CN109192071B - 显示面板及其形变感应方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板及其形变感应方法、显示装置。显示面板包括基底，所述基底上设置有通过同一次制备过程形成的显示单元和形变感应单元，所述形变感应单元包括由两个以上电极形成的用于确定显示面板形态的电容。本发明将形变感应单元有机地集成在显示面板的结构中，利用形变感应单元中电容值的变化关系反映显示面板的形态，不仅避免了使用中传感器损坏，最大限度地提高了产品可靠性，而且对显示面板中各结构膜层的改变较小，集成度高，布局合理，结构简单，易于实现。

Description

显示面板及其形变感应方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其形变感应方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展，越来越多的人机交互技术应用于显示面板中。例如，触控显示面板已成为当前最简便的人机交互的电子设备，其具有触控功能和显示功能的结合特性，可以广泛适用于目前随身携带的电子装置。为了进一步丰富人机交互的多样性，目前已有部分显示面板结合有声控、力控等交互方式，以进一步提高人机交互的使用体验。
随着柔性屏幕的出现，用户与设备的交互方式更加多样，因为“软化”后显示面板的表现力更广泛。目前，现有技术提出了一种利用屏幕弯曲实现指令输入的形变方案，允许用户通过弯曲屏幕来控制应用程序，如虚拟书本翻页或游戏等功能。该形变方案采用在显示面板上外置弯曲传感器来监测施加在屏幕上的力度，并通过不同的振动级别来模拟物理力度。
经本申请发明人研究发现，现有这种形变方案应用于显示面板时，对显示面板的可靠性和成本影响较大。一方面，传感器外置结构很容易在使用中损坏，产品可靠性较低；另一方面，增加外置传感器需要增加新的生产设备和工艺，产品成本较高。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示面板及其形变感应方法、显示装置，以解决现有形变方案可靠性较低、成本较高的问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括基底，所述基底上设置有通过同一次制备过程形成的显示单元和形变感应单元，所述形变感应单元包括由两个以上电极形成的用于确定显示面板形态的电容。
可选地，所述形变感应单元包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第二电极与第三电极之间形成第一电容，所述第一电极与第二电极之间形成第二电容，所述第一电极与第三电极之间形成第三电容；所述第一电极与所述显示单元的源电极和漏电极同层设置，所述第二电极和第三电极设置在覆盖所述第一电极的介质层上。
可选地，所述介质层位于所述第一电极位置开设有电极过孔，所述第二电极和第三电极分别设置在所述电极过孔两侧的介质层上。
可选地，所述第一电极、第二电极和第三电极分别与处理模块连接，所述处理模块向所述第一电极、第二电极和第三电极分别输入扫描信号，检测至少一个电容的电容值，获得电容值的变化关系，并根据所述电容值的变化关系确定显示面板的形态。
可选地，所述形变感应单元还包括第一引线、第二引线和第三引线；所述第一电极通过所述第一引线、所述第二电极通过所述第二引线、所述第三电极通过所述第三引线分别与处理模块连接；所述第一引线与所述显示单元的栅电极同层设置，所述第一电极通过第一连接过孔与所述第一引线连接；所述第二引线与所述第二电极同层设置且直接连接；所述第三引线与所述显示单元的源电极和漏电极同层设置，所述第三电极通过第二引线过孔与所述第三引线连接。
可选地，所述形变感应单元包括：
覆盖所述基底的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上的第一引线，所述第一引线与所述显示单元的栅电极同层设置；
覆盖所述第一引线的第二绝缘层，其上开设有暴露出所述第一引线的第一引线过孔；
设置在所述第二绝缘层上的第一电极和第三引线，所述第一电极通过所述第一引线过孔与第一引线连接，所述第一电极和第三引线与所述显示单元的源电极和漏电极同层设置；
覆盖所述第一电极和第三引线的平坦化层和介质层，所述平坦化层和介质层在所述第一电极和第三引线位置分别开设有电极过孔和第二引线过孔；
设置在所述介质层上的第二电极和第三电极，所述第二电极和第三电极分别位于所述电极过孔的两侧，所述第三电极通过所述第二引线过孔与第三引线连接；
覆盖所述第二电极和第三电极的像素定义层。
可选地，所述显示单元包括：
设置在所述基底上的有源层；
覆盖所述有源层的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上的栅电极，所述栅电极与所述形变感应单元的第一引线同层设置；
覆盖所述栅电极的第二绝缘层，其上开设有暴露出所述有源层掺杂区的第一连接过孔；
设置所述在所述第二绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述第一连接过孔与所述有源层连接，所述源电极和漏电极与所述形变感应单元的第一电极和第三引线同层设置；
覆盖所述源电极和漏电极的平坦化层，其上开设有暴露出所述漏电极的第二连接过孔；
设置在所述平坦化层上的阳极，所述阳极通过所述第二连接过孔与所述漏电极连接；
覆盖所述阳极的介质层和像素定义层，所述像素定义层上开设有暴露出所述阳极的像素定义过孔。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示面板。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示面板的形变感应方法，所述显示面板包括基底，其特征在于，所述基底上设置有通过同一次制备过程形成的显示单元和形变感应单元，所述形变感应单元包括由两个以上电极形成的电容；所述形变感应方法包括：
获得形变感应单元中电容值的变化关系；
根据所述电容值的变化关系确定显示面板的形态。
可选地，所述形变感应单元包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第二电极与第三电极之间形成第一电容，所述第一电极与第二电极之间形成第二电容；获得形变感应单元中电容值的变化关系，包括：
向所述第一电极、第二电极和第三电极分别输入扫描信号，检测所述第一电容和第二电容的电容值；
将每个电容的电容值分别与其基准电容值比较，当两者差值大于等于预先设置的变化阈值时，判断每个电容的电容值的变化性质；
根据每个电容值的变化性质获得电容值的变化关系。
可选地，所述基准电容值是显示面板不受任何外力时检测到的每个电容的电容值；所述预先设置的变化阈值包括第一电容的变化阈值Δ1和第二电容的变化阈值Δ2，Δ1＝(0.02～0.1)QC1，Δ2＝(0.02～0.1)QC2，QC1、QC2分别为第一电容、第二电容的基准电容值。
可选地，将每个电容的电容值分别与其基准电容值比较，当两者差值大于等于预先设置的变化阈值时，判断每个电容的变化性质，包括：
分别比较│QC1'-QC1│与Δ1、│QC2'-QC2│与Δ2；
当│QC1'-QC1│≥Δ1或│QC2'-QC2│≥Δ2时，比较QC1'与QC1的大小或比较QC2'与QC2的大小；
根据比较结果，判断每个电容的变化性质，所述变化性质包括：电容增加或电容减小；
其中，QC1'、QC2'分别为第一电容、第二电容的检测电容值。
本发明实施例提供了一种显示面板及其形变感应方法、显示装置，将形变感应单元有机地集成在显示面板的结构中，利用形变感应单元中电容值的变化关系反映显示面板的形态，所形成的形变感应单元内置结构，不仅避免了使用中传感器损坏的问题，最大限度地提高了产品可靠性，而且利用现有生产设备即可制备，不需增加新的生产设备，生产成本低，具有广泛的应用前景。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例显示面板的结构示意图；
图2为本发明形成有源层图案后的示意图；
图3为本发明形成栅电极和第一引线图案后的示意图；
图4为本发明形成有源层掺杂区图案后的示意图；
图5为本发明形成带有过孔的绝缘层图案后的示意图；
图6为本发明形成形成源电极、漏电极、第一电极图案后的示意图；
图7为本发明形成带有过孔的平坦化层图案后的示意图；
图8为本发明形成形成阳极图案后的示意图；
图9为本发明形成带有过孔的介质层图案后的示意图；
图10为本发明形成第二电极和第三电极图案后的示意图；
图11为图1中形变感应单元部分的放大图；
图12为本发明实施例形变感应单元形成电容的示意图；
图13为本发明实施例形变感应单元受水平拉伸力的示意图；
图14为本发明实施例形变感应单元受水平压缩力的示意图；
图15为本发明实施例形变感应单元受内弯力的示意图；
图16为本发明实施例形变感应单元受外弯力的示意图；
图17为本发明实施例形变感应单元受垂直压缩力的示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—第一电极； 12—第二电极；
13—第三电极； 20—绝缘层； 21—有源层；
22—第一绝缘层； 23—栅电极； 24—第一引线；
25—第二绝缘层； 27—源电极； 28—漏电极；
29—第三引线； 30—平坦化层； 31—阳极；
32—介质层； 33—像素定义层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
为了解决现有形变方案可靠性较低、成本较高的问题，本发明实施例提供了一种集成有形变感应单元的显示面板，显示面板既可以实现图像显示，又可以实现形变感应。本发明实施例的显示面板既可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板，也可以是电子纸(E-Paper)，还可以是其它柔性显示面板，本发明在此不做具体限定。下面仅以形变感应单元集成在OLED显示面板中作为示例，说明本发明实施例的技术方案。
本发明实施例显示面板的主体结构包括在基底上通过同一次制备过程形成的用于实现图像显示的显示单元和用于实现形变感应的形变感应单元，形变感应单元包括由两个以上电极形成的用于确定显示面板形态的电容，使得本发明实施例的显示面板同时实现图像显示和形变感应功能。具体地，形变感应单元用于在显示面板受到外力时改变其电容值，通过电容值的变化关系反映显示面板的形态。
通常，基底上形成有矩阵排布的多个像素单元，本发明实施例的显示单元和形变感应单元可以根据实际需要采用多种布局方式。例如，可以在每个像素单元均设置显示单元和形变感应单元。又如，可以在一部分像素单元中设置显示单元，在另一部分像素单元中设置形变感应单元。再如，可以在一部分像素单元中设置显示单元和形变感应单元，而在另一部分像素单元中仅设置显示单元等等。
图1为本发明实施例显示面板的结构示意图。如图1所示，显示单元包括栅电极23、有源层21、源电极27、漏电极28、阳极31以及发光层和阴极(未示出)，形变感应单元包括形成三个电容的第一电极11、第二电极12和第三电极13。其中，第一电极11与源电极27和漏电极28同层设置，且通过一次构图工艺形成，第二电极12和第三电极13设置在覆盖第一电极11的介质层32上，第二电极12和第三电极13同层设置，且通过一次构图工艺形成，分别位于第一电极11的两侧，第一电极11、第二电极12和第三电极13形成倒品字或倒三角布局。进一步地，为了增加第二电极12和第三电极13在外力作用下的移动量，介质层32在第一电极11所在位置开设有电极过孔，第二电极12和第三电极13分别设置在电极过孔两侧的介质层32上。
本发明实施例中，第二电极12与第三电极13之间形成第一电容，第一电极11与第二电极12之间形成第二电容，第一电极11与第三电极13之间形成第三电容。第一电极11、第二电极12和第三电极13分别与外围电路中的处理模块连接，处理模块分别向第一电极11、第二电极12和第三电极13输入扫描信号，检测第一电容、第二电容和第三电容的电容值，获得第一电容和第二电容、或者第一电容、第二电容和第三电容的电容值的变化关系，根据电容值的变化关系确定显示面板的形态。为了实现处理模块分别与第一电极11、第二电极12和第三电极13的连接，本发明实施例显示面板还包括第一引线24、第二引线(未示出)和第三引线29，处理模块通过第一引线24与第一电极11连接，通过第二引线与第二电极12连接，通过第三引线29与第三电极13连接。如图1所示，第一引线24与显示单元的栅电极23同层设置，且通过一次构图工艺形成，第二引线与第二电极12和第三电极13同层设置，且通过一次构图工艺形成，第三引线29与显示单元的源电极27和漏电极28同层设置，且通过一次构图工艺形成。第一电极11通过第一引线过孔与第一引线24连接，第二电极12与第二引线直接连接，第三电极13通过第二引线过孔与第三引线29连接。
下面通过显示面板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。本发明实施例所说的“同一次制备过程”包括下述形成各个图案的构图工艺。
首先，在基底上形成有源层图案。形成有源层图案包括：在基底上沉积一有源层薄膜；在有源层薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在有源层图案位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，无光刻胶；对完全曝光区域的有源层薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，在基底10上形成有源层21图案，如图2所示。其中，基底可以采用柔性材料，有源层薄膜可以采用金属氧化物或硅材料，厚度为
Figure GDA0001866965070000093
金属氧化物包括氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锡锌(ITZO)，硅材料包括非晶硅和多晶硅。有源层薄膜也可以采用非晶硅a-Si，经过结晶化或激光退火等方式形成多晶硅。
实际实施时，也可以设置遮光层和缓冲层图案，遮光层用于遮挡从基底一侧透过的光线，提高薄膜晶体管的电学性能，缓冲层用于阻挡基底中离子对薄膜晶体管的影响。具体地，先通过构图工艺在基底上形成遮光层图案，然后依次沉积缓冲层薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺在缓冲层上形成有源层图案。
随后，形成栅电极和第一引线图案。形成栅电极和第一引线图案包括：在形成前述图案的基底上，依次沉积绝缘层薄膜和金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行构图，形成第一绝缘层22、栅电极23和第一引线24图案，栅电极23和第一引线24形成在第一绝缘层22上，栅电极23与有源层21的位置相对应，如图3所示。其中，金属薄膜可以铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种，或多种金属的复合层结构，厚度为
Figure GDA0001866965070000091
第一绝缘层可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合薄膜，厚度为
Figure GDA0001866965070000092
随后，形成有源层掺杂区图案。形成有源层掺杂区图案包括：对有源层21未被栅电极23遮挡的区域进行离子掺杂，形成有源层掺杂区图案，如图4所示。在离子掺杂过程中，由于有栅电极的阻挡，因此可以避免掺杂离子对沟道区的影响。离子掺杂处理后，沟道区以外的有源层变成金属。
随后，形成带有过孔的绝缘层图案。形成带有过孔的绝缘层图案包括：在形成前述图案的基底上，沉积绝缘层薄膜，在绝缘层薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在过孔图案位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在其它位置形成形成未曝光区域，保留光刻胶；对完全曝光区域暴露出的绝缘层薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成开设有两个第一连接过孔K1和一个第一引线过孔Y1的第二绝缘层25图案，两个第一连接过孔K1分别位于有源层21的掺杂区位置，即有源层21未被栅电极23遮挡的区域，第一连接过孔K1中的第二绝缘层25和第一绝缘层22被刻蚀掉，暴露出有源层21的掺杂区，第一引线过孔Y1位于第一引线24所在位置，第一引线过孔Y1中的第二绝缘层25被刻蚀掉，暴露出第一引线24，如图5所示。其中，第二绝缘层可以采用SiNx、SiOx或SiNx/SiOx的复合薄膜，厚度为
Figure GDA0001866965070000101
随后，形成源电极、漏电极、第一电极和第三引线图案。形成源电极、漏电极、第一电极和第三引线图案包括：在形成前述图案的基底上，沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行构图，形成源电极27、漏电极28、第一电极11和第三引线29图案，源电极27和漏电极28分别通过第一连接过孔K1与有源层21的掺杂区连接，第一电极11通过第一引线过孔Y1与第一引线24连接，如图6所示。其中，源电极、漏电极、第一电极和第三引线可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种，或多种金属的复合层结构，厚度为
Figure GDA0001866965070000102
Figure GDA0001866965070000103
随后，形成带有过孔的平坦化层图案。形成带有过孔的平坦化层图案包括：在形成前述图案的基底上，通过涂布方式涂覆平坦化(PLN)薄膜，通过曝光显影，形成开设有第二连接过孔K2、电极过孔X和第二引线过孔Y2的平坦化层30图案，第二连接过孔K2位于漏电极28所在位置，电极过孔X位于第一电极11所在位置，第二引线过孔Y2位于第三引线29所在位置，三个过孔中的平坦化薄膜被刻蚀掉，分别暴露出漏电极28、第一电极11和第三引线29，如图7所示。其中，平坦化薄膜可以采用树脂材料，厚度为1μm～3μm。
随后，形成阳极图案。形成阳极图案包括：在形成前述图案的基底上，沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极31图案，阳极31通过第二连接过孔K2与漏电极28连接，如图8所示。其中，透明导电材料层的材料包括氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
随后，形成带有过孔的介质层图案。形成带有过孔的介质层图案包括：在形成前述图案的基底上，沉积介质层薄膜，通过构图工艺对介质层薄膜进行构图，形成开设有像素定义过孔D、电极过孔X和第二引线过孔Y2的介质层32图案，像素定义过孔D位于阳极31所在位置，像素定义过孔D中的介质层薄膜被刻蚀掉，暴露出阳极31表面。电极过孔X和第二引线过孔Y2是在前序工艺已经形成的过孔上进行处理，电极过孔X位于第一电极11所在位置，第二引线过孔Y2位于第三引线29所在位置，第二引线过孔Y2中的介质层薄膜被刻蚀掉，暴露出第三引线29表面，如图9所示。
随后，形成第二电极和第三电极图案。形成第二电极和第三电极图案包括：在形成前述图案的基底上，沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行构图，在介质层32上形成第二电极12、第三电极13和第二引线(未示出)图案，第二电极12和第三电极13分别位于第一电极11上方的电极过孔的两侧，使得第一电极11、第二电极12和第三电极13形成倒品字布局，第二电极12与第二引线直接连接，第三电极13通过第二引线过孔Y2与第三引线29连接，如图10所示。
随后，形成带有过孔的像素定义层图案。形成带有过孔的像素定义层图案包括：在形成前述图案的基底上，通过涂布方式涂覆像素定义层(PDL)薄膜，通过曝光显影，形成开设有像素定义过孔和电极过孔的像素定义层33图案，像素定义过孔位于阳极31所在位置，像素定义过孔中的像素定义层薄膜被刻蚀掉，暴露出阳极31表面，电极过孔位于第一电极11位置，如图1所示。
通过上述制备过程，实现了通过同一次制备过程将形变感应单元有机地集成在OLED显示面板的结构中。在实际实施时，后续还包括形成发光结构层的步骤，发光结构层包括发光层、阴极和封装层等结构膜层。进一步地，后续还可以包括形成触摸结构层的步骤，形成具有触摸功能、形变感受功能和显示功能的面板。后续工艺的结构以及制备手段与相关技术的相同，这里不再赘述。
前述制备过程中，第一连接过孔K1用于使源电极27和漏电极28与有源层21的掺杂区连接，第一引线过孔Y1用于使第一电极11与第一引线24连接，第二连接过孔K2用于使阳极31与漏电极28连接，电极过孔X用于增加第二电极12和第三电极13在外力作用下的移动量，第二引线过孔Y2用于使第三电极13与第三引线26连接，像素定义过孔用于暴露出阳极31。
图11为图1中形变感应单元部分的放大图。如图11所示，第二电极12与第三电极13之间形成第一电容C1，第一电极11与第二电极12之间形成第二电容C2，第一电极11与第三电极13之间形成第三电容C3，第一、第二和第三电容也称之为耦合电容。第一引线24、第二引线(未示出)和第三引线26与外部的处理模块连接，使处理模块通过第一引线24、第二引线和第三引线29分别向第一电极11、第二电极12和第三电极13输入扫描信号，并接收感应信号，检测第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3的电容值，获得电容值的变化关系，根据电容值的变化关系来确定显示面板的形态。其中，显示面板的形态包括如下之一或任意组合：水平拉伸形态、水平压缩形态、内弯形态、外弯形态或垂直压缩形态等。其中，处理模块分别向每个电极输入扫描信号、接收感应信号以及获得每个电容的电容值等，是相关技术中成熟的处理手段，为本领域技术人员所熟知，这里不再赘述。
图12为本发明实施例形变感应单元形成电容的示意图。如图12所示，形变感应单元中的第一电极11、第二电极12和第三电极13能够形成三个电容，其中，第一电容C1形成在第二电极12与第三电极13之间，第二电容C2形成在第一电极11与第二电极12之间，第三电容C3形成在第一电极11与第三电极13之间。当显示面板因受外力作用产生形态改变时，如弯曲、伸缩、压缩等，外力作用会使形变感应单元中的部分电极或全部电极移动，使电极之间的间距增加或减小，进而使部分电容或全部电容的电容值发生变化，外部的处理模块通过向每个电极施加扫描信号，检测第一～第三电容的电容值，获得三个电容值的变化关系，根据三个电容值的变化关系，即可确定显示面板的形态。显示面板的形态包括如下之一或任意组合：显示面板受水平拉伸力产生的水平拉伸形态，显示面板受水平压缩力产生的水平压缩形态，显示面板受弯曲力矩产生的内弯形态和外弯形态，显示面板受垂直压缩力产生的垂直压缩形态等。
下面详细本发明实施例形变感应单元的工作原理。
本发明实施例中，水平方向是指与显示面板平面平行的方向，垂直方向是指显示面板平面的法线方向。如图12所示，当显示面板不受任何外力时，在水平方向，第二电极12与第三电极13之间具有第一间距D1，之间形成第一电容C1，处理模块通过向第二电极12和第三电极13施加扫描信号，可以检测到第一电容C1的电容值为QC1，QC1作为第一电容C1的基准电容值；在垂直方向上，第一电极11与第二电极12之间具有第二间距D2，之间形成第二电容C2；处理模块通过向第一电极11和第二电极12施加扫描信号，可以检测到第二电容C2的电容值为QC2，QC2作为第二电容C2的基准电容值；在垂直方向上，第一电极11与第三电极13之间具有第三间距D3，之间形成第三电容C3；处理模块通过向第一电极11和第三电极13施加扫描信号，可以检测到第三电容C3的电容值为QC3，QC3作为第三电容C3的基准电容值。
图13为本发明实施例形变感应单元受水平拉伸力的示意图。如图13所示，当形变感应单元受水平方向的拉伸力F时，水平拉伸力F使第二电极12与第三电极13之间的间距增加，从第一间距D1变为D1'，D1'>D1，而第一电极11与第二电极12、第一电极11与第三电极13之间的间距不变。此时，处理模块检测到的第一电容C1的电容值QC1'将小于其基准电容值QC1，而检测到的第二电容C2的电容值QC2'约等于其基准电容值QC2，检测到的第三电容C3的电容值QC3'约等于其基准电容值QC3。
图14为本发明实施例形变感应单元受水平压缩力的示意图。如图14所示，当形变感应单元受水平方向的压缩力F时，水平压缩力F使第二电极12与第三电极13之间的间距减小，从第一间距D1变为D1'，D1'<D1，而第一电极11与第二电极12、第一电极11与第三电极13之间的间距不变。此时，处理模块检测到的第一电容C1的电容值QC1'将大于其基准电容值QC1，而检测到的第二电容C2的电容值QC2'约等于其基准电容值QC2，检测到的第三电容C3的电容值QC3'约等于其基准电容值QC3。
图15为本发明实施例形变感应单元受内弯力的示意图。如图15所示，当形变感应单元受向其中心下方的弯曲力矩M时，弯曲力矩M在水平方向上形成水平压缩力FX，使第二电极12与第三电极13之间的间距减小，从第一间距D1变为D1'，D1'<D1，而弯曲力矩M在垂直方向上形成垂直压缩力FY，使第一电极11与第二电极12之间的间距减小，从第二间距D2变为D2'，D2'<D2，同时使第一电极11与第三电极13之间的间距减小，从第三间距D3变为D3'，D3'<D3。受弯曲力矩的作用，显示面板将呈中心低、两侧高的凹形弯曲状。此时，处理模块检测到的第一电容C1的电容值QC1'将大于其基准电容值QC1，检测到的第二电容C2的电容值QC2'将大于其基准电容值QC2，检测到的第三电容C3的电容值为QC3'将大于其基准电容值QC3。
图16为本发明实施例形变感应单元受外弯力的示意图。如图16所示，当形变感应单元受向其中心上方的弯曲力矩M时，弯曲力矩M在水平方向上形成水平拉伸力FX，使第二电极12与第三电极13之间的间距增大，从第一间距D1变为D1'，D1'>D1，而弯曲力矩M在垂直方向上形成垂直拉伸力FY，使第一电极11与第二电极12之间的间距增大，从第二间距D2变为D2'，D2'>D2，同时使第一电极11与第三电极13之间的间距增大，从第三间距D3变为D3'，D3'>D3。受弯曲力矩的作用，显示面板将呈中心高、两侧低的凸形弯曲状。此时，处理模块检测到的第一电容C1的电容值QC1'将小于其基准电容值QC1，检测到的第二电容C2的电容值QC2'将小于其基准电容值QC2，检测到的第三电容C3的电容值QC3'将小于其基准电容值QC3。
图17为本发明实施例形变感应单元受垂直压缩力的示意图。如图17所示，当形变感应单元受垂直方向的压缩力F时，垂直压缩力F使第一电极11与第二电极12之间的间距减小，从第二间距D2变为D2'，D2'<D2，使第一电极11与第三电极13之间的间距减小，从第三间距D3变为D3'，D3'<D3，而第二电极12与第三电极13之间的第一间距D1不变。此时，处理模块检测到的第一电容C1的电容值QC1'约等于其基准电容值QC1，检测到的第二电容C2的电容值QC2'将大于其基准电容值QC2，检测到的第三电容C3的电容值QC3'将大于其基准电容值QC3。
根据图13～图17所述的形变感应单元的工作原理可以看出，由于显示面板所呈现的形态与其所受的外力一一对应，而所受的外力与形变感应单元中电容的电容值变化关系一一对应，因此通过检测形变感应单元中电容的电容值，根据各个电容电容值的变化关系即可确定显示面板的形态。
表1为形变感应单元电容值变化关系与显示面板形态的关系。如表1所示，可以看出如下内容：
1、当处理模块检测出第一电容C1的电容值QC1减小、而第二电容C2和第三电容C3的电容值基本不变时，意味着第二电极与第三电极之间的第一间距D1增加、第一电极与第二电极之间的第二间距D2和第一电极与第三电极之间的第三间距D3基本不变，则判定形变感应单元受水平方向的拉伸力，显示面板处于水平拉伸形态。
2、当处理模块检测出第一电容C1的电容值QC1增加、而第二电容C2和第三电容C3的电容值基本不变时，意味着第二电极与第三电极之间的第一间距D1减小、第一电极与第二电极之间的第二间距D2和第一电极与第三电极之间的第三间距D3基本不变，则判定形变感应单元受水平方向的压缩力，显示面板处于水平压缩形态。
3、当处理模块检测出第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3的电容值均增加时，意味着第一间距D1、第二间距D2和第三间距D3均减小，则判定形变感应单元受内弯力，显示面板处于内弯形态。
4、当处理模块检测出第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3的电容值均减小时，意味着第一间距D1、第二间距D2和第三间距D3均增加，则判定形变感应单元受外弯力，显示面板处于外弯形态。
5、当处理模块检测出第一电容C1的电容值基本不变、而第二电容C2和第三电容C3的电容值均增加时，意味着第一间距D1基本不变、第二间距D2和第三间距D3均减小，则判定形变感应单元受垂直方向的压缩力，显示面板处于垂直压缩形态。
表1：形变感应单元电容值变化关系与显示面板形态的关系
Q<sub>C1</sub> Q<sub>C2</sub> Q<sub>C3</sub> D1 D2 D3 形态
减小 — — 增加 — — 水平拉伸
增加 — — 减小 — — 水平压缩
增加 增加 增加 减小 减小 减小 内弯
减小 减小 减小 增加 增加 增加 外弯
— 增加 增加 — 减小 减小 垂直压缩
本发明实施例中，外部的处理模块通过信号线向各个电极施加扫描信号来检测各个电容的电容值，可以采用相关成熟的技术手段，这里不再赘述。为了提高判断电容值变化的准确性，本发明实施例引入变化阈值Δ的概念，预先设置第一电容C1的变化阈值Δ1、第二电容C2的变化阈值Δ2和第三电容C3的变化阈值Δ3。当电容值的变化量小于变化阈值Δ时，认为电容值的变化是由系统噪声引起的，只有当电容值的变化量大于等于变化阈值Δ时，才认为电容值的变化是由外力引起的。本发明实施例中，设置Δ1＝(0.02～0.1)QC1，Δ2＝(0.02～0.1)QC2，Δ3＝(0.02～0.1)QC3。当然，实际实施时，可以根据实际需要设置变化阈值Δ，也可以设置为0，本发明对此不做具体限定。
实际实施时，处理模块进行电容值变化判断可以采用先判断变化量绝对值是否大于变化阈值Δ、然后判断电容值变化性质的方式，本实施例中，变化性质是指电容增加或电容减小。例如，处理模块检测到三个电容的电容值后，判断三个电容值变化量的绝对值，即分别判断│QC1'-QC1│、│QC2'-QC2│、│QC3'-QC3│的值，如果│QC1'-QC1│≥Δ1、│QC2'-QC2│<Δ2、│QC3'-QC3│<Δ3，则认为第二电容和第三电容的电容值没有变化，只有第一电容的电容值有变化，则继续判断QC1'与QC1的大小，当QC1'<QC1时，便判定形变感应单元受水平方向的拉伸力，显示面板为水平拉伸形态。
实际实施时，可以设置第二电极和第三电极相对于第一电极位置对称，即第一电极与第二电极之间的第二间距D2等于第一电极与第三电极之间的第三间距D3，这样，处理模块检测到三个电容的电容值后，只需判断第一电容C1和第二电容C2的电容值变化关系，即可确定显示面板的形态。当然，也可以判断第一电容C1和第三电容C3的电容值变化关系。表2为利用电容C1和C2确定显示面板形态的关系。
表2：电容C1和C2确定显示面板形态的关系
Q<sub>C1</sub> Q<sub>C2</sub> D1 D2 形态
减小 — 增加 — 水平拉伸
增加 — 减小 — 水平压缩
增加 增加 减小 减小 内弯
减小 减小 增加 增加 外弯
— 增加 — 减小 垂直压缩
虽然前述说明仅说明了水平拉伸、水平压缩、内弯、外弯或垂直压缩等形态的判断，但基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例的技术方案还可以实现其它形态的判断。例如，对于内弯形态，可以通过比较第二电容C2与第三电容C3两者电容值的减小量，即比较│QC2'-QC2│与│QC3'-QC3│的值，来判断第二间距D2和第三间距D3的减小程度，进而确定显示面板在内弯形态时两侧的弯曲程度。又如，通过二个以上形变感应单元的形态，还可以判断显示面板的扭曲形态。
虽然前述说明以三个电极形成三个电容的结构进行了说明，但基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例的技术方案还可以简化为二个电极形成一个电容的结构，用于实现部分形态的判断。例如，可以仅设置第二电极和第三电极，实现水平拉伸和水平压缩的判断。又如，可以仅设置第一电极和第二电极，实现垂直压缩的判断。同时，本发明实施例的技术方案还可以扩展为四个、五个甚至多个电极形成多个电容的结构，以实现更多形态的判断。
本发明实施例提供了一种显示面板，通过将形变感应单元有机地集成在显示面板的结构中，利用形变感应单元中电容值的变化关系反映显示面板的形态，所形成的形变感应单元内置结构，不仅避免了使用中传感器损坏的问题，最大限度地提高了产品可靠性，而且利用现有生产设备即可制备，不需增加新的生产设备，生产成本低，具有广泛的应用前景。本发明实施例显示面板不仅能够确定内弯和外弯形态，而且可以确定水平拉伸、压缩以及垂直压缩等形态，可以实现更丰富的输入指令，可以控制更多的应用程序，且结构简洁，易于集成在显示面板中。本发明实施例显示面板通过将形变感应单元的各个电极及其引线合理地设置在显示面板的相应膜层中，不仅利用现有生产设备即可制备，不需增加新的生产设备，生产成本低，而且对显示面板中各结构膜层的改变较小，集成度高，布局合理，膜层增加少，结构简单，易于实现。
虽然前述说明以顶栅薄膜晶体管结构进行了说明，但基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例的技术方案也适用于底栅薄膜晶体管结构，各个电极和引线也可以根据需要设置在其它膜层，只需形成所需的电容即可。虽然前述说明以三个电极形成三个电容的结构进行了说明，但基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例的技术方案还可以应用于二个、四个、五个甚至多个电极形成一个或多个电容的结构，可以实现不同形态的判断。
本发明实施例显示面板判断形态时，可以采用表2所示判断方式，仅判断第一电容C1和第二电容C2电容值的变化关系，来确定显示面板的形态。这是由于第三电极12通过过孔与第三引线29连接，而第一电极11与第三引线29处于同层，因此在受到外力时，第一电极11与第三电极12之间的距离基本不变，因此可以不需考虑第三电容C3的变化，仅判断第一电容C1和第二电容C2电容值的变化关系，即处理模块检测第一电容C1和第二电容C2的电容值，获得两个电容电容值的变化关系，根据两个电容电容值的变化关系来确定显示面板的形态。
如图1～图10所示，本发明实施例显示面板包括：
基底10；
设置在基底10上的有源层21；
覆盖有源层21的第一绝缘层22；
设置在第一绝缘层22上的栅电极23和第一引线24；
覆盖栅电极23和第一引线24的第二绝缘层25；
设置在第二绝缘层25上的源电极27、漏电极28、第一电极11和第三引线29，源电极27和漏电极28分别通过第一连接过孔与有源层21连接，第一电极11通过第一引线过孔与第一引线24连接；
覆盖源电极27、漏电极28、第一电极11和第三引线29的平坦化层30；
设置在平坦化层30上的阳极31，阳极31通过第二连接过孔与漏电极28连接；
覆盖阳极31的介质层32，在阳极31、第一电极11和第三引线29位置分别开设有像素定义过孔、电极过孔和第二引线过孔；
设置在介质层32上的第二电极12和第三电极13，第二电极12和第三电极13分别位于电极过孔的两侧，第三电极13通过第二引线过孔与第三引线29连接；
覆盖第二电极12和第三电极13的像素定义层33，其上开设有暴露出阳极31的像素定义过孔。
其中，显示单元包括：
基底10；
设置在基底10上的有源层21；
覆盖有源层21的第一绝缘层22；
设置在第一绝缘层22上的栅电极23，栅电极与形变感应单元的第一引线同层设置；
覆盖栅电极23的第二绝缘层25；
设置在第二绝缘层25上的源电极27和漏电极28，源电极27和漏电极28分别通过第一连接过孔与有源层21的掺杂区连接，源电极和漏电极与形变感应单元的第一电极和第三引线同层设置；
覆盖源电极27和漏电极28的平坦化层30；
设置在平坦化层30上的阳极31，阳极31通过第二连接过孔与漏电极28连接；
覆盖阳极31的介质层32和像素定义层33，其上开设有暴露出阳极31的像素定义过孔。
其中，形变感应单元包括：
基底10；
覆盖基底10的第一绝缘层22；
设置在第一绝缘层22上的第一引线24，第一引线与显示单元的栅电极同层设置；
覆盖第一引线24的第二绝缘层25；
设置在第二绝缘层25上的第一电极11和第三引线29，第一电极11通过第一引线过孔与第一引线24连接，第一电极和第三引线与显示单元的源电极和漏电极同层设置；
覆盖第一电极11的平坦化层30和介质层32，在第一电极11和第三引线29位置分别开设有电极过孔和第二引线过孔；
设置在介质层32上的第二电极12和第三电极13，第二电极12和第三电极13分别位于电极过孔的两侧，第三电极13通过第二引线过孔与第三引线29连接；
覆盖第二电极12和第三电极13像素定义层33。
本发明实施例提供了一种显示面板，通过将形变感应单元有机地集成在OLED显示面板的结构中，不仅能够确定内弯和外弯形态，而且可以确定水平拉伸、压缩以及垂直压缩等形态，实现了更丰富的输入指令，可以控制更多的应用程序。由于形变感应单元内置在OLED显示面板中，不仅利用现有生产设备即可制备，不需增加新的生产设备，生产成本低，而且形变感应单元内置结构避免了使用中传感器损坏的问题，最大限度地提高了产品可靠性。通过将形变感应单元的各个电极及其引线合理地设置在OLED显示面板的相应膜层中，对显示面板中各结构膜层的改变较小，集成度高，布局合理，膜层增加少，结构简单，易于实现，具有广泛的应用前景。
基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的形变感应方法，基于前述的显示面板实现。显示面板包括矩阵排布的多个像素单元，每个像素单元设置有通过同一次制备过程形成的显示单元和形变感应单元，形变感应单元包括由二个以上电极形成的电容。本发明实施例显示面板的形变感应方法包括：
S1、获得形变感应单元中电容值的变化关系；
S2、根据所述电容值的变化关系确定显示面板的形态。
其中，所述形变感应单元包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第二电极与第三电极之间形成第一电容，所述第一电极与第二电极之间形成第二电容；步骤S1包括：
S11、向所述第一电极、第二电极和第三电极分别输入扫描信号，检测所述第一电容和第二电容的电容值；
S12、将每个电容的电容值分别与其基准电容值比较，当两者差值大于等于预先设置的变化阈值时，判断所述电容电容值的变化性质；
S13、根据每个电容电容值的变化性质获得所述第一电容和第二电容电容值的变化关系。
其中，每个电容的基准电容值，是显示面板不受任何外力时，检测到的电容的电容值。预先设置的变化阈值包括第一电容的变化阈值Δ1、第二电容的变化阈值Δ2，Δ1＝(0.02～0.1)QC1，Δ2＝(0.02～0.1)QC2，QC1、QC2分别为第一电容、第二电容的基准电容值。
其中，步骤S12包括：
S121、分别比较│QC1'-QC1│与Δ1、│QC2'-QC2│与Δ2；
S122、当│QC1'-QC1│≥Δ1或│QC2'-QC2│≥Δ2时，比较QC1'与QC1的大小或比较QC2'与QC2的大小；
S123、根据比较结果，判断每个电容的变化性质，所述变化性质包括：电容增加或电容减小。
其中，QC1'、QC2'分别为第一电容、第二电容的检测电容值。
其中，步骤S2包括：
当所述第一电容的电容值QC1减小、而第二电容的电容值基本不变时，判定所述形变感应单元受水平方向的拉伸力，确定显示面板处于水平拉伸形态。
当所述第一电容的电容值QC1增加、而第二电容的电容值基本不变时，判定所述形变感应单元受水平方向的压缩力，确定显示面板处于水平压缩形态。
当所述第一电容和第二电容的电容值均增加时，判定所述形变感应单元受内弯力，确定显示面板处于内弯形态。
当所述第一电容和第二电容的电容值均减小时，判定所述形变感应单元受外弯力，确定显示面板处于外弯形态。
当所述第一电容的电容值基本不变、而第二电容的电容值均增加时，判定所述形变感应单元受垂直方向的压缩力，确定显示面板处于垂直压缩形态。
其中，内弯力是指显示面板受向其中心下方的弯曲力矩，内弯形态是指显示面板呈凹形弯曲状。外弯力是指显示面板受向其中心上方的弯曲力矩，外弯形态是指显示面板呈凸形弯曲状。
实际实施时，也可以根据第一电容、第二电容和第三电容电容值的变化关系确定显示面板的形态，如表1所示。
本发明实施例提供了一种显示面板的形变感应方法，通过获得每个形变感应单元中电容值的变化关系，来确定显示面板的形态。本发明显示面板的形变感应方法不仅能够确定内弯和外弯形态，而且可以确定水平拉伸、压缩以及垂直压缩等形态，实现了更丰富的输入指令，可以控制更多的应用程序，且判断方式简单，利用现有外围设备中的集成电路即可实现，具有广泛的应用前景。
基于前述实施例的技术方案，本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括前述的显示面板。显示装置可以为：OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种显示面板，所述显示面板包括基底，其特征在于，所述基底上设置有通过同一次制备过程形成的显示单元和形变感应单元，所述形变感应单元包括由两个以上电极形成的用于确定显示面板形态的电容，所述形变感应单元包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第二电极与第三电极之间形成第一电容，所述第一电极与第二电极之间形成第二电容，所述第一电极与第三电极之间形成第三电容；所述第一电极与所述显示单元的源电极和漏电极同层设置，所述第二电极和第三电极设置在覆盖所述第一电极的介质层上，所述第二电极和第三电极同层设置，分别位于所述第一电极的两侧，所述第一电极、第二电极和第三电极形成倒品字或倒三角布局；所述显示面板的形态包括如下之一或任意组合：水平拉伸形态、水平压缩形态、内弯形态、外弯形态。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述介质层位于所述第一电极位置开设有电极过孔，所述第二电极和第三电极分别设置在所述电极过孔两侧的介质层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极、第二电极和第三电极分别与处理模块连接，所述处理模块向所述第一电极、第二电极和第三电极分别输入扫描信号，检测至少一个电容的电容值，获得电容值的变化关系，并根据所述电容值的变化关系确定显示面板的形态。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述形变感应单元还包括第一引线、第二引线和第三引线；所述第一电极通过所述第一引线、所述第二电极通过所述第二引线、所述第三电极通过所述第三引线分别与处理模块连接；所述第一引线与所述显示单元的栅电极同层设置，所述第一电极通过第一连接过孔与所述第一引线连接；所述第二引线与所述第二电极同层设置且直接连接；所述第三引线与所述显示单元的源电极和漏电极同层设置，所述第三电极通过第二引线过孔与所述第三引线连接。
5.根据权利要求1～4任一所述的显示面板，其特征在于，所述形变感应单元包括：
覆盖所述基底的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上的第一引线，所述第一引线与所述显示单元的栅电极同层设置；
覆盖所述第一引线的第二绝缘层，其上开设有暴露出所述第一引线的第一引线过孔；
设置在所述第二绝缘层上的第一电极和第三引线，所述第一电极通过所述第一引线过孔与第一引线连接，所述第一电极和第三引线与所述显示单元的源电极和漏电极同层设置；
覆盖所述第一电极和第三引线的平坦化层和介质层，所述平坦化层和介质层在所述第一电极和第三引线位置分别开设有电极过孔和第二引线过孔；
设置在所述介质层上的第二电极和第三电极，所述第二电极和第三电极分别位于所述电极过孔的两侧，所述第三电极通过所述第二引线过孔与第三引线连接；
覆盖所述第二电极和第三电极的像素定义层。
6.根据权利要求1～4任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示单元包括：
设置在所述基底上的有源层；
覆盖所述有源层的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上的栅电极，所述栅电极与所述形变感应单元的第一引线同层设置；
覆盖所述栅电极的第二绝缘层，其上开设有暴露出所述有源层的第一连接过孔；
设置所述在所述第二绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述第一连接过孔与所述有源层连接，所述源电极和漏电极与所述形变感应单元的第一电极和第三引线同层设置；
覆盖所述源电极和漏电极的平坦化层，其上开设有暴露出所述漏电极的第二连接过孔；
设置在所述平坦化层上的阳极，所述阳极通过所述第二连接过孔与所述漏电极连接；
覆盖所述阳极的介质层和像素定义层，所述像素定义层上开设有暴露出所述阳极的像素定义过孔。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～6任一所述的显示面板。
8.一种显示面板的形变感应方法，所述显示面板包括基底，其特征在于，所述基底上设置有通过同一次制备过程形成的显示单元和形变感应单元，所述形变感应单元包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第二电极与第三电极之间形成第一电容，所述第一电极与第二电极之间形成第二电容，所述第一电极与第三电极之间形成第三电容；所述第一电极与所述显示单元的源电极和漏电极同层设置，所述第二电极和第三电极设置在覆盖所述第一电极的介质层上，所述第二电极和第三电极同层设置，分别位于所述第一电极的两侧，所述第一电极、第二电极和第三电极形成倒品字或倒三角布局；所述形变感应方法包括：
获得形变感应单元中电容值的变化关系；
根据所述电容值的变化关系确定显示面板的形态；所述显示面板的形态包括如下之一或任意组合：水平拉伸形态、水平压缩形态、内弯形态、外弯形态。
9.根据权利要求8所述的形变感应方法，其特征在于，所述形变感应单元包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第二电极和第三电极相对于第一电极位置对称，所述第二电极与第三电极之间形成第一电容，所述第一电极与第二电极之间形成第二电容；获得形变感应单元中电容值的变化关系，包括：
向所述第一电极、第二电极和第三电极分别输入扫描信号，检测第一电容和第二电容的电容值；
将每个电容的电容值分别与其基准电容值比较，当两者差值大于等于预先设置的变化阈值时，判断每个电容的电容值的变化性质；
根据每个电容的电容值的变化性质获得电容值的变化关系。
10.根据权利要求9所述的形变感应方法，其特征在于，所述基准电容值是显示面板不受任何外力时检测到的每个电容的电容值；所述预先设置的变化阈值包括第一电容的变化阈值Δ1和第二电容的变化阈值Δ2，Δ1＝(0.02～0.1)QC1，Δ2＝(0.02～0.1)QC2，QC1、QC2分别为第一电容、第二电容的基准电容值。
11.根据权利要求10所述的形变感应方法，其特征在于，将每个电容的电容值分别与其基准电容值比较，当两者差值大于等于预先设置的变化阈值时，判断每个电容的变化性质，包括：
分别比较│QC1'-QC1│与Δ1、│QC2'-QC2│与Δ2；
当│QC1'-QC1│≥Δ1或│QC2'-QC2│≥Δ2时，比较QC1'与QC1的大小或比较QC2'与QC2的大小；
根据比较结果，判断每个电容的变化性质，所述变化性质包括：电容增加或电容减小；
其中，QC1'、QC2'分别为第一电容、第二电容的检测电容值。
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