JP2011065898A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0439861A1 (en) 1990-01-29 1991-08-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Circuit arrangement
JP5950855B2 (ja) * 2013-03-19 2016-07-13 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置およびイオン注入装置のクリーニング方法
CN106611690A (zh) * 2015-10-22 2017-05-03 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 减少或防止在离子注入机的离子源内形成沉积物的方法
CN107293469B (zh) * 2017-06-26 2019-03-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 电离室、离子植入设备及离子植入方法
CN111069188B (zh) * 2018-10-18 2021-09-14 汉辰科技股份有限公司 离子布植机内部的氟化表面的清理
KR20220008420A (ko) * 2020-07-13 2022-01-21 삼성전자주식회사 가스 공급 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06290723A (ja) * 1993-03-30 1994-10-18 Canon Inc イオンビーム装置
JP3487002B2 (ja) * 1995-02-06 2004-01-13 石川島播磨重工業株式会社 イオン源
JP4182535B2 (ja) * 1999-05-27 2008-11-19 株式会社Ｉｈｉ セルフクリ−ニングイオンドーピング装置およびその方法
JP3732697B2 (ja) * 1999-12-09 2006-01-05 住友イートンノバ株式会社 イオン注入装置及びイオンビームラインのクリーニング方法
JP3516262B2 (ja) * 1999-12-09 2004-04-05 住友イートンノバ株式会社 イオン源
JP5652582B2 (ja) * 2007-07-31 2015-01-14 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド ハイブリッドイオン源
US7812321B2 (en) * 2008-06-11 2010-10-12 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for providing a multimode ion source

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