JP2011086084A - タッチパネルセンサ、およびタッチパネルセンサを作製するためのマトリックス型電極基板、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】インジウム等の稀少金属資源を有効利用できる構造のタッチパネルセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】タッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板は、基板１と、基板１上にパターニングされた第１透明電極２と第２透明電極４を備えている。このうち第２透明電極４は、第１透明電極上に設けた第１絶縁層７を介して設けた連結導体８にて互いに導通されている。また、第１絶縁層７は、第２絶縁層１０にて両側より挟まれており、第２絶縁層１０より薄く形成されている。
【選択図】図４
【解決手段】タッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板は、基板１と、基板１上にパターニングされた第１透明電極２と第２透明電極４を備えている。このうち第２透明電極４は、第１透明電極上に設けた第１絶縁層７を介して設けた連結導体８にて互いに導通されている。また、第１絶縁層７は、第２絶縁層１０にて両側より挟まれており、第２絶縁層１０より薄く形成されている。
【選択図】図４
Description
本発明は、タッチパネルセンサ、およびタッチパネルセンサを作製するためのマトリックス型電極基板、及びその製造方法に関する。
タッチパネル装置は、今日、携帯電話、ゲーム機、タブレットＰＣ、カーナビゲーション、自動券売機、ＡＴＭ装置などへの入力手段として広く用いられてきている。
タッチパネル装置は、液晶ディプレイやＣＲＴ等の表示装置の表示面上に組み込まれ、操作者は、指またはタッチペンを用いて、表示面上でのカーソル移動、選択などの入力操作を行うことが出来る。
このタッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線等を含んでいる。タッチパネルセンサは、操作者の入力操作、即ち、人の指やタッチペンの接近、接触を感知する面を備えた透明のパネルである。
タッチパネルセンサは、接近、接触感知面が表示装置の表示エリアを覆うように、配置される。
タッチパネルセンサは、指またはタッチペンの接近、接触の事象を検出し、これらの信号を制御装置へ送る。
制御装置は、これらの信号を処理し、表示装置にて入力操作に対応した表示を行う様に、表示装置側制御装置へ所定の信号を出力する。
タッチパネル装置は、液晶ディプレイやＣＲＴ等の表示装置の表示面上に組み込まれ、操作者は、指またはタッチペンを用いて、表示面上でのカーソル移動、選択などの入力操作を行うことが出来る。
このタッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線等を含んでいる。タッチパネルセンサは、操作者の入力操作、即ち、人の指やタッチペンの接近、接触を感知する面を備えた透明のパネルである。
タッチパネルセンサは、接近、接触感知面が表示装置の表示エリアを覆うように、配置される。
タッチパネルセンサは、指またはタッチペンの接近、接触の事象を検出し、これらの信号を制御装置へ送る。
制御装置は、これらの信号を処理し、表示装置にて入力操作に対応した表示を行う様に、表示装置側制御装置へ所定の信号を出力する。
タッチパネル装置は、抵抗式、静電容量式、赤外線式、表面弾性波式、電磁式、近接場イメージング式などを含むいくつかのタイプのタッチパネル技術がある。
昨今では、タッチセンサ上の複数の指等の接近、接触（マルチタッチ）を検出できる方式として、静電容量方式のタッチパネル装置が注目されている。
静電容量方式のタッチパネル装置においては、配列された透明電極と人間の指の間での静電気結合より静電容量の変化が発生し、更にそれにより発生する誘導電流を利用してタッチパネル上の位置坐標を検知することができる。
公知の静電容量型タッチパネルセンサの構造は、Ｘ軸透明電極及びＹ軸透明電極により構成され、Ｘ、Ｙ軸透明電極は互いに絶縁されてタッチパネルセンサ内に設置され、並びに、Ｘ、Ｙ軸透明電極を各々制御回路に接続する。
操作時は、使用者の指や導体が接近、接触した瞬間に静電容量の変化が生じ、静電容量の変化に基づき指または導体の位置を確定することができる。
昨今では、タッチセンサ上の複数の指等の接近、接触（マルチタッチ）を検出できる方式として、静電容量方式のタッチパネル装置が注目されている。
静電容量方式のタッチパネル装置においては、配列された透明電極と人間の指の間での静電気結合より静電容量の変化が発生し、更にそれにより発生する誘導電流を利用してタッチパネル上の位置坐標を検知することができる。
公知の静電容量型タッチパネルセンサの構造は、Ｘ軸透明電極及びＹ軸透明電極により構成され、Ｘ、Ｙ軸透明電極は互いに絶縁されてタッチパネルセンサ内に設置され、並びに、Ｘ、Ｙ軸透明電極を各々制御回路に接続する。
操作時は、使用者の指や導体が接近、接触した瞬間に静電容量の変化が生じ、静電容量の変化に基づき指または導体の位置を確定することができる。
これらのタッチパネルセンサは、通常、Ｘ軸透明電極とＹ軸透明電極を別々の２枚の基板上に形成し、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極間を絶縁材料で隔てた上で２枚の基板を貼り合わせて作成される例が大半であり、このためタッチパネルセンサの薄型化に不利であり、また、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極間の位置合わせを高精度に行って、タッチセンサの感度、位置精度を向上させる点でも不利であった。
最近では、これらの欠点を解消するため、Ｘ軸、Ｙ軸の透明電極を同一平面上に配列した構造の静電容量型タッチパネルセンサの提案がされている（例えば特許文献１）。
この静電容量型タッチパネルセンサでは、Ｘ軸透明電極よるなるＸ軸センサと、Ｙ軸透明電極よりなるＹ軸センサは同一基板上に配置される。
この時、透明電極をパターニングする第１の工程では、一方の軸方向（例えばＸ軸方向）の透明電極は夫々のセンサ単位は互いに連結されて形成されるが、もう一方の軸方向（例えばＹ軸方向）の透明電極は、夫々のセンサ単位が互いに間隔をあけて分離されて配置される。
同一平面上で交差するＸ軸、Ｙ軸透明電極の両方を、夫々のセンサ単位が互いに連結される様に形成すると、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極が交差点にて短絡する為である。
しかる後、分離されて形成されたＹ軸透明電極を連結する際に、Ｘ軸透明電極上を横断する部分に絶縁層を形成する第２の工程を行い、その後、Ｙ軸透明電極のセンサ単位を透明導電層にて連結する第３の工程を行う。
最近では、これらの欠点を解消するため、Ｘ軸、Ｙ軸の透明電極を同一平面上に配列した構造の静電容量型タッチパネルセンサの提案がされている（例えば特許文献１）。
この静電容量型タッチパネルセンサでは、Ｘ軸透明電極よるなるＸ軸センサと、Ｙ軸透明電極よりなるＹ軸センサは同一基板上に配置される。
この時、透明電極をパターニングする第１の工程では、一方の軸方向（例えばＸ軸方向）の透明電極は夫々のセンサ単位は互いに連結されて形成されるが、もう一方の軸方向（例えばＹ軸方向）の透明電極は、夫々のセンサ単位が互いに間隔をあけて分離されて配置される。
同一平面上で交差するＸ軸、Ｙ軸透明電極の両方を、夫々のセンサ単位が互いに連結される様に形成すると、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極が交差点にて短絡する為である。
しかる後、分離されて形成されたＹ軸透明電極を連結する際に、Ｘ軸透明電極上を横断する部分に絶縁層を形成する第２の工程を行い、その後、Ｙ軸透明電極のセンサ単位を透明導電層にて連結する第３の工程を行う。
ところで前述の特許文献１にて記載されるタッチパネルセンサ電極の製造方法は、以下の様に表わされる。
先ず、透明基板の一面上に、ＩＴＯに代表される透明導電層をスパッタリング技術等にて成膜し、しかる後、Ｘ軸透明電極とＹ軸透明電極に対応するパターンを有するエッチングマスクを形成する。
エッチングマスクはスクリーン印刷法や公知のフォトリソグラフィ法にて形成される。 その後、透明導電層を腐食するエッチング液（例えば塩化第２鉄水溶液）にて透明導電層をエッチングして、エッチングマスクに忠実に透明導電層をパターニングする。然る後、エッチングマスクを有機溶剤やアルカリ液を用いて剥離して、第１のパターニング工程を完了する。
このとき、Ｘ軸透明電極は、Ｘ軸方向に隣接する夫々のセンサ単位は連結する様に形成されるが、Ｙ軸透明電極は、Ｙ軸方向に隣接する夫々のセンサ単位は互いに間隔をあけて、分離されて形成される。
第２のパターニング工程では、Ｘ軸透明電極パターンと、Ｙ軸透明電極パターンが交差する予定の部分に、絶縁層を設ける。
ここで、絶縁層は、スクリーン印刷法や、フォトリソグラフィ法にて、無機絶縁膜、有機樹脂膜、感光性樹脂膜を用いて形成される。
更に第３のパターニング工程として、透明導電層の成膜とパターニングを行う。
Ｙ軸透明電極のＹ軸方向で隣接するセンサ単位を連結する連結導体を透明な導電材料で形成するのである。
上述の特許文献１にてこの工程の詳しい記載は無いが、以下の様な工程が考えられる。 先ず、第３のパターニング工程で連結導体を形成したい部分以外の部分にマスクを形成し、その後、透明導電層を全面に形成した後、先に形成したマスクを除去する、所謂リフトオフの工程を行って、所望の部分に透明導電材料による連結導体を形成する。
先ず、透明基板の一面上に、ＩＴＯに代表される透明導電層をスパッタリング技術等にて成膜し、しかる後、Ｘ軸透明電極とＹ軸透明電極に対応するパターンを有するエッチングマスクを形成する。
エッチングマスクはスクリーン印刷法や公知のフォトリソグラフィ法にて形成される。 その後、透明導電層を腐食するエッチング液（例えば塩化第２鉄水溶液）にて透明導電層をエッチングして、エッチングマスクに忠実に透明導電層をパターニングする。然る後、エッチングマスクを有機溶剤やアルカリ液を用いて剥離して、第１のパターニング工程を完了する。
このとき、Ｘ軸透明電極は、Ｘ軸方向に隣接する夫々のセンサ単位は連結する様に形成されるが、Ｙ軸透明電極は、Ｙ軸方向に隣接する夫々のセンサ単位は互いに間隔をあけて、分離されて形成される。
第２のパターニング工程では、Ｘ軸透明電極パターンと、Ｙ軸透明電極パターンが交差する予定の部分に、絶縁層を設ける。
ここで、絶縁層は、スクリーン印刷法や、フォトリソグラフィ法にて、無機絶縁膜、有機樹脂膜、感光性樹脂膜を用いて形成される。
更に第３のパターニング工程として、透明導電層の成膜とパターニングを行う。
Ｙ軸透明電極のＹ軸方向で隣接するセンサ単位を連結する連結導体を透明な導電材料で形成するのである。
上述の特許文献１にてこの工程の詳しい記載は無いが、以下の様な工程が考えられる。 先ず、第３のパターニング工程で連結導体を形成したい部分以外の部分にマスクを形成し、その後、透明導電層を全面に形成した後、先に形成したマスクを除去する、所謂リフトオフの工程を行って、所望の部分に透明導電材料による連結導体を形成する。
上述の工程では、透明導電層を基板表面のほぼ全面に成膜する工程が、第１のパターニング工程と、第３のパターニング工程を合わせて２回必要である。
ところが、第１、第３のパターニング工程を合わせても透明導電層が必要な面積は、２回分の透明導電層成膜の面積よりはるかに少ない。
特に、第３のパターニング工程にて、Ｙ軸透明電極の連結部分のみを形成する場合は、第３のパターニング工程で透明基板全面に形成された透明導電層のほとんどの面積は除去される工程となる。
ところが、第１、第３のパターニング工程を合わせても透明導電層が必要な面積は、２回分の透明導電層成膜の面積よりはるかに少ない。
特に、第３のパターニング工程にて、Ｙ軸透明電極の連結部分のみを形成する場合は、第３のパターニング工程で透明基板全面に形成された透明導電層のほとんどの面積は除去される工程となる。
一方、透明導電層と用いられる材料にて代表的であるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の主たる構成材料であるインジウムは希少金属として資源枯渇性が懸念される材料であり、上述の様に成膜した材料の大部分が除去され、ごく一部しか有効に利用されない製造方法は、希少資源の有効利用や経済性の観点で好ましくない。
本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサ、並びに、タッチパネルセンサを作製するために用いられるマトリックス型電極基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明のマトリックス型電極基板は、透明基板上に第１軸方向に連続的に伸びる第１透明電極が前記第１軸方向と異なる方向に複数配列されてなる第１電極群と、前記第１軸方向と交差する第２軸方向に不連続に伸びる前記第２透明電極が第２軸方向と異なる方向に複数配列されてなる第２電極群を有し、前記第１透明電極は前記透明基板表面上で、前記第１軸方向に連続に形成されており、前記第２透明電極は前記透明基板表面上で、前記第２軸方向に不連続に形成されており、前記第２電極群では、前記第２軸方向にて互いに隣接する前記第２透明電極の間を導通する連結部分が、前記第２透明電極と前記第２軸方向にて隣接する前記第１透明電極と交差する様に設けられており、前記連結部分には、前記第２透明電極の間を導通している連結導体が前記第１透明電極上に形成された前記第１絶縁層上を通過する構造を有するマトリックス型電極基板において、前記連結部分は、前記第１透明電極上に形成された前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されて前記第２透明電極の間を導通している前記連結導体と、前記第１絶縁層の両側より前記第１軸方向で接する第２絶縁層が形成されており、前記第１絶縁層の膜厚は前記第２絶縁層の膜厚より薄く形成されていることを特徴とするマトリックス型電極基板である。
本発明によるマトリックス型電極基板において、前記第１、第２絶縁層は、同一の感光性組成物で形成されていることが好ましい。
本発明によるマトリックス電極基板は、タッチパネルセンサに用いられることが好ましい。
本発明のマトリックス型電極基板の製造方法は、透明基板上にマトリックス型電極を有するマトリックス型電極基板を製造する方法であって、透明基板上に、透明導電膜を成膜、パターニングして、第１軸方向に連続的に伸びる第１透明電極が第１軸方向と異なる方向に複数に配列されてなる第１電極群を形成する第１電極群パターニング工程と、前記第１軸方向と交差する方向である第２軸方向に等間隔で配置された第２透明電極が、前記第２軸方向と交差する方向に並べて複数配列された第２電極群を形成する第２電極群パターニング工程とを、同時に行う透明導電層パターニング工程を有する第１の工程と、前記第１透明電極群と第２透明電極群の上に、感光性組成物の塗布、露光、現像を行なって、等間隔で配置された前記第２透明電極の間隙に、前記第１透明電極を前記第２軸方向に横断する様に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層に対し前記第１軸方向で両側より接する部分に、第１絶縁層よりも前記第２軸方向で幅が広く、前記隣接する第２透明電極間を横断する第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程とを含み、前記第１絶縁層形成工程と前記第２絶縁層形成工程を同時に行い、且つ、前記第１絶縁層は前記第２絶縁層よりも薄い膜厚で形成する工程を有する第２の工程と、前記第２絶縁層に挟みこまれて、互いに隣接する第２透明電極間を横断する領域に導電性インクを滴下して導電性インク層による連結導体を形成する第３の工程とを、この順に行うことを特徴とするマトリックス型電極基板の製造方法である。
本発明によるマトリックス型電極基板の製造方法の第２の工程において、第１絶縁膜と第２絶縁膜を形成する工程は、３階調の光線透過率を有するフォトマスクを用いて形成することが好ましい。
さらに、本発明によるマトリックス型電極基板の製造方法において、第３の工程の導電性インクの滴下の方法はディスペンサーまたはインクジェットを用いることが更に好ましい。
本発明によるマトリックス型電極基板は、透明基板上の第１軸方向に連続的に伸びる第１透明電極が第１軸方向と異なる方向に複数配列されてなる第１電極群と、第１軸方向と交差する第２軸方向に不連続に伸びる第２透明電極が第２軸方向と異なる方向に複数配列されてなる第２電極群を有している。
このうち、第１透明電極は透明基板表面上で、第１軸方向に連続に形成されており、第２透明電極は透明基板表面上で、第２軸方向に不連続に形成されている。
第１透明電極群と第２透明電極群は、透明導電膜の１回の成膜とパターニング工程にて同時に形成されるので、この工程では成膜された透明導電層のうち、エッチングして除去される部分の面積は、比較的小さくすることができるので、稀少金属であるインジウムを用いるＩＴＯを透明導電層として使用しても、稀少資源の有効利用や経済的観点でも好ましい。
このうち、第１透明電極は透明基板表面上で、第１軸方向に連続に形成されており、第２透明電極は透明基板表面上で、第２軸方向に不連続に形成されている。
第１透明電極群と第２透明電極群は、透明導電膜の１回の成膜とパターニング工程にて同時に形成されるので、この工程では成膜された透明導電層のうち、エッチングして除去される部分の面積は、比較的小さくすることができるので、稀少金属であるインジウムを用いるＩＴＯを透明導電層として使用しても、稀少資源の有効利用や経済的観点でも好ましい。
また、本発明にては、第２電極群では、第２軸方向にて互いに隣接する第２透明電極の間を導通する連結部分が、第２透明電極と隣接する前記第１透明電極と交差する様に設けられている。
この連結部分は第１、第２電極群と同じくＩＴＯ等の透明導電性材料を用いて形成される場合であっても、後述するように、ディスペンサーまたはインクジェットを用いて、必要とする部分のみに透明導電性材料を塗布することができるので、この工程にても透明導電性材料を無駄無く使用することが出来る。
この連結部分は第１、第２電極群と同じくＩＴＯ等の透明導電性材料を用いて形成される場合であっても、後述するように、ディスペンサーまたはインクジェットを用いて、必要とする部分のみに透明導電性材料を塗布することができるので、この工程にても透明導電性材料を無駄無く使用することが出来る。
加えて、本発明では、連結部分には、第１透明電極上に形成された第１絶縁層を有し、第２透明電極の間を導通している連結導体が第１絶縁層上を通過する構造を有するマトリックス型電極基板であり、連結部は、第１透明電極上に形成された第１絶縁層と、第１絶縁層上に形成されて第２透明電極の間を導通している連結導体と、第１絶縁層の両側より第１軸方向で接する第２絶縁層が形成されており、第１絶縁層の膜厚は第２絶縁層の膜厚より薄く形成されている。
言い換えると、第１透明電極と、第２透明電極の連結部の間を絶縁する第１絶縁層は、第２絶縁層より薄く形成されており、即ち、第２絶縁層は、第１絶縁層より厚く形成され、かつ、連結部において、連結部分と平行に接して配置されるので、連結部の第１絶縁層の幅を規定する壁として構成される。
従って、ディスペンサーやインクジェットにて連結部分の連結導体を透明導電体材料により塗布形成する際に、透明導電材料が、連結部の第１絶縁層の幅を超えて広がって形成されることを防ぐ壁として機能し、不必要な部分に透明導電材料が塗布されることを防ぎ、透明電極間の短絡を防ぐことが出来る。
また、透明導電材料が不必要に濡れ広がることを防ぐことで連結導体の断線も防ぐことができる。
また、第１絶縁層と第２絶縁層は、同一の組成物で形成されるため、同時に形成することが出来、工程の簡略化が計れる。
言い換えると、第１透明電極と、第２透明電極の連結部の間を絶縁する第１絶縁層は、第２絶縁層より薄く形成されており、即ち、第２絶縁層は、第１絶縁層より厚く形成され、かつ、連結部において、連結部分と平行に接して配置されるので、連結部の第１絶縁層の幅を規定する壁として構成される。
従って、ディスペンサーやインクジェットにて連結部分の連結導体を透明導電体材料により塗布形成する際に、透明導電材料が、連結部の第１絶縁層の幅を超えて広がって形成されることを防ぐ壁として機能し、不必要な部分に透明導電材料が塗布されることを防ぎ、透明電極間の短絡を防ぐことが出来る。
また、透明導電材料が不必要に濡れ広がることを防ぐことで連結導体の断線も防ぐことができる。
また、第１絶縁層と第２絶縁層は、同一の組成物で形成されるため、同時に形成することが出来、工程の簡略化が計れる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
まず、図１およびその部分的拡大図である図２（ａ）を参照して、タッチパネルセンサを構成するマトリックス型電極基板（９）全体について説明する。
図１に示すタッチパネルセンサは、投影型の静電容量方式として構成されている。
タッチパネルセンサはガラス基板や透明樹脂フィルムの様な透明基板（１）上でＸ軸方向に連続して配置されるＸ軸透明電極（２２）が複数形成され、Ｘ軸透明電極（２２）がＹ軸方向に複数配置されて構成されるＸ軸透明電極群（２３）が形成されている。またＹ軸方向に連続して配置されるＹ軸透明電極（２４）が複数形成され、Ｙ軸透明電極（２４）がＸ軸方向に複数配置されて構成されるＹ軸透明電極群（２５）が形成されている。Ｘ軸方向の透明電極は、Ｙ軸方向に膨出する形状をとるＸ軸センサ単位（２６）と、隣接するＸ軸センサ単位間を連結するＸ軸連結部（２７）より構成される。Ｙ軸電極も同様に、Ｘ軸方向に膨出する形状のＹ軸センサ単位（２８）とＹ軸連結部（２９）より構成される。Ｘ軸、Ｙ軸透明電極は、その一端または両端が、それぞれ配線導体（３１）に接続されており、配線導体（３１）の基板周辺部側の先端部は、タッチパネルセンサ制御回路（図示せず）と接続するための端子部（３２）となっている。
２群の透明電極は、組み合わせて用いられる表示装置の表示画面に相当する表示有効領域（３３）に配置され、配線導体（３１）および端子部（３２）は組み合わされる表示装置の表示領域外に配置される（表示有効領域（３３）の外縁を図１にて破線で示す）。
ここで、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極は、ＩＴＯ等に代表される透明な導電性材料により形成される。
透明性が必要とされるのは、組み合わされる表示装置の映像に影響を与えないためである。
配線導体はアルミニウム、銀や銅またはそれらの合金等による金属薄膜や、銀ペースト等の導電性ペーストにより形成される。配線導体は表示領域外に形成されるので透明性は必要ないが、抵抗値の小さい材料である必要がある。
ここで、図１、図２（ａ）に示す構造を同一平面上に形成した場合、Ｘ軸透明電極（Ｘ軸連結部）とＹ軸透明電極（Ｙ軸連結部）の交差する部分（３０）にて短絡が生じる為、特許文献１に示される様に、交差する部分（３０）にて、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極の間に絶縁層が必要となる。
ここで、交差する部分（３０）では、Ｘ軸連結部の導電体と絶縁層（誘電層）とＹ軸連結部の導電体が積層された構造となり、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極に、端子部より電圧を掛けると、コンデンサが形成される。
ここで、外部の導体（典型的には人間の指）が接近すると、Ｘ軸またはＹ軸透明電極と外部導体との間に新たにコンデンサが形成され、これによるコンデンサ容量の変化をタッチパネルセンサ電極制御装置により検出することにより外部導体の接近を検出することが出来る。
なお、図１にてはＸ軸、Ｙ軸透明電極の交差する部分および本発明での第１、第２軸方向透明電極の交差する部分に関しては詳細に記載せず、簡略化して記載するのみであるので、その詳細については図２以降を用いて説明する。
図１に示すタッチパネルセンサは、投影型の静電容量方式として構成されている。
タッチパネルセンサはガラス基板や透明樹脂フィルムの様な透明基板（１）上でＸ軸方向に連続して配置されるＸ軸透明電極（２２）が複数形成され、Ｘ軸透明電極（２２）がＹ軸方向に複数配置されて構成されるＸ軸透明電極群（２３）が形成されている。またＹ軸方向に連続して配置されるＹ軸透明電極（２４）が複数形成され、Ｙ軸透明電極（２４）がＸ軸方向に複数配置されて構成されるＹ軸透明電極群（２５）が形成されている。Ｘ軸方向の透明電極は、Ｙ軸方向に膨出する形状をとるＸ軸センサ単位（２６）と、隣接するＸ軸センサ単位間を連結するＸ軸連結部（２７）より構成される。Ｙ軸電極も同様に、Ｘ軸方向に膨出する形状のＹ軸センサ単位（２８）とＹ軸連結部（２９）より構成される。Ｘ軸、Ｙ軸透明電極は、その一端または両端が、それぞれ配線導体（３１）に接続されており、配線導体（３１）の基板周辺部側の先端部は、タッチパネルセンサ制御回路（図示せず）と接続するための端子部（３２）となっている。
２群の透明電極は、組み合わせて用いられる表示装置の表示画面に相当する表示有効領域（３３）に配置され、配線導体（３１）および端子部（３２）は組み合わされる表示装置の表示領域外に配置される（表示有効領域（３３）の外縁を図１にて破線で示す）。
ここで、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極は、ＩＴＯ等に代表される透明な導電性材料により形成される。
透明性が必要とされるのは、組み合わされる表示装置の映像に影響を与えないためである。
配線導体はアルミニウム、銀や銅またはそれらの合金等による金属薄膜や、銀ペースト等の導電性ペーストにより形成される。配線導体は表示領域外に形成されるので透明性は必要ないが、抵抗値の小さい材料である必要がある。
ここで、図１、図２（ａ）に示す構造を同一平面上に形成した場合、Ｘ軸透明電極（Ｘ軸連結部）とＹ軸透明電極（Ｙ軸連結部）の交差する部分（３０）にて短絡が生じる為、特許文献１に示される様に、交差する部分（３０）にて、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極の間に絶縁層が必要となる。
ここで、交差する部分（３０）では、Ｘ軸連結部の導電体と絶縁層（誘電層）とＹ軸連結部の導電体が積層された構造となり、Ｘ軸、Ｙ軸透明電極に、端子部より電圧を掛けると、コンデンサが形成される。
ここで、外部の導体（典型的には人間の指）が接近すると、Ｘ軸またはＹ軸透明電極と外部導体との間に新たにコンデンサが形成され、これによるコンデンサ容量の変化をタッチパネルセンサ電極制御装置により検出することにより外部導体の接近を検出することが出来る。
なお、図１にてはＸ軸、Ｙ軸透明電極の交差する部分および本発明での第１、第２軸方向透明電極の交差する部分に関しては詳細に記載せず、簡略化して記載するのみであるので、その詳細については図２以降を用いて説明する。
ここで、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図２（ｂ）、（ｃ）を用いて従来技術による図１、図２（ａ）のタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板の製造方法を説明する。尚、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、および後述する図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図１の表示有効領域（３３）内の一部を示すものである。
先ず、透明なガラス基板やＰＥＴ等の樹脂フィルムである透明基板（１０１）の一面上に透明導電層を成膜する( 図示せず) 。
透明導電層は、ＩＴＯや酸化錫、酸化亜鉛等の金属酸化物を用い、スパッタ法や蒸着法で成膜される。
次いで、図３（ａ）の第１軸方向（図１のＸ軸方向に対応）に連続して伸びる第１透明電極（１０２）が第１軸方向に直交する方向に複数配列されてなる第１透明電極群（１０３）のパターンと、第１軸方向と直交する第２軸方向（図１のＹ軸方向に対応）に不連続に伸びる第２透明電極（１０４）が第２軸方向と直交する方向に複数配列されてなる第２透明電極群（１０５）に対応するパターンを有するエッチングマスクを形成する。
エッチングマスクは、特許文献１に記載されるスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法で形成される。
次に、エッチングマスクで被覆されていない部分の透明導電層を塩化第２鉄水溶液や塩酸等のエッチング液にてエッチングして、エッチングマスクに忠実に透明導電層をパターニングする。
然る後、エッチングマスクを有機溶剤やアルカリ液を用いて剥離除去して、第１の工程を完了する。
この様にして、透明導電層は、図３（ａ）に示す様にパターニングされる。
このとき、第１透明電極（１０２）は、図２（ｂ）に示す様に、第１軸方向に連続して形成され、第１軸方向で互いに隣接する第１軸センサ単位（１１６）と、第１軸連結部（１１７）により構成され、第１軸センサ単位（１１６）は、第１軸連結部（１１７）にて電気的に接続されている。
一方、第２軸方向で互いに隣接する第２透明電極（１０４）の間では、夫々の間で一定の間隔をあけて配列されている。
即ち、第２透明電極を構成する第２軸センサ単位（１１８）は、電気的に絶縁されて形成されているので、後の工程にて隣接する第２軸センサ単位（１１８）間に絶縁層（１３７）を介して連結導体（１０８）を設けて導通させる必要がある。
先ず、透明なガラス基板やＰＥＴ等の樹脂フィルムである透明基板（１０１）の一面上に透明導電層を成膜する( 図示せず) 。
透明導電層は、ＩＴＯや酸化錫、酸化亜鉛等の金属酸化物を用い、スパッタ法や蒸着法で成膜される。
次いで、図３（ａ）の第１軸方向（図１のＸ軸方向に対応）に連続して伸びる第１透明電極（１０２）が第１軸方向に直交する方向に複数配列されてなる第１透明電極群（１０３）のパターンと、第１軸方向と直交する第２軸方向（図１のＹ軸方向に対応）に不連続に伸びる第２透明電極（１０４）が第２軸方向と直交する方向に複数配列されてなる第２透明電極群（１０５）に対応するパターンを有するエッチングマスクを形成する。
エッチングマスクは、特許文献１に記載されるスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法で形成される。
次に、エッチングマスクで被覆されていない部分の透明導電層を塩化第２鉄水溶液や塩酸等のエッチング液にてエッチングして、エッチングマスクに忠実に透明導電層をパターニングする。
然る後、エッチングマスクを有機溶剤やアルカリ液を用いて剥離除去して、第１の工程を完了する。
この様にして、透明導電層は、図３（ａ）に示す様にパターニングされる。
このとき、第１透明電極（１０２）は、図２（ｂ）に示す様に、第１軸方向に連続して形成され、第１軸方向で互いに隣接する第１軸センサ単位（１１６）と、第１軸連結部（１１７）により構成され、第１軸センサ単位（１１６）は、第１軸連結部（１１７）にて電気的に接続されている。
一方、第２軸方向で互いに隣接する第２透明電極（１０４）の間では、夫々の間で一定の間隔をあけて配列されている。
即ち、第２透明電極を構成する第２軸センサ単位（１１８）は、電気的に絶縁されて形成されているので、後の工程にて隣接する第２軸センサ単位（１１８）間に絶縁層（１３７）を介して連結導体（１０８）を設けて導通させる必要がある。
第２の工程では図２（ｃ）および図３（ｂ）に示す様に、第１軸連結部（１１７）と、後述する第３の工程で形成される連結導体（１０８）が交差する部分に絶縁層（１３７）を設ける。
絶縁層（１３７）は、後述する連結導体（１０８）が個々に形成される位置を中心位置として、第１透明電極のうちの第１軸連結部の一部分を被覆する様に設けられる。
第１絶縁層の第１軸方向の幅は、後述する連結導体より大きい幅になる様に形成され、第２軸方向の幅は、第１軸連結部を完全に覆う様に、形成時の位置決め精度や寸法変化も加味した余裕をもって形成される。絶縁層（１３７）は、絶縁性の樹脂材料やＳＯＧ( 塗布型のＳｉＯ２系材料) 等の無機材料を用いて、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法で形成される。
例えば、ＵＶ硬化性のアクリル樹脂を、塗布、マスク露光、現像、ベークといった工程を行うことで形成される。
絶縁層（１３７）は、後述する連結導体（１０８）が個々に形成される位置を中心位置として、第１透明電極のうちの第１軸連結部の一部分を被覆する様に設けられる。
第１絶縁層の第１軸方向の幅は、後述する連結導体より大きい幅になる様に形成され、第２軸方向の幅は、第１軸連結部を完全に覆う様に、形成時の位置決め精度や寸法変化も加味した余裕をもって形成される。絶縁層（１３７）は、絶縁性の樹脂材料やＳＯＧ( 塗布型のＳｉＯ２系材料) 等の無機材料を用いて、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法で形成される。
例えば、ＵＶ硬化性のアクリル樹脂を、塗布、マスク露光、現像、ベークといった工程を行うことで形成される。
次いで第３の工程を行うが、ここでは、図３（ｃ）に示す様に、第２透明電極（１０４）の第２軸センサ単位（１１８）間を導通する連結導体（１０８）を形成する。この工程では先ずマスク層( 図示せず) が、連結導体（１０８）が形成される予定の部分以外の領域を被覆するように形成される。
即ち、第２軸方向センサ単位の一部の領域と、それと第２軸方向で互いに隣接する第２軸センサ単位の一部の領域と、これらの間に位置する絶縁層上の一部の領域の３箇所の領域が、それぞれ連続して露出し、その他の領域が被覆されるパターンを有するマスク層を形成する。
マスク層はポジ型のフォトレジストを用いてフォトリソグラフィ法で形成される。
次いで、ＩＴＯ層をスパッタ法等にて成膜し、次いで、アルカリ液にてフォトレジストによるマスク層を剥離すると、フォトレジスト上のＩＴＯ層も同時に剥離され、図３（ｃ）の連結導体（１０８）に相当するＩＴＯ層のパターンが形成される。
この後、図１に示す配線導体（３１）が、例えば、銀ペーストをスクリーン印刷することにより形成され、この様にして、パッチパネルセンサ電極として用いることができるマトリックス型電極が形成される。
即ち、第２軸方向センサ単位の一部の領域と、それと第２軸方向で互いに隣接する第２軸センサ単位の一部の領域と、これらの間に位置する絶縁層上の一部の領域の３箇所の領域が、それぞれ連続して露出し、その他の領域が被覆されるパターンを有するマスク層を形成する。
マスク層はポジ型のフォトレジストを用いてフォトリソグラフィ法で形成される。
次いで、ＩＴＯ層をスパッタ法等にて成膜し、次いで、アルカリ液にてフォトレジストによるマスク層を剥離すると、フォトレジスト上のＩＴＯ層も同時に剥離され、図３（ｃ）の連結導体（１０８）に相当するＩＴＯ層のパターンが形成される。
この後、図１に示す配線導体（３１）が、例えば、銀ペーストをスクリーン印刷することにより形成され、この様にして、パッチパネルセンサ電極として用いることができるマトリックス型電極が形成される。
この第３の工程では図３（ｃ）および図２（ｃ）に示される様に、成膜されたＩＴＯ層のうち、基板上に残存させる部分は、連結導体（１０８）の部分のみであり、全面に成膜されたＩＴＯ層の大部分が剥離されることとなる。
従って、先に述べた様に、稀少資源であるインジウムの有効利用という観点で好ましくない製造方法である。
また、第１、第２の工程にてスクリーン印刷法が利用可能と述べたが、第１軸連結部（１１７）の線幅は数十μｍから１００μｍほどと狭く、スクリーン印刷法は精度の観点で好ましくない。
また、第２の工程で行う絶縁層形成の際にも、絶縁層の線幅は第１軸連結部の線幅よりは大ではあるが、絶縁層と、第２軸センサ単位の位置合わせ精度や、絶縁層と第３の工程で形成する連結導体との位置合わせ精度は高いものが要求されるので、この観点でもスクリーン印刷法では精度上の課題があり、第１〜第３の工程ではフォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。
しかし、フォトロソグラフィ法は、塗布、露光、現像等の煩雑な工程を行う方法であり、工程所要時間の短縮や、工数削減といった観点で工程の簡略化が求められている。
従って、先に述べた様に、稀少資源であるインジウムの有効利用という観点で好ましくない製造方法である。
また、第１、第２の工程にてスクリーン印刷法が利用可能と述べたが、第１軸連結部（１１７）の線幅は数十μｍから１００μｍほどと狭く、スクリーン印刷法は精度の観点で好ましくない。
また、第２の工程で行う絶縁層形成の際にも、絶縁層の線幅は第１軸連結部の線幅よりは大ではあるが、絶縁層と、第２軸センサ単位の位置合わせ精度や、絶縁層と第３の工程で形成する連結導体との位置合わせ精度は高いものが要求されるので、この観点でもスクリーン印刷法では精度上の課題があり、第１〜第３の工程ではフォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。
しかし、フォトロソグラフィ法は、塗布、露光、現像等の煩雑な工程を行う方法であり、工程所要時間の短縮や、工数削減といった観点で工程の簡略化が求められている。
ここで、本発明のタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板について説明する。
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すのは、本発明での一実施態様でのマトリックス型電極基板である。
尚、図４は、図１のマトリックス型電極基板の表示有効領域内の一部を拡大した図である。
図４（ａ）では透明基板（１）上に透明導電層をパターニングした状態を示す図であり、第１透明電極（２）よりなる第１透明電極群（３）のパターンと、第２透明電極（４）よりなる第２透明電極群（５）のパターンを示す。ここで、図４（ａ）で示す透明基板（１）、第１透明電極（２）、第１透明電極群（３）、第２透明電極（４）、第２透明電極群（５）、第１軸センサ単位（１６）、第１軸連結部（１７）、および第２軸センサ単位（１８）は、図３（ａ）で示す透明基板（１０１）、第１透明電極（１０２）、第１透明電極群（１０３）、第２透明電極（１０４）、第２透明電極群（１０５）、第１軸センサ単位（１１６）、第１軸連結部（１１７）、および第２軸センサ単位（１１８）に夫々対応し、同様の構成であるので詳細な説明は省略する。
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すのは、本発明での一実施態様でのマトリックス型電極基板である。
尚、図４は、図１のマトリックス型電極基板の表示有効領域内の一部を拡大した図である。
図４（ａ）では透明基板（１）上に透明導電層をパターニングした状態を示す図であり、第１透明電極（２）よりなる第１透明電極群（３）のパターンと、第２透明電極（４）よりなる第２透明電極群（５）のパターンを示す。ここで、図４（ａ）で示す透明基板（１）、第１透明電極（２）、第１透明電極群（３）、第２透明電極（４）、第２透明電極群（５）、第１軸センサ単位（１６）、第１軸連結部（１７）、および第２軸センサ単位（１８）は、図３（ａ）で示す透明基板（１０１）、第１透明電極（１０２）、第１透明電極群（１０３）、第２透明電極（１０４）、第２透明電極群（１０５）、第１軸センサ単位（１１６）、第１軸連結部（１１７）、および第２軸センサ単位（１１８）に夫々対応し、同様の構成であるので詳細な説明は省略する。
次に、図４（ｂ）を用いて、第１絶縁層、第２絶縁層に関して説明する。
第１絶縁層（７）は等間隔で配置された第２透明電極（４）の間隙に、第１透明電極（２）上を第２軸方向に横断する様に設けられる。
第２絶縁層（１０）は、第１軸方向で第１絶縁層（７）両側より接する部分に、隣接する第２透明電極（４）間を横断する様に設けられる。
この時、第１絶縁層の膜厚は、第２絶縁層の膜厚より薄く形成される必要がある。
また、第２絶縁層の第２軸方向の幅は、その両端が第１絶縁層の両端より突出する幅であることが望ましい。
この様に、第１絶縁層の膜厚を第２絶縁層より薄く形成することにて、後述する様に、連結導体を形成する際にその濡れ広がり幅を規制することが出来る。
第１絶縁層（７）は等間隔で配置された第２透明電極（４）の間隙に、第１透明電極（２）上を第２軸方向に横断する様に設けられる。
第２絶縁層（１０）は、第１軸方向で第１絶縁層（７）両側より接する部分に、隣接する第２透明電極（４）間を横断する様に設けられる。
この時、第１絶縁層の膜厚は、第２絶縁層の膜厚より薄く形成される必要がある。
また、第２絶縁層の第２軸方向の幅は、その両端が第１絶縁層の両端より突出する幅であることが望ましい。
この様に、第１絶縁層の膜厚を第２絶縁層より薄く形成することにて、後述する様に、連結導体を形成する際にその濡れ広がり幅を規制することが出来る。
次に、図４（ｃ）を用いて連結導体（８）を説明する。
連結導体（８）は、隣接する第２透明電極（４）の間を導通する、即ち互いに隣接する第２軸センサ単位（１８）間を電気的に接続する。
この連結導体（８）は、第２軸方向で互いに隣接する第２透明電極間の中間に位置する第１透明電極（２）を被覆する第１絶縁層（７）上を経て、隣接する第２透明電極（４）間を導通する様に形成される。
尚、第１絶縁層（７）、第２絶縁層（１０）、連結導体（８）に関する詳細は、後述するタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板の製造方法の中で説明する。
連結導体（８）は、隣接する第２透明電極（４）の間を導通する、即ち互いに隣接する第２軸センサ単位（１８）間を電気的に接続する。
この連結導体（８）は、第２軸方向で互いに隣接する第２透明電極間の中間に位置する第１透明電極（２）を被覆する第１絶縁層（７）上を経て、隣接する第２透明電極（４）間を導通する様に形成される。
尚、第１絶縁層（７）、第２絶縁層（１０）、連結導体（８）に関する詳細は、後述するタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板の製造方法の中で説明する。
次に、本発明のタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板の製造方法を、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および図１０のフロー図を用いて説明する。
先ず、透明なガラス基板やＰＥＴ等の樹脂フィルムである透明基板（１）の一面上に、透明導電膜を成膜、パターニングして、図４（ａ）の第１軸方向に連続して伸びる第１透明電極（２）が第１軸方向に直交する方向に複数配列されてなる第１透明電極群（３）と、第１軸方向と直交する第２軸方向に等間隔で配置された第２透明電極（４）が、第２軸方向と直交する方向に複数配列されてなる第２透明電極群（５）とを同時に形成する。
尚、この段階では、第１透明電極（２）は、第１軸センサ単位（１６）と第１軸連結部（１７）より構成され、第１透明電極は、電気的に連結されて第１軸方向に連続して伸びて配置される。第２透明電極（４）は、第２軸方向に間隔をあけて配置された第２軸センサ単位（１８）にて構成される。
この工程は、図１０に示す様に、透明基板の準備、透明導電層成膜、エッチングマスク形成、透明導電層エッチング、エッチングマスク剥離の順で行われる。
尚、この工程は前述の従来技術の第１の工程（図２（ｂ）、図３（ａ））と同一であるので詳細な説明は省略する。
先ず、透明なガラス基板やＰＥＴ等の樹脂フィルムである透明基板（１）の一面上に、透明導電膜を成膜、パターニングして、図４（ａ）の第１軸方向に連続して伸びる第１透明電極（２）が第１軸方向に直交する方向に複数配列されてなる第１透明電極群（３）と、第１軸方向と直交する第２軸方向に等間隔で配置された第２透明電極（４）が、第２軸方向と直交する方向に複数配列されてなる第２透明電極群（５）とを同時に形成する。
尚、この段階では、第１透明電極（２）は、第１軸センサ単位（１６）と第１軸連結部（１７）より構成され、第１透明電極は、電気的に連結されて第１軸方向に連続して伸びて配置される。第２透明電極（４）は、第２軸方向に間隔をあけて配置された第２軸センサ単位（１８）にて構成される。
この工程は、図１０に示す様に、透明基板の準備、透明導電層成膜、エッチングマスク形成、透明導電層エッチング、エッチングマスク剥離の順で行われる。
尚、この工程は前述の従来技術の第１の工程（図２（ｂ）、図３（ａ））と同一であるので詳細な説明は省略する。
次に、絶縁性の感光性組成物の塗布、マスク露光、現像、ベークをこの順で行って、第１絶縁層（７）と第２絶縁層（１０）を同時に形成する第２の工程を行う。
第１絶縁層（７）は等間隔で配置された第２透明電極（４）の間隙に、第１透明電極（２）上を第２軸方向に横断する様に設けられる。
即ち、第１絶縁層（７）は、後述する連結導体（８）が個々に形成される位置を中心位置として、第１透明電極（２）のうち、第１軸連結部（１７）の一部分を被覆する様に設けられる。
第１絶縁層（７）の第１軸方向の幅は、後述する連結導体と同じ幅になる様に形成され、第２軸方向の幅は、第１軸連結部（１７）を完全に覆う様に、形成時の位置決め精度や寸法変化も加味した余裕をもって形成される。
第２絶縁層（１０）は、第１軸方向で第１絶縁層（７）両側より接する部分に、隣接する第２透明電極（４）間を横断する様に設けられる。
即ち、第２絶縁層（１０）は、第１絶縁層（７）に対して第１軸方向で接し、且つ、第１絶縁層（７）を第１軸方向両側より挟む様に形成される。
この時、第１絶縁層の膜厚は、第２絶縁層の膜厚より薄く形成される必要がある。
また、第２絶縁層の第２軸方向の幅は、その両端が第１絶縁層の両端より突出する幅であることが望ましい。
尚、第１、第２絶縁層を形成する感光性組成物は、塗布、露光、現像およびベーク工程の後に、透明であることが望ましい。
不透明であると組み合わされる表示装置の表示品位に悪影響を与えるからである。
また、第２絶縁層の表面のうち上面側は、後述する導電性インクに対し撥インク性を有していることが好ましい。
これらの理由および効果については後述する。
第１絶縁層（７）は等間隔で配置された第２透明電極（４）の間隙に、第１透明電極（２）上を第２軸方向に横断する様に設けられる。
即ち、第１絶縁層（７）は、後述する連結導体（８）が個々に形成される位置を中心位置として、第１透明電極（２）のうち、第１軸連結部（１７）の一部分を被覆する様に設けられる。
第１絶縁層（７）の第１軸方向の幅は、後述する連結導体と同じ幅になる様に形成され、第２軸方向の幅は、第１軸連結部（１７）を完全に覆う様に、形成時の位置決め精度や寸法変化も加味した余裕をもって形成される。
第２絶縁層（１０）は、第１軸方向で第１絶縁層（７）両側より接する部分に、隣接する第２透明電極（４）間を横断する様に設けられる。
即ち、第２絶縁層（１０）は、第１絶縁層（７）に対して第１軸方向で接し、且つ、第１絶縁層（７）を第１軸方向両側より挟む様に形成される。
この時、第１絶縁層の膜厚は、第２絶縁層の膜厚より薄く形成される必要がある。
また、第２絶縁層の第２軸方向の幅は、その両端が第１絶縁層の両端より突出する幅であることが望ましい。
尚、第１、第２絶縁層を形成する感光性組成物は、塗布、露光、現像およびベーク工程の後に、透明であることが望ましい。
不透明であると組み合わされる表示装置の表示品位に悪影響を与えるからである。
また、第２絶縁層の表面のうち上面側は、後述する導電性インクに対し撥インク性を有していることが好ましい。
これらの理由および効果については後述する。
第２の工程は具体的には、図１０に示す第２の工程の様に実施される。
先ず、第１、第２絶縁層を形成する材料である感光性組成物の塗布を行う。
感光性組成物としてはポジ型のレジストであることが好ましく、膜厚３乃至２０μｍとなる様に、ダイコータ、スピンコータ等を用いて、第１の工程で作成した基板の透明電極上に塗布される。
次いで、露光装置を用いて感光性組成物に紫外線露光を行う。
このとき、第１、第２絶縁層のいずれもが形成されない部分の露光量と、第１絶縁層が形成される部分の露光量にて、第１絶縁層が形成される部分の露光量が小さくなる様に露光を行う。
この様にして露光を行った後、現像を行うと、第１絶縁層は、第２絶縁層より薄い膜厚で形成されるようになる。
この様に露光量を変えて露光する操作は１枚乃至２枚のフォトマスクを用いることにより以下の様に実施することが出来る。
なお、現像の後、必要に応じて、パターニングされた感光性組成物のベークを行う。
先ず、第１、第２絶縁層を形成する材料である感光性組成物の塗布を行う。
感光性組成物としてはポジ型のレジストであることが好ましく、膜厚３乃至２０μｍとなる様に、ダイコータ、スピンコータ等を用いて、第１の工程で作成した基板の透明電極上に塗布される。
次いで、露光装置を用いて感光性組成物に紫外線露光を行う。
このとき、第１、第２絶縁層のいずれもが形成されない部分の露光量と、第１絶縁層が形成される部分の露光量にて、第１絶縁層が形成される部分の露光量が小さくなる様に露光を行う。
この様にして露光を行った後、現像を行うと、第１絶縁層は、第２絶縁層より薄い膜厚で形成されるようになる。
この様に露光量を変えて露光する操作は１枚乃至２枚のフォトマスクを用いることにより以下の様に実施することが出来る。
なお、現像の後、必要に応じて、パターニングされた感光性組成物のベークを行う。
２枚のフォトマスクを用いる場合、第１および第２絶縁層に相当する部分を遮光した第１のフォトマスクと、第２絶縁層に相当する部分を遮光した第２のフォトマスクの２枚のフォトマスクを用意し、第１のフォトマスクで第１の露光量で露光し、第２のフォトマスクで第２の露光量で露光を行う。
これにより、第１絶縁層に相当する部分は第２の露光量で露光され、第２絶縁層に相当する部分は、露光されず、第１および第２絶縁層のいずれにも相当しない部分は、第１と第２の露光量の和の露光量で露光される。
なお、フォトマスクの遮光領域の配置に関しては、上述以外にも組み合わせが考えられ、例えば、第２のフォトマスクは、第１絶縁層に相当する部分以外の領域を遮光しても良い。
この様にして、第２絶縁層部分は露光せず、第１絶縁層部分を所定の露光量で露光し、第１および第２絶縁層以外の部分を第１絶縁層部分の露光量より大きい露光量で露光することにより、第１絶縁層を第２絶縁層より薄く形成することができ、それらの膜厚を、感光性組成物の塗布膜厚と、第１および第２の露光量の調整により希望の膜厚へ調整することが可能である。
尚、先に第１絶縁層と第２絶縁層を同時に形成すると述べたが、上述の２枚のフォトマスクを用いる製造方法も、第１絶縁層と第２絶縁層を同時に形成する方法に含まれる。
これにより、第１絶縁層に相当する部分は第２の露光量で露光され、第２絶縁層に相当する部分は、露光されず、第１および第２絶縁層のいずれにも相当しない部分は、第１と第２の露光量の和の露光量で露光される。
なお、フォトマスクの遮光領域の配置に関しては、上述以外にも組み合わせが考えられ、例えば、第２のフォトマスクは、第１絶縁層に相当する部分以外の領域を遮光しても良い。
この様にして、第２絶縁層部分は露光せず、第１絶縁層部分を所定の露光量で露光し、第１および第２絶縁層以外の部分を第１絶縁層部分の露光量より大きい露光量で露光することにより、第１絶縁層を第２絶縁層より薄く形成することができ、それらの膜厚を、感光性組成物の塗布膜厚と、第１および第２の露光量の調整により希望の膜厚へ調整することが可能である。
尚、先に第１絶縁層と第２絶縁層を同時に形成すると述べたが、上述の２枚のフォトマスクを用いる製造方法も、第１絶縁層と第２絶縁層を同時に形成する方法に含まれる。
１枚のフォトマスクを用いる場合について図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて説明する。
フォトマスク（１００）として、第１、第２絶縁層のいずれも形成されない領域に対応する光線透過領域（１１１）と、第２絶縁層に対応する遮光領域（１１０）と、第１絶縁層に対応して、光線透過領域の透過率と遮光領域の透過率の中間の透過率を有する中間透過率領域（１０７）を有する、３階調の光線透過率を有するフォトマスクを用いる方法である。
この様なフォトマスクは、光線透過領域（１１１）は石英ガラスのみで構成されて約９０％以上の光線透過率を有し、遮光領域（１１０）はクロム等の遮光性金属膜が石英ガラス上にパターニング形成されて光線透過率は約１％以下であり、中間透過率領域（１０７）は、酸化クロムや窒化クロムの薄膜が石英ガラス上にパターニング形成されて約２０〜７０％の光線透過率を有する。
図４（ｂ）に対応して図７（ａ）に示す様な３階調の光線透過率を有するフォトマスクを用いて、所定の露光を行うと、第１絶縁層を第２絶縁層より薄い膜厚で形成することが出来る。
この様にして、１枚乃至２枚のフォトマスクを用いる工程にて、第１絶縁層、第２絶縁層が形成される。
なお、この工程にて、第１、第２絶縁層は同じ組成物で形成されるため、その境界は不明瞭であり、また露光、現像等の工程を経た後の断面形状は、図１１に示す様になる場合がある。
このとき、図１１での凹部は第１絶縁層に相当し、その第１軸方向両側に凹部の底部よりも膜厚大となる凸部が存在すれば、この凸部は第２絶縁層に相当する。
フォトマスク（１００）として、第１、第２絶縁層のいずれも形成されない領域に対応する光線透過領域（１１１）と、第２絶縁層に対応する遮光領域（１１０）と、第１絶縁層に対応して、光線透過領域の透過率と遮光領域の透過率の中間の透過率を有する中間透過率領域（１０７）を有する、３階調の光線透過率を有するフォトマスクを用いる方法である。
この様なフォトマスクは、光線透過領域（１１１）は石英ガラスのみで構成されて約９０％以上の光線透過率を有し、遮光領域（１１０）はクロム等の遮光性金属膜が石英ガラス上にパターニング形成されて光線透過率は約１％以下であり、中間透過率領域（１０７）は、酸化クロムや窒化クロムの薄膜が石英ガラス上にパターニング形成されて約２０〜７０％の光線透過率を有する。
図４（ｂ）に対応して図７（ａ）に示す様な３階調の光線透過率を有するフォトマスクを用いて、所定の露光を行うと、第１絶縁層を第２絶縁層より薄い膜厚で形成することが出来る。
この様にして、１枚乃至２枚のフォトマスクを用いる工程にて、第１絶縁層、第２絶縁層が形成される。
なお、この工程にて、第１、第２絶縁層は同じ組成物で形成されるため、その境界は不明瞭であり、また露光、現像等の工程を経た後の断面形状は、図１１に示す様になる場合がある。
このとき、図１１での凹部は第１絶縁層に相当し、その第１軸方向両側に凹部の底部よりも膜厚大となる凸部が存在すれば、この凸部は第２絶縁層に相当する。
第３の工程として、図４（ｃ）、図１０に示す様に、隣接する第２透明電極（４）の間を導通する、即ち、互いに隣接する第２軸センサ単位（１８）間を電気的に接続する導電性の連結導体（８）を形成する工程を行う。
この連結導体（８）は、第２軸方向で互いに隣接する第２透明電極間の中間に位置する第１透明電極（２）を被覆する第１絶縁層（７）上を経て、隣接する第２透明電極（４）間を導通する様に形成される。
この連結導体（８）は導電性インクをインクジェットまたはディスペンサを用いて連結部（６）に吐出して形成される。
この後、必要に応じて導電性インクの焼成を行い、連結導体（８）が形成される。
尚、導電性インクとしては、ＩＴＯ微粒子を塗料化したものや、金や銀等の金属微粒子を塗料化したもの、およびポリアニリン系やポリチオフェン系等の透明導電性樹脂を用いることができる。
このうち、ＩＴＯ微粒子系のものおよび透明導電性樹脂系のものが、透明性が高く好ましい。
ＩＴＯ微粒子系のものとしてアルバックマテリアル株式会社製ＩＴＯナノメタルインク、住友金属鉱山株式会社製透明導電ＩＴＯインクＸ−１００シリーズ、透明導電性樹脂系としてはポリチオフェン系である、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製ＣＬＥＶＩＯＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルフォネート）等が好ましく用いることができる。
図４（ｃ）に示す様に第１絶縁層を両側より挟んで隣接する第２絶縁層に挟みこまれて、互いに隣接する第２透明電極間を横断する領域に導電性インクを滴下し、導電性インクによる連結導体（８）を形成するが、第１絶縁層に対し第１軸方向で接して形成された第２絶縁層が存在し、尚且つ、第２絶縁層は第１絶縁層より厚く形成されているので、吐出された導電性インクが、第１軸方向に濡れ広がろうとしたとき、その濡れ広がり幅を規制する壁として機能する。
従って、導電性インクが、第１絶縁膜の第１軸方向の幅以上に濡れ広がることにより、断線したり、第１透明電極と短絡したりすることを防止することができる。
また、この工程では、フォトリソグラフィ法による連結導体の形成を行わないので、工程所要時間の短縮や、工程削減といった観点での工程の簡略化を行うことができる。
この連結導体（８）は、第２軸方向で互いに隣接する第２透明電極間の中間に位置する第１透明電極（２）を被覆する第１絶縁層（７）上を経て、隣接する第２透明電極（４）間を導通する様に形成される。
この連結導体（８）は導電性インクをインクジェットまたはディスペンサを用いて連結部（６）に吐出して形成される。
この後、必要に応じて導電性インクの焼成を行い、連結導体（８）が形成される。
尚、導電性インクとしては、ＩＴＯ微粒子を塗料化したものや、金や銀等の金属微粒子を塗料化したもの、およびポリアニリン系やポリチオフェン系等の透明導電性樹脂を用いることができる。
このうち、ＩＴＯ微粒子系のものおよび透明導電性樹脂系のものが、透明性が高く好ましい。
ＩＴＯ微粒子系のものとしてアルバックマテリアル株式会社製ＩＴＯナノメタルインク、住友金属鉱山株式会社製透明導電ＩＴＯインクＸ−１００シリーズ、透明導電性樹脂系としてはポリチオフェン系である、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製ＣＬＥＶＩＯＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルフォネート）等が好ましく用いることができる。
図４（ｃ）に示す様に第１絶縁層を両側より挟んで隣接する第２絶縁層に挟みこまれて、互いに隣接する第２透明電極間を横断する領域に導電性インクを滴下し、導電性インクによる連結導体（８）を形成するが、第１絶縁層に対し第１軸方向で接して形成された第２絶縁層が存在し、尚且つ、第２絶縁層は第１絶縁層より厚く形成されているので、吐出された導電性インクが、第１軸方向に濡れ広がろうとしたとき、その濡れ広がり幅を規制する壁として機能する。
従って、導電性インクが、第１絶縁膜の第１軸方向の幅以上に濡れ広がることにより、断線したり、第１透明電極と短絡したりすることを防止することができる。
また、この工程では、フォトリソグラフィ法による連結導体の形成を行わないので、工程所要時間の短縮や、工程削減といった観点での工程の簡略化を行うことができる。
第１絶縁層と第２絶縁層の第２軸方向の幅に関しては、第１絶縁層上の導電性インクの濡れ広がりを規制するために、第２絶縁層は、少なくとも第１絶縁層と同等の幅が必要である。
また、第２絶縁層の第２軸方向の幅は、第１絶縁層の第２軸方向の幅より広く形成されることが望ましい。
第２絶縁層の第２軸方向の両端部が、第１絶縁層のそれより突出する構造となり、第１絶縁層上のみならず、第２透明電極上においても、導電性インクの濡れ広がり幅を規制することができ、導電性インクが第２透明電極の外へ必要以上に濡れ広がって、隣接する第１透明電極へ短絡することを防ぐことができるからである。
また、第２絶縁層の第２軸方向の幅は、第１絶縁層の第２軸方向の幅より広く形成されることが望ましい。
第２絶縁層の第２軸方向の両端部が、第１絶縁層のそれより突出する構造となり、第１絶縁層上のみならず、第２透明電極上においても、導電性インクの濡れ広がり幅を規制することができ、導電性インクが第２透明電極の外へ必要以上に濡れ広がって、隣接する第１透明電極へ短絡することを防ぐことができるからである。
導電性インクの濡れ広がりを規制する効果を高めるために、第２絶縁層の上面側（第２絶縁層の基板側に面する表面と反対側の表面）は、導電性インクに対し撥インク性を有していることが好ましい。
第２絶縁層の上面が撥インク性を有していると、第１絶縁層と第２絶縁層の膜厚差と第１絶縁層の第１軸方向の幅により規定される体積を超える体積の導電性インクを連結部（６）上に吐出した場合においても、撥インク性の効果により、導電性インクは第２絶縁層を乗り越えて第１軸方向に濡れ広がることを防止することができる。
第２絶縁層上面の撥インク性の為、導電性インクが表面張力にて盛り上がる様子を模式的に図８に示す。
第２絶縁層の上面に撥インク性を付与しない場合は、第１絶縁層と第２絶縁層の膜厚差と第１絶縁層の第１軸方向の幅により規定される体積を超える体積の導電性インクを連結部（６）上に吐出した場合、導電性インクは第２絶縁層を乗り越えて濡れ広がる可能性があり、その場合、不必要な部分に濡れ広がった導電性インクにより短絡や断線等が発生する。
しかし、この様にすることで、連結導体（８）の膜厚を、第１絶縁膜と第２絶縁膜の膜厚差に制限されることなく大きくすることができ、また連結導体の膜厚を大きくすることで連結導体の抵抗値を小さくすることが可能となる。
この様に、第２絶縁層の撥インク性を利用して連結導体の形成領域を規制する方法は、特にインクジェット法で使用するインクは低粘度であるため濡れ広がりが生じやすいので、この様な導電性インクを用いる場合に有効である。
第２絶縁層の上面が撥インク性を有していると、第１絶縁層と第２絶縁層の膜厚差と第１絶縁層の第１軸方向の幅により規定される体積を超える体積の導電性インクを連結部（６）上に吐出した場合においても、撥インク性の効果により、導電性インクは第２絶縁層を乗り越えて第１軸方向に濡れ広がることを防止することができる。
第２絶縁層上面の撥インク性の為、導電性インクが表面張力にて盛り上がる様子を模式的に図８に示す。
第２絶縁層の上面に撥インク性を付与しない場合は、第１絶縁層と第２絶縁層の膜厚差と第１絶縁層の第１軸方向の幅により規定される体積を超える体積の導電性インクを連結部（６）上に吐出した場合、導電性インクは第２絶縁層を乗り越えて濡れ広がる可能性があり、その場合、不必要な部分に濡れ広がった導電性インクにより短絡や断線等が発生する。
しかし、この様にすることで、連結導体（８）の膜厚を、第１絶縁膜と第２絶縁膜の膜厚差に制限されることなく大きくすることができ、また連結導体の膜厚を大きくすることで連結導体の抵抗値を小さくすることが可能となる。
この様に、第２絶縁層の撥インク性を利用して連結導体の形成領域を規制する方法は、特にインクジェット法で使用するインクは低粘度であるため濡れ広がりが生じやすいので、この様な導電性インクを用いる場合に有効である。
第２絶縁層の上面側に撥インク性を付与するためには、前述の第２の工程にて以下の様な操作が必要となる。
第２の工程にて、第１、第２絶縁層の材料をポジ型感光性組成物とし、ポジ型感光性組成物を塗布の後に、更にその塗膜表面上へ撥インキ性材料としてフッ素系やシリコン系の界面活性剤を塗布する。
なお、この時、フッ素系、シリコン系界面活性剤の溶媒は、ポジ型感光性組成物塗膜を溶解しにくい溶媒を選択する必要があり、フッ素系、シリコン系界面活性剤はポジ型感光性組成物の現像液に溶解しにくい材料を選ぶ必要がある。
この様に、ポジ型感光性組成物と界面活性材の塗膜をこの順に積層した後、前述の１枚の３階調フォトマスクによる露光または、２枚のフォトマスクを用いた露光をおこない、ポジ型感光性組成物の現像液にて現像を行う。
現像後、ポジ型感光性組成物が完全に除去された部分は、界面活性剤も同時に除去され、また、第１絶縁層形成部上の界面活性剤も、現像液にて溶解される一部のポジ型感光性組成物とともに除去され、界面活性剤は第２絶縁層表面のもののみを残すことができる。
第２の工程にて、第１、第２絶縁層の材料をポジ型感光性組成物とし、ポジ型感光性組成物を塗布の後に、更にその塗膜表面上へ撥インキ性材料としてフッ素系やシリコン系の界面活性剤を塗布する。
なお、この時、フッ素系、シリコン系界面活性剤の溶媒は、ポジ型感光性組成物塗膜を溶解しにくい溶媒を選択する必要があり、フッ素系、シリコン系界面活性剤はポジ型感光性組成物の現像液に溶解しにくい材料を選ぶ必要がある。
この様に、ポジ型感光性組成物と界面活性材の塗膜をこの順に積層した後、前述の１枚の３階調フォトマスクによる露光または、２枚のフォトマスクを用いた露光をおこない、ポジ型感光性組成物の現像液にて現像を行う。
現像後、ポジ型感光性組成物が完全に除去された部分は、界面活性剤も同時に除去され、また、第１絶縁層形成部上の界面活性剤も、現像液にて溶解される一部のポジ型感光性組成物とともに除去され、界面活性剤は第２絶縁層表面のもののみを残すことができる。
なお、上述の実施の形態にて、第１軸方向と第２軸方向は直交すると説明したが、第１軸方向と第２軸方向は必ずしも直交する必要はなく、本発明にての第１軸方向と第２軸方向の交差角度は直角以外の角度も含まれる。
次に、本発明の他の態様として、実施の形態の変形例について説明する。前述の実施の形態では、第２絶縁層の第２軸方向の幅は、第１絶縁層のそれに比して、同等またはそれ以上と述べた。
これにより、連結導体の第１軸方向の幅を第１絶縁層上および第２透明電極上で規制できる。
これに加えて、以下説明する様な形状とすることで、連結導体の第２軸方向の幅も規制することが可能となる。
また、これらの変形例は第２の工程で使用するフォトマスクのパターン設計を図７（ｂ）に示す様に変更することで可能となる。
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すのは変形例１である。
変形例１にて第１軸方向で互いに隣接する第２絶縁層（１０）は、第１軸方向で接する第１絶縁層（７）を挟んでおり、その第２軸方向の長さは第１絶縁層より長く、更に第２軸方向の先端で互いに接続される形状を有する。
即ち、第２絶縁層は、第１絶縁層と、その第２軸方向両側に隣接する部位とを囲む形状となっており、第１絶縁層と接する内側輪郭部位と接しない内側輪郭部位を有し、第１絶縁層と接しない内側輪郭部位内には第２透明電極（４）の一部が位置する形状を有する。 ここで第１絶縁層に第２軸方向で隣接する部位では第２透明電極表面が露出しており、連結導体形成時のコンタクトホール（１１）を形成している。
第２絶縁層（１０）の内側輪郭は第１絶縁層（７）とコンタクトホール（１１）を囲む形状である為、第１軸方向の連結導体（８）の幅を第１絶縁膜上およびその延長上で規制するのみならず、第２軸方向の連結導体の幅も規制することが可能となる。
この様にすることで、連結導体の幅を第１軸方向、第２軸方向ともに規制できるので、所望しない部分へ導電性インクが濡れ広がり、短絡や断線等の欠陥が発生することを防止することができる。
このように連結導体の寸法がほぼ一定で形成できるので、寸法精度の観点でも好ましく、また、連結導体の寸法がほぼ一定になればその部分の静電容量や抵抗値も一定となり、タッチセンサとしての精度等も向上できる。
これにより、連結導体の第１軸方向の幅を第１絶縁層上および第２透明電極上で規制できる。
これに加えて、以下説明する様な形状とすることで、連結導体の第２軸方向の幅も規制することが可能となる。
また、これらの変形例は第２の工程で使用するフォトマスクのパターン設計を図７（ｂ）に示す様に変更することで可能となる。
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すのは変形例１である。
変形例１にて第１軸方向で互いに隣接する第２絶縁層（１０）は、第１軸方向で接する第１絶縁層（７）を挟んでおり、その第２軸方向の長さは第１絶縁層より長く、更に第２軸方向の先端で互いに接続される形状を有する。
即ち、第２絶縁層は、第１絶縁層と、その第２軸方向両側に隣接する部位とを囲む形状となっており、第１絶縁層と接する内側輪郭部位と接しない内側輪郭部位を有し、第１絶縁層と接しない内側輪郭部位内には第２透明電極（４）の一部が位置する形状を有する。 ここで第１絶縁層に第２軸方向で隣接する部位では第２透明電極表面が露出しており、連結導体形成時のコンタクトホール（１１）を形成している。
第２絶縁層（１０）の内側輪郭は第１絶縁層（７）とコンタクトホール（１１）を囲む形状である為、第１軸方向の連結導体（８）の幅を第１絶縁膜上およびその延長上で規制するのみならず、第２軸方向の連結導体の幅も規制することが可能となる。
この様にすることで、連結導体の幅を第１軸方向、第２軸方向ともに規制できるので、所望しない部分へ導電性インクが濡れ広がり、短絡や断線等の欠陥が発生することを防止することができる。
このように連結導体の寸法がほぼ一定で形成できるので、寸法精度の観点でも好ましく、また、連結導体の寸法がほぼ一定になればその部分の静電容量や抵抗値も一定となり、タッチセンサとしての精度等も向上できる。
ここでは更なる態様として、変形例２について説明する。
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すのが変形例２である。
ここで、第２絶縁層（１０）の内側の輪郭形状は変形例１と同じであり、第１絶縁層（７）に第２軸方向で隣接する部位では第２透明電極（４）表面が露出しており、連結導体形成時のコンタクトホール（１１）を形成している。
第２絶縁層（１０）の内側輪郭は第１絶縁層（７）とコンタクトホール（１１）を囲む形状である為、第１軸方向の連結導体（８）の幅を第１絶縁膜上およびその延長上で規制するのみならず、第２軸方向の連結導体の幅も規制することが可能となる。
変形例２では、第２絶縁層は外側の輪郭形状を持たない点が変形例１と異なる。
ここでは第２絶縁層は、第１絶縁層（７）と、その第２軸方向両側に隣接する部位とを除いて、透明基板（１）、第１透明電極（２）および第２透明電極（４）表面を被覆する。
即ち、第２絶縁層は、第１絶縁層上およびその第２軸方向両側の第１絶縁層延長上の一部には形成されず、それ以外の部分を被覆する。
この様な構成とすることで、第２絶縁層を第１、第２透明電極に対する保護膜として用いることができ、第１、第２透明電極の耐擦傷性や耐薬品性を向上させることが可能となる。
この変形例２で使用するフォトマスクを図７（ｃ）に示す。
なお、第２絶縁層は基板および第１、第２透明電極表面を被覆すると説明したが、それば対応する表示装置の表示領域内であり、表示領域外に形成される配線導体の形成領域や、透明電極と配線導体の接続部まで被覆する必要は無い。
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すのが変形例２である。
ここで、第２絶縁層（１０）の内側の輪郭形状は変形例１と同じであり、第１絶縁層（７）に第２軸方向で隣接する部位では第２透明電極（４）表面が露出しており、連結導体形成時のコンタクトホール（１１）を形成している。
第２絶縁層（１０）の内側輪郭は第１絶縁層（７）とコンタクトホール（１１）を囲む形状である為、第１軸方向の連結導体（８）の幅を第１絶縁膜上およびその延長上で規制するのみならず、第２軸方向の連結導体の幅も規制することが可能となる。
変形例２では、第２絶縁層は外側の輪郭形状を持たない点が変形例１と異なる。
ここでは第２絶縁層は、第１絶縁層（７）と、その第２軸方向両側に隣接する部位とを除いて、透明基板（１）、第１透明電極（２）および第２透明電極（４）表面を被覆する。
即ち、第２絶縁層は、第１絶縁層上およびその第２軸方向両側の第１絶縁層延長上の一部には形成されず、それ以外の部分を被覆する。
この様な構成とすることで、第２絶縁層を第１、第２透明電極に対する保護膜として用いることができ、第１、第２透明電極の耐擦傷性や耐薬品性を向上させることが可能となる。
この変形例２で使用するフォトマスクを図７（ｃ）に示す。
なお、第２絶縁層は基板および第１、第２透明電極表面を被覆すると説明したが、それば対応する表示装置の表示領域内であり、表示領域外に形成される配線導体の形成領域や、透明電極と配線導体の接続部まで被覆する必要は無い。
［実施例１］
基板として旭硝子株式会社製ＡＮガラスを用い、その片面上にスパッタリング法にて、ＩＴＯを成膜した。ＩＴＯ層は膜厚２０ｎｍ、シート抵抗２００Ω／□のものが得られた。この基板上のＩＴＯ層上にポジ型レジストを塗布し、プリベーク、超高圧水銀灯光源を用いたマスク露光、アルカリ現像液による現像を行った。
次いで、塩化第２鉄塩酸混合系のエッチング液にてＩＴＯ層をエッチングした後、苛性カリ水溶液にてレジストを剥離し、図４（ａ）に示す様なパターンを有する透明導電膜パターンを得た。
次いで、得られた透明導電膜パターン上に、第１、第２絶縁層用材料としてポジ型感光性材料である住友化学株式会社製のＰＦＩ- ２７を膜厚１０μｍに塗布し、プレベークを行った。
フォトマスクとして図７（ａ）に示す３階調フォトマスクを用い、マスクアライメントの後、超高圧水銀灯光源による露光を行った。
露光量は２００ｍＪ／ｃｍ2 であり、フォトマスクの中間調部の光線透過率は３０％であった。
現像液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．３８％水溶液を用いて現像し、１５０℃にてポストベークを行った。
ポストベーク後のレジスト膜厚は、第１絶縁層部分にて４μｍ、第２絶縁層部分にて８μｍであった。
次いで、インクジェット装置としてＤＩＭＡＴＩＸ社製ＤＭＰ２８３１を用い、導電性インクとして透明導電性樹脂であるＨ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製ＣＬＥＶＩＯＳ ＰＪｅｔ Ｎ Ｖ２を使用して、図４（ｃ）に示す連結導体（８）に相当する部位に描画、吐出を行い、１２０℃で焼成してタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作した。
連結導体は第１絶縁膜上で膜厚０．２５μｍに形成された。
また、連結導体は、所定の部分以外に濡れ広がることは無く、良好な品質にてタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作することができた。
基板として旭硝子株式会社製ＡＮガラスを用い、その片面上にスパッタリング法にて、ＩＴＯを成膜した。ＩＴＯ層は膜厚２０ｎｍ、シート抵抗２００Ω／□のものが得られた。この基板上のＩＴＯ層上にポジ型レジストを塗布し、プリベーク、超高圧水銀灯光源を用いたマスク露光、アルカリ現像液による現像を行った。
次いで、塩化第２鉄塩酸混合系のエッチング液にてＩＴＯ層をエッチングした後、苛性カリ水溶液にてレジストを剥離し、図４（ａ）に示す様なパターンを有する透明導電膜パターンを得た。
次いで、得られた透明導電膜パターン上に、第１、第２絶縁層用材料としてポジ型感光性材料である住友化学株式会社製のＰＦＩ- ２７を膜厚１０μｍに塗布し、プレベークを行った。
フォトマスクとして図７（ａ）に示す３階調フォトマスクを用い、マスクアライメントの後、超高圧水銀灯光源による露光を行った。
露光量は２００ｍＪ／ｃｍ2 であり、フォトマスクの中間調部の光線透過率は３０％であった。
現像液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．３８％水溶液を用いて現像し、１５０℃にてポストベークを行った。
ポストベーク後のレジスト膜厚は、第１絶縁層部分にて４μｍ、第２絶縁層部分にて８μｍであった。
次いで、インクジェット装置としてＤＩＭＡＴＩＸ社製ＤＭＰ２８３１を用い、導電性インクとして透明導電性樹脂であるＨ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製ＣＬＥＶＩＯＳ ＰＪｅｔ Ｎ Ｖ２を使用して、図４（ｃ）に示す連結導体（８）に相当する部位に描画、吐出を行い、１２０℃で焼成してタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作した。
連結導体は第１絶縁膜上で膜厚０．２５μｍに形成された。
また、連結導体は、所定の部分以外に濡れ広がることは無く、良好な品質にてタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作することができた。
［実施例２］
実施例１と同様に、透明導電膜パターンの形成および第１、第２絶縁層の形成を行った。
次いで、マイクロディスペンサとしてグラフテック株式会社製ＭＤ２００１を用い、導電性インクとしてＩＴＯ微粒子系である住友金属鉱山株式会社製透明導電ＩＴＯインクＸ−１００を粘度５０ｍＰａ・Ｓに調整したインクを使用して、図４（ｃ）に示す連結導体（８）に相当する部位に描画、吐出を行い、１２０℃で焼成してタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作した。
連結導体は第１絶縁膜上で膜厚２μｍに形成された。
また、連結導体は、所定の部分以外に濡れ広がることは無く、良好な品質にてタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作することができた。
実施例１と同様に、透明導電膜パターンの形成および第１、第２絶縁層の形成を行った。
次いで、マイクロディスペンサとしてグラフテック株式会社製ＭＤ２００１を用い、導電性インクとしてＩＴＯ微粒子系である住友金属鉱山株式会社製透明導電ＩＴＯインクＸ−１００を粘度５０ｍＰａ・Ｓに調整したインクを使用して、図４（ｃ）に示す連結導体（８）に相当する部位に描画、吐出を行い、１２０℃で焼成してタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作した。
連結導体は第１絶縁膜上で膜厚２μｍに形成された。
また、連結導体は、所定の部分以外に濡れ広がることは無く、良好な品質にてタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作することができた。
［実施例３］
透明導電膜パターンを得るまでの工程は実施例１と同様に行った。
第１、第２絶縁層の材料として東レ株式会社製のポジ型感光性ポリイミドフォトニースＰＷ１２００を用いた。
１０μｍ厚に塗布した後、ＤＩＣ株式会社製フッ素系界面活性剤メガファックＦ１７２（パーフルオロアルキル基・親油性基含有オリゴマー）の０．１％トルエン溶液を更に塗布した後、１２０℃にてプレベークを行い、レジスト表面を撥インク性とした。
この後、実施例１と同じフォトマスクを用い、５５０ｍＪ／ｃｍ2 の露光を行った後、ＴＭＡＨ２．３８％水溶液にて現像後、２５０℃にてポストベークを行った。ポストベーク後のレジスト膜厚は、第１絶縁層部分にて４μｍ、第２絶縁層部分にて８μｍであり、第２絶縁層の上面側のみが撥インク性となった。
次いでインクジェット装置としてＤＩＭＡＴＩＸ社製ＤＭＰ２８３１を用いて、導電性インクとしてＩＴＯ微粒子系である住友金属鉱山株式会社製透明導電ＩＴＯインクＸ−１００を粘度１０ｍＰａ・Ｓに調整したインクを使用して、図４（ｃ）に示す連結導体（８）に相当する部位に描画、吐出を行い、１２０℃で焼成してタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作した。
連結導体は第１絶縁膜上で膜厚２μｍに形成された。
また、連結導体は、所定の部分以外に濡れ広がることは無く、良好な品質にてタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作することができた。
透明導電膜パターンを得るまでの工程は実施例１と同様に行った。
第１、第２絶縁層の材料として東レ株式会社製のポジ型感光性ポリイミドフォトニースＰＷ１２００を用いた。
１０μｍ厚に塗布した後、ＤＩＣ株式会社製フッ素系界面活性剤メガファックＦ１７２（パーフルオロアルキル基・親油性基含有オリゴマー）の０．１％トルエン溶液を更に塗布した後、１２０℃にてプレベークを行い、レジスト表面を撥インク性とした。
この後、実施例１と同じフォトマスクを用い、５５０ｍＪ／ｃｍ2 の露光を行った後、ＴＭＡＨ２．３８％水溶液にて現像後、２５０℃にてポストベークを行った。ポストベーク後のレジスト膜厚は、第１絶縁層部分にて４μｍ、第２絶縁層部分にて８μｍであり、第２絶縁層の上面側のみが撥インク性となった。
次いでインクジェット装置としてＤＩＭＡＴＩＸ社製ＤＭＰ２８３１を用いて、導電性インクとしてＩＴＯ微粒子系である住友金属鉱山株式会社製透明導電ＩＴＯインクＸ−１００を粘度１０ｍＰａ・Ｓに調整したインクを使用して、図４（ｃ）に示す連結導体（８）に相当する部位に描画、吐出を行い、１２０℃で焼成してタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作した。
連結導体は第１絶縁膜上で膜厚２μｍに形成された。
また、連結導体は、所定の部分以外に濡れ広がることは無く、良好な品質にてタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作することができた。
［比較例］
第１、第２絶縁層のパターニング工程で用いるフォトマスクを図９で示すパターン設計とした。
第１絶縁層に対応する部分にのみ遮光層を設け、他の部分は光線透過領域とすることで、第１絶縁層のみを設け、第２絶縁層を設けない設計とした。
透明導電膜パターンを得るまでの工程は実施例１と同様に行った。得られた透明導電膜パターン上に、第１絶縁層用材料としてポジ型感光性材料である住友化学株式会社製のＰＦＩ- ２７を膜厚５μｍに塗布し、プレベークを行った。
フォトマスクとして図９に示すフォトマスクを用い、マスクアライメントの後、超高圧水銀灯光源による露光を行った。露光量は１００ｍＪ／ｃｍ2 とした。現像液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．３８％水溶液を用いて現像し、１５０℃にてポストベークを行った。ポストベーク後のレジスト膜厚は、第１絶縁層部分にて４μｍであった。その他は、実施例１と同様にタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作した。連結部上に描画、吐出された導電性インクは、不用意な濡れ広がりを生じ、連結導体としては第１絶縁層上での断線を生じたり、第１絶縁層外への濡れ広がりによる第１透明電極との短絡を生じていたため、マトリックス型電極基板として不良品であり使用することが出来なかった。
第１、第２絶縁層のパターニング工程で用いるフォトマスクを図９で示すパターン設計とした。
第１絶縁層に対応する部分にのみ遮光層を設け、他の部分は光線透過領域とすることで、第１絶縁層のみを設け、第２絶縁層を設けない設計とした。
透明導電膜パターンを得るまでの工程は実施例１と同様に行った。得られた透明導電膜パターン上に、第１絶縁層用材料としてポジ型感光性材料である住友化学株式会社製のＰＦＩ- ２７を膜厚５μｍに塗布し、プレベークを行った。
フォトマスクとして図９に示すフォトマスクを用い、マスクアライメントの後、超高圧水銀灯光源による露光を行った。露光量は１００ｍＪ／ｃｍ2 とした。現像液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．３８％水溶液を用いて現像し、１５０℃にてポストベークを行った。ポストベーク後のレジスト膜厚は、第１絶縁層部分にて４μｍであった。その他は、実施例１と同様にタッチパネルセンサ用マトリックス型電極基板を製作した。連結部上に描画、吐出された導電性インクは、不用意な濡れ広がりを生じ、連結導体としては第１絶縁層上での断線を生じたり、第１絶縁層外への濡れ広がりによる第１透明電極との短絡を生じていたため、マトリックス型電極基板として不良品であり使用することが出来なかった。
なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
１ 透明基板
２ 第１透明電極
３ 第１透明電極群
４ 第２透明電極
５ 第２透明電極群
６ 連結部分
７ 第１絶縁層
８ 連結導体
９ マトリックス型電極基板
１０ 第２絶縁層
１１ コンタクトホール
１６ 第１軸センサ単位
１７ 第１軸連結部
１８ 第２軸センサ単位
２２ Ｘ軸透明電極
２３ Ｘ軸透明電極群
２４ Ｙ軸透明電極
２５ Ｙ軸透明電極群
２６ Ｘ軸センサ単位
２７ Ｘ軸方向連結部
２８ Ｙ軸センサ単位
２９ Ｙ軸連結部
３０ Ｘ軸透明電極（Ｘ軸連結部）とＹ軸透明電極（Ｙ軸連結部）の交差する部分
３１ 配線導体
３２ 端子部
３３ 表示有効領域
１００ フォトマスク
１０１ 透明基板
１０２ 第１透明電極
１０３ 第１透明電極群
１０４ 第２透明電極
１０５ 第２透明電極群
１０７ 中間透過率領域
１０８ 連結導体
１１０ 遮光領域
１１１ 光線透過領域
１１６ 第１軸センサ単位
１１７ 第１軸連結部
１１８ 第２軸センサ単位
１３７ 絶縁層
２ 第１透明電極
３ 第１透明電極群
４ 第２透明電極
５ 第２透明電極群
６ 連結部分
７ 第１絶縁層
８ 連結導体
９ マトリックス型電極基板
１０ 第２絶縁層
１１ コンタクトホール
１６ 第１軸センサ単位
１７ 第１軸連結部
１８ 第２軸センサ単位
２２ Ｘ軸透明電極
２３ Ｘ軸透明電極群
２４ Ｙ軸透明電極
２５ Ｙ軸透明電極群
２６ Ｘ軸センサ単位
２７ Ｘ軸方向連結部
２８ Ｙ軸センサ単位
２９ Ｙ軸連結部
３０ Ｘ軸透明電極（Ｘ軸連結部）とＹ軸透明電極（Ｙ軸連結部）の交差する部分
３１ 配線導体
３２ 端子部
３３ 表示有効領域
１００ フォトマスク
１０１ 透明基板
１０２ 第１透明電極
１０３ 第１透明電極群
１０４ 第２透明電極
１０５ 第２透明電極群
１０７ 中間透過率領域
１０８ 連結導体
１１０ 遮光領域
１１１ 光線透過領域
１１６ 第１軸センサ単位
１１７ 第１軸連結部
１１８ 第２軸センサ単位
１３７ 絶縁層
Claims (6)
- 透明基板上に第１軸方向に連続的に伸びる第１透明電極が前記第１軸方向と異なる方向に複数配列されてなる第１電極群と、
前記第１軸方向と交差する第２軸方向に不連続に伸びる第２透明電極が前記第２軸方向と異なる方向に複数配列されてなる第２電極群を有し、
前記第１透明電極は前記透明基板表面上で、前記第１軸方向に連続に形成されており、前記第２透明電極は前記透明基板表面上で、前記第２軸方向に不連続に形成されており、
前記第２電極群では、前記第２軸方向にて互いに隣接する前記第２透明電極の間を導通する連結部分が、前記第２透明電極と前記第２軸方向にて隣接する前記第１透明電極と交差する様に設けられており、
前記連結部分には、前記第２透明電極の間を導通している連結導体が前記第１透明電極上に形成された第１絶縁層上を通過する構造を有するマトリックス型電極基板において、
前記連結部分は、前記第１透明電極上に形成された前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されて前記第２透明電極の間を導通している前記連結導体と、前記第１絶縁層の両側より前記第１軸方向で接する第２絶縁層が形成されており、前記第１絶縁層の膜厚は前記第２絶縁層の膜厚より薄く形成されていることを特徴とするマトリックス型電極基板。 - 前記第１、第２絶縁層は、同一の感光性組成物で形成されていることを特徴とする、請求項１記載のマトリックス型電極基板。
- 請求項１または２記載のマトリックス型電極基板を用いることを特徴とする、タッチパネルセンサ。
- 透明基板上にマトリックス型電極を有するマトリックス型電極基板を製造する方法であって、
透明基板上に、透明導電膜を成膜、パターニングして、第１軸方向に連続的に伸びる第１透明電極が第１軸方向と異なる方向に複数に配列されてなる第１電極群を形成する第１電極群パターニング工程と、前記第１軸方向と交差する方向である第２軸方向に等間隔で配置された第２透明電極が、前記第２軸方向と交差する方向に並べて複数配列された第２電極群を形成する第２電極群パターニング工程とを、同時に行う透明導電層パターニング工程を有する第１の工程と、
前記第１透明電極群と第２透明電極群の上に、感光性組成物の塗布、露光、現像を行なって、等間隔で配置された前記第２透明電極の間隙に、前記第１透明電極を前記第２軸方向に横断する様に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層に対し前記第１軸方向で両側より接する部分に、第１絶縁層よりも前記第２軸方向で幅が広く、前記隣接する第２透明電極間を横断する第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程とを含み、前記第１絶縁層形成工程と前記第２絶縁層形成工程を同時に行い、且つ、前記第１絶縁層は前記第２絶縁層よりも薄い膜厚で形成する工程を有する第２の工程と、
前記第２絶縁層に挟みこまれて、互いに隣接する第２透明電極間を横断する領域に導電性インクを滴下して導電性インク層による連結導体を形成する第３の工程とを、この順に行うことを特徴とするマトリックス型電極基板の製造方法。 - 前記第２の工程において、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜を形成する工程は、３階調の光線透過率を有するフォトマスクを用いて形成することを特徴とする請求項４記載のマトリックス型電極基板の製造方法。
- 前記第３の工程の導電性インクの滴下の方法はディスペンサーまたはインクジェットを用いることを特徴とする請求項４または５に記載のマトリックス型電極基板の製造方法。
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