),1.49−1.54(br,4H),1.34−1.41(m,4H),1.32(s,18H),0.97(t,J=7Hz,6H).
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)102.0,58.3,56.9(br),38.5,32.6,31.3,21.0,14.5。
13C−NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)102.0,58.3,56.9(br),38.5,32.6,31.3,21.0,14.5。
Claims (3)
- R1及びR4が各々独立に炭素数3から5の分岐状アルキル基であり、R2及びR3が水素原子であり、R5が炭素数2から4のアルキル基であり、R6及びR7の少なくとも一方がメチル基又はエチル基である、請求項1に記載の製造方法。
- R1及びR4が共にtert−ブチル基又はtert−ペンチル基であり、R2及びR3が水素原子であり、R5がエチル基又はイソプロピル基であり、R6及びR7が各々独立にメチル基又はエチル基である、請求項1又は2に記載の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2009243395A JP2011088851A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | チタンアミド錯体の製造方法 |
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JP2009243395A JP2011088851A (ja) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | チタンアミド錯体の製造方法 |
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WO2013035672A1 (ja) | 2011-09-05 | 2013-03-14 | 東ソー株式会社 | 製膜用材料、iv族金属酸化物膜及びビニレンジアミド錯体 |
-
2009
- 2009-10-22 JP JP2009243395A patent/JP2011088851A/ja active Pending
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WO2013035672A1 (ja) | 2011-09-05 | 2013-03-14 | 東ソー株式会社 | 製膜用材料、iv族金属酸化物膜及びビニレンジアミド錯体 |
EP2754638A4 (en) * | 2011-09-05 | 2015-08-05 | Tosoh Corp | FILMOGENIC MATERIAL, GROUP IV METAL OXIDE FILM AND VINYLENE DIAMIDE COMPLEX |
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