JP2011054771A - 半導体装置製造用冶具及び半導体装置製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板内に発生する様々な反りを効果的に抑制し、反りのない製品の製造を可能とする。
【解決手段】配線基板に搭載された複数の半導体チップを一括して封止している樹脂を加熱する際に該樹脂の上に搭載される冶具であって、枠部と、枠部に着脱可能に保持された複数の加重個片とを有し、複数の加重個片には、相対的に熱伝導率が小さな第１の加重個片と、相対的に熱伝導率が大きな第２の加重個片が１つ以上含まれている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置を製造するための冶具及び方法に関する。

一般的なワイヤボンディング方式のＢＧＡ（Ball Grid Array）型半導体装置の構造を図８に示す。一般的なＢＧＡ型半導体装置９０は、配線基板１００に搭載された半導体チップ６０と、半導体チップ６０の電極パッド６１と配線基板１００の接続パッド１０１とを電気的に接続するボンディングワイヤ１０２を有する。従来、上記構造の半導体装置は、半導体チップ６０を配線基板１００上に接着固定した後にボンディングワイヤ１０２を配置し、その後、半導体チップ６０及びボンディングワイヤ１０２を封止樹脂５３によって封止（モールド）して製造されていた。しかし、現在は、製造効率やコスト面で有利なＭＡＰ（Mold Array Process）方式が製造方法の主流となっている。ＭＡＰ方式の製造方法とは、１枚の大きな配線基板上に多数の製品形成部を格子状に配列し、複数の半導体装置を一括製造する製造方法である。

特開２００４−８７８５２号公報 特開２００８−２９４３９６号公報 特開２００１−２４００１号公報

しかし、半導体装置の小型薄型化が進みパッケージの設計余裕が小さくなったために半導体装置の反りが発生し易くなった。最近は、同一の配線基板から個片化された製品であっても製造時における配線基板上の位置によって反りの発生状況が異なることが新しい問題になっている。

例えば、封止樹脂が熱膨張係数ａ１のエポキシ系樹脂からなり、配線基板が熱膨張係数ａ２のガラスエポキシ基板からなり、ａ１がａ２より大きい場合は、樹脂封止後にキュアする際（加熱後冷却して樹脂を硬化させる際）、封止樹脂の上部が下部（配線基板側）に比べてより大きく縮む。

配線基板の面内方向で見ると、配線基板の中央よりも四隅の方が樹脂の縮みがより多く蓄積される。従って、配線基板の中央において製造される製品と比べて、配線基板の四隅で製造される製品に生じるマイナス反りの方が大きくなりやすい。また、樹脂に熱膨張率を減少させるフィラーを添加する場合は、モールド作業時に樹脂が注入されるゲート側とは反対側（エアベント側）においてフィラー含有率が多くなる。このため、エアベント側ではゲート側に比べて樹脂が縮みにくく、エアベント側で製造される製品にはプラス反りが発生しやすい傾向がある。ここで、「マイナス反り」とは、中央部が外周部に比べて凹む現象を意味し、「プラス反り」とは、中央部が外周部に比べて突出する現象を意味する。

さらに、モールド後の配線基板を図９に示すようなベーク用ラック１１０に複数枚搭載し、不図示のベーク装置で一括ベークする方式では、ラック１１０への搭載位置やラック１１０の形状によって、各製品とベーク用ヒータとの距離や製品の周囲の熱流が不均一になる。従って、全製品が均一な温度条件下でベークされず、ベーク作業による反りの発生傾向に差が生じる。

反りの発生傾向や反りの程度は様々な条件により複雑に変化する。よって、製品一律の対策では十分に改善できない。一方、ＭＡＰ方式配線基板は原価低減のため大型化する傾向にあり、したがって、前述した問題が年々顕著になっている。結果、同一製品でも一定の割合で反りの向きや程度が異なる製品が発生し、チップ破損や特性劣化に伴う歩留り及び信頼性の低下や外部実装性の低下を招いている。

半導体パッケージの反りを改善する方法として、特許文献１には金型により加圧保持する方法、特許文献２には支持材により加熱加圧する方法、先行文献３には加圧しながら樹脂を加熱硬化する方法がそれぞれ開示されている。しかし、配線基板上の製品位置によって反りの発生傾向や程度が異なるという問題を改善する方法は開示も示唆もされていない。

本発明は、配線基板上の複数の半導体チップを一括して封止している樹脂の上に加重個片を配置することによってベーク工程における配線基板の反りを抑制する。さらに、配線基板の反りの発生傾向に応じてベーク工程における樹脂の加熱条件を意図的に異ならせるべく、種類の異なる複数の加重個片を組み合わせて配置する。配線基板の反りの発生傾向は、封止樹脂の材質やベーク時の配置などによって異なる。一般に、ベーク設定温度が高い場合や加熱時間が長い場合には樹脂の収縮量が大きくマイナス反りが発生する傾向がある。そこで、マイナス反りが発生しやすい領域には、ベーク時における該領域の温度がベーク設定温度よりも低温となり、かつ、温度変化も緩やかになるような加重個片を配置する。一方、プラス反りが発生しやすい領域には、ベーク時における該領域の温度がベーク設定温度に素早く到達し、かつ、高温が維持されるような加重個片を配置する。

本発明によれば、１つの配線基板内に発生する様々な反りを効果的に抑制し、反りのない製品を製造することができる。

本発明の半導体装置製造用冶具の実施形態の一つを示す平面図である。 図１に示す半導体装置製造用冶具が搭載される配線基板の一例を示す平面図である。 図１に示す半導体装置製造用冶具の使用状態を示す断面図である。 搭載用冶具に一例を示す斜視図である。 本発明の半導体装置製造方法の実施形態の一つを示す断面図である。 本発明の半導体装置製造用冶具が備える加重個片の一例を示す拡大断面図である。 図６に示す加重個片を備えた半導体装置製造用冶具の平面図である。 一般的なＢＧＡ型半導体装置の構造を示す断面図である。 ベーク用ラックの一例を示す斜視図である。

（実施形態１）
次に、本発明の半導体装置製造用冶具（以下、単に「冶具」と呼ぶ。）の実施形態の一例について説明する。図１は、本実施形態に係る冶具１の平面図であり、図２は、冶具１が搭載される配線基板５０の平面図であり、図３は、冶具１の使用状態を示す断面図である。図３に示すように、冶具１は、図２に示されている配線基板５０の上に搭載されて使用される。

図２に示す配線基板５０はガラスエポキシ基板である。配線基板５０の一面には、該基板５０の長手方向に沿って２つのモールド領域５１ａ、５１ｂが設けられている。さらに、各モールド領域５１ａ、５１ｂ内には、複数の製品形成部５２が略格子状（３×４）に配置されている。各製品形成部５２には、それぞれ半導体チップ６０（図３）が搭載され、必要なボンディングワイヤ（不図示）が配線されている。また、封止樹脂５３（図３）によって、それぞれのモールド領域５１ａ、５１ｂ内の複数の製品形成部５２が一括して封止（モールド）されている。もっとも、配線基板５０はガラスエポキシ基板に限られない。また、本実施形態では、封止樹脂５３にエポキシ系樹脂を用いたが、封止樹脂５３はエポキシ系樹脂に限られない。

図１に示す冶具１は、図３に示すように、配線基板５０の２つのモールド領域５１ａ、５１ｂ（図２）の上に、それらモールド領域５１ａ、５１ｂに跨って搭載される。より正確には、冶具１は、各モールド領域５１ａ、５１ｂ内の複数の製品形成部５２を一括して封止している封止樹脂５３の上に重ねて搭載される。以下、冶具１の構造について主に図１を参照しながら詳細に説明する。

冶具１は、枠部２と、枠部２に交換可能に保持されている複数の加重個片４とを有する。枠部１は、配線基板５０と略同一の大きさの板状部材であって、２つの開口部３を有する。枠部２に設けられた２つの開口部３は、配線基板５０の各モールド領域５１ａ、５１ｂ（図２）と略同一形状である。さらに、２つの開口部３は、冶具１が配線基板５０の上に重ねられた際に、該配線基板５０の２つのモールド領域５１ａ、５１ｂとそれぞれ重複する位置に設けられている。加えて、各開口部３には、それぞれの開口部３の対向する二辺間に掛け渡された一組のストッパ５が設けられている。各開口部３に設けられている一組のストッパ５は互いに平行であり、かつ、開口部３の長辺とも平行である。

加重個片４は、枠部２の開口部３の内側に配置されており、ストッパ５によって保持されている。本実施形態では、配線基板５０の各モールド領域５１ａ、５１ｂに設けられている製品形成部５２の数に対応した数の加重個片４が用意されている。すなわち、それぞれの開口部３の内側には、１２個（３行×４列）の加重個片４が配置されており、冶具全体としては２４個の加重個片４が配置されている。本実施形態では、枠部２の２つの開口部３に配置されている加重個片４の種類、寸法、形状、配置などは共通である。そこで、図３の紙面右側の開口部３（図２に示すモールド領域５１ａに対応する開口部３）に配置されている１２個の加重個片４を例にとって加重個片４の種類や配置などについて詳細に説明する。

既述のように、１つの開口部３には１２個の加重個片４が配置されている。その内訳について説明する。本実施形態では、１つの開口部３に対して３種類の加重個片４が用意されている。具体的には、相対的に熱伝導率が小さい鉄素材の加重個片４（第１の加重個片４ａ）と、相対的に熱伝導率が大きい銅素材の加重個片４（第２の加重個片加重個片４ｂ）と、熱伝導率が第１の加重個片４ａと第２の加重個片４ｂの間であるアルミ素材の加重個片４（第３の加重個片４ｃ）が用意されている。本実施形態における第１の加重個片４ａの熱伝導率は約８４［Ｗ/ｍＫ］、第２の加重個片４ｂの熱伝導率は約３９８［Ｗ/ｍＫ］、第３の加重個片４ｃの熱伝導率は約２３６［Ｗ/ｍＫ］である。

本発明では、上記のように熱伝導率の異なる数種類の加重個片４が配線基板５０に発生する反りの状況に応じて適宜配置される。本実施形態では、配線基板５０のモールド作業時にマイナス反りが発生しやすい領域には、マイナス反りを抑制すべく熱伝導率の小さな第１の加重個片４ａが配置され、プラス反りが発生しやすい領域には、プラス反りを抑制すべく熱伝導率の大きな第２の加重個片４ｂが配置され、それら以外の領域には熱伝導率が中程度の第３の加重個片４ｃが配置されている。各開口部３における加重個片４のより詳細な配置状態を図１の紙面右側の開口部３を例にとって説明する。

モールド作業時に不図示の金型の注入用ゲートに近接する列（下列５ａ）には、熱伝導率の小さな第１の加重個片４ａが４つ並んで配置されている。一方、金型のエアベントに近接する列（上列５ｃ）には、熱伝導率の大きな第１の加重個片４ａと、熱伝導率が中程度の第３の加重個片４ｃが２つずつ配置されている。より具体的には、上列５ｃの左右両端には第３の加重個片４ｃが１つずつ配置され、それら２つの第３の加重個片４ｃの間（上列５ｃの中央）には第１の加重個片４ａが２つ並んで配置されている。さらに、下列５ａと上列５ｃとの間の列（中央列５ｂ）には、熱伝導率が中程度の第３の加重個片４ｃが４つ並んで配置されている。なお、上列５ｃの左右両端に熱伝導率が中程度の第３の加重個片４ｃを配置したのは次の理由による。すなわち、上列５ｃの左右両端では、ゲートから離れていることに伴うプラス反りと、モールド領域５１ａの四隅に位置することに伴うマイナス反りとが相殺されるからである。

既述のように、各加重個片４は独立して枠部２から取り外し可能であり、必要に応じて交換される。すなわち、加重個片４の配置や種類は本実施形態に示す例に限らず、反りの発生状況に合わせて任意に配置することができ、加重個片４が配置されていない空白部分があってもよい。さらに、本実施形態では、第１〜第３の加重個片４ａ〜４ｃは、同一形状、同一寸法である。しかし、第１〜第３の加重個片４ａ〜４ｃの形状や寸法は必ずしも同一でなくともよい。ただし、全ての加重個片４及び枠部２を含む冶具全体の重量が２．０［ｋｇ］程度であることが好ましい。

図３に示すように、冶具１の下側である封止樹脂５３との接触面には、交換可能な耐熱シート６が配置されている。この耐熱シート６は、加重個片４の設置に伴う接触面の段差発生防止と封止樹脂５３による冶具１の汚れ防止を目的として配置されている。

配線基板５０への冶具１の搭載を容易かつ確実に行うための搭載用冶具の一例を図４に示す。図示されている搭載用冶具２０は、配線基板５０が載せられる搭載面２１と、搭載面２１の四隅から垂直に立ち上げられた保持部２２とを有する。さらに、保持部２２の内側には略Ｌ字形の位置合わせ部２３が形成されている。よって、保持部２２の位置合わせ部２３に配線基板５０の四隅を合わせて上方から保持部２２の内側に嵌め込むことによって、配線基板５０を容易かつ確実に搭載面２１上に配置することができる。さらに、図４（ａ）に示すように、冶具１の四隅を位置合わせ部２３に合わせて上方から保持部２２の内側に嵌め込むことによって、先に配置されている配線基板５０の上に冶具１を容易かつ確実に搭載することができる。さらに、図４（ｂ）に示すように、搭載用冶具２０は多段に重ねることが可能である。この際、各搭載用冶具２０の保持部２２は、上下の搭載用冶具２０の間に所定の隙間を確保するスペーサとしても機能する。このように搭載用冶具２０を多段に重ねることによって、ベーク作業を一度に多数個実施し生産効率を向上させることができる。

次に、本実施形態に係る冶具１を使用して半導体装置を製造する主な製造工程について、図５（ａ）〜図５（ｆ）を参照して説明する。なお、ここに記載していない工程は一般的なＢＧＡ型半導体装置の製造工程と同一である。

まず、図５（ａ）に示すように、配線基板５０の全ての製品形成部５２（図２）に、不図示のチップマウント装置を用いて半導体チップ６０を搭載し、接着剤により固定する。次に、不図示のワイヤボンディング装置を用いて全ての半導体チップ６０の電極パッドと対応する配線基板５０の接続パッドとを導電性ボンディングワイヤを介して接続する。

次に、図５（ｂ）に示すように、例えばトランスファーモールド方式のモールド装置に配線基板５０を設置し、上部金型７１と下部金型７２との間のキャビティ内にゲートから封止樹脂５３を加圧注入する。すると、図５（ｃ）に示すように、配線基板５０上の複数の製品形成部５２が封止樹脂５３によって一括封止される。なお、この段階では封止樹脂５３は完全に硬化してはいない。

次に、図５（ｄ）に示すように、樹脂封止された配線基板５０の上に冶具１を重ねて搭載する。より正確には、封止樹脂５３の上に冶具１を重ねて搭載する。このとき、上記モールド工程において上記ゲートに近接していた製品形成部５２の列に加重個片４の下列５ａ（図１）が重なり、エアベントに近接していた製品形成部５２の列に加重個片４の上列５ｃ（図１）が重なるように冶具１を配置する。なお、このように配置することによって、製品形成部５２の中央の列に加重個片４の中央列５ｂ（図１）が重なることは自明である。

次に、図５（ｅ）に示すように、冶具１が搭載された配線基板５０を不図示のベーク機に投入し、例えば１８０℃で４時間程度ベークして封止樹脂５３を硬化させる。ベーク及び冷却作業の終了後、冶具１を取り除くと、図５（ｆ）に示すように、反りが少ない状態で封止樹脂５３が硬化した配線基板５０が生成されている。

その後、ボールマウントや切断個片化、マーク作業などを実施することによって半導体製品が製造される。

なお、必要に応じて図４（ａ）（ｂ）に示す搭載用冶具２０を用いて、複数の配線基板５０を多段に重ねてベーク機に投入してもよい。

（実施形態２）
次に本発明の冶具の実施形態の他例について説明する。本実施形態に係る冶具は、加重個片の構造が異なる他は実施形態１に係る冶具１と同様である。より具体的には、本実施形態に係る冶具は、加重個片に冷却素子または加熱素子を搭載して外部から温度をコントロール可能とした点において実施形態１に係る冶具１と異なる。

図６は、本実施形態にかかる冶具に用いられる加重個片の構造を示す断面図である。図示されているように、加重個片４０は箱状（断面略コ字形）に形成され、該加重個片４０内に冷却素子（例えばペルチェ素子）４１または加熱素子４２が配置されている。さらに、冷却素子４１または加熱素子４２に温度コントローラ用配線４３を介して外部温度コントローラ４４（図７）が接続されている。加重個片４０は、熱伝導率が良い例えば銅素材によって形成することが望ましい。また、冷却素子４１や加熱素子４２は、加重個片４０の内底面に密着させることが望ましい。さらに、使用する冷却素子４１や加熱素子４２は、配線基板のベーク温度（例えば１８０℃）に耐え得る耐熱性を持つことが望ましい。

本実施形態では、図７に示すように、配線基板のモールド工程においてゲートに近接する下列５ａに冷却素子４１が搭載された加重個片４０（第１の加重個片４０ａ）を配置し、エアベントに近接する上列５ｃに、加熱素子４２が搭載された加重個片４０（第２の加重個片４０ｂ）を配置した。一方、中央列５ｂには、図１に示す第３の加重個片４ｃを配置した。もっとも、図１に示す第３の加重個片４ｃに代えて、図６に示す加重個片４０と同一形状の加重個片であって、冷却素子や加熱素子が搭載されていない加重個片を配置してもよい。また、冷却素子４１が搭載された第１の加重個片４０ａと加熱素子４２が搭載された第２の加重個片４０ｂのいずれか一方のみを配置してもよい。

本実施形態によれば、加重個片を多数種類準備し個別に設置する必要が無くなるため、冶具準備費用が低減し、製品毎に加重個片を設置し直す手間が省ける。また、各加重個片４０の温度を外部から電気的にコントロール可能であるため、細かい温度制御が可能であり、反り発生を最小に抑制することが可能になる。なお、ベーク機による加熱は従来通り実施し、素子の冷却・加熱の動作負担を低減させることが望ましい。

本実施形態においても、加重個片の配置は任意に設定可能である。また、加重個片が配置されていない空白部分があってもよい。

１ 冶具
２ 枠部
３ 開口部
４、４０ 加重個片
４ａ、４０ａ 第１の加重個片
４ｂ、４０ｂ 第２の加重個片
４ｃ 第３の加重個片
５ ストッパ
４１ 冷却素子
４２ 加熱素子
５０ 配線基板
５３ 封止樹脂
６０ 半導体チップ
７１ 上部金型
７２ 下部金型

Claims (18)

1. 配線基板に搭載された複数の半導体チップを一括して封止している樹脂を加熱して硬化させる際に前記配線基板の上に重ねて配置される半導体装置製造用冶具であって、
   枠部と、
   前記枠部に着脱可能に保持され、前記樹脂の上に重ねて乗せられる複数の加重個片とを有し、
   前記複数の加重個片には、相対的に熱伝導率が小さな第１の加重個片と、相対的に熱伝導率が大きな第２の加重個片が１つ以上含まれている半導体装置製造用冶具。
2. 前記枠部の対向する二辺の一方である第１の辺に近接して前記第１の加重個片が配置され、前記枠部の対向する二辺の他方である第２の辺に近接して前記第２の加重個片が配置されている請求項１に記載の半導体装置製造用冶具。
3. 前記第１の辺に沿って複数の前記第１の加重個片が一列に並んで配置され、前記第２の辺に沿って複数の前記第２の加重個片が一列に並んで配置されている請求項２に記載の半導体装置製造用冶具。
4. 前記複数の加重個片には、前記第１の加重個片よりも熱伝導率が大きく、かつ、前記第２の加重個片よりも熱伝導率が小さい第３の加重個片が１つ以上含まれている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置製造用冶具。
5. 複数の前記第３の加重個片が、前記第１の加重個片の列と前記第２の加重個片の列との間に一列に並んで配置されている請求項４に記載の半導体装置製造用冶具。
6. 前記第３の加重個片が前記第２の加重個片の列の両端にそれぞれ配置されている請求項４又は請求項５に記載の半導体製造装置用冶具。
7. 配線基板に搭載された複数の半導体チップを一括して封止している樹脂を加熱して硬化させる際に前記配線基板の上に重ねて配置される半導体装置製造用冶具であって、
   枠部と、
   前記枠部に着脱可能に保持され、前記樹脂の上に重ねて乗せられる複数の加重個片とを有し、
   前記複数の加重個片には、冷却素子が設けられた第１の加重個片と加熱素子が設けられた第２の加重個片の双方または一方が含まれている半導体装置製造用冶具。
8. 前記冷却素子及び前記加熱素子は、配線を介して接続されたコントローラによって温度が制御される請求項７に記載の半導体装置製造用冶具。
9. 前記枠部の対向する二辺のそれぞれに近接して前記第１の加重個片及び前記第２の加重個片が一列に並んで配置されている請求項７又は請求項８に記載の半導体装置製造用冶具。
10. 前記枠部の対向する二辺の一方である第１の辺に沿って複数の前記第１の加重個片が一列に並んで配置され、
    前記枠部の対向する二辺の他方である第２の辺に沿って複数の前記第２の加重個片が一列に並んで配置されている半導体装置製造用冶具。
11. 前記複数の加重個片には、冷却素子及び加熱素子のいずれも設けられていない第３の加重個片が１つ以上含まれている請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体装置製造用冶具。
12. 複数の前記第３の加重個片が、前記第１の加重個片及び前記第２の加重個片の列の間に一列に並んで配置されている請求項１１に記載の半導体装置製造用冶具。
13. 複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された配線基板をゲート及びエアベントを備えた金型内に配置し、前記金型の前記ゲートから該金型内に樹脂を注入して複数の前記半導体チップを一括して封止するモールド工程と、
    前記モールド工程を経た前記配線基板の上に、枠部に複数の加重個片が着脱可能に保持された冶具であって、前記複数の加重個片には、相対的に熱伝導率が小さな第１の加重個片と、相対的に熱伝導率が大きな第２の加重個片が１つ以上含まれている冶具を搭載する冶具搭載工程と、
    前記樹脂を加熱して該樹脂を硬化させるベーク工程とを含み、
    前記冶具搭載工程では、前記樹脂のうち、前記モールド工程において前記金型の前記ゲートに近接していた第１の領域に前記第１の加重個片が重ねて置かれ、前記エアベントに近接していた第２の領域に前記第２の加重個片が重ねて置かれるように前記冶具を搭載する半導体装置製造方法。
14. 前記冶具は、前記第１の加重個片よりも熱伝導率が大きく、かつ、前記第２の加重個片よりも熱伝導率が小さい第３の加重個片を１つ以上含み、
    前記冶具搭載工程では、前記樹脂のうち、前記モールド工程において前記金型の前記ゲートに近接していた第１の領域に前記第１の加重個片が重ねて置かれ、前記エアベントに近接していた第２の領域に前記第２の加重個片が重ねて置かれ、前記第１の領域及び前記第２の領域以外の第３の領域に前記第３の加重個片が重ねて置かれるように前記冶具を搭載する請求項１３に記載の半導体装置製造方法。
15. 前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域の間および前記第２の領域の両隣に広がる領域である請求項１４に記載の半導体装置製造方法。
16. 複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップが搭載された配線基板をゲート及びエアベントを備えた金型内に配置し、前記金型の前記ゲートから該金型内に樹脂を注入して複数の前記半導体チップを一括して封止するモールド工程と、
    前記モールド工程を経た前記配線基板の上に、枠部に複数の加重個片が着脱可能に保持された冶具であって、
    前記複数の加重個片には、冷却素子が設けられた第１の加重個片と加熱素子が設けられた第２の加重個片の双方または一方が含まれている冶具を搭載する冶具搭載工程と、
    前記樹脂を加熱して該樹脂を硬化させるベーク工程とを含み、
    前記冶具搭載工程では、前記樹脂のうち、前記モールド工程において前記金型の前記ゲートに近接していた第１の領域および前記エアベントに近接していた第２の領域に、前記第１の加重個片および前記第２の加重個片が重ねて置かれるように前記冶具を搭載する半導体装置製造方法。
17. 前記冶具は、冷却素子及び加熱素子のいずれも設けられていない第３の加重個片を１つ以上含み、
    前記冶具搭載工程では、前記樹脂のうち、前記モールド工程において前記金型の前記ゲートに近接していた第１の領域および前記エアベントに近接していた第２の領域に前記第１の加重個片および前記第２の加重個片が重ねて置かれ、前記第１の領域と前記第２の領域の間の第３の領域に前記第３の加重個片が重ねて置かれるように前記冶具を搭載する請求項１６に記載の半導体装置製造方法。
18. 前記ベーク工程において、前記冷却素子及び前記加熱素子の温度を外部からコントロールする請求項１６又は請求項１７に記載の半導体装置製造方法。