JP2011082582A - Method of manufacturing connection structure, method of anisotropic conductive connection, and connection structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、接続信頼性を良好にすることができる接続構造体の製造方法、異方性導電接続方法及び接続構造体に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a connection structure, an anisotropic conductive connection method, and a connection structure that can improve connection reliability.
従来、異方性導電接続における硬化法として、例えば、熱硬化法と、UV(ultraviolet)硬化法(紫外線硬化法)とがそれぞれ単独で行われていた。 Conventionally, as a curing method in anisotropic conductive connection, for example, a thermal curing method and a UV (ultraviolet) curing method (ultraviolet curing method) have been performed independently.
熱硬化法は、例えば、電極を有する基板と、電極を有する電子部品とを異方性導電接着剤を介して接続する際に、加熱押圧時に150〜220℃程度の熱を加えて、異方性導電接着剤の硬化反応を進行させる方法である。熱硬化法によれば、異方性導電接着剤が良好な反応性(硬化特性)を示すため、硬化不良が発生することはない。しかしながら、熱硬化法では、熱により基板等の反りが顕著となり、接続信頼性に不具合が生じてしまうことがある。 In the thermosetting method, for example, when a substrate having electrodes and an electronic component having electrodes are connected via an anisotropic conductive adhesive, heat of about 150 to 220 ° C. is applied at the time of heating and pressing. This is a method of proceeding the curing reaction of the conductive conductive adhesive. According to the thermosetting method, since the anisotropic conductive adhesive exhibits good reactivity (curing characteristics), no curing failure occurs. However, in the thermosetting method, the warpage of the substrate or the like becomes remarkable due to heat, which may cause problems in connection reliability.
一方、UV硬化法によれば、基板等の反りを抑制することができるものの、熱硬化法に比べて異方性導電接着剤の反応性が十分ではないため、硬化不良の問題が発生してしまう。 On the other hand, the UV curing method can suppress the warpage of the substrate and the like, but the reactivity of the anisotropic conductive adhesive is not sufficient compared with the thermosetting method, which causes a problem of poor curing. End up.
そこで、例えば、特許文献1に記載のように、熱硬化法とUV硬化法とを併用する方法が提案されている。しかしながら、UV硬化を行うために照射されたUV光は、基板上の金属配線部を透過しないため、金属配線部上に存在する異方性導電接着剤に届きにくい問題がある。金属配線部上に存在する異方性導電接着剤にUV光が届きにくくなる結果、硬化不良が発生してしまい、接続部の接続信頼性を良好にすることができない。
Therefore, for example, as described in
そこで、本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、接続部の接続信頼性を良好にすることができる接続構造体の製造方法、異方性導電接続方法及び接続構造体を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been proposed in view of such conventional circumstances, and a method for manufacturing a connection structure, an anisotropic conductive connection method, and a connection that can improve the connection reliability of the connection portion. An object is to provide a structure.
本発明に係る接続構造体の製造方法は、表面に複数の第1の電極を有するとともに第1の電極間に凹部が形成されており凹部にポリマーが配置された透光性基板と、第2の電極を有する電子部品とを、エポキシ樹脂と重合開始剤とを含有する異方性導電接着剤を介して第1の電極と第2の電極とが対向するように配置する配置工程と、電子部品の異方性導電接着剤とは接していない面側から加熱押圧するとともに、加熱押圧の開始後、所定時間経過後に、透光性基板の異方性導電接着剤とは接していない面側から光を照射して、照射した光をポリマーに照射することにより、第1の電極と第2の電極とが電気的に接続された接続体を得る接続工程とを有し、ポリマーの屈折率を、異方性導電接着剤及び透光性基板の屈折率よりも小さくする。 The connection structure manufacturing method according to the present invention includes a translucent substrate having a plurality of first electrodes on the surface, a recess formed between the first electrodes, and a polymer disposed in the recess; A disposing step of disposing an electronic component having the electrodes of the first electrode and the second electrode through an anisotropic conductive adhesive containing an epoxy resin and a polymerization initiator; Heat pressing from the side of the component that is not in contact with the anisotropic conductive adhesive, and the surface side of the transparent substrate that is not in contact with the anisotropic conductive adhesive after a predetermined time has elapsed after the start of heating and pressing. And a connecting step of obtaining a connection body in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by irradiating the polymer with the irradiated light. The refractive index of the polymer Is made smaller than the refractive index of the anisotropic conductive adhesive and the translucent substrate.
本発明に係る異方性導電接続方法は、表面に複数の第1の電極を有するとともに第1の電極間に凹部が形成され凹部にポリマーが配置された透光性基板と、第2の電極を有する電子部品とを、エポキシ樹脂と光カチオン重合開始剤とを含有する異方性導電接着剤を介して第1の電極と第2の電極とが対向するように配置する配置工程と、電子部品の異方性導電接着剤とは接していない面側から加熱押圧するとともに、加熱押圧の開始後、所定時間経過後に、透光性基板の異方性導電接着剤とは接していない面側から光を照射して、照射した光をポリマーに照射することにより、第1の電極と第2の電極とを電気的に接続する接続工程とを有し、ポリマーの屈折率を、異方性導電接着剤及び透光性基板の屈折率よりも小さくする。 The anisotropic conductive connection method according to the present invention includes a translucent substrate having a plurality of first electrodes on the surface, a recess formed between the first electrodes, and a polymer disposed in the recess, and the second electrode An electronic component having a first electrode and a second electrode facing each other through an anisotropic conductive adhesive containing an epoxy resin and a cationic photopolymerization initiator; Heat pressing from the side of the component that is not in contact with the anisotropic conductive adhesive, and the surface side of the transparent substrate that is not in contact with the anisotropic conductive adhesive after a predetermined time has elapsed after the start of heating and pressing. And a step of electrically connecting the first electrode and the second electrode by irradiating the polymer with the irradiated light, and the refractive index of the polymer is made anisotropic. The refractive index of the conductive adhesive and the translucent substrate is made smaller.
本発明に係る接続構造体は、表面に複数の第1の電極を有するとともに第1の電極間に凹部が形成されており凹部にポリマーが配置された透光性基板と、第2の電極を有する電子部品とを、エポキシ樹脂と重合開始剤とを含有する異方性導電接着剤を介して第1の電極と第2の電極とが対向するように配置し、電子部品の異方性導電接着剤とは接していない面側から加熱押圧するとともに、加熱押圧の開始後、所定時間経過後に、透光性基板の異方性導電接着剤とは接していない面側から光を照射して、照射した光をポリマーに照射することにより第1の電極と第2の電極とが電気的に接続されており、ポリマーの屈折率が、異方性導電接着剤及び透光性基板の屈折率よりも小さい。 The connection structure according to the present invention includes a translucent substrate having a plurality of first electrodes on the surface and a recess formed between the first electrodes, and a polymer disposed in the recess, and a second electrode. The electronic component is disposed so that the first electrode and the second electrode face each other through an anisotropic conductive adhesive containing an epoxy resin and a polymerization initiator. While heating and pressing from the surface side not in contact with the adhesive, after a predetermined time has elapsed after the start of heating and pressing, light is irradiated from the surface side not in contact with the anisotropic conductive adhesive of the translucent substrate. The first electrode and the second electrode are electrically connected by irradiating the irradiated light to the polymer, and the refractive index of the polymer is the refractive index of the anisotropic conductive adhesive and the translucent substrate. Smaller than.
本発明によれば、ポリマーに照射された光が散乱して電極間に照射されるため、電極間の異方性導電接着剤の硬化反応が十分に進行して、接続部の接続信頼性を良好にすることができる。 According to the present invention, since the light irradiated to the polymer is scattered and irradiated between the electrodes, the curing reaction of the anisotropic conductive adhesive between the electrodes sufficiently proceeds, and the connection reliability of the connection portion is improved. Can be good.
以下、本発明の具体的な実施の形態(以下、「本実施の形態」という)の一例について説明する。 Hereinafter, an example of a specific embodiment of the present invention (hereinafter referred to as “the present embodiment”) will be described.
<接続構造体の製造方法>
(配置工程)
図1は、本実施の形態に係る接続構造体の製造方法の配置工程を模式的に示す断面図である。
<Method for manufacturing connection structure>
(Arrangement process)
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an arrangement process of the manufacturing method of the connection structure according to the present embodiment.
配置工程では、表面に複数の第1の電極1(以下、単に「電極1」と呼ぶ)を有する透光性基板2と、第2の電極3(以下、単に「電極3」と呼ぶ)を有する電子部品4とを、異方性導電接着剤5を介して電極1と電極3とが対向するように配置させる。
In the arranging step, a
また、配置工程では、電極1間に形成された凹部6に、異方性導電接着剤5及び透光性基板2よりも屈折率が小さいポリマー(以下、単に「ポリマー」と呼ぶ)7を配置する。
In the arranging step, a polymer (hereinafter simply referred to as “polymer”) 7 having a refractive index smaller than that of the anisotropic
電極1は、例えば、金属配線で構成されている。透光性基板2としては、透光性を有する基板、例えばガラス基板を用いることができる。電極3は、例えば、バンプで構成されている。電子部品4としては、例えば、半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品、プリント基板等の基板、ポリイミドやポリエステルを基材としたフレキシブル配線板、液晶パネル等のガラス上に酸化インジウム−スズ(ITO)やクロム、アルミニウム等で配線した透明電極等を用いることができる。
The
異方性導電接着剤5は、例えば、ペースト状や、剥離性基材上に接着剤組成物を塗布、乾燥してなるフィルム状で構成することができる。異方性導電接着剤5は、形状をフィルム状とすることにより、取扱性に優れるとともに、接続後の厚みを容易に均一化することができる。
The anisotropic
異方性導電接着剤5は、例えば、エポキシ樹脂と、重合開始剤と、導電性粒子8とを含有する。エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、単独又は2種以上を組み合わせたものであってもよい。重合開始剤としては、熱及び紫外線(UV)の両方で酸を発生させることができるカチオン重合開始剤を用いることができ、例えば、芳香族スルホニウム塩等のオニウム塩が挙げられる。
The anisotropic
また、エポキシ樹脂に限定されず、種々のアクリレートを含有したアクリル樹脂も使用することができる。また、重合開始剤としては、熱及び紫外線(UV)の両方でフリーラジカルを発生させるラジカル開始剤を用いることができ、例えば、有機化酸化物等が例示される。 Moreover, it is not limited to an epoxy resin, The acrylic resin containing various acrylates can also be used. Moreover, as a polymerization initiator, the radical initiator which generate | occur | produces a free radical with both a heat | fever and an ultraviolet-ray (UV) can be used, For example, organic oxide etc. are illustrated.
導電性粒子8としては、公知の導電性粒子を用いることができる。例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。
As the
電極1間に形成された凹部6には、後に詳述するポリマー7が配置される。ポリマー7の曲率半径は、凹部6の曲率半径によって規定される。凹部6は、図1に示すように、その曲率半径を電極1間の距離D(配線間距離D)に対して、0.5〜3倍とすることが好ましい。凹部6の曲率半径を電極1間の距離Dに対して、0.5〜3倍とすることにより、後に詳述するように、ポリマー7の曲率半径を電極1間の距離Dに対して、容易に0.5〜3倍とすることが可能となる。凹部6は、透光性基板2の異方性導電接着剤5とは接していない面2a側から入射された光を屈折させる。
A polymer 7 which will be described in detail later is disposed in the recess 6 formed between the
凹部6に配置されるポリマー7は、レンズ構造体として機能して光を散乱させる。ポリマー7の屈折率は、異方性導電接着剤5及び透光性基板2の屈折率よりも小さくする。ポリマー7の屈折率を異方性導電接着剤5及び透光性基板2の屈折率よりも小さくすることにより、透光性基板2の面2a側から入射された光をポリマー7によって散乱させて、電極1と電極3との間に光を照射することができる。これにより、電極1と電極3との間に存在する異方性導電接着剤5の硬化反応が十分に進行するため、電極1と電極3との接続部の接続信頼性を良好にすることができる。
The polymer 7 disposed in the recess 6 functions as a lens structure and scatters light. The refractive index of the polymer 7 is made smaller than the refractive indexes of the anisotropic
ポリマー7としては、高い透明性と低屈折率とを両立できるものが好ましく、例えば、透過率が95%であり屈折率が1.34であるアモルファスフルオロポリマーを用いることができる。ポリマー7の曲率半径は、電極1間の距離Dに対して、0.5〜3倍とすることが好ましく、0.5倍とすることが特に好ましい。ポリマー7の曲率半径を電極1間の距離Dに対して0.5〜3倍とすることにより、後に詳述する接続工程において、ポリマー7によって透光性基板2の面2a側から入射された光を効果的に散乱させることができる。これにより、電極1と電極3との間に、より多くの光が照射されるため、電極間の異方性導電接着剤5の硬化反応が十分に進行して、接続部の接続信頼性をさらに良好にすることができる。
As the polymer 7, a polymer that can achieve both high transparency and a low refractive index is preferable. For example, an amorphous fluoropolymer having a transmittance of 95% and a refractive index of 1.34 can be used. The radius of curvature of the polymer 7 is preferably 0.5 to 3 times, and particularly preferably 0.5 times the distance D between the
(接続工程)
図2は、本実施の形態に係る接続構造体の製造方法の接続工程を模式的に示す断面図である。
(Connection process)
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a connection step in the method for manufacturing the connection structure according to the present embodiment.
接続工程では、図2に示すように、電子部品4の異方性導電接着剤5とは接していない面4a側から加熱押圧(加熱加圧)するとともに、加熱押圧の開始後、所定時間経過後に、透光性基板2の異方性導電接着剤5とは接していない面2a側から光を照射する。照射された光は、ポリマー7に照射され、ポリマー7に照射された光が散乱して電極1と電極3との間に照射される。その結果、電極間の異方性導電接着剤5の硬化反応が十分に進行して、電極1と電極3とが電気的に接続された接続体が得られる。
In the connecting step, as shown in FIG. 2, the electronic component 4 is heated and pressed (heated and pressurized) from the
接続工程では、加熱押圧を行うとともに光照射を行うことにより、低温で透光性基板2と電子部品4とを圧着することが可能となる。したがって、例えば、透光性基板2としてLCD(Liquid Crystal Display)パネルを用いた場合においては、LCDパネルの色ムラを低減することができる。また、例えば、電子部品4としてフレキシブルプリント基板(FPC:Flexible printed circuits)を用いた場合においては、熱膨張によるフレキシブルプリント基板のピッチズレを改善することができる。低温で透光性基板2と電子部品4とを圧着することが可能となるため、例えば、加熱押圧を行う加熱押圧装置9にかかる熱衝撃を軽減することができる。
In the connecting step, it is possible to press the
接続工程では、加熱押圧するとともに、加熱押圧の開始後、所定時間経過後に、透光性基板2の面2a側から光を照射する。これにより、異方性導電接着剤5の硬化反応が開始する前に異方性導電接着剤5の樹脂を十分に流動させて、電極1と電極3との間に存在する樹脂を迅速に排除することができる。また、加熱によって異方性導電接着剤5の樹脂が流動している際に光照射を行うことにより、硬化反応の進行を促進させることができる。さらに、加熱によって異方性導電接着剤5の樹脂が流動している際に光照射を行うことにより、光が届きにくい部分、すなわち、電極1と電極3との間の異方性導電接着剤5の硬化反応を十分に進行させることができる。
In the connecting step, heat pressing is performed, and light is irradiated from the
接続工程では、加熱押圧と光照射とを同時に停止させることが好ましい。加熱押圧と光照射とを同時に停止させることにより、例えば、電極1が光を吸収することによって電極1が発熱してしまうことを防止して、異方性導電接着剤5の樹脂が緩んで導電性粒子8の押さえ込みが弱くならないようにすることができる。これにより、接続部の接続信頼性が悪化してしまうことを防止することができる。
In the connecting step, it is preferable to simultaneously stop heating and light irradiation. By simultaneously stopping the heating and pressing and light irradiation, for example, the
加熱押圧は、例えば、加熱押圧を行うことが可能であり、透光性基板2の面2a側から光を照射することが可能な加熱押圧装置9を用いることができる。
For example, the heating and pressing can be performed by using the heating and pressing device 9 that can irradiate light from the
加熱押圧時間は、例えば、5〜30秒とすることが好ましい。加熱押圧時間を5〜30秒とすることにより、異方性導電接着剤5の流動性が不十分となってしまうことを防止し、また、作業性が低下してしまうことを防止することができる。
The heat pressing time is preferably 5 to 30 seconds, for example. By setting the heating and pressing time to 5 to 30 seconds, the fluidity of the anisotropic
接続工程では、加熱押圧の開始後、1〜3秒経過後に、透光性基板2の面2a側から光を照射することが好ましい。加熱押圧の開始から1秒経過する前に光照射を開始した場合には、電極1と電極3との間の導通が確保される前に異方性導電接着剤5の硬化反応が始まってしまい、導通不良の原因となってしまう。また、加熱押圧を開始して3秒経過後から光照射を開始した場合には、光照射に要する時間が短くなってしまい、異方性導電接着剤5の硬化不良を引き起こしてしまう。
In the connecting step, it is preferable to irradiate light from the
接続工程では、光照射時間を3〜30秒とすることが好ましい。光照射時間を3秒より少なくした場合には、異方性導電接着剤5の硬化不良の原因となってしまう。また、光照射時間を30秒より多くした場合には、例えばタクトタイムが長くなってしまうため、作業性が低下してしまう。
In the connection step, the light irradiation time is preferably 3 to 30 seconds. If the light irradiation time is shorter than 3 seconds, the anisotropic
異方性導電接着剤5の硬化反応に用いる光は、例えば、紫外線を用いることができ、光源10で発生させることができる。光源10は、例えば、水銀ランプ、メタルハライドランプ、無電極ランプ等で構成することができる。光の照射量は、100〜3000W/cm2(10〜300J/cm2)とすることが好ましい。光の照射量を100〜3000W/cm2とすることにより、異方性導電接着剤5の硬化反応を十分に進行させることができる。また、急激に異方性導電接着剤5の硬化反応が進行して、異方性導電接着剤5の樹脂の流動及び電極間からの樹脂の排除を妨げないようにすることができる。
The light used for the curing reaction of the anisotropic
以上説明したように、接続構造体の製造方法では、透光性基板の他方の面側から入射された光がエポキシ樹脂よりも屈折率が小さいポリマーによって散乱して、光が届きにくい電極間にも光が照射される。これにより、電極1と電極3との間の異方性導電接着剤5の硬化反応が十分に進行するため、異方性導電接着剤5が硬化不良となることを防止することができる。したがって、接続部の接続信頼性を良好にすることができる。
As described above, in the method for manufacturing a connection structure, light incident from the other surface side of the translucent substrate is scattered by a polymer having a refractive index smaller than that of the epoxy resin, and the light is difficult to reach between the electrodes. Is also irradiated with light. Thereby, since the curing reaction of the anisotropic
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、下記のいずれかの実施例に本発明の範囲が限定されるものではない。 Hereinafter, specific examples of the present invention will be described. Note that the scope of the present invention is not limited to any of the following examples.
(実施例1)
固形重量比でフェノキシ樹脂40質量部、液状エポキシ樹脂29質量部、光カチオン重合開始剤10質量部となるように配合し、さらに導電性粒子20質量部、シランカップリング剤1質量部を分散させ、トルエンを加え固形分50%の樹脂組成物を調整した。更に前記樹脂組成物を剥離処理したポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させ、接着層の厚みが20μmの異方性導電フィルムを得た。
・フェノキシ樹脂
(商品名PKHC、(ユニオンカーバイド社製))
・光カチオン重合性化合物
ビスフェノール型液状エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、商品名:エピコート828、油化シェルエポキシ社製)
・シランカップリング剤
(商品名:A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)
・光カチオン重合開始剤
(商品名:サンエイドSI−80、三新化学工業社製)
・平均粒径4μmの導電性粒子(AUL704、積水化学工業社製)
Example 1
It is blended so as to be 40 parts by mass of a phenoxy resin, 29 parts by mass of a liquid epoxy resin, and 10 parts by mass of a cationic photopolymerization initiator in a solid weight ratio. Toluene was added to prepare a resin composition having a solid content of 50%. Further, the resin composition was applied onto a release-treated polyethylene terephthalate, and the solvent was dried to obtain an anisotropic conductive film having an adhesive layer thickness of 20 μm.
・ Phenoxy resin (trade name PKHC, (Union Carbide))
-Photocationic polymerizable compound bisphenol type liquid epoxy resin (Bisphenol A type epoxy resin, trade name: Epicoat 828, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)
・ Silane coupling agent (trade name: A-187, manufactured by Momentive Performance Materials)
・ Photocationic polymerization initiator (trade name: Sun-Aid SI-80, manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.)
-Conductive particles having an average particle size of 4 μm (AUL704, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.)
得られた異方性導電フィルムを用いて、電極間距離10μmの電極を有するIC基板(厚み0.5mm)と、電極としての金属配線が形成されたガラス基板(厚み0.5mm)とを接続した。 Using the obtained anisotropic conductive film, an IC substrate (thickness 0.5 mm) having electrodes with an interelectrode distance of 10 μm was connected to a glass substrate (thickness 0.5 mm) on which metal wiring as an electrode was formed. did.
また、実施例1では、ガラス基板の凹部と異方性導電フィルムとの間に、屈折率1.3、透過率95%のアモルファスフルオロポリマー(品名 テフロン(登録商標)AF)をレンズ構造体として配置した。アモルファスフルオロポリマーの曲率半径は、ガラス基板上の電極間距離の2倍とした。 In Example 1, an amorphous fluoropolymer (product name: Teflon (registered trademark) AF) having a refractive index of 1.3 and a transmittance of 95% is used as a lens structure between the concave portion of the glass substrate and the anisotropic conductive film. Arranged. The radius of curvature of the amorphous fluoropolymer was twice the distance between the electrodes on the glass substrate.
接続条件は、ソニーケミカル&インフォメーションデバイス社製の加熱押圧ボンダーによって、110℃、60MPaで5秒間の加熱押圧と、ガラス基板側からの紫外線照射とを同時に行った。具体的には、加熱押圧のみを開始して2秒経過後から紫外線照射を開始し、加熱押圧開始から10秒後に加熱押圧と紫外線照射とを同時に終了させた。その後、圧力を開放して、接続体を得た。なお、光源から異方性導電フィルムに照射する紫外線照射量は、10J/cm2とした(工法A)。 The connection conditions were simultaneous heating and pressing at 110 ° C. and 60 MPa for 5 seconds and ultraviolet irradiation from the glass substrate side using a heating and pressing bonder manufactured by Sony Chemical & Information Device. Specifically, ultraviolet irradiation was started after 2 seconds had elapsed from the start of only the heat pressing, and the heating pressing and the ultraviolet irradiation were simultaneously terminated after 10 seconds from the start of the heating pressing. Thereafter, the pressure was released to obtain a connection body. In addition, the ultraviolet irradiation amount irradiated to an anisotropic conductive film from a light source was 10 J / cm 2 (Construction A).
(実施例2)
実施例2では、アモルファスフルオロポリマーの曲率半径を、ガラス基板上の電極間距離と同じとしたこと以外は、実施例1と同様にしてIC基板とガラス基板との接続体を作製した。
(Example 2)
In Example 2, a connection body of an IC substrate and a glass substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the curvature radius of the amorphous fluoropolymer was the same as the distance between the electrodes on the glass substrate.
(実施例3)
実施例3では、アモルファスフルオロポリマーの曲率半径を、ガラス基板上の電極間距離の0.5倍としたこと以外は、実施例1と同様にしてIC基板とガラス基板との接続体を作製した。
(Example 3)
In Example 3, a connection body of an IC substrate and a glass substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the radius of curvature of the amorphous fluoropolymer was 0.5 times the distance between the electrodes on the glass substrate. .
(実施例4)
実施例4では、アモルファスフルオロポリマーの曲率半径を、ガラス基板上の電極間距離の3倍としたこと以外は、実施例1と同様にしてIC基板とガラス基板との接続体を作製した。
Example 4
In Example 4, a connection body of an IC substrate and a glass substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the radius of curvature of the amorphous fluoropolymer was set to 3 times the distance between the electrodes on the glass substrate.
(比較例1)
比較例1では、アモルファスフルオロポリマーを用いなかったこと以外は、実施例1と同様にしてIC基板とガラス基板との接続体を作製した。
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, a connection body of an IC substrate and a glass substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that no amorphous fluoropolymer was used.
(比較例2)
比較例2では、加熱押圧と紫外線照射とを同時に開始したこと以外は実施例1と同様の工法(工法B)によって、IC基板とガラス基板との接続体を作製した。
(Comparative Example 2)
In the comparative example 2, the connection body of an IC substrate and a glass substrate was produced by the same construction method (construction method B) as Example 1 except having started heat press and ultraviolet irradiation simultaneously.
(比較例3)
比較例3では、紫外線照射を行わず、加熱押圧の接続条件を180℃、60MPa、5秒間としたこと以外は実施例1と同様の工法(工法C)によって、IC基板とガラス基板との接続体を作製した。
(Comparative Example 3)
In Comparative Example 3, the connection between the IC substrate and the glass substrate was performed by the same construction method (Construction C) as in Example 1 except that ultraviolet irradiation was not performed and the connection condition for heating and pressing was 180 ° C., 60 MPa, and 5 seconds. The body was made.
(比較例4)
比較例4では、紫外線照射の接続条件を20J/cm2として、加熱押圧を行わなかったこと以外は実施例1と同様の工法(工法D)によって、IC基板とガラス基板との接続体を作製した。
(Comparative Example 4)
In Comparative Example 4, a connection body of an IC substrate and a glass substrate was produced by the same construction method (Construction D) as in Example 1 except that the connection condition of ultraviolet irradiation was 20 J / cm 2 and heating and pressing were not performed. did.
(比較例5)
比較例5では、加熱押圧を開始して0.5秒経過後から紫外線照射を開始し、加熱押圧開始から10秒後に加熱押圧と紫外線照射とを同時に終了させたこと以外は実施例1と同様の工法(工法E)によって、IC基板とガラス基板との接続体を作製した。
(比較例6)
(Comparative Example 5)
Comparative Example 5 was the same as in Example 1 except that ultraviolet irradiation was started after 0.5 seconds had elapsed from the start of heating and pressing, and ultraviolet heating was terminated at the
(Comparative Example 6)
比較例6では、紫外線照射を開始して2秒経過後から加熱押圧を開始し、紫外線照射開始から10秒後に加熱押圧と紫外線照射とを同時に終了させたこと以外は実施例1と同様の工法(工法F)によって、IC基板とガラス基板との接続体を作製した。 In Comparative Example 6, the heating method is started after 2 seconds from the start of ultraviolet irradiation, and the heating method and ultraviolet irradiation are simultaneously terminated after 10 seconds from the start of ultraviolet irradiation. A connection body of the IC substrate and the glass substrate was produced by (Method F).
実施例1〜実施例4及び比較例1〜比較例6の結果をまとめたものを以下の表1に示す。
(反応性評価について)
反応性は、赤外分光光度計(品番 FT/IR−4100、日本分光社製)を用いて、実装前と実装後のエポキシ環の吸収波長の減衰量(%)から算出した。
(About reactivity evaluation)
The reactivity was calculated from the attenuation amount (%) of the absorption wavelength of the epoxy ring before and after mounting using an infrared spectrophotometer (product number FT / IR-4100, manufactured by JASCO Corporation).
表1において、反応性が「○」とは、異方性導電フィルムの70%以上が反応していることを示す。反応性が「△」とは、異方性導電フィルムの30%を超えて70%未満が反応していることを示す。反応性が「×」とは、異方性導電フィルムの30以下が反応していることを示す。 In Table 1, the reactivity “◯” indicates that 70% or more of the anisotropic conductive film is reacted. The reactivity “Δ” indicates that more than 30% and less than 70% of the anisotropic conductive film are reacted. The reactivity “x” indicates that 30 or less of the anisotropic conductive film is reacted.
(パネル反り評価について)
パネル反りは、触針式表面粗度計(商品名:SE−3H、小阪研究所社製)を用いて、ガラス基板の下側からスキャンし、ICチップ圧着後のガラス基板面の反り量(μm)を測定した。
(About panel warpage evaluation)
Panel warpage is scanned from the lower side of the glass substrate using a stylus type surface roughness meter (trade name: SE-3H, manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd.), and the warpage amount of the glass substrate surface after IC chip pressure bonding ( μm).
表1において、パネル反りが「◎」とは、パネル反りが5μm以下であることを示す。パネル反りが「○」とは、パネル反りが5μmを超えて12μm以下であることを示す。パネル反りが「△」とは、パネル反りが12μmを超えて20μm未満であることを示す。パネル反りが「×」とは、パネル反りが20μm以上であることを示す。 In Table 1, the panel warpage “「 ”indicates that the panel warpage is 5 μm or less. A panel warpage of “◯” indicates that the panel warpage exceeds 5 μm and is 12 μm or less. The panel warpage “Δ” indicates that the panel warpage is more than 12 μm and less than 20 μm. The panel warpage “x” indicates that the panel warpage is 20 μm or more.
(接続信頼性評価について)
表1において、「接続信頼性(初期)」とは、接続体を製造した直後の接続信頼性である。また、「接続信頼性(85℃ 85% RH500Hr)」とは、85℃、湿度85%の環境下で500時間放置した後の接続信頼性である。
(About connection reliability evaluation)
In Table 1, “connection reliability (initial)” is connection reliability immediately after the connection body is manufactured. The “connection reliability (85 ° C., 85% RH500Hr)” is the connection reliability after being left for 500 hours in an environment of 85 ° C. and humidity of 85%.
接続信頼性評価が「◎」とは、接続体における電極間の接続部を含む抵抗値が10Ω以下であることを示す。初期の接続信頼性評価が「○」とは、接続体における電極間の接続部を含む抵抗値が10Ωを超えて50Ω以下であることを示す。初期の接続信頼性評価が「△」とは、接続体における電極間の接続部を含む抵抗値が50Ωを超えて100Ω未満であることを示す。初期の接続信頼性評価が「×」とは、接続後の接続部を含む抵抗値が100Ω以上であることを示す。 The connection reliability evaluation of “」 ”indicates that the resistance value including the connection part between the electrodes in the connection body is 10Ω or less. The initial connection reliability evaluation of “◯” indicates that the resistance value including the connection portion between the electrodes in the connection body exceeds 10Ω and is 50Ω or less. The initial connection reliability evaluation of “Δ” indicates that the resistance value including the connection part between the electrodes in the connection body is more than 50Ω and less than 100Ω. The initial connection reliability evaluation of “×” indicates that the resistance value including the connected portion after connection is 100Ω or more.
抵抗値の測定は、デジタルマルチメーター(商品名:デジタルマルチメーター7561、横河電機社製)を用いて、接続抵抗(Ω)の測定を行った。 The resistance value was measured by measuring the connection resistance (Ω) using a digital multimeter (trade name: Digital Multimeter 7561, manufactured by Yokogawa Electric Corporation).
実施例1〜実施例4では、ガラス基板の凹部と異方性導電フィルムとの間に、アモルファスフルオロポリマーを配置してIC基板とガラス基板とを接続させたため、反応性評価、パネル反り評価及び接続信頼性評価が良好であった。 In Examples 1 to 4, since the amorphous fluoropolymer was arranged between the concave portion of the glass substrate and the anisotropic conductive film to connect the IC substrate and the glass substrate, the reactivity evaluation, the panel warpage evaluation, and The connection reliability evaluation was good.
実施例2では、アモルファスフルオロポリマーの曲率半径を、ガラス基板上の電極間距離と同じとしたため、初期の接続信頼性評価が特に良好であった。 In Example 2, since the radius of curvature of the amorphous fluoropolymer was the same as the distance between the electrodes on the glass substrate, the initial connection reliability evaluation was particularly good.
実施例3では、アモルファスフルオロポリマーの曲率半径を、ガラス基板上の電極間距離の半分としたため、初期の接続信頼性評価と、85℃、湿度85%の環境下で500時間放置後の接続信頼性評価とが特に良好であった。 In Example 3, since the radius of curvature of the amorphous fluoropolymer was half of the distance between the electrodes on the glass substrate, the initial connection reliability evaluation and the connection reliability after being left for 500 hours in an environment of 85 ° C. and 85% humidity were performed. The property evaluation was particularly good.
比較例1では、ガラス基板の凹部と異方性導電フィルムとの間に、アモルファスフルオロポリマーを配置せずにIC基板とガラス基板とを接続させたため、反応性評価及び接続信頼性評価が良好ではなかった。 In Comparative Example 1, since the IC substrate and the glass substrate were connected without disposing the amorphous fluoropolymer between the concave portion of the glass substrate and the anisotropic conductive film, the reactivity evaluation and the connection reliability evaluation were not good. There wasn't.
比較例2では、加熱押圧と紫外線照射とを同時に開始したため、接続信頼性評価が良好ではなかった。 In Comparative Example 2, since the heat pressing and the ultraviolet irradiation were started at the same time, the connection reliability evaluation was not good.
比較例3では、加熱押圧のみを行ったため、接続体のパネル反り評価と接続信頼性評価とが良好ではなかった。 In Comparative Example 3, since only the heating and pressing were performed, the panel warpage evaluation and the connection reliability evaluation of the connection body were not good.
比較例4では、紫外線照射のみを行ったため、反応性評価と接続信頼性評価とが良好ではなかった。 In Comparative Example 4, since only ultraviolet irradiation was performed, the reactivity evaluation and the connection reliability evaluation were not good.
比較例5では、加熱押圧のみを開始して0.5秒経過後から紫外線照射を開始したため、反応性評価と、85℃、湿度85%の環境下で500時間放置後の接続信頼性評価とが良好ではなかった。 In Comparative Example 5, since only the heat pressing was started and ultraviolet irradiation was started after 0.5 seconds had elapsed, the reactivity evaluation and the connection reliability evaluation after being left for 500 hours in an environment of 85 ° C. and humidity 85% Was not good.
比較例6では、紫外線照射のみを開始して2秒経過後から加熱押圧を開始したため、反応性評価と接続信頼性評価とが良好ではなかった。 In Comparative Example 6, since only the ultraviolet irradiation was started and the heat pressing was started after the elapse of 2 seconds, the reactivity evaluation and the connection reliability evaluation were not good.
1 第1の電極、2 透光性基板、2a 面、3 第2の電極、4 電子部品、4a 面、5 異方性導電接着剤、6 凹部、7 ポリマー、8 導電性粒子、9 加熱押圧装置、10 光源
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記電子部品の前記異方性導電接着剤とは接していない面側から加熱押圧するとともに、該加熱押圧の開始後、所定時間経過後に、前記透光性基板の前記異方性導電接着剤とは接していない面側から光を照射して、該照射した光を前記ポリマーに照射することにより、前記第1の電極と前記第2の電極とが電気的に接続された接続体を得る接続工程とを有し、
前記ポリマーの屈折率を、前記異方性導電接着剤及び前記透光性基板の屈折率よりも小さくする接続構造体の製造方法。 A translucent substrate having a plurality of first electrodes on the surface and having recesses formed between the first electrodes and having a polymer disposed in the recesses, and an electronic component having a second electrode are bonded to an epoxy. An arrangement step of arranging the first electrode and the second electrode so as to face each other through an anisotropic conductive adhesive containing a resin and a polymerization initiator;
The electronic component is heated and pressed from the side of the electronic component that is not in contact with the anisotropic conductive adhesive, and after the predetermined time has elapsed after the start of the heating and pressing, the anisotropic conductive adhesive of the translucent substrate and Is connected to obtain a connection body in which the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by irradiating the polymer with the irradiated light. A process,
The manufacturing method of the connection structure which makes the refractive index of the said polymer smaller than the refractive index of the said anisotropic conductive adhesive and the said translucent board | substrate.
前記電子部品の前記異方性導電接着剤とは接していない面側から加熱押圧するとともに、該加熱押圧の開始後、所定時間経過後に、前記透光性基板の前記異方性導電接着剤とは接していない面側から光を照射して、該照射した光を前記ポリマーに照射することにより、前記第1の電極と前記第2の電極とを電気的に接続する接続工程とを有し、
前記ポリマーの屈折率を、前記異方性導電接着剤及び前記透光性基板の屈折率よりも小さくする異方性導電接続方法。 A translucent substrate having a plurality of first electrodes on the surface, a recess formed between the first electrodes, and a polymer disposed in the recess, and an electronic component having a second electrode, epoxy resin, An arrangement step of arranging the first electrode and the second electrode to face each other through an anisotropic conductive adhesive containing a polymerization initiator;
The electronic component is heated and pressed from the side of the electronic component that is not in contact with the anisotropic conductive adhesive, and after the predetermined time has elapsed after the start of the heating and pressing, the anisotropic conductive adhesive of the translucent substrate and Has a connection step of electrically connecting the first electrode and the second electrode by irradiating light from a surface side not in contact with the polymer and irradiating the irradiated light to the polymer. ,
An anisotropic conductive connection method, wherein a refractive index of the polymer is smaller than refractive indexes of the anisotropic conductive adhesive and the translucent substrate.
前記電子部品の前記異方性導電接着剤とは接していない面側から加熱押圧するとともに、該加熱押圧の開始後、所定時間経過後に、前記透光性基板の前記異方性導電接着剤とは接していない面側から光を照射して、該照射した光を前記ポリマーに照射することにより前記第1の電極と前記第2の電極とが電気的に接続されており、
前記ポリマーの屈折率が、前記異方性導電接着剤及び前記透光性基板の屈折率よりも小さい接続構造体。 A translucent substrate having a plurality of first electrodes on the surface and having recesses formed between the first electrodes and having a polymer disposed in the recesses, and an electronic component having a second electrode are bonded to an epoxy. Arranged so that the first electrode and the second electrode face each other through an anisotropic conductive adhesive containing a resin and a polymerization initiator,
The electronic component is heated and pressed from the side of the electronic component that is not in contact with the anisotropic conductive adhesive, and after the predetermined time has elapsed after the start of the heating and pressing, the anisotropic conductive adhesive of the translucent substrate and Irradiates light from the non-contact surface side, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by irradiating the polymer with the irradiated light,
The connection structure in which the refractive index of the polymer is smaller than the refractive indexes of the anisotropic conductive adhesive and the translucent substrate.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013121858A1 (en) * | 2012-02-14 | 2013-08-22 | デクセリアルズ株式会社 | Method for manufacturing connector, and connection method |
JP2014207222A (en) * | 2013-03-19 | 2014-10-30 | 積水化学工業株式会社 | Method for manufacturing connection structure and connection structure |
KR20140148421A (en) * | 2012-03-23 | 2014-12-31 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | Method for manufacturing connecting body, and method for connecting electronic component |
JP2017004715A (en) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | デクセリアルズ株式会社 | Anisotropic conductive connection structure, anisotropic conductive material, and anisotropic conductive connection method |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04116945A (en) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for mounting semiconductor device |
JPH0538882U (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | Circuit connection method |
JPH06163633A (en) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Kyocera Corp | Method of installation of semiconductor element |
JPH06168979A (en) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Kyocera Corp | Method of mounting semiconductor chip |
JPH0845988A (en) * | 1995-08-28 | 1996-02-16 | Seiko Epson Corp | Connection method for circuit |
JPH08111434A (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-30 | Ricoh Co Ltd | Method and structure for connecting integrated circuit chip and board |
JP2000150571A (en) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
JP2007281269A (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nec Corp | Mounting structure of electronic part, and its manufacturing method |
-
2011
- 2011-01-25 JP JP2011012744A patent/JP5730035B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04116945A (en) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for mounting semiconductor device |
JPH0538882U (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | Circuit connection method |
JPH06163633A (en) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Kyocera Corp | Method of installation of semiconductor element |
JPH06168979A (en) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Kyocera Corp | Method of mounting semiconductor chip |
JPH08111434A (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-30 | Ricoh Co Ltd | Method and structure for connecting integrated circuit chip and board |
JPH0845988A (en) * | 1995-08-28 | 1996-02-16 | Seiko Epson Corp | Connection method for circuit |
JP2000150571A (en) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
JP2007281269A (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nec Corp | Mounting structure of electronic part, and its manufacturing method |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013121858A1 (en) * | 2012-02-14 | 2013-08-22 | デクセリアルズ株式会社 | Method for manufacturing connector, and connection method |
KR20140148421A (en) * | 2012-03-23 | 2014-12-31 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | Method for manufacturing connecting body, and method for connecting electronic component |
KR102028466B1 (en) | 2012-03-23 | 2019-10-04 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | Method for manufacturing connecting body, and method for connecting electronic component |
JP2014207222A (en) * | 2013-03-19 | 2014-10-30 | 積水化学工業株式会社 | Method for manufacturing connection structure and connection structure |
JP2017004715A (en) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | デクセリアルズ株式会社 | Anisotropic conductive connection structure, anisotropic conductive material, and anisotropic conductive connection method |
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Publication number | Publication date |
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