JP2011077152A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1チャンバ1内には、ウエハWの周縁部を支持して、ウエハWをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第1支持部材10が収容されている。第2チャンバ2内には、ウエハWをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第2支持部材20が収容されている。第1支持部材10A〜10Dおよび/または第2支持部材20A〜20Dが、ウエハWを支持しつつX方向に移動されることにより、ならびに第1支持部材10A〜10Dおよび第2支持部材20A〜20Dが開閉されることにより、4つの第1支持部材10A〜10Dから4つの第2支持部材20A〜20DにウエハWが受け渡される。搬送中のウエハWに対して処理部3による処理が施される。
【選択図】図1
Description
この構成によれば、第1支持部材が、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。また、この第1支持部材は、基板移動方向に移動される。
そして、第1支持部材および/または第2支持部材がそれぞれ基板を支持しつつ基板移動方向に移動する動作と、第1支持部材および第2支持部材がそれぞれ当接状態と退避状態との間で開閉する動作との組合わせにより、複数の第1支持部材から複数の第2支持部材に基板が受け渡される。
次いで、第2組の第1支持部材を基板の周縁部に当接させ、第1組の第1支持部材、第2組の第1支持部材および第3組の第2支持部材で基板を支持させた後、第2組の第1支持部材を移動させて基板から離脱させる。そのため、第1組の第1支持部材と第3組の第2支持部材とで基板が支持されるようになる。
次いで、第4組の第2支持部材を基板の周縁部に当接させ、第1組の第1支持部材、第3組の第2支持部材および第4組の第2支持部材で基板を支持させた後、第1組の第1支持部材を移動させて基板から離脱させる。これにより、基板が複数の第2支持部材に受け渡される。
請求項3記載の発明は、前記処理部が、前記基板移動方向に直交する方向に沿って直線状に開口し、前記基板受渡路を通って前記第1チャンバから前記第2チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出するスリット吐出口(33,35;1033,1034,1043,1044,1053,1054;4033;5033)を含む、請求項1または2記載の基板処理装置である。
請求項5記載の発明は、前記処理部は、前記基板受渡路に沿って並べられた複数の吐出口(1033,1043,1053,1034,1044,1054)を有しており、前記複数の吐出口は、それぞれ、前記基板受渡路を通って前記第1チャンバから前記第2チャンバに受け渡される前記基板に向けて、互いに異なる種類の処理流体を吐出する、請求項1〜4のいずれか一項記載の基板処理装置である。
請求項7に記載のように、前記第1チャンバおよび前記第2チャンバが、基板に対して処理流体を用いた処理を施すものであってもよい。
この場合、前記第1チャンバおよび前記第2チャンバが、基板の表面(一方の主面)に付着する異物(パーティクル)の状態(大きさおよび/または量(個数))を計測するための処理を施すものであってもよい。この場合、処理部が処理流体を用いて基板に洗浄処理を施すものであれば、第1チャンバでは、その洗浄前に係る基板の表面に付着する異物の状態を計測し、また、第2チャンバでは、その洗浄後に係る基板の表面に付着する異物の状態を計測することもできる。これにより、洗浄処理の前後における異物の状態を比較して、洗浄処理の効果を確認することができる。
図1は、本発明の一実施形態(第1実施形態)に係る基板処理装置100の構成を模式的に示す断面図である。
基板処理装置100は、基板の一例としての半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)に対して処理流体(薬液、DIW(deionized water:脱イオン化された純水)および乾燥ガスなど)を用いた洗浄処理(たとえば、パーティクル除去処理)を施すための枚葉型の装置である。基板処理装置100は、側壁1Aにより取り囲まれた第1チャンバ1と、この第1チャンバ1に対して所定のX方向(後述する)側に隣り合わせに配置され、側壁2Aにより取り囲まれた第2チャンバ2と、第1チャンバ1と第2チャンバ2との間に設けられた処理部3とを備えている。第1チャンバ1では、ウエハWに対して薬液を用いた薬液処理が施される。処理部3では、第1チャンバ1における薬液処理によってウエハWに付着した薬液を、DIWによって洗い流すリンス処理が施される。第2チャンバ2では、リンス処理後のウエハWに対して乾燥ガスを用いた乾燥処理が施される。
なお、ウエハWの周縁部とは、ウエハWの表面の周縁領域4(図3参照)、ウエハWの裏面の周縁領域5(図3参照)および周端面6(図3参照)を含む部分をいう。また、周縁領域4,5とは、たとえば、ウエハWの周端縁から幅1〜4mmの環状領域をいう。
ウエハWに対して処理を施す際は、ウエハWは所定の処理位置(図1に示すウエハWの位置)に配置される。第1支持部材10には、X方向駆動機構55,57(後述する。図4参照)が結合されている。このX方向駆動機構55,57の駆動力により、ウエハWは、処理位置から所定の基板移動方向(以下、「X方向」という)に移動される。
第2スリットノズル21には、複数の第2支持部材20に支持されるウエハWの上面に対向し、所定の一方向(たとえば、図1に示す紙面に直交する方向)に沿う直線状に開口する第2吐出口22が形成されている。第2吐出口22の長手方向の長さは、ウエハWの直径よりも大きく設定されている。第2スリットノズル21には、第2吐出口22に連通する乾燥ガス供給管23が接続されている。乾燥ガス供給管23には、乾燥ガス供給源からの乾燥ガスが供給されるようになっており、その途中部には、第2スリットノズル21への乾燥ガスの供給および供給停止を切り換えるための乾燥ガスバルブ24が介装されている。乾燥ガスバルブ24が開かれると、第2吐出口22は、その長手方向に沿うカーテン状(帯状)に乾燥ガスを吐出する。
ウエハWに対して処理を施す際は、ウエハWは所定の処理位置(図1に示すウエハWの位置)に配置される。第2支持部材20には、X方向移動部材65,67(後述する。図5参照)が結合されている。このX方向駆動機構65,67の駆動力により、ウエハWは処理位置までX方向に移動される。
処理部3は、基板受渡路7を通過中のウエハWの上面(表面)に対してリンス処理を施すための第1処理部31と、基板受渡路7を通過中のウエハWの下面(裏面)に対してリンス処理を施すための第2処理部32とを備えている。第1処理部31および第2処理部32は、基板受渡路7を挟んで配置されている。
図3は、第1支持部材10の構成を説明する側面図である。
複数の第1支持部材10は、互いに共通な構成を備えている。各第1支持部材10は、ベース44と、ベース44上に配置された支持部40とを備えている。
第2部分42は、鉛直軸線からなる中心軸線を有する円柱状をなしている。第2部分42の周面は、上端縁が第1部分41の側面の下端縁に連続している。この第2部分42の側面がウエハWの周端面6に当接可能である。
ウエハWの支持状態では、第1部分41の側面、第2部分42の周面および第3部分43の側面のいずれかが、ウエハWの周縁部に当接している(図3に示す状態では、第2部分42の周面がウエハWの周端面6に当接している)。
図4は、第1支持部材10を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。以下、複数の第1支持部材10として、2つの第1支持部材からなる第1組の第1支持部材10A,10Bと、2つの第1支持部材からなる第2組の第1支持部材10C,10Dとが設けられている場合を例に挙げて説明する。また、第1支持部材10A,10B,10C,10Dを総称するときは第1支持部材10という。
第1スライド部材53のハウジング内には、第1支持部材10Aのロッド19Aおよび第1支持部材10Bのロッド19Bが挿入されている。第1スライド部材53のハウジングの一端部(図4で示す上端部)には、第1支持部材10Aのロッド19Aがハウジングに対してY方向に進出/没入可能に設けられている。第1スライド部材53のハウジングの他端部(図4で示す下端部)には、第1支持部材10Bのロッド19Bがハウジングに対してY方向に進出/没入可能に設けられている。
また、第1シリンダ56のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第1支持部材10Aのロッド19Aおよび第1支持部材10Bのロッド19Bが、それぞれ第1スライド部材53のハウジングに対して没入し、第1組の第1支持部材10A,10Bは、互いに接近する方向(Y方向)に移動する。
そして、第1X方向駆動機構55および/または第1シリンダ56の駆動により、第1組の第1支持部材10A,10Bを、ウエハWの周縁部に当接する当接状態と、ウエハWの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
第2スライド部材54のハウジング内には、第1支持部材10Cのロッド19Cおよび第1支持部材10Dのロッド19Dが挿入されている。第2スライド部材54のハウジングの一端部(図4で示す上端部)には、第1支持部材10Cのロッド19Cがハウジングに対してY方向に進出/没入可能に設けられている。第2スライド部材54のハウジングの他端部(図4で示す下端部)には、第1支持部材10Dのロッド19Dがハウジングに対してY方向に進出/没入可能に設けられている。
また、第2シリンダ58のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第1支持部材10Cのロッド19Cおよび第1支持部材10Dのロッド19Dが、それぞれ第2スライド部材54のハウジングに対して没入し、第2組の第1支持部材10C,10Dは、互いに接近する方向(Y方向)に移動する。
そして、第2X方向駆動機構57および/または第2シリンダ58の駆動により、第2組の第1支持部材10C,10Dを、ウエハWの周縁部に当接する当接状態と、ウエハWの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
図5は、第2支持部材20を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。以下、複数の第2支持部材20として、2つの第2支持部材からなる第3組の第2支持部材20A,20Bと、2つの第2支持部材からなる第2組の第2支持部材20C,20Dとが設けられている場合を例に挙げて説明する。また、第2支持部材20A,20B,20C,20Dを総称するときは第2支持部材20という。
第3スライド部材63のハウジング内には、第2支持部材20Aのロッド29Aおよび第2支持部材20Bのロッド29Bが挿入されている。第3スライド部材63のハウジングの一端部(図5で示す上端部)には、第2支持部材20Aのロッド29Aがハウジングに対してY方向に進出/没入可能に設けられている。第3スライド部材63のハウジングの他端部(図5で示す下端部)には、第2支持部材20Bのロッド29Bがハウジングに対してY方向に進出/没入可能に設けられている。
また、第3シリンダ66のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第2支持部材20Aのロッド29Aおよび第2支持部材20Bのロッド29Bが、それぞれ第3スライド部材63のハウジングに対して没入し、第3組の第2支持部材20A,20Bは、互いに接近する方向(Y方向)に移動する。
そして、第3X方向駆動機構65および/または第3シリンダ66の駆動により、第3組の第2支持部材20A,20Bを、ウエハWの周縁部に当接する当接状態と、ウエハWの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
第4スライド部材64のハウジング内には、第2支持部材20Cのロッド29Cおよび第2支持部材20Dのロッド29Dが挿入されている。第4スライド部材64のハウジングの一端部(図5で示す上端部)には、第2支持部材20Cのロッド29Cがハウジングに対してY方向に進出/没入可能に設けられている。第4スライド部材64のハウジングの他端部(図5で示す下端部)には、第2支持部材20Dのロッド29Dがハウジングに対してY方向に進出/没入可能に設けられている。
また、第4シリンダ68のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第2支持部材20Cのロッド29Cおよび第2支持部材20Dのロッド29Dが、それぞれ第4スライド部材64のハウジングに対して没入し、第4組の第2支持部材20C,20Dは、互いに接近する方向(Y方向)に移動する。
そして、第4X方向駆動機構67および/または第4シリンダ68の駆動により、第4組の第2支持部材20C,20Dを、ウエハWの周縁部に当接する当接状態と、ウエハWの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
図6は、基板処理装置100の電気的構成を示すブロック図である。
処理対象のウエハWは、搬送ロボット(図示しない)によって第1チャンバ1内に搬入され(ステップS1)、4つの第1支持部材10にウエハWの表面を上方に向けて保持される。
ウエハWが第1支持部材10に保持された後、制御装置70は、第1ノズル移動機構15を駆動して、第1スリットノズル11をウエハWの上方へと導く。第1スリットノズル11がウエハWの上方に到達すると、制御装置70は、薬液バルブ14を開き、スリット状の第1吐出口12から、第1吐出口12に直交する水平方向に幅を有するカーテン状(帯状)のプロファイルで薬液を吐出する(S2:薬液処理)。
薬液処理後には、ウエハWの表面に対してステップS3のリンス処理が施され、また、リンス処理の終了後は、ステップS4の乾燥処理が施される。しかし、これらリンス処理および乾燥処理は、第1チャンバ1では行われない。ステップS3のリンス処理は、第1チャンバ1と第2チャンバ2との間に設けられた基板受渡路7で行われ、ステップS4の乾燥処理は第2チャンバ2で行われる。
図8Aに示すように、第1チャンバ1におけるウエハWの処理位置では、第1組の第1支持部材10A,10Bが、ウエハWの周縁部におけるX方向の反対方向端部付近の2箇所を支持し、第2組の第1支持部材10C,10Dが、ウエハWの周縁部におけるY方向に沿う方向の両端部付近をそれぞれ支持している。すなわち、この処理位置では、第2組の第1支持部材10C,10Dが第1組の第1支持部材10A,10Bよりも、X方向側に配置されている。
また、ウエハWのX方向の端部が、第3組の第2支持部材20A,20Bに接近すると、図8Bに示すように、第3組の第2支持部材20A,20Bが、ウエハWの周縁部におけるX方向端部付近の2箇所に当接し、ウエハWの周縁部を支持する。
その後、制御装置70は、第3X方向駆動機構65および第4X方向駆動機構67を制御して、第3組の第2支持部材20A,20Bと第4組の第2支持部材20C,20Dとを等速でX方向に移動させる。これにより、ウエハWが第2チャンバ2に搬入される。そして、ウエハWは、第2チャンバ2の処理位置(図1および図8Fに示す位置)まで移動される。
また、4つの第2支持部材20A〜20Dが、ウエハWの周縁部に当接する当接状態と、ウエハWの周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。この第2支持部材20A〜20Dは、X方向に移動される。
この図9に示す基板処理装置200は、ウエハWに対して処理流体(薬液、DIWおよび乾燥ガスなど)を用いた洗浄処理(たとえば、異物除去処理)を施すとともに、その洗浄処理の効果を確認するための計測処理を行う枚葉型の装置である。この基板処理装置200が、第1実施形態に係る基板処理装置100と相違する点は、ウエハWに対して薬液処理または乾燥処理を施す第1および第2チャンバ1,2に代えて、ウエハWに対して、ウエハWの表面に付着する異物(パーティクル)の量を計測するための第1および第2チャンバ101,102を設けた点にある。また、処理部3に代えて、薬液処理部103、リンス処理部104および乾燥処理部105が設けられる。この基板処理装置200では、この薬液処理部103、リンス処理部104および乾燥処理部105を用いて、ウエハWに対して一連の洗浄処理が施される。
第1チャンバ101と第2チャンバ102とは、互いに隣り合わせに配置されている。第1チャンバ101と第2チャンバ102との間には、薬液処理部103、リンス処理部104および乾燥処理部105が、基板受渡路7に沿って、第1チャンバ101側からこの順で並べられている。
第2チャンバ102内には、ウエハWをほぼ水平姿勢に支持するための複数(たとえば、4つ)の第2支持部材20と、複数の第2支持部材20に支持されるウエハWの表面(上面)に付着しているパーティクルの量を計測するための第2パーティクル計測装置107とが収容されている。
パーティクル計測装置106,107として、他の種類のパーティクル計測装置(パーティクルカウンタ)を採用することもできる。この場合、ウエハWの表面の全域におけるパーティクルを検出対象とすることにより、パーティクルの位置をも計測することもできる。
基板処理装置200は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置120を備えている。この制御装置120には、第1X方向駆動機構55、第2X方向駆動機構57、第1シリンダ56、第2シリンダ58、第1パーティクル計測装置106、薬液バルブ113、DIWバルブ114、乾燥ガスバルブ115、第3X方向駆動機構65、第4X方向駆動機構57、第3シリンダ66、第4シリンダ68および第2パーティクル計測装置107などが制御対象として接続されている。
処理対象のウエハWは、搬送ロボット(図示しない)によって第1チャンバ101内に搬入され(ステップS11)、4つの第1支持部材10にウエハWの表面を上方に向けて保持される。
ウエハWが4つの第1支持部材10に保持された後、制御装置120は、第1パーティクル計測装置106を制御して、第1パーティクル計測装置106がウエハWの表面に付着しているパーティクルの大きさおよび個数を計測する。そして、計測されたパーティクルの大きさおよび個数が、第1パーティクル計測装置106の記憶部(図示しない)に記憶される。
また、ウエハWの下面(裏面)にも、第1チャンバ101側から順に、Y方向に沿う直線状の薬液の供給位置、Y方向に沿う直線状のDIWの供給位置、Y方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が、それぞれ間隔を開けて形成される。直線状の薬液の供給位置と直線状のDIWの供給位置との間の間隔は、たとえば15mmの大きさに設定されており、直線状のDIWの供給位置と直線状の乾燥ガスの供給位置との間の間隔は、たとえば15mmの大きさに設定されている。
図12は、本発明の第3実施形態に係る基板処理装置300の構成を図解的に示す断面図である。この第3実施形態において、図9〜図11に示す実施形態(第2実施形態)に示された各部に対応する部分には、第2実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この基板処理装置300が、第1実施形態に係る基板処理装置100と相違する点は、第1および第2チャンバ101,102内に、パーティクル計測装置106,107に代えて、基板厚計測装置201,202を収容した点である。基板厚計測装置201,202は、ウエハWの厚みを計測するものである。この基板厚計測装置201,202では、たとえば、非接触のレーザーセンサにより検出されたウエハWの上下面の表面高さに基づいて、ウエハWの厚みが算出されるようになっている。
この基板処理装置300では、第1チャンバ101においてエッチング処理前のウエハWの厚みを計測し、また、第2チャンバ101においてエッチング処理後のウエハWの厚みを計測する。これにより、エッチング処理の効果を確認することができる。
この図13に示す基板処理装置400が、第1実施形態に係る基板処理装置100と相違する点は、第1チャンバ1および第2チャンバ2内で、ウエハWが鉛直姿勢に支持されることである。第1チャンバ1には、第1支持部材10に代えて、ウエハWの周縁部を支持してウエハWをほぼ鉛直姿勢に支持するための複数(たとえば、4つ)の第1支持部材310が収容されている。また、第2チャンバ2には、第2支持部材20に代えて、ウエハWの周縁部を支持してウエハWをほぼ鉛直姿勢に支持するための複数(たとえば、4つ)の第2支持部材320が収容されている。
第2支持部材320は、第2支持部材20を、その中心軸線がY方向に沿う姿勢に配置した構成である。この第2支持部材320は、対応するシリンダ66,68の進出/没入動作により、鉛直方向(Z方向)に沿って移動されるようになっている。
第1処理部4031は、基板受渡路7を縦向きの状態(鉛直姿勢)で受け渡されるウエハWの表面に対向し、鉛直方向(Z方向に沿う方向)に対して、鉛直上方(Z方向)に向かうに従ってX方向と反対側に向かうように傾斜するスリット吐出口4033を有している。スリット吐出口4033の鉛直方向に対する傾斜角度は、たとえば、0°〜30°である。
この図14に示す基板処理装置500が、第4実施形態の基板処理装置400と相違する点は、処理部403に代えて、乾燥処理をウエハWに施すための処理部503を設けたことにある。具体的には、処理部503は、基板受渡路7を通過中のウエハWの表面に対して乾燥処理を施すための第1処理部5031と、基板受渡路7を通過中のウエハWの裏面に対して乾燥処理を施すための第2処理部(図示しない)とを備えている。第1処理部5031および第2処理部は、基板受渡路7を挟んで配置されている。
第1処理部5031は、基板受渡路7を縦向きの状態(鉛直姿勢)で受け渡されるウエハWの表面に対向し、鉛直方向(Z方向に沿う方向)に対して、鉛直上方(Z方向)に向かうに従ってX方向に向かうように傾斜するスリット吐出口5033を有している。スリット吐出口5033の鉛直方向に対する傾斜角度は、たとえば、0°〜30°である。
たとえば、第4実施形態では、DIWを吐出する処理部403を例に挙げて説明したが、処理部が、処理液として薬液を吐出するものであってもよい。
また、前述の各実施形態では、処理部として2つの処理部を設ける構成を例に挙げて説明したが、ウエハWの一方の主面だけに、処理液または処理ガスを供給する構成であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 第2チャンバ
3 処理部
4 周縁領域(周縁部)
5 周縁領域(周縁部)
6 周端面(周縁部)
7 基板受渡路
10 第1支持部材
10A,10B 第1組の第1基板支持部材
10C,10D 第2組の第1基板支持部材
20 第2支持部材
20A,20B 第3組の第2基板支持部材
20C,20D 第4組の第2基板支持部材
31 第1処理部
32 第2処理部
33 第1スリット吐出口
35 第2スリット吐出口
55 第1X方向駆動機構(第1移動手段,第1開閉手段)
56 第1シリンダ(第1開閉手段)
57 第2X方向駆動機構(第1移動手段,第1開閉手段)
58 第2シリンダ(第1開閉手段)
65 第3X方向駆動機構(第2移動手段、第2開閉手段)
66 第3シリンダ(第1開閉手段)
67 第4X方向駆動機構(第2移動手段、第2開閉手段)
68 第4シリンダ(第1開閉手段)
70 制御装置(制御手段)
100 基板処理装置
101 第1チャンバ
102 第2チャンバ
103 薬液処理部(処理部)
104 リンス処理部(処理部)
105 乾燥処理部(処理部)
120 制御装置(制御手段)
200 基板処理装置
300 基板処理装置
310 第1支持部材
320 第2支持部材
400 基板処理装置
403 処理部
500 基板処理装置
503 処理部
1031 第1薬液処理部(第1処理部)
1032 第2薬液処理部(第2処理部)
1033 第1スリット吐出口
1034 第2スリット吐出口
1041 第1リンス処理部(第1処理部)
1042 第2リンス処理部(第2処理部)
1043 第1スリット吐出口
1044 第2スリット吐出口
1051 第1乾燥処理部(第1処理部)
1052 第2乾燥処理部(第2処理部)
1053 第1スリット吐出口
1054 第2スリット吐出口
4031 第1処理部
4033 スリット吐出口
5031 第1処理部
5033 スリット吐出口
Claims (8)
- 基板の周縁部を支持するための複数の第1支持部材を収容し、前記複数の第1支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第1チャンバと、
前記第1支持部材を前記基板の表面に沿う基板移動方向に移動させる第1移動手段と、
前記第1支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第1開閉手段と、
所定の基板受渡路を介して前記第1チャンバと隣り合わせに配置され、基板の周縁部を支持するための複数の第2支持部材を収容し、前記複数の第2支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第2チャンバと、
前記基板移動方向に前記第2支持部材を移動させる第2移動手段と、
前記第2支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第2開閉手段と、
前記第1支持部材に支持された基板が前記基板受渡路を通って前記第2支持部材に受け渡されるように、前記第1移動手段、前記第2移動手段、前記第1開閉手段および前記第2開閉手段を制御する制御手段と、
前記基板受渡路を通過中の前記基板に対して処理流体を用いた処理を施す処理部とを含む、基板処理装置。 - 前記複数の第1支持部材は、それぞれ複数の第1支持部材からなる第1組と第2組とを含み、
前記複数の第2支持部材は、それぞれ複数の第2支持部材からなる第3組と第4組とを含み、
前記第1移動手段が、前記第1組の第1支持部材と、前記第2組の第1支持部材とを独立して前記基板移動方向に移動させるものであり、
前記第1開閉手段が、前記第1組の第1支持部材と、前記第2組の第1支持部材とを独立して開閉させるものであり、
前記制御手段が、前記第1組の第1支持部材と前記第2組の第1支持部材とで基板を支持させつつ前記第1および第2組の第1支持部材を移動させる工程、前記第1組の第1支持部材、前記第2組の第1支持部材および前記第3組の第2支持部材で基板を支持させた後、前記第2組の第1支持部材を移動させて基板から離脱させる工程、前記第1組の第1支持部材と前記第3組の第2支持部材とで基板を支持させつつ前記第1の第1支持部材および第3組の第2支持部材を移動させる工程、ならびに前記第1組の第1支持部材、前記第3組の第2支持部材および前記第4組の第2支持部材で基板を支持させた後、前記第1組の第1支持部材を移動させて基板から離脱させる工程を実行する、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記処理部が、前記基板移動方向に直交する方向に沿って直線状に開口し、前記基板受渡路を通って前記第1チャンバから前記第2チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出するスリット吐出口を含む、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記処理部が、前記基板受渡路を挟んで設けられた第1処理部および第2処理部を含み、
前記第1処理部が、前記基板の一方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第1チャンバから前記第2チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口を有し、
前記第2処理部が、前記基板の他方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第1チャンバから前記第2チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理部は、前記基板受渡路に沿って並べられた複数の吐出口を有しており、
前記複数の吐出口は、それぞれ、前記基板受渡路を通って前記第1チャンバから前記第2チャンバに受け渡される前記基板に向けて、互いに異なる種類の処理流体を吐出する、請求項1〜4のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記第1支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第1鉛直姿勢支持部材を含み、
前記第2支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第2鉛直姿勢支持部材を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1チャンバおよび前記第2チャンバが、基板に対して処理流体を用いた処理を施すものである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1チャンバおよび前記第2チャンバが、基板に関連して所定の計測処理を施すものである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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