JP2011080886A - 反射体制御方式の高速炉およびそれに用いる反射体 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速炉の反射体のキャビティ部の信頼性を向上させる。
【解決手段】反射体制御方式の高速炉に用いる反射体に、中性子反射部とその中性子反射部の上端に設けられたキャビティ部42を設ける。キャビティ部42は、分割構造材44によって複数の区画に仕切られている。これらの区画のうち一部は、Heなどを充填して、高速中性子の反射能力が冷却材よりも小さい。他の区画は、B4Cなどを配置することにより、高速中性子の反射能力が冷却材以下または中性子吸収能力が冷却材以上とする。
【選択図】図1
【解決手段】反射体制御方式の高速炉に用いる反射体に、中性子反射部とその中性子反射部の上端に設けられたキャビティ部42を設ける。キャビティ部42は、分割構造材44によって複数の区画に仕切られている。これらの区画のうち一部は、Heなどを充填して、高速中性子の反射能力が冷却材よりも小さい。他の区画は、B4Cなどを配置することにより、高速中性子の反射能力が冷却材以下または中性子吸収能力が冷却材以上とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、反射体制御方式の高速炉およびそれに用いる反射体に関する。
液体金属を冷却材とする高速炉において、中性子の漏れ量を制御することによって炉心の反応度を制御する方法がある。炉心からの中性子の漏れ量は、たとえば炉心外に設けた反射体を駆動することによって制御される(たとえば特許文献1参照)。
このような反射体制御方式の高速炉には、中性子反射部と、この中性子反射部の上部に中性子反射部と一体に設けられたキャビティ部から構成される反射体が、炉心および炉心槽を取り囲むように配設されたものがある(たとえば特許文献2参照)。キャビティ部は中空の箱体で構成され、キャビティ部の中空部は、一次冷却材よりも中性子反射能力が劣るガス雰囲気か、あるいは真空とされている。また、中性子反射部の上部には、駆動軸を介して反射体駆動装置が接続されている。反射体にキャビティ部を設けると、炉心槽の外側が一次冷却材で満たされている場合に比べて、炉心の反応度が抑制され、その分燃料濃縮度を高めて炉心の反応度寿命の長期化を図ることができる。
特許文献3には、軸方向にウランの濃縮度分布を持たせた燃料を用いた高速炉が開示されている。
反射体制御方式の高速炉内の一次冷却材の温度は、たとえば約350℃〜約500℃である。一次冷却材の温度は、場所によって温度差が生じており、炉心近傍では約500℃、中性子遮蔽体近傍では約350℃になっている。このため、炉心槽と隔壁の間の一次冷却材には、約150℃の温度差がある。さらに、一次冷却材が炉心を通過する際に約350℃から約500℃まで温められるため、炉心槽は軸方向に約150℃の温度差が生じている。
このため、反射体にも、半径方向および軸方向に温度差が生じることが想定される。この温度差に伴って、熱応力やクリープが発生してキャビティ部が損傷してしまうと、キャビティ部の中空部に冷却材が流入することも考えられる。その場合、中空部の気体または真空が冷却材に置換されることでキャビティ部の中性子反射能力が上昇し、炉心に反応度を加えられてしまう可能性がある。
そこで、本発明は、反射体制御方式の高速炉に用いられる反射体のキャビティ部の信頼性を向上させることを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明は、液体の冷却材を収容する原子炉容器と、前記原子炉容器に収納されて前記冷却材に浸された柱状の炉心と、中性子を反射する中性子反射部と前記中性子反射部の前記炉心の軸方向の一方の端部に固定されて、内部が少なくとも第1の区画および第2の区画に仕切られて、前記第1の区画は前記冷却材よりも高速中性子の反射能力が小さく、前記第2の区画は高速中性子の反射能力が前記冷却材以下かつ前記第1の区画よりも大きいかまたは中性子吸収能力が前記冷却材以上であるかのいずれかである、キャビティ部とを備えて前記炉心を囲み前記冷却材に浸されて前記炉心の軸方向に移動可能に設けられた反射体と、を有することを特徴とする。
また、本発明は、液体の冷却材を収容する原子炉容器と、前記原子炉容器に収納されて前記冷却材に浸された柱状の炉心と、を備えた高速炉の前記炉心を囲み前記冷却材に浸されて前記炉心の軸方向に移動可能に設けられた反射体において、中性子を反射する中性子反射部と、前記中性子反射部の前記炉心の軸方向の一方の端部に固定されて、内部が少なくとも第1の区画および第2の区画に仕切られて、前記第1の区画は前記冷却材よりも高速中性子の反射能力が小さく、前記第2の区画は高速中性子の反射能力が前記冷却材以下かつ前記第1の区画よりも大きいかまたは中性子吸収能力が前記冷却材以上であるかのいずれかである、キャビティ部と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、反射体制御方式の高速炉に用いられる反射体のキャビティ部の信頼性が向上する。
本発明に係る反射体制御方式の高速炉の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
[第1の実施の形態]
図4は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第1の実施の形態における立断面図である。図5は、本実施の形態における炉心および反射体の位置関係を示す模式的平断面図である。なお、図4において、矢印は一次冷却材21の流れる方向を示している。
図4は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第1の実施の形態における立断面図である。図5は、本実施の形態における炉心および反射体の位置関係を示す模式的平断面図である。なお、図4において、矢印は一次冷却材21の流れる方向を示している。
本実施の形態の反射体制御方式の高速炉1は、円筒状の原子炉容器6を有している。原子炉容器6の内部には、一次冷却材21が収容されている。原子炉容器6の下部は、たとえば半球面状に形成され、その外側はガードベッセル7に覆われている。一次冷却材21は、たとえば液体ナトリウムである。
原子炉容器6の下部には、炉心支持板10が取り付けられている。炉心支持板10上には、エントランスモジュール11が設置されている。エントランスモジュール11には、炉心2が搭載されている。
炉心2は、それぞれが鉛直方向に延びる複数の燃料集合体を、実質的に円柱状に配列して形成されている。炉心2の中央には、貫通孔22が形成されている。本実施の形態の高速炉は、炉心2に形成された貫通孔22に挿入可能な炉停止棒31を有している。炉停止棒31は、上方の炉停止棒駆動装置32と接続されている。炉停止棒駆動装置32は、炉停止棒31を上下に移動させる。
また、炉心2は、炉心支持板10上面に取り付けられた鉛直方向に延びる筒状の炉心槽3によって外周を取り囲まれている。炉心槽3の周囲には、反射体4が設けられている。反射体4は、駆動軸61を介して連結された上方の反射体駆動装置9によって上下に駆動される。反射体4は、炉心2を取り囲むように配置される。反射体4は、たとえば周方向に6つに分割されて設置されている。分割された反射体4は、それぞれ互いに独立して上下動可能である。
炉心支持板10の上面には、鉛直方向に延びる円筒状の隔壁5が取り付けられている。隔壁5は、反射体4を取り囲んでいる。
隔壁5の上端付近の原子炉容器6内壁には、中間熱交換器13が設けられている。この中間熱交換器13は、二次冷却材入口ノズル14および二次冷却材出口ノズル15を備えている。中間熱交換器13の下部には、電磁ポンプ12が取り付けられている。
原子炉容器6の上端には中性子遮蔽層、熱遮蔽層を有する上部プラグ8が設置されている。上部プラグ8は反射体駆動装置9、炉停止棒駆動装置32を支持している。また、反射体駆動装置9と炉停止棒駆動装置32は格納ドーム33によって覆われている。格納ドーム33は、台座34に支持されている。
原子炉容器6に収容された一次冷却材21は、炉心2で加熱され上昇する。炉心2で加熱された一次冷却材21は、隔壁5の上端を越えて径方向の外側に流れ出す。隔壁5の上端を越えて隔壁5の外側に流れ出た一次冷却材21は、下降して中間熱交換器13に流入する。
原子炉容器6内を循環する一次冷却材21と、原子炉容器6の内部と外部との間を循環する二次冷却材とは、原子炉容器6の内部の中間熱交換器13で熱交換する。その結果、中間熱交換器13に流入した一次冷却材21は、冷却される。中間熱交換器13において冷却された一次冷却材21は、電磁ポンプ12によって下方へ吐出される。
電磁ポンプ12から吐出された一次冷却材21はさらに下降し、炉心支持板10を通過して原子炉容器6の底部に達する。原子炉容器6の底部に達した一次冷却材21は、径方向内側に流れ込み、その後上昇し、炉心支持板10、エントランスモジュール11を経由して再び炉心2へ流入する。
一次冷却材21は、この一連の流れを繰り返し、原子炉容器6の内部を循環する。なお、一次冷却材21として、たとえば液体ナトリウムを用いた場合、一次冷却材21の温度は炉心2の通過後で約500℃、中間熱交換器13の通過後で約350℃と想定される。
次に、反射体4の構造について、説明する。
図1は、本実施の形態における反射体の横断面を示す図2のI−I矢視横断面図である。図2は、図1のII−II矢視正面図である。図3は、図1のIII−III矢視立断面図である。
反射体4は、中性子反射部41およびキャビティ部42を備えている。中性子反射部41は、一次冷却材21よりも高速中性子の反射能が高く、たとえば複数の金属板を積層して形成されている。キャビティ部42は、中性子反射部41の上端と駆動軸61の下端との間に形成されている。つまり、キャビティ部42は、中性子反射部41に対して炉心2の軸方向の異なる位置に設けられている。
それぞれの反射体4のキャビティ部42は、中空の箱体を備えている。キャビティ部42内の中空部43は、分割構造材44によって複数の区画に分割されている。分割構造材44は、中空部43をたとえば上下方向に5分割し、径方向に2分割している。
分割構造材44よりも炉心側の中空部43は、たとえば真空とすることによって、高速中性子の反射能力が一次冷却材21よりも小さい。キャビティ部42の箱体は、外側を流れる一次冷却材21によって圧力が加えられるため、分割構造材44の外側の中空部43にたとえばヘリウムなどの不活性ガスを充填して内圧を高め、内外圧力差を小さくしておいてもよい。
分割構造材44よりも炉心から遠いほうの区画は、高速中性子の反射能力が一次冷却材21以下かつ炉心側の区画よりも大きい。あるいは、分割構造材44よりも炉心から遠いほうの区画は、中性子吸収能力が一次冷却材21以上であってもよい。このような区画は、たとえば中性子の反射能力が冷却材以下である物質および中性子吸収能力が冷却材以上である物質のいずれかの物質46を収容することにより形成される。このような物質46として、ボロンカーバイド(B4C)やハフニウム(Hf)などを用いることができる。これらの物質46は、たとえば粉末状や、繊維状のものを用いる。
反射体4は、半径方向および軸方向に大きな温度差が生じる環境に晒される。この温度差に伴って、熱応力やクリープが発生してキャビティ部42が損傷してしまう可能性がある。キャビティ部42が損傷すると、キャビティ部42の中空部43に一次冷却材21が流入する可能性がある。キャビティ部42に一次冷却材21が流入すると、高速中性子の反射能力が一次冷却材21よりも小さい不活性ガスなどが、一次冷却材21に置換されることでキャビティ部の中性子反射能力が上昇する。
しかし、本実施の形態では、炉心2を6つの反射体4で取り囲んでおり、各反射体4の中空部43が10区画に分けられているため、中空部43は、全体として合計60区画に分割されている。このように中空部43が分割されているため、キャビティ部42が破損して一次冷却材21が侵入する場合、中空部43のうち分割されたたとえば1区画にのみ、破損部位から一次冷却材21が侵入する。キャビティ部42の破損がキャビティ部42の全体に亘る大きなものでない場合、一次冷却材21が侵入する部分は、キャビティ部42内部の複数の区画のうち、一部に限定される。
したがって、中空部43を分割しない場合に比べて、キャビティ部42の破損によって中空部43に侵入する一次冷却材21は少なくなる。このため、キャビティ部42への一次冷却材21の侵入によって炉心2に加えられる反応度は抑制され、反射体制御方式の高速炉の信頼性を高めることができる。
本実施の形態において、キャビティ部42の中空部43の区画数は、合計60としているが、適宜増減してもよい。
キャビティ部42を堅牢な構造とし、さらに構造的に分割することにより、キャビティ部42の破損による反応度上昇は抑制される。しかし、さらに仮想状態として、すべてのキャビティ部42の領域の破損を想定すると、その結果投入される反応度を抑制することが好ましい。
一次冷却材21の侵入前からキャビティ部42の中空部43の一部の区画に一次冷却材21と同じ物質を収容して高速中性子の反射能力が一次冷却材21と同じとしておくと、キャビティ部42の全ての区画に一次冷却材21が侵入する前後での炉心2の反応度の増分は、全ての区画が真空あるいは気体が収容されていた場合に比べて小さくなる。また、キャビティ部42の中空部43の一部の区画に一次冷却材21よりも高速中性子の反射能力が小さい固体を収容しておいても、キャビティ部42の全ての区画に一次冷却材21が侵入する前後での炉心2の反応度の増分は、全ての区画が真空あるいは気体が収容されていた場合に比べて小さくなる。さらに、キャビティ部42の中空部43の一部の区画に一次冷却材21よりも高速中性子の吸収能力が大きい固体を収容しておいても、キャビティ部42の全ての区画に一次冷却材21が侵入する前後での炉心2の反応度の増分は、全ての区画が真空あるいは気体が収容されていた場合に比べて小さくなる。
本実施の形態では、キャビティ部42の中空部43の一部の区画は、高速中性子の反射能力が一次冷却材21以下、または、中性子吸収能力が一次冷却材21以上である。よって、キャビティ部42の中空部43に一次冷却材21が浸入したことによる炉心2の反応度の増分は、このような区画が形成されていない場合に比べて小さい。
また、キャビティ部42の中空部43の一部の区画内に、一次冷却材21よりも高速中性子の吸収能力が大きい物質を充填しても、キャビティ部42に一次冷却材21が浸入した場合の炉心21の反応度増分を、キャビティ部42の内部空間が全て一次冷却材21に置換された場合と比べて小さくすることができる。
キャビティ部42に中性子吸収の強い物質を多量に配置する場合は、炉心からの中性子を吸収することにより炉心2からの中性子漏れ出しを増加させることができる。よって、炉心2の反応度を低下させることができる。これは結果的に、中性子バランスからの観点では、キャビティ部42に中空部分を設けたことと同等にすることができる。
中性子吸収物質があらかじめ配置された区画に一次冷却材21が浸入すると、一次冷却材21の中性子減速作用により、中性子吸収物質の中性子吸収能力が増加される傾向がある。そこで、キャビティ部42に配置された中性子吸収物質がその区画から大量に喪失することがないようにする、すなわち、ある程度の大きさの亀裂がキャビティ部42の構造体に生じても、中性子吸収物質がその区画にある程度は残存するようにする。たとえば、中性子吸収物質がある程度の大きさを持つ固体である場合、その大きさが亀裂よりも大きければ、キャビティ部42から流出しない。
このようにキャビティ部42に破損が生じても中性子吸収物質がキャビティ部42に残存するようにしておくと、一次冷却材21の浸入によって炉心2に負の反応度が加わるようにすることができる。その結果、キャビティ部42の大規模破損という仮想状態に対して更なる仮想事故想定をすることは不要となるばかりでなく、小規模破損を想定した場合においても、負の反応度が挿入されるようにすることができる。
また、予め分割されたキャビティ領域42に配置する物質自体の反射能力が、一次冷却材21より大きい場合は、通常運転状態の反射体反応度価値への影響を少なくする配置位置的な工夫が必要となる。このような場合は、仮想的に、当該領域に一次冷却材21が浸入することにより付加的に領域全体の散乱断面積のわずかな増加の影響が想定される。しかし、この場合は、当初から散乱断面積の大きいことにより付加される影響は軽微であることに加え、当該領域の配置位置的な工夫により、その影響は更に小さくすることができる。
一次冷却材21が浸入したことによる炉心2の反応度の増分は、たとえばキャビティ部42の中空部43の区画数を多くすることによって低下させることができる。しかし、このように区画数を多くすると、分割構造材44の量が大きく、かつ構造が複雑になる。その結果、キャビティ部42の製造や工作後の検査確認などに、より多くの時間・資源を割り当てることになる可能性がある。
一方、本実施の形態では、区画数を増加させることなく、キャビティ部42の破損時における炉心2の反応度の増加を抑制できる。つまり、本実施の形態では、分割構造材44の量を低減し、あるいは、構造を簡素化することができる。その結果、キャビティ部の信頼性と炉心性能を確保しつつ、キャビティ部42の製造あるいは健全性の検査などを容易にできる。
[第2の実施の形態]
図6は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第2の実施の形態における反射体の横断面を示す図7のVI−VI矢視横断面図である。図7は、図6のVII−VII矢視正面図である。
図6は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第2の実施の形態における反射体の横断面を示す図7のVI−VI矢視横断面図である。図7は、図6のVII−VII矢視正面図である。
本実施の形態の反射体4において、キャビティ部42は、たとえば2本の中空の円筒45を有している。それぞれの円筒45の内部には、筒状の分割構造材44が設けられている。分割構造材44によって、円筒45の内部の中空部43は、2つの区画に仕切られている。分割構造材44は、たとえば横断面積が円筒45の半分となるような大きさとする。分割構造材44は、たとえば円筒45の中央に配置する。分割構造材44の外側の中空部43は、たとえばヘリウムなどの不活性ガスを充填することによって、高速中性子の反射能力が一次冷却材21よりも小さい。
分割構造材44の内部の区画は、高速中性子の反射能力が一次冷却材21以下かつその外側の区画よりも大きい、または、中性子吸収能力が一次冷却材21以上である。このような区画は、たとえば中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46を収容することにより形成される。
このような反射体4であっても、第1の実施の形態と同様に、キャビティ部の信頼性と炉心性能を確保しつつ、キャビティ部42の製造あるいは健全性の検査などを容易にできる。また、本実施の形態では、キャビティ部42の最外面が円筒45であるから、第1の実施の形態のように角部がある構造に比べて、外圧に対して強い。このため、キャビティ部42に用いる構造材の量を減らすことができる。
キャビティ部42の破損を仮想する場合において、一次冷却材21のキャビティ部42への浸入による反応度増加量を緩和することと、通常運転時の反射体性能を確保することとを両立するためには、予めキャビティ部42内に配置する一次冷却材21または一次冷却材21より反射能力の小さい物質または中性子吸収能力の大きい物質の位置が重要となる。本実施例では、キャビティ部42の横断面の半分を予め物質46で埋めておく。この物質46は、中央領域に配置している。
次に、本実施の形態およびその変形例において、キャビティ部42が破損した場合の炉心2への反応度印加量について説明する。まず、分割構造材44の内部に、一次冷却材21に比べて中性子吸収能力が非常に大きい物質を充填した場合について説明する。ここで、中性子吸収能力が非常に大きい物質として、10Bを濃縮した濃縮B4Cを想定した。
分割構造材44を円筒45の中央に配置した場合、分割構造材44の外側のキャビティ領域42の中空部43全体に一次冷却材21が浸入することに伴う炉心2の反応度増加は、基準の0.35倍程度となる。ここで、キャビティ部42の全体、すなわち分割構造材44がない状態で円筒45の内部の全体に一次冷却材21が侵入した前後における炉心2の反応度増加を基準とした。
このように、キャビティ部42の中央に中性子吸収能力が非常に大きい物質を配置しておくことにより、一次冷却材21がキャビティ部42に浸入したことにともなって炉心2に印加される反応度を減少させることができる。さらに、この約0.35倍という値は、キャビティ部42に対する中性子吸収能力が非常に大きい物質の体積割合、すなわち、0.5倍よりも小さい。つまり、単にキャビティ部42の体積を小さくしておく場合に比べて、キャビティ部42の破損による炉心2に印加される反応度を低下させることができる。
次に、分割構造材44の内部に、中性子吸収のほとんどない強い散乱物質を充填した場合について説明する。ここで、中性子吸収のほとんどない強い散乱物質としては、10Bを濃縮した残りのいわゆる減損Bを用いたB4Cを想定した。
この場合、図6に示すように分割構造材44を円筒45の中央に配置すると、分割構造材44の外側のキャビティ部42の中空部43全体に一次冷却材21が浸入することに伴う炉心2の反応度増加は、基準の0.43倍程度となる。このように、キャビティ部42の中央に中性子吸収のほとんどない強い散乱物質を配置しておくことにより、一次冷却材21がキャビティ部42に浸入したことにともなって炉心2に印加される反応度を減少させることができる。さらに、単にキャビティ部42の体積を小さくしておく場合に比べて、キャビティ部42の破損による炉心2に印加される反応度を低下させることができる。ただし、このような強い散乱体を大量に配置する場合は、反射体反応度価値への影響が強くなるので、それも含めた最適化を行う必要がある。
図8は、本実施の形態の変形例における反射体の横断面図である。図9は、本実施の形態の他の変形例における反射体の横断面図である。
図8および図9に示す変形例では、円筒45の内部を炉心2に近い領域と遠い領域に分割する平板状の分割構造材44を用いている。図8に示す例では、炉心2に遠い方の領域に中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46を収容している。図9に示す例では、炉心2に近い方の領域に中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46を収容している。
図8のように配置(半円キャビティ)する例では、外側半分の領域に強い中性子吸収体物質を配置する場合、炉心に近い内側キャビティ領域全体に一次冷却材21が浸入することにともなう反応度変化は、上述の基準の0.7倍程度となる。吸収体位置が、図6の場合よりも炉心から離れている影響があるので、体積減少割合(0.5倍)よりも小さい効果となっているが、破損により印加される投入反応度の低減には効果があることが分かる。
一方、中性子吸収のない強い散乱体物質を図8のように配置した場合、内側キャビティ領域全体に一次冷却材21が浸入することにともなう反応度変化は、上述の基準の0.42倍程度となり、体積減少割合よりも効果がある。ただし、このような強い散乱体を大量に配置する場合は、反射体反応度価値への影響が強くなるので、それも含めた最適化を行う必要がある。
このように2つの異なる中性子反射性能を有する例の効果の関係から、キャビティ部42内の分割された領域に予め配置する物質として、一次冷却材21自身または中性子反射性能が近い物質においても、破損により印加される投入反応度の低減に効果があることがわかる。したがって、分割されたキャビティ部42内に一次冷却材21と同等また他の物質を予め配置することは、仮想的なキャビティ破損状態において投入される反応度を低下させることに有効である。
さらに、キャビティ部42内の分割された領域に予め物質を配置する場合に、当該物質の中性子反射特性と並んで、配置位置が重要であることも、同一断面割合とした図6と図8の比較例からわかる。つまり、キャビティ部42内の分割された領域に予め物質を配置する場合には、その物質および炉心2の反応度などの条件に基づいて、配置を適切に設定する。
[第3の実施の形態]
図10は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第3の実施の形態における反射体の横断面図である。
図10は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第3の実施の形態における反射体の横断面図である。
本実施の形態では、分割構造材44は、円筒45の中心軸で折れ曲がった板状に形成されている。分割構造材44で仕切られた炉心2から遠い方の領域には、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46をしている。
本実施の形態の反射体4は、キャビティ部42を有することをから、炉心2からの中性子がキャビティ部42で物質と相互作用しない、すなわちストリーミング効果が大きいほうが望ましい。そこで、中性子吸収の少ない強い散乱体物質を配置する場合は、ストリーミング効果と断面内キャビティ部42への物質配置を組み合わせることにより、反射体反応度価値への影響も含めた最適化を行うことになる。
本実施の形態では、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46は、キャビティ部42内の区画のうち、炉心2から遠い方にのみに配置している。このため、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46が配置された区画の間の幅は、図7に示した例よりも大きい。このため、炉心2から放出された中性子は、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46が配置された区画の間を通り抜けやすくなり、ストリーミング効果が大きくなる。
[第4の実施の形態]
図11は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第4の実施の形態における反射体の横断面図である。
図11は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第4の実施の形態における反射体の横断面図である。
本実施の形態の反射体4は、第2の実施の形態における反射体における分割構造材44を炉心2から遠い方に偏心させたものである。この反射体4は、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46が配置された区画の間の幅は、図5に示した例よりも大きい。このため、ストリーミング効果が大きくなる。
[第5の実施の形態]
図12は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第5の実施の形態における反射体の立断面を示す図13および図14のXII−XII矢視立断面図である。図13は、図12のXIII−XIII矢視横断面図である。図14は、図12のXIV−XIV矢視横断面図である。
図12は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第5の実施の形態における反射体の立断面を示す図13および図14のXII−XII矢視立断面図である。図13は、図12のXIII−XIII矢視横断面図である。図14は、図12のXIV−XIV矢視横断面図である。
本実施の形態の反射体4のキャビティ領域42は、軸方向に3分割されている。このうち、軸方向の中央の区画にのみ、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46を配置している。
図15は、反射体が完全に下がっている状態におけるキャビティ破損反応度の軸方向相対分布の例を示すグラフである。このグラフは、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46を配置せずに、キャビティ部42を軸方向に9個の領域に等分割して、それぞれの領域が破損した場合の反応度変化を相対的に示したものである。なお、図中の横軸の軸方向位置の1が反射体に接する領域である。
図14から、キャビティ部42の破損により炉心2に印加される反応度は、キャビティ部42の軸方向の中央部で最も大きいことがわかる。また、この図は、反射体が完全引き下げ状態の例であるが、運転時のように反射体4が軸方向の上方へ引き上げられている場合は、ここで示すキャビティ破損反応度は軸方向上部にひずむかたちとなる。また、反射体4が途中まで引き上げられている運転状態では、実効的な炉心2の中心位置、ここでは反応度変化に対する中性子インポータンスが軸方向に最大となる位置、が反射体領域になるので、キャビティ破損反応度の軸方向分布も変化する。この場合、全体の破損を想定しても投入反応度の大きさ自体は低下する。
そこで、これらの特徴を考慮し、本実施の形態では、キャビティ部42の軸方向の中央の区画にのみ、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46を配置している。その結果、仮想的にキャビティ破損反応度が最大となる反射体完全引き下げ時に、最も投入反応度抑制効果が大きくなる。また、通常運転時の反射体反応度価値低下への影響は、小さくなる。
したがって、通常運転時への影響を抑制しつつ、キャビティ部42の破損により炉心2に印加される反応度を効率的に抑制することができる。
[第6の実施の形態]
図16は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第6の実施の形態における反射体の立側面図である。
図16は、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第6の実施の形態における反射体の立側面図である。
本実施の形態では、第5の実施の形態における反射体4の円筒45の、中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46を配置する領域に、複数の貫通孔22を形成したものである。つまり、キャビティ部42の区画の一部には、常に一次冷却材21が流入した状態となる。中性子の反射能力が一次冷却材21以下である物質および中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかの物質46として一次冷却材21を用いる場合には、キャビティ部42の構造が簡略化され、また、配置された物質の除熱について考慮する必要がなくなる。
一次冷却材21が流入する領域に、一次冷却材21以外の中性子の反射能力が一次冷却材21より小さい物質または中性子吸収能力が一次冷却材21以上である物質のいずれかを配置してもよい。この場合には、このような物質が一次冷却材21と接触することにより除熱される。
このように、キャビティ部42の区画の一部に物質を配置する場合、あるいは、一次冷却材21を当該物質とする場合には、配置方法自体が簡略化と配置後の除熱の簡易化ができる。また、キャビティ部42の隣り合う区画を連通させる一次冷却材21の流路を設けてもよい。冷却材流路を設けることによりキャビティ部42内の物質の冷却をコントロールすることができる。
[他の実施の形態]
上述の各実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれらに限定されない。また、各実施の形態の特徴を組み合わせて実施することもできる。
上述の各実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれらに限定されない。また、各実施の形態の特徴を組み合わせて実施することもできる。
1…高速炉、2…炉心、3…炉心槽、4…反射体、5…隔壁、6…原子炉容器、7…ガードベッセル、8…上部プラグ、9…反射体駆動装置、10…炉心支持板、11…エントランスモジュール、12…電磁ポンプ、13…中間熱交換器、14…二次冷却材入口ノズル、15…二次冷却材出口ノズル、21…一次冷却材、22…貫通孔、31…炉停止棒、32…炉停止棒駆動装置、33…格納ドーム、41…中性子反射部、42…キャビティ部、43…中空部、44…分割構造材、45…円筒、61…駆動軸
Claims (5)
- 液体の冷却材を収容する原子炉容器と、
前記原子炉容器に収納されて前記冷却材に浸された柱状の炉心と、
中性子を反射する中性子反射部と前記中性子反射部の前記炉心の軸方向の一方の端部に固定されて、内部が少なくとも第1の区画および第2の区画に仕切られて、前記第1の区画は前記冷却材よりも高速中性子の反射能力が小さく、前記第2の区画は高速中性子の反射能力が前記冷却材以下かつ前記第1の区画よりも大きいかまたは中性子吸収能力が前記冷却材以上であるかのいずれかである、キャビティ部とを備えて前記炉心を囲み前記冷却材に浸されて前記炉心の軸方向に移動可能に設けられた反射体と、
を有することを特徴とする反射体制御方式の高速炉。 - 前記第2の区画は、前記第1の区画よりも前記炉心から遠い位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記第2の区画と前記中性子反射部との間に前記第1の区画が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記キャビティ部には前記第2の区画に前記冷却材を流入させる貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反射体制御方式の高速炉。
- 液体の冷却材を収容する原子炉容器と、前記原子炉容器に収納されて前記冷却材に浸された柱状の炉心と、を備えた高速炉の前記炉心を囲み前記冷却材に浸されて前記炉心の軸方向に移動可能に設けられた反射体において、
中性子を反射する中性子反射部と、
前記中性子反射部の前記炉心の軸方向の一方の端部に固定されて、内部が少なくとも第1の区画および第2の区画に仕切られて、前記第1の区画は前記冷却材よりも高速中性子の反射能力が小さく、前記第2の区画は高速中性子の反射能力が前記冷却材以下かつ前記第1の区画よりも大きいかまたは中性子吸収能力が前記冷却材以上であるかのいずれかである、キャビティ部と、
を有することを特徴とする反射体制御方式の高速炉に用いられる反射体。
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---|---|---|---|
JP2009234019A JP2011080886A (ja) | 2009-10-08 | 2009-10-08 | 反射体制御方式の高速炉およびそれに用いる反射体 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2020117415A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | Westinghouse Electric Company Llc | Electronic enclosure with neutron shield for nuclear in-core applications |
-
2009
- 2009-10-08 JP JP2009234019A patent/JP2011080886A/ja not_active Withdrawn
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JP2022511530A (ja) * | 2018-12-05 | 2022-01-31 | ウェスティングハウス エレクトリック カンパニー エルエルシー | 炉内に適用される中性子遮蔽体付きの電子部品収容体 |
US11424046B2 (en) | 2018-12-05 | 2022-08-23 | Westinghouse Electric Company Llc | Electronic enclosure with neutron shield for nuclear in-core applications |
JP7478736B2 (ja) | 2018-12-05 | 2024-05-07 | ウェスティングハウス エレクトリック カンパニー エルエルシー | 炉内に適用される中性子遮蔽体付きの電子部品収容体 |
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