JP2011070045A - 光基板およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】光導波路と受発光素子、受発光素子制御素子を高精度且つ低コストで接続する。
【解決手段】光基板1は、表裏面に導電層3の電気配線がパターニングされた絶縁樹脂層からなる基板2を有する。基板2の表裏の電気配線を接続するビアホール6を形成した。導電層3の電極に受発光素子制御素子8を実装し、他の導電層3とワイヤーボンディング9によって接続し、トランスファーモールド樹脂の第二の封止樹脂19によって封止する。基板2に形成した溝部11内に受発光素子12を収容して接着剤13で固定し、ワイヤーボンディング9で導電層3と接続する。端面に光路変換ミラー16を備えた光導波路15を基板2に設置することで、受発光素子12の受発光面が光導波路15の光入出力面と光学的に接続される。受発光素子12と電気配線との接続部と光導波路15の光路変換ミラー16とを透明樹脂の第一の封止樹脂18によって封止する。
【選択図】図1

Description

本発明は、電気配線および光配線を有する光基板およびその製造方法に関する。
近年の高度情報化の進展に伴い、情報通信に用いられるルータやサーバ等の情報処理装置の高性能化はめざましく進んでおり、これら機器においては、通信信号の更なる高速化が求められている。この高速化においては、電子回路や電気回路における電気配線の通信品質が性能向上の障害となるために、通信速度を高速化する上でこの障害が無視できなくなってきている。
そのため、処理信号の高速化や電気ノイズの低減を始めとして、高速通信の障害となる課題解決に向けた有望な技術として、光信号を利用することで高速の伝送速度で情報を送受信できる光配線を用いた技術が注目を集めている。特に、光配線を用いた大容量光インターコネクションを実現するために、光配線の高密度化や低損失接続が重要であり、高性能化とコスト低減に向けて様々な技術検討が行われている。
光信号は、発光素子や光配線から出力されると拡散される。このため、光信号の接続部品はできるだけ近い間隔で接続する必要がある。また、光接続はその接続位置がずれると光信号が漏洩損失するため、正確に位置をあわせて接続する必要がある。また、光信号を伝播する光導波路は基板平面内に水平方向に設けられるため、受発光素子の受発光面に光信号を入出力するためには、光信号路を概略90°変換する必要がある。
光配線を電子基板上へ組み込む方法としては、光配線、光を電気に変換する素子、素子のコントロールユニット等をひとまとめにした光電気モジュールを、基板上へ搭載する方法がある。こうした光基板の製造方法について、現在様々な方法が提案されている。
光電気モジュールとして、例えば特許文献1に記載された光回路部品では、端面に光を略90°偏向するミラーを設けた光配線を有する電子基板に、受発光素子を実装したサブマウント基板をセルフアライメント実装する方法が開示されている。しかし、特許文献1の方法では、受発光素子をサブマウント基板に実装する工程、受発光素子と光配線を光学的に接続するための樹脂層を配設する開口部を形成する工程等を、全て高精度で行うことは困難であり、製造歩留まりが低下し、低コスト化も困難である。
また、例えば特許文献2に記載された光モジュールでは、基板上にVCSEL実装用パッド、LSI実装用パッド及び光導波路が形成され、VCSELと光導波路との間にスペーサが配置され、光導波路上面を基準面としてVCSELの発光面を下にして実装する構成が開示されているが、この場合において、受発光素子及びLSIを含む基板全面を、汎用性があり且つ高い信頼性を有するトランスファーモールド法によって一括封止することはできない。これはモールド面に光導波路があるためであり、一般的な光導波路用材料はトランスファーモールド処理時に生じる熱に耐えられない場合が多いことが挙げられる。
光導波路をトランスファーモールド処理できないことの他の理由として、一般的にトランスファーモールド用樹脂は金属フィラーが含まれる黒色のエポキシ系熱硬化性樹脂であるため、これにより光信号が散乱してしまうこと、光導波路を基板に接続する場合、モールド時に基板とモールド用の金型との間に凹凸があると間隙から樹脂が漏れてしまうなどの問題が挙げられる。
特開昭63−266407号公報 特開2003−215371号公報
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、光導波路と受発光素子、そして受発光素子制御素子を高精度且つ低コストで接続できる光基板とその製造方法を提供することを目的とする。
本発明による光基板は、表裏に電気配線がパターニングされた絶縁樹脂層からなる基板と、基板の表裏の電気配線を接続するビアホールと、基板に設けられた受発光素子と、電気配線に実装された受発光素子制御素子と、基板に設置されていて端面に光路変換ミラーを備えた光導波路とを有する光基板であって、受発光素子と光導波路とは段差を以て基板に配設されていて光路変換ミラーを介して光学的に接続されるように接合され、受発光素子の電気配線との接続部と光導波路の光路変換ミラーとが第一の封止樹脂によって封止されていると共に、受発光素子制御素子の電気配線との接続部が第二の封止樹脂によって封止されていることを特徴とする。
本発明によれば、受発光素子と光導波路は基板に段差を以て配設されているから、受発光素子に対して光導波路を光学的に接続する際、光導波路を基板の相対的な段差を有する部分の一方の面に設置することで段差の他方の面に設置された受発光素子の受発光面に光入出力部を光学的に対向させて精度良く接続を行え、設置が簡単でハンドリング性が高い。しかも、受発光素子と受発光素子制御素子とはそれぞれ第一の封止樹脂と第二の封止樹脂とで別個に封止されているから、受発光素子制御素子とその電気配線との接続部を例えば比較的高温で溶融するトランスファーモールド樹脂で封止し、受発光素子と光導波路の光路変換ミラーとを例えば比較的低温で溶融する光透過性の透明樹脂等で封止することで、光導波路を装着した光基板においても樹脂封止が可能である。しかも、光導波路は第一の封止樹脂によって直接封止されてもされなくても溶融樹脂の熱で損傷することはない。
また、光路変換ミラーの光入出力部と反対側の面に金属膜が設けられていてもよい。
光路変換ミラーに入射する光を確実に所要方向に反射できると共に、第一の封止樹脂は直接光導波路に接触することなく光路変換ミラーによって間接的に光導波路を受発光素子と一体に封止保護できる。或いは直接光導波路を封止できる。そして、光路変換ミラーに金属膜を形成することで光路変換ミラー部分の環境変化に対する信頼性を向上できる。
また、基板に凸部を設けると共に凸部に光導波路が設置され、基板に設けられた受発光素子と光導波路とが接合されていてもよい。
基板に設けた受発光素子の高さと同等な高さを有する凸部を段差として形成することで、凸部に光導波路を設置すると、光導波路の光入出力部を基板に設置した受発光素子の受発光面に簡単且つ容易に結合できる。
また、凸部が基板の表裏に設けられた電気配線と同じ材質であってもよい。
この場合、基板の表裏に設けた金属製の基材層に対して電気配線をパターニングする際、凸部が電気配線と同じ材質であることから、公知のフォトリソグラフィを中心としたパターニングとエッチングにより容易に形成することができ、光導波路の設置部分を平坦化することができて光導波路の実装精度及び実装の信頼性が向上する。
或いは、凸部がスペーサであってもよく、例えば所定の厚みを有する樹脂製や金属製等のスペーサを予め製作して基板に設置することで、凸部に設置する光導波路と受発光素子との間に必要な段差を形成できる。
また、基板に溝部が形成され、該溝部に受発光素子が設置され、基板に設置された光導波路の光入出力部と受発光素子とが接合されていてもよい。
溝部の深さを受発光素子の高さに対応する長さに設定することで、基板に設置した光導波路の光入出力部と受発光素子の受発光面とを光学的に接続できる。
本発明による光基板の製造方法では、絶縁樹脂の表裏にパターニングされてなる基板の電気配線をビアホールによって接続し、電気配線に接続させた受発光素子と電気配線に実装された受発光素子制御素子とを基板に設け、受発光素子制御素子と電気配線との接続部を第二の封止樹脂によって封止してなる光基板の製造方法において、端面に光路変換ミラーを備えた光導波路を、その光入出力部が受発光素子の受発光面と接続するように受発光面に対して段差を設けて基板に設置する工程と、受発光素子の電気配線との接続部を光導波路の端面に設けた光路変換ミラーと共に第一の封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、受発光素子に対して光導波路を光学的に接続する際、光導波路を受発光素子と段差を以て基板に配設することで、光導波路を基板の相対的な段差部分の一方の面に設置すると段差の他方の面に設置された受発光素子の受発光面に光入出力部を光学的に対向させて接合を行える。そして、受発光素子と受発光素子制御素子とはそれぞれ第一の封止樹脂と第二の封止樹脂とで別個に封止され、その際、受発光素子制御素子と電気配線との接続部を例えば比較的高温で溶融するトランスファーモールド樹脂等で封止すると共に、受発光素子と電気配線との接続部と光導波路の光路変換ミラーとを例えば比較的低温で溶融する光透過性の透明樹脂等で封止することで、光導波路を装着した光基板においても樹脂封止が可能である。しかも、光導波路は光路変換ミラーによって第一の封止樹脂によって直接封止されないか、或いは封止されても端面が樹脂封止されないから液状に溶融した状態の樹脂の熱で損傷することはない。
なお、本発明では、受発光素子制御素子と電気配線との接続部を第二の封止樹脂により封止する工程を、光導波路の光入出力部が受発光素子の受発光面と光学的に接続される工程よりも先に処理してもよいし、後に処理してもよい。
また、基板にスペーサまたは電気配線と同じ材質の基材からなる凸部を設けて、凸部に光導波路を設置することで、受発光素子の受発光面と光導波路の光入出力部を一致させて光学的に接続するようにしてもよい。
基板にスペーサまたは電気配線と同一材質の基材を凸部として設けることで、凸部に設けた光導波路と基板に設けた受発光素子との間に段差を形成できるから、光入出力部と受発光面とを容易に接続できる。
また、基板に溝部を形成して受発光素子を設置し、基板に光導波路を設置して、受発光素子の受発光面と光導波路の光入出力部を一致させて光学的に接続するようにしてもよい。
受発光素子を基板の溝部に設けることで、基板に設けた光導波路の光入出力部を受発光素子の受発光面と一致させて光学的に接続できる。
本発明による光基板及びその製造方法によれば、基板に設置する受発光素子と光導波路とに段差を設けることで、光導波路を受発光素子に光学的に接続できるため、簡単且つ精密に光導波路を光学的に設置できてハンドリング性が向上する。しかも、受発光素子及び光導波路と受発光素子制御素子とをそれぞれ第一封止樹脂と第二封止樹脂とで別個に封止することができると共に、光導波路には光路変換ミラーを介して第一封止樹脂によって受発光素子の電気配線と共に封止できる。
本発明の第一実施形態による光基板の断面構成を示す説明図である。 図1に示す光基板における光導波路と受発光素子との接合部分の拡大図である。 (a)〜(e)は第一実施形態による光基板の製造方法を示す説明図である。 (f)〜(h)は図3に続く光基板の製造方法を示す説明図である。 (i)〜(k)は図4に続く光基板の製造方法を示す説明図である。 本発明の第二実施形態による光基板の断面構成を示す説明図である。 (m)〜(p)は第二実施形態による光基板の製造方法を示す説明図である。 (q)〜(t)は図7に続く光基板の製造方法を示す説明図である。
次に、本発明の実施形態による光基板とその製造方法について詳細に説明する。
図1に示す第一実施形態による光基板1において、シート状の絶縁樹脂層からなる基板2の対向する表面2aと裏面2bには銅等の金属箔からなる電気配線としての導電層3、4が例えばパターニングによって形成されている。基板2にはその厚み方向に延びて表裏面2a、2bに貫通するビアホール用穴5が複数形成され、この穴5には例えば銅等のめっき処理によってビアホール6が設けられている。ビアホール6によって表裏面2a、2bの電気配線3,4が導通状態にある。
そして、ビアホール6の一方の端部、例えば表面2aに露出する導電層3からなる電極には受発光素子制御素子8が例えばフリップチップ実装等によって実装されている。受発光素子制御素子8は図示しない端子が例えばワイヤーボンディング9によって別のビアホール6に電気的に接続されている。受発光素子制御素子8からワイヤーボンディングを介してビアホール6の導電層3の電極(電気配線)に接続した構成を接続部という。
また、基板2において、例えば表面2aにおける受発光素子制御素子8から離間した位置に溝部11が形成されている。この溝部11内には受発光素子12が装着されており、溝部11内に塗布した接着剤13によって固定されている。溝部11の深さは内部に固定された受発光素子12の高さとほぼ同一であり、基板2の表面2aに受発光面12aがほぼ面一に露出している。
受発光素子12の受発光面12aに設けた図示しない端子と基板2の表面2aに設けたパターニングされた導電層3で形成された電気配線との接続には、ワイヤーボンディングや半田接続などを用いることができ、本実施形態ではワイヤーボンディング9が設けられている。これら受発光素子12からワイヤーボンディング9を介して接続される導電層3(電気配線)までの構成を接続部という。なお、受発光素子12は受発光素子制御素子8によって制御される。
基板2の表面2aには光信号を高速伝送して受発光素子12との間で光信号の入出力を行う光導波路15が設置されている。図2に示すように、光導波路15の端面15aは例えば略45°の傾斜面に形成され、その端面15aには光路変換ミラー16が接合されている。光路変換ミラー16の端面15aと反対側の面には金属膜17が蒸着等によって被着されている。光導波路15において、端面15aに45°の角度で対向する光入出力部として光入出力面15bが設けられ、光入出力面15bは受発光素子12の受発光面12aに一致して光学的にアライメントされて接続されるようになっている。受発光素子12と光導波路15との界面に光学接着剤を充填している。
光導波路15において光配線を走行する光信号は端面15aで光路変換ミラー16によって90°光路を変換され入出力面15bから出射して受発光素子12へ受発光面12aから入射し、或いは逆に受発光素子12の受発光面12aから光導波路15内へ光信号が走査するようになっている。
ここで、光導波路15として、例えば光導波路フィルムに一般的な光配線を形成した光導波路を用いることができる。光配線の伝送モードとして、シングルモード、マルチモード、シングルマルチ混合配線などの構成をとることができる。
また、受発光素子12には、単チャンネルもしくは複数チャンネルの光素子を用いることができる。具体的には、端面発光型LD、面発光型LD、面受光型PDなどを使用することができる。
そして、図1において、受発光素子12の受発光面12a及び基板2の表面2aにおける光路変換ミラー16からワイヤーボンディング9で電気的に接続された導電層3の領域までを第一の封止樹脂18によって封止している。
第一の封止樹脂18として、例えば液状の透明樹脂をポッティングによって充填することができる。透明樹脂には一般に用いられている高分子材料を用いることができる。具体的には、カーボネート材料、エポキシ材料、アクリル材料、イミド材料、ウレタン材料、シリコーン材料、無機フィラー混入有機材料などが使用できるが、これに限定されるものではない。また、界面の屈折率差を無くすため、光導波路と同等の屈折率を持った光学樹脂を用いることが望ましい。
受発光素子12を例えばディスペンサーによって光透過性の透明樹脂を用いてポッティング封止することで、光導波路15の端面12aも光路変換ミラー16を介して樹脂封止が可能となる。
また、受発光素子制御素子8とワイヤーボンディング9によって電気的に接続されたビアホール6の電極までを第二の封止樹脂19によって封止している。第二の封止樹脂19としてトランスファーモールド樹脂を用いることができる。
ここで、第一の封止樹脂18は、第二の封止樹脂19よりも溶融温度が低い材質であることが好ましい。これによって、第一の封止樹脂18の充填時に光導波路15を溶融樹脂の熱で損傷することなく保護できる。この場合、第一の封止樹脂18は端面15aを除く光導波路15を被覆してもよい。
本実施形態による光基板1は上述の構成を備えており、その製造方法について図3乃至図5により説明する。
まず図3(a)に示すように、表裏面2a,2bに導電性の金属箔3a、3aを付着させた絶縁樹脂層からなる基板2を用いる。基板2の絶縁樹脂層には任意の有機材料および無機材料を使用することができる。具体的には、アクリル材料、シリコーン材料、シリコンウェハ、金属材料、硝子材料、プリプレグ、積層板材料などが使用できるが、これに限定されるものではない。また、金属箔3aには金属から成るものであれば何でも構わないが、コストおよび導電性から一般的に銅が好ましく、電解銅箔、圧延銅箔等の平滑性の良い銅箔がより好ましい。
次に、この基板2にビアホール用穴5を開口し(図3(b)参照)、めっき処理によってビアホール6を形成する(図3(c)参照)。ビアホール用穴5を形成する方法はレーザ加工が好ましい。レーザとしては炭酸ガスレーザ、YAGレーザ(基本波、第2高調波、第3高調波または第4高調波)或いはエキシマーレーザ等があるが、金属箔3a、絶縁樹脂層と共に加工を行う為、両者を同時に加工することができる400nm以下の短波長レーザであるYAGレーザ(第3高調波または第4高調波)或いはエキシマーレーザがより好ましい。
そして、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウム混合液等の液中に基板2を浸漬させ、ビアホール用穴5内の有機絶縁材料の残渣をデスミア処理により除去する。
ビアホール用穴5内にビアホール6を形成するためのめっき工程は、基板2の樹脂面に電解めっきのシード層を形成する無電解銅めっきまたはダイレクトプレーティングを行う工程と、シード層を給電パターンとしてめっきを行う電解めっき工程とがある。
続いて、金属箔3aをパターニングしてエッチングすることで電気配線や実装用パットにパターニングされた導電層3を形成する(図3(d),(e)参照)。その後、必要に応じて、Ni/Auめっきやソルダーレジスト印刷も行う。
そして、金属箔3aのパターンで形成された導電層3からなる実装用パット上に、受発光素子制御素子8を実装する。受発光素子制御素子8の実装はダイボンディング、ワイヤーボンディング、フリップチップ実装などを用いることができる。
また、受発光素子制御素子8を実装した後、ワイヤーボンディング9によって別のビアホール6の電極をなす導電層3と接続する(図4(f)参照)。ワイヤーボンディング9による接続部周辺を含めて受発光素子制御素子8をトランスファーモールド樹脂により封止することで第二の封止樹脂19を形成する(図4(g)参照)。
また、基板2の他の領域では、ルーター等により基板2に溝部11を形成する(図4(h)参照)。そして、受発光素子8を埋め込み、接着剤13で絶縁樹脂層からなる基板2内に固定して設置する(図5(i)参照)。受発光素子12はその受発光面12aの端子をワイヤーボンディング9やはんだ接続等により導電層3と電気接続を行う(図5(j)参照)。
次に、光導波路15を基板2の表面2aに設置し、端面15aに光路変換ミラー16を固定した光入出部の光入出面15bを受発光素子12の受発光面12aにアライメントして光路を一致させて接合する(図5(k)参照)。受発光素子12と光導波路15との界面には透明な光学接着剤を充填する。
光導波路15としては、光導波路フィルムに一般的な光配線を形成した光導波路を用いた。光導波路フィルムのフィルム材質として、カーボネート系、エポキシ系、アクリル系、イミド系、ウレタン系、ノルボルネン系などの高分子材料および石英などの無機材料を用いることができる。光配線の伝送モードとして、シングルモード、マルチモード、シングルマルチ混合配線などの構成をとることができる。
また、受発光素子12には、単チャンネルもしくは複数チャンネルの光素子を用いる。具体的には、端面発光型LD、面発光型LD、面受光型PDなどを使用する。
そして、受発光素子12及び導電層3の接続部や光導波路15の光路変換ミラー16の領域を、第一の封止樹脂18で金型を用いずに封止する。封止処理に際して、ディスペンサーによって第一の封止樹脂18として光透過性の液状の透明樹脂を用いてポッティング封止する。
透明樹脂は一般に用いられている高分子材料を用いるものとし、具体的には、カーボネート材料、エポキシ材料、アクリル材料、イミド材料、ウレタン材料、シリコーン材料、無機フィラー混入有機材料などが使用できるが、これに限定されない。また、界面の屈折率差を無くすため、透明樹脂は光導波路15と同等の屈折率を持った液状の光学樹脂を用いる。
また、基板2上の任意の部分をモールド樹脂によりモールドすることで、基板2および実装部品の環境信頼性を高めることができる。
上述した本実施形態による光基板1によれば、絶縁樹脂層の基板2に受発光素子12の高さと同等の深さを有する溝部11を形成することにより、光導波路15を基板2の表面2aに積層した時に高さ調整をすることなく光入出力面15bと受発光面12aとの光接続を精密且つ容易に行うことができ、ハンドリング性が向上する。そして、光基板1を生産性良く製造することが可能となる。
また、受発光素子12の受発光面12a及び光導波路15の端面15aの接合部と受発光面12a及び導電部3のワイヤーボンディング9による接続部とを第一の封止樹脂18によってモールド封止し、また受発光素子制御素子8とビアホール6における電極の導電層3とのワイヤーボンディング9による接続部を第二の封止樹脂19によって別個にモールド封止したから、光導波路15の部分の第一の封止樹脂18を第二の封止樹脂19より溶融温度に低い樹脂、例えば透明樹脂を用いることができて、光導波路15が熱で損傷することを防止できると共に受発光素子12と光導波路15の接続部を確実に封止保護できる。
特に、光導波路15の端面15aに形成した光路変換ミラー16周辺を、受発光素子12の受発光面12aと共に第一の封止樹脂によって封止することで、耐熱性の低い光導波路15を含めて樹脂封止ができる。この場合、光路変換ミラー16に金属膜17などを形成することで確実に光導波路15とその端面15aを保護して樹脂封止すると共に環境変化に対応できる。
次に本発明の他の実施形態について説明するが、上述の実施形態と同一の構成については同一の符号を用いて説明を省略する。
図6により第二実施形態による光基板21について説明する。
本第二実施形態による光基板21は上述した第一実施形態による光基板1と光導波路15の接続部において相違し、他の構成において一致する。本第二実施形態による光基板21においては、基板2に溝部11は設けられておらず、表面2aに金属箔2aを用いるか、或いは電解めっきで銅箔2aと同じ材質からなる所定厚みの金属層(基材)を形成する。そして、凸部22の部分にマスクをして他の領域をエッチングすることで光導波路15を設置するための凸部22を所定の厚さで形成する。凸部22の高さは受発光素子12の高さと同程度に設定しておく。
凸部22に隣接して、基板2の表面2aには受発光素子12が設置され、受発光素子12の下面と基板2の表面2aとの間に接着剤13を塗布することで受発光素子12は基板2上に固定されている。受発光素子12の受発光面12aの端子と導電層3とは例えばワイヤーボンディング9により電気的に接続されている。
そして、凸部22に光導波路15を設置してその光入出面15aを受発光素子12の受発光面12aに当接させて光学的に接続させる。受発光素子12と光導波路15との界面に光学接着剤を充填して固定する。光導波路15としては、光導波路フィルムに限定されず、細線光ファイバーアレイを光導波路15として用いることもできる。
この状態で、受発光素子12の受発光面12a及び導電層3とのワイヤーボンディング9による接続部と光導波路15の端面12aに固定した光路変換ミラー16との領域を、上述した液状の透明樹脂による第一の封止樹脂18によって封止する。第一の封止樹脂18はモールド樹脂によってポッティング形成され、その高さは凸部22に設置した光導波路15と同一高さにしてもよい。
従って、本第二実施形態による光基板21においても第一実施形態による光基板1と同様な効果を得られる。
なお、本第二実施形態による光基板21において、凸部22に代えて同一高さを有するスペーサを基板2上に設置して接着剤等で固定してもよい。この場合、スペーサの材料として耐熱性の高いポリイミドが好適であるが、他の樹脂や金属等でもよい。スペーサを作製する場合、ポリイミド等をウェハ上にスピン塗布した後に硬化させ、これを剥離して、フィルム状とすることで高精度な厚さのスペーサが得られる。
そして、作製したスペーサを接着剤で基板2上に接着する。
以下、本発明の実施例について説明する。また、以下の記載では、光基板1の光導波路15を1層の光導波路フィルムとして説明するが、必ずしも1層である必要はない。また、以下の記載では光導波路15をマルチモードとして説明するが、必ずしもマルチモードである必要はない。
(実施例1)
実施例1として、まず基材2として、両面に銅箔3a付きのポリイミド基材(銅箔12μm厚、ポリイミド100μm厚、図3(a)参照)を絶縁樹脂層とした東レ製のものを用いる。そして、表裏面2a,2b間を、波長355nmの紫外線レーザ(YAG第三高調波)によって加工することで、複数のビアホール用穴5を形成した(図3(b)参照)。加工されたビアホール用穴5の内径は60μmであった。
続いて、ビアホール用穴5に堆積した樹脂残渣を除去する為に、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを3対2の割合でイオン交換水に溶解させ、約50℃に加熱した。この混合液中に基板2を浸漬させ、樹脂残渣を除去した。
次に、ビアホール用穴5に銅めっき処理を施して、ビアホール6を形成した(図3(c)参照)。基板2の表裏面2a,2bに配線パターン形成するために、配線形成用のドライフィルムレジストをラミネーターにより加熱しつつ加圧して張り合わせ、レジスト層を形成した。さらに、所定のパターンを形成したフォトマスクを用いて超高圧水銀ランプを光源とした平行光にて露光し、1%炭酸ナトリウム水溶液にて現像を行い、所望のエッチングレジストパターンを得た(図3(d)参照)。
銅箔3aのエッチングは、比重1.40の塩化第二鉄水溶液によってエッチングを行って形成した。その後、レジストを3%水酸化ナトリウム水溶液で剥離し、導電層3として回路パターン(電気配線)を得た(図3(e)参照)。
次に、パターニングされた銅箔3aからなる導電層3の電極の上に受発光素子制御素子8として「VCSELドライバーチップ」350μm厚(HELIX AG製)を実装し、ワイヤーボンディング9により導電層3と電気接続を行った(図4(f)参照)。
次に、受発光素子制御素子8とワイヤーボンディング9を含めた周辺を第二封止樹脂19としてトランスファーモールド樹脂で被覆した(図4(g)参照)。
次に、基板2にルーター加工を施し、溝部11を形成した(図4(h)参照)。溝部11内に受発光素子12として「4cH VCSEL」150μm厚(ULM製)を実装し、接着剤13により固定した(図5(i)参照)。
次に、ワイヤーボンディング9により受発光素子12とパターニングされた銅箔の導電層3とを接続した(図5(j)参照)。
そして、絶縁樹脂層の基板2に光導波路15としてマルチモードエポキシ系光導波路フィルム(NTT−AT製)を設置し(図5(k)参照)、エポキシ系屈折率整合光学接着剤(NTT−AT製)を使用して基板2の表面2aに固定した。
次に、光導波路15の光入出力面15bと受発光素子12の受発光面12aとの接続部分を、エポキシ系屈折率整合光学接着剤(NTT−AT製)からなる液状の透明樹脂を第一の封止樹脂18として被覆した。これにより、光基板1を製造した(図5(l)参照)。
この光基板1の光学特性を評価した結果、各チャンネルで0.8〜1.1mWの安定した光出力を確認した。
(実施例2)
次に、実施例2として第二実施形態による光基板21の製造方法を説明する。本実施例2において、基板2に受発光素子制御素子8と周辺部をトランスファーモールド封止によって第二の封止樹脂19を形成する工程まで、実施例1と同一の手法で光基板21を作製するため、省略する。
以下に、基本的に凸部22をパターニングにより作製する場合の工程を説明する。
実施例2では、実施例1と同様の方法で表裏両面に銅箔3aが設けられた絶縁樹脂層の基板2にビアホール6を形成した(図3(a)〜(e)参照)。
次に、凸部22を形成すべき面をフィルムマスク24で覆い(図7(m))、フィルムマスク24部分を除く銅箔3aの厚さ部分を薄層にするために化学研磨を行った(図7(n)参照)。銅箔3aの厚さはフィルムマスク部分が180μmであり、他の部分は厚さ180μmから15μmに減少した。化学研磨液は硫酸過水系の化学研磨液を使用した。
その後、同様にエッチングレジストパターンを形成し(図7(n)参照)、導電層3からなる回路パターン即ち電気配線を形成すると共に、フィルムマスク24を除去した。これによって基板2の表面2aに凸部22を形成した(図7(o)、(p)参照)。
次に、ビアホール6にパターニングされた導電層3の電極の上に受発光素子制御素子8を実装し、ワイヤーボンディング9により他の導電層3との電気接続を行った(図8(q)参照)。そして、受発光素子制御素子8とワイヤーボンディング9を含む周辺領域を第二の封止樹脂19としてトランスファーモールド樹脂によって被覆した(図8(r)参照)。
次に、基板2の表面2aにおいて、凸部22に隣接する位置に受発光素子12を実装し、接着剤13によって底面を接着固定した。そして、ワイヤーボンディング9によって受発光素子12とパターニングされた銅箔からなる電気配線の導電層3とを接続した(図8(s)参照)。
次に、凸部22上に光導波路15を設置した(図8(t)参照)。光導波路15の設置固定にはエポキシ系屈折率整合光学接着剤(NTT−AT製)を使用した。そして、光導波路15と受発光素子12の接続部分を、エポキシ系屈折率整合光学接着剤による透明樹脂を第一の封止樹脂18として被覆し、図6に示す光基板21を製造した。
この光基板21の光学特性を評価した結果、各チャンネルで0.8〜1.1mWの安定した光出力を確認した。
なお、凸部22の作製に際し、銅箔をフィルムマスク24によるパターニングによって作製する方法に代えて、合成樹脂製のスペーサによって作製してもよい。この場合には、図7(m)において、基板2の表面2aに被着された銅箔について、フィルムマスク24を設けることなく、実施例1の作製工程における図3(d),(e)に示す場合と同様にエッチングレジストパターンによって回路パターン(電気配線)を形成後、接着剤を介してスペーサを基板2の表面2aに積層して固着すればよい。
1、21 光基板
2 絶縁樹脂層の基板
2a 表面
3 導電層
5 ビアホール用穴
6 ビアホール
8 受発光素子制御素子
9 ワイヤーボンディング
11 溝部
12 受発光素子
13 接着剤
15 光導波路
16 光路変換ミラー
17 金属膜
18 第一の封止樹脂
19 第二の封止樹脂
22 凸部
24 フィルムマスク

Claims (9)

  1. 表裏に電気配線がパターニングされた絶縁樹脂層からなる基板と、
    該基板の表裏の電気配線を接続するビアホールと、
    前記基板に設けられた受発光素子と、
    前記電気配線に実装された受発光素子制御素子と、
    前記基板に設置されていて端面に光路変換ミラーを備えた光導波路とを有する光基板であって、
    前記受発光素子と光導波路とは段差を以て前記基板に配設されていて前記光路変換ミラーを介して光学的に接続するように接合され、
    前記受発光素子と電気配線との接続部と前記光導波路の光路変換ミラーとが第一の封止樹脂によって覆れていると共に、前記受発光素子制御素子と電気配線との接続部が第二の封止樹脂によって覆われていることを特徴とする光基板。
  2. 前記光路変換ミラーの光入出力部と反対側の面に金属膜が設けられている請求項1に記載された光基板。
  3. 前記基板に凸部を設けると共に該凸部に前記光導波路が設置され、
    前記基板に設けられた前記受発光素子と光導波路の光入出力部とが接合されている請求項1または2に記載された光基板。
  4. 前記凸部が前記基板の表裏に設けられた電気配線と同じ材質である請求項3に記載された光基板。
  5. 前記凸部がスペーサである請求項3に記載された光基板。
  6. 前記基板に溝部が形成され、該溝部に前記受発光素子が設置され、
    前記基板に設置された前記光導波路の光入出力部と前記受発光素子とが接合されている請求項1または2に記載された光基板。
  7. 絶縁樹脂層の表裏に電気配線がパターニングされてなる基板の前記電気配線をビアホールによって接続し、前記電気配線を接続させた受発光素子と前記電気配線に実装された受発光素子制御素子とを前記基板に設け、前記受発光素子制御素子と電気配線との接続部を第二の封止樹脂により封止してなる光基板の製造方法であって、
    端面に光路変換ミラーを備えた光導波路を、その光入出力部が前記受発光素子の受発光面と接合されるように前記受発光面に対して段差を設けて前記基板に設置する工程と、
    前記受発光素子と電気配線との前記光導波路の端面に設けた前記光路変換ミラーと共に第一の封止樹脂により封止する工程と
    を備えたことを特徴とする光基板の製造方法。
  8. 前記基板にスペーサまたは前記電気配線と同じ材質の基材からなる凸部を設けて、該凸部に光導波路を設置することで、前記基板に設けた受発光素子の受発光面と光導波路の光入出力部を一致させて光学的に接続するようにした請求項7に記載された光基板の製造方法。
  9. 前記基板に溝部を形成して該溝部内に前記受発光素子を設置し、
    前記基板に光導波路を設置して、前記受発光素子の受発光面と光導波路の光入出力部を一致させて光学的に接続するようにした請求項7に記載された光基板の製造方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003185891A (ja) * 2001-12-19 2003-07-03 Shigeru Koshibe 光受発信装置
JP2003215371A (ja) * 2002-01-25 2003-07-30 Nec Corp 光モジュール及び光モジュールの実装方法
JP2005062645A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Toppan Printing Co Ltd 光接続構造体およびその製造方法
JP2006351718A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Nec Corp 光素子及びそれを用いた光モジュール
JP2007171676A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Topcon Corp 光ファイバケーブル
JP2007187870A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Hitachi Cable Ltd 光素子の基板埋め込み構造を有する光モジュール
JP2008256870A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Omron Corp 光ケーブルモジュール、および光ケーブルモジュールを備える電子機器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003185891A (ja) * 2001-12-19 2003-07-03 Shigeru Koshibe 光受発信装置
JP2003215371A (ja) * 2002-01-25 2003-07-30 Nec Corp 光モジュール及び光モジュールの実装方法
JP2005062645A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Toppan Printing Co Ltd 光接続構造体およびその製造方法
JP2006351718A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Nec Corp 光素子及びそれを用いた光モジュール
JP2007171676A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Topcon Corp 光ファイバケーブル
JP2007187870A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Hitachi Cable Ltd 光素子の基板埋め込み構造を有する光モジュール
JP2008256870A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Omron Corp 光ケーブルモジュール、および光ケーブルモジュールを備える電子機器

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