JP2011049692A - コンデンサマイクロホン - Google Patents

Abstract

【課題】コンデンサマイクロホンにおいて、衝撃荷重によるコンタクトスプリングの撓み変形によって背面電極板がインピーダンス変換素子と干渉してしまうのを未然に防止する。
【解決手段】コンデンサ構造部Ｃのスペーサ２４を支持する環状部材２６を、背面電極板１６を囲むようにして配置し、これを支持する環状基板３６を、インピーダンス変換素子３４を囲むようにして回路基板３２の上面に載置する。その上で、回路基板３２の上面に、インピーダンス変換素子３４の入力端子３４ａと導通する第１導電層３２ａを形成するとともに、環状基板３６に、第１導電層３２ａと導通する第２導電層３６ｃを、その下面から上面まで延びるように形成する。また、背面電極板１６の下方に、これを上方へ向けて弾性的に押圧するコンタクトスプリング１８を、その下端部を第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接させるようにして撓み変形させた状態で配置する。
【選択図】図１

Description

本願発明は、小型のコンデンサマイクロホンに関するものであり、特に、その背面電極板とインピーダンス変換素子とを電気的に接続するための構成に関するものである。

一般に、小型のコンデンサマイクロホンは、振動膜と背面電極板とが環状のスペーサを介して対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、このインピーダンス変換素子を実装する回路基板とを備えた構成となっている。

「特許文献１」には、このようなコンデンサマイクロホンにおいて、その背面電極板とインピーダンス変換素子とを電気的に接続するためのコンタクトスプリングが、背面電極板と回路基板との間に配置された構成が記載されている。その際、このコンタクトスプリングは、ある程度撓んだ状態で配置されており、これにより背面電極板を振動膜へ向けて弾性的に押圧するようになっている。

特開２００８−３５１５９号公報

上記「特許文献１」に記載されたコンデンサマイクロホンは、コンタクトスプリングの撓み変形を利用した構成となっているので、例えば、このコンデンサマイクロホンが搭載された外部機器（例えば携帯電話機等）が落下等により衝撃荷重を受けると、その荷重入力方向によってはコンタクトスプリングの撓み変形量がさらに大きくなってしまい、これにより背面電極板がインピーダンス変換素子と干渉してしまうおそれがある。その際、衝撃荷重の大きさによっては、背面電極板との干渉によってインピーダンス変換素子が破損してしまうおそれがある。

本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、コンタクトスプリングを備えたコンデンサマイクロホンにおいて、衝撃荷重によるコンタクトスプリングの撓み変形によって背面電極板がインピーダンス変換素子と干渉してしまうのを未然に防止することができるコンデンサマイクロホンを提供することを目的とするものである。

本願発明は、コンタクトスプリングおよびその周辺構造に工夫を施すことにより、上記目的達成を図るようにしたものである。

すなわち、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、
振動膜と背面電極板とが、上記振動膜を上にした状態で環状のスペーサを介して対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の下方において上記背面電極板と略平行に配置された回路基板と、この回路基板の上面に実装され、上記コンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記スペーサが、上記背面電極板よりも大きい外周面形状を有しており、
このスペーサの外周縁部を支持するための環状部材が、上記背面電極板を囲むようにして配置されるとともに、この環状部材を支持するための環状基板が、上記回路基板の上面に、上記インピーダンス変換素子を囲むようにして載置されており、
上記回路基板の上面に、上記インピーダンス変換素子の入力端子と導通する第１導電層が形成されており、
上記環状基板に、上記第１導電層と導通する第２導電層が、該環状基板の下面から上面まで延びるように形成されており、
上記背面電極板の下方に、該背面電極板を上方へ向けて弾性的に押圧するためのコンタクトスプリングが、該コンタクトスプリングの下端部を上記第２導電層における上記環状基板の上面の部分に当接させるようにして撓み変形した状態で配置されている、ことを特徴とするものである。

上記構成において、「上」や「下方」等の方向性を示す用語は、コンデンサマイクロホンを構成する各部材相互間の位置関係を明確にするために便宜上用いたものであって、これによりコンデンサマイクロホンを実際に使用する際の方向性が限定されるものではない。

上記「第２導電層」は、第１導電層と導通するようにして、環状基板の下面から上面まで延びるように形成されたものであれば、その具体的な形成位置は特に限定されるものではない。

上記「コンタクトスプリング」は、背面電極板の下方において、その下端部を第２導電層における環状基板の上面の部分に当接させるようにして撓み変形した状態で配置されたスプリングであって導電性を有するものであれば、その形状や材質等の具体的な構成は特に限定されるものではない。

上記構成に示すように、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、そのコンデンサ構造部のスペーサの外周縁部を支持するための環状部材が、背面電極板を囲むようにして配置されるとともに、この環状部材を支持するための環状基板が、インピーダンス変換素子を囲むようにして回路基板の上面に載置された構成となっているが、回路基板の上面には、インピーダンス変換素子の入力端子と導通する第１導電層が形成されるとともに、環状基板には、この第１導電層と導通する第２導電層が、その下面から上面まで延びるように形成されており、また、背面電極板の下方には、この背面電極板を上方へ向けて弾性的に押圧するためのコンタクトスプリングが、その下端部を第２導電層における環状基板の上面の部分に当接させるようにして撓み変形した状態で配置されているので、次のような作用効果を得ることができる。

すなわち、コンタクトスプリングと第１および第２導電層とにより、背面電極板とインピーダンス変換素子の入力端子との電気的な接続が行われるようにすることができる。

その際、コンタクトスプリングは、背面電極板の下方において、その下端部を第２導電層における環状基板の上面の部分に当接させるようにして撓み変形した状態で配置されているので、本願発明に係るコンデンサマイクロホンが搭載された外部機器が落下等により衝撃荷重を受けるようなことがあっても、コンタクトスプリングの撓み変形量がさらに大きくなってしまう余地を十分小さくすることができ、これにより背面電極板がインピーダンス変換素子と干渉してしまうのを未然に防止することができる。

このように本願発明によれば、コンタクトスプリングを備えたコンデンサマイクロホンにおいて、衝撃荷重によるコンタクトスプリングの撓み変形によって背面電極板がインピーダンス変換素子と干渉してしまうのを未然に防止することができる。そしてこれにより、背面電極板との干渉によってインピーダンス変換素子が破損してしまうおそれをなくすことができる。

上記構成において、第２導電層の具体的な形成位置が特に限定されないことは上述したとおりであるが、環状基板が平面視において略長円形の内周面形状を有している場合には、この第２導電層が、導電スルーホールの一部として、インピーダンス変換素子の両側の２箇所において環状基板の内周面に沿って延びるように形成された構成とすることが可能である。

すなわち、環状基板となるべき板状部材に、比較的大きい導電スルーホールを形成した上で、この導電スルーホールの両側の２箇所（具体的には環状基板の内周面の長手方向に位置する２箇所）をドリル加工等で切除することにより、この導電スルーホールの一部として第２導電層を２箇所に形成することができる。そしてこれにより、プリント基板製造技術を用いて第２導電層を容易にかつ精度良く形成することができる。

また、このように第２導電層がインピーダンス変換素子の両側の２箇所に形成された構成とすることにより、これら１対の第２導電層における環状基板の上面の部分にコンタクトスプリングの下端部の２箇所を当接させることができるので、これによりコンタクトスプリングを撓み変形させた状態で安定的に保持することができる。しかも、このような構成を採用した場合には、コンタクトスプリングの構成として、その背面電極板に対する当接が、背面電極板の下面の四隅において行われる構成とすることも容易に可能となる。そしてこのようにした場合には、コンタクトスプリングによる背面電極板に対する弾性的な押圧が、背面電極板全体にわたって均等に行われるようにすることができる。

この場合において、環状基板の上面における複数箇所に、第２導電層と同じ厚さを有する第３導電層が形成された構成とすれば、衝撃荷重によりコンタクトスプリングの撓み変形量が増大したとき、コンタクトスプリングを、これら複数箇所に形成された第３導電層のいずれかに当接させて、それ以上の撓み変形を阻止することが可能となる。そしてこれにより、衝撃荷重によりコンタクトスプリングの撓み変形量が増大する余地を一層小さくすることができる。しかも、これら複数箇所の第３導電層は、第２導電層と同じ厚さを有しているので、第２導電層を形成する際に第３導電層も同時に形成することができる。

本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図 上記コンデンサマイクロホンを主要構成要素に分解して斜め上方から見て示す斜視図 上記コンデンサマイクロホンを主要構成要素に分解して斜め下方から見て示す斜視図 上記コンデンサマイクロホンの環状基板を単品で示す平面図 上記コンデンサマイクロホンの組付工程を示す側断面図

以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。

図１は、本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０を上向きに配置した状態で示す側断面図である。また、図２および３は、このコンデンサマイクロホン１０を主要構成要素に分解して、斜め上方および斜め下方からそれぞれ見て示す斜視図である。

これらの図に示すように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、小型のエレクトレットコンデンサマイクロホンであって、金属ケース１２内に、上部ユニット１４、背面電極板１６、コンタクトスプリング１８および下部ユニット２０が収容された構成となっている。

金属ケース１２は、平面視において３×４ｍｍ程度の略矩形状の外形形状を有するキャップ状の部材であって、金属板（例えばアルミニウム板）にプレス加工を施すことにより形成されている。

この金属ケース１２には、その上面壁１２Ａに音孔１２ａが形成されており、また、その周面壁１２Ｂにおける４箇所の鉛直平面部には、その下端縁から下方へ延長して延びる延長片１２ｂがそれぞれ形成されている。そして、この金属ケース１２は、その４箇所の延長片１２ｂにおいて下部ユニット２０にカシメ固定されるようになっている。

上部ユニット１４は、振動膜サブアッセンブリ２２と、この振動膜サブアッセンブリ２２の下面に接着固定された環状のスペーサ２４と、このスペーサ２４の下面に接着固定された環状部材２６とからなっている。

振動膜サブアッセンブリ２２は、振動膜２８が支持リング３０の下面に張設固定されてなっている。

振動膜２８は、厚みが１．５〜３μｍ程度の高分子フィルムの上面に金属蒸着膜が形成されてなっている。

支持リング３０は、板厚が５０μｍ程度の金属製の薄板で構成されている。この支持リング３０の外周面形状は、金属ケース１２の周面壁１２Ｂよりもひと回り小さい略矩形形状に設定されており、その内周面形状は、金属ケース１２の長手方向に延びる略楕円形状に設定されている。

スペーサ２４は、板厚が２５μｍ程度の金属製の薄板で構成されている。このスペーサ２４の外周面形状は、支持リング３０の外周面形状と同一の形状に設定されており、その内周面形状は、支持リング３０の内周面形状と略同一の形状に設定されている。

環状部材２６は、背面電極板１６の周囲においてスペーサ２４の外周縁部を下方側から支持する略矩形環状の部材であって、板厚が０．３ｍｍ程度の絶縁基板として構成されている。

この環状部材２６は、その外周面２６ａが、金属ケース１２の周面壁１２Ｂに略内接するように形成されている。具体的には、この環状部材２６の外周面２６ａは、その４箇所の鉛直平面部が、金属ケース１２の周面壁１２Ｂにおける４箇所の鉛直平面部に沿って延びるように形成されている。

この環状部材２６の内周面２６ｂは、平面視において金属ケース１２の長手方向に延びる略長円形の形状を有している。その際、この環状部材２６の内周面２６ｂは、その長手方向の両端位置およびその直交方向の両端位置においては、スペーサの内周面の位置と略一致しているが、その四隅の位置では、スペーサ２４の内周面の位置よりも径が大きくなっている。

背面電極板１６は、板厚が０．１ｍｍ程度の金属板で構成された電極板本体１６Ａと、この電極板本体１６Ａの上面に配置されたエレクトレット層１６Ｂとからなり、その中央部には貫通孔１６ａが形成されている。その際、エレクトレット層１６Ｂは、電極板本体１６Ａの上面に形成された膜厚１０〜３０μｍ程度の絶縁膜に、所定のチャージ電圧で分極処理を施すことによって生成されており、これにより所定の表面電位が付与されている。

この背面電極板１６は、平面視において四隅にコーナＲが付与された略矩形状の外形形状を有しており、その外周面を環状部材２６の内周面２６ｂに対して複数箇所で略内接させた状態で、環状部材２６の内周側空間に配置されている。その際、この背面電極板１６は、その上面の四隅において、スペーサ２４の下面の四隅に当接している。

そして、この背面電極板１６のエレクトレット層１８Ｂと振動膜２８とがスペーサ２４を介して対向配置されることにより、コンデンサ構造部Ｃが構成されるようになっている。

下部ユニット２０は、エレクトレット層１６Ｂと平行に配置された回路基板３２と、この回路基板３２の上面の略中央に実装されたインピーダンス変換素子３４と、このインピーダンス変換素子３４を囲むようにして回路基板３２の上面に載置固定された環状基板３６とからなっている。

この下部ユニット２０は、その環状基板３６の上面において上部ユニット１４における環状部材２６の下面に当接しており、この状態で、その回路基板３２の各辺部分に金属ケース１２の各延長片１２ｂがカシメ固定されている。

回路基板３２は、環状部材２６と略同一の外周面形状を有する板厚が０．１５ｍｍ程度の絶縁基板に対して、その上下両面およびその中間に、それぞれ所定のパターンで導電層が形成された構成となっている。その際、この回路基板３２の上面に形成された導電層の一部は、インピーダンス変換素子３４の入力端子３４ａと導通する第１導電層３２ａを構成している。

インピーダンス変換素子３４は、扁平な直方体の外形形状を有するＩＣチップとして構成されており、平面視において金属ケース１２の長手方向にやや長い矩形形状を有している。そして、このインピーダンス変換素子３４は、その上面が回路基板３２の上面から０．４ｍｍ程度の高さに位置している。

環状基板３６は、回路基板３２と同一の外周面形状を有する板厚が０．３ｍｍ程度の絶縁基板に対して、その上下両面に、それぞれ所定のパターンで導電層が形成された構成となっている。

この環状基板３６の内周面３６ｂは、平面視において金属ケース１２の長手方向に延びる略長円形の形状を有している。その際、この内周面３６ｂを構成する略長円形の形状は、インピーダンス変換素子３４の横幅よりも大きい直径を有する３つの円柱を、環状基板３６の中央とその長手方向両側に互いに部分的に重複させた状態で配置したような形状を有している。

そして、この環状基板３６の内周面３６ｂには、回路基板３２の第１導電層３２ａと導通する第２導電層３６ｃが、該環状基板３６の下面から上面まで延びるように形成されている。

図４は、環状基板３６を単品で示す平面図である。

同図にも示すように、第２導電層３６ｃは、導電スルーホールＴＨの一部として、インピーダンス変換素子３４の両側の２箇所において環状基板３６の内周面３６ｂに沿って延びるように形成されている。すなわち、この第２導電層３６ｃは、環状基板３６の中央に、導電スルーホールＴＨを形成した後、その長手方向両側に導電スルーホールＴＨよりもやや大きい径の貫通孔をドリル加工等により形成して、導電スルーホールＴＨを部分的に切除することにより形成されている。

この環状基板３６の上面には、その四隅における内周面３６ｂの近傍位置に、第２導電層３６ｃと同じ厚さを有する第３導電層３６ｄが、それぞれ内周面３６ｂに沿って円弧状に延びるように形成されている。

コンタクトスプリング１８は、背面電極板１６の下方に配置されており、この背面電極板１６を上方へ向けて弾性的に押圧するようになっている。

このコンタクトスプリング１８は、金属製の板バネであって、板厚が５０μｍ程度の板バネ材にプレス加工を施すことにより形成されている。

このコンタクトスプリング１８は、無負荷状態では、平面視において略矩形リング状に形成されている。その際、このコンタクトスプリング１８の長手方向中央部１８Ａは水平方向に延びているが、その長手方向両端部１８Ｂは斜め上方へ向けて直線状に延びている。そして、このコンタクトスプリング１８の長手方向中央部１８Ａには、下向きに突出する４つの球面状凸部１８ａが、２つずつ長手方向に所定間隔をおいて形成されている。また、このコンタクトスプリング１８の長手方向両端部１８Ｂには、上向きに突出する４つの球面状凸部１８ｂが、四隅にそれぞれ形成されている。

このコンタクトスプリング１８は、コンデンサマイクロホン１０の一部として組み込まれた状態では、その外周面が複数箇所において環状部材２６の内周面２６ｂに略内接した状態で、環状部材２６の内周側空間に配置されるようになってしる。そして、この状態では、コンタクトスプリング１８は、その上下方向の撓み変形により、長手方向中央部１８Ａと１対の長手方向両端部１８Ｂとが同一水平面に略沿って延びた状態となっている。

その際、このコンタクトスプリング１８は、その上端部に位置する４箇所の球面状凸部１８ｂにおいて背面電極板１６の下面に当接しており、その下端部に位置する４箇所の球面状凸部１８ａにおいて、１対の第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接するようになっている。そして、このコンタクトスプリング１８と第１および第２導電層３２ａ、３６ｃとにより、背面電極板１６とインピーダンス変換素子３４の入力端子３４ａとの電気的な接続が行われるようになっている。

このコンタクトスプリング１８においては、その４つの球面状凸部１８ａが、２つずつ１対の第２導電層３６ｃと確実に当接するよう、これら各球面状凸部１８ａの形成位置が設定されている。また、このコンタクトスプリング１８においては、その４つの球面状凸部１８ｂが、背面電極板１６の四隅（すなわち、背面電極板１６がスペーサ２４に当接している部分）においてその下面に当接するようになっている。

さらに、環状基板３６の上面の４箇所に形成された第３導電層３６ｄは、コンタクトスプリング１８が撓み変形したときに、その４箇所の球面状凸部１８ｂの略真下に位置するように、その形成位置が設定されている。

図５は、コンデンサマイクロホン１０の組付工程を示す側断面図である。

同図に示すように、このコンデンサマイクロホン１０の組付けは、次のようにして行われるようになっている。

すなわち、まず、金属ケース１２を上下逆さに配置し、この金属ケース１２に対して、その周面壁１２Ｂの内周側空間に、上下逆さにした上部ユニット１４を落とし込み、その振動膜サブアッセンブリ２２の支持リング３０を上面壁１２Ａの下面に面接触させる。

次に、この上部ユニット１４における環状部材２６の内周側空間に位置するようにして、上下逆さにした背面電極板１６およびコンタクトスプリング１８を順次金属ケース１２内に落とし込む。このとき、コンタクトスプリング１８は、その４つの球面状凸部１８ｂにおいて背面電極板１６の下面に接触した状態にある。

次に、下部ユニット２０を金属ケース１２内に落とし込み、その環状基板３６の上面に形成された１対の第２導電層３６ｃを、コンタクトスプリング１８に形成された４つの球面状凸部１８ａに当接させる。そして、この状態からさらに、コンタクトスプリング１８を撓み変形させながら、下部ユニット２０を、その環状基板３６の上面が上部ユニット１４における環状部材２６の下面に当接する位置まで、下方に押し込む。

次に、金属ケース１２の各延長片１２ｂを図中２点鎖線で示すように内周側へ折り曲げることにより、上記位置まで押し込まれた下部ユニット２０に対して、その回路基板３２の各辺部分に各延長片１２ｂをカシメ固定する。

以上詳述したように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、そのコンデンサ構造部Ｃのスペーサ２４の外周縁部を支持するための環状部材２６が、背面電極板１６を囲むようにして配置されるとともに、この環状部材２６を支持するための環状基板３６が、インピーダンス変換素子３４を囲むようにして回路基板３２の上面に載置された構成となっているが、回路基板３２の上面には、インピーダンス変換素子３４の入力端子３４ａと導通する第１導電層３２ａが形成されるとともに、環状基板３６には、この第１導電層３２ａと導通する第２導電層３６ｃが、その下面から上面まで延びるように形成されており、また、背面電極板１６の下方には、この背面電極板１６を上方へ向けて弾性的に押圧するためのコンタクトスプリング１８が、その下端部を第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接させるようにして撓み変形した状態で配置されているので、次のような作用効果を得ることができる。

すなわち、コンタクトスプリング１８と第１および第２導電層３２ａ、３６ｃとにより、背面電極板１６とインピーダンス変換素子３４の入力端子３４ａとの電気的な接続が行われるようにすることができる。

その際、コンタクトスプリング１８は、背面電極板１６の下方において、その下端部を第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接させるようにして撓み変形した状態で配置されているので、コンデンサマイクロホン１０が搭載された外部機器が落下等により衝撃荷重を受けるようなことがあっても、コンタクトスプリング１８の撓み変形量がさらに大きくなってしまう余地を十分小さくすることができ、これにより背面電極板１６がインピーダンス変換素子３４と干渉してしまうのを未然に防止することができる。

このように本実施形態によれば、コンタクトスプリング１８を備えたコンデンサマイクロホン１０において、衝撃荷重によるコンタクトスプリング１８の撓み変形によって背面電極板１６がインピーダンス変換素子３４と干渉してしまうのを未然に防止することができる。そしてこれにより、背面電極板１６との干渉によってインピーダンス変換素子３４が破損してしまうおそれをなくすことができる。

特に本実施形態においては、環状基板３６の内周面３６ｂが平面視において略長円形形状に形成されており、第２導電層３６ｃが、導電スルーホールＴＨの一部として、インピーダンス変換素子３４の両側の２箇所において環状基板３６の内周面３６ｂに沿って延びるように形成されているので、次のような作用効果を得ることができる。

すなわち、環状基板３６となるべき板状部材に、比較的大きい導電スルーホールＴＨを形成した上で、この導電スルーホールＴＨの長手方向両側の２箇所をドリル加工等で切除することにより、この導電スルーホールＴＨの一部として第２導電層３６ｃを２箇所に形成することができる。そしてこれにより、プリント基板製造技術を用いて第２導電層３６ｃを容易にかつ精度良く形成することができる。

また、このように第２導電層３６ｃがインピーダンス変換素子３４の両側の２箇所に形成されているので、これら１対の第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分にコンタクトスプリング１８の下端部の２箇所を当接させることができ、これによりコンタクトスプリング１８を撓み変形させた状態で安定的に保持することができる。

その際、本実施形態においては、コンタクトスプリング１８の背面電極板１６に対する当接が、背面電極板１６の下面の四隅において行われるように構成されているので、コンタクトスプリング１８による背面電極板１６に対する弾性的な押圧が、背面電極板１６全体にわたって均等に行われるようにすることができる。しかも、この背面電極板１６は、その四隅においてスペーサ２４に当接しているので、背面電極板１６と共にスペーサ２４および振動膜サブアッセンブリ２２についても均等に押圧することができ、これによりコンデンサマイクロホン１０の感度特性のバラツキを最小原に抑えることができる。

さらに本実施形態においては、背面電極板１６とインピーダンス変換素子３４の入力端子３４ａとの電気的な接続が、コンタクトスプリング１８と第１および第２導電層３２ａ、３６ｃとにより、金属ケース１２から比較的離れた位置において行われているので、この金属ケース１２との間の浮遊容量の発生による感度低下を効果的に抑制することができる。

また本実施形態においては、環状基板３６の上面における４箇所に、第２導電層３６ｃと同じ厚さを有する第３導電層３６ｄが形成されているので、次のような作用効果を得ることができる。

すなわち、衝撃荷重によりコンタクトスプリング１８の撓み変形量が増大したとき、コンタクトスプリング１８を、これら４箇所に形成された第３導電層３６ｄのいずれかに当接させて、それ以上の撓み変形を阻止することが可能となる。そしてこれにより、衝撃荷重によりコンタクトスプリング１８の撓み変形量が増大する余地を一層小さくすることができる。しかも、これら第３導電層３６ｄは、第２導電層３６ｃと同じ厚さを有しているので、第２導電層３６ｃを形成する際に第３導電層３６ｄも同時に形成することができる。

上記実施形態においては、コンデンサマイクロホン１０が、エレクトレットコンデンサマイクロホンである場合について説明したが、チャージ電圧が印加されるように構成されたコンデンサマイクロホンである場合においても、上記実施形態の場合と同様の作用効果を得ることができる。

なお、上記実施形態において諸元として示した数値は一例にすぎず、これらを適宜異なる値に設定してもよいことはもちろんである。

１０ コンデンサマイクロホン
１２ 金属ケース
１２Ａ 上面壁
１２Ｂ 周面壁
１２ａ 音孔
１２ｂ 延長片
１４ 上部ユニット
１６ 背面電極板
１６Ａ 電極板本体
１６Ｂ エレクトレット層
１６ａ 貫通孔
１８ コンタクトスプリング
１８Ａ 長手方向中央部
１８Ｂ 長手方向両端部
１８ａ、１８ｂ 球面状凸部
２０ 下部ユニット
２２ 振動膜サブアッセンブリ
２４ スペーサ
２６ 環状部材
２６ａ 外周面
２６ｂ、３６ｂ 内周面
２８ 振動膜
３０ 支持リング
３２ 回路基板
３２ａ 第１導電層
３４ インピーダンス変換素子
３４ａ 入力端子
３６ 環状基板
３６ｃ 第２導電層
３６ｄ 第３導電層
Ｃ コンデンサ構造部
ＴＨ 導電スルーホール

Claims (3)

1. 振動膜と背面電極板とが、上記振動膜を上にした状態で環状のスペーサを介して対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の下方において上記背面電極板と略平行に配置された回路基板と、この回路基板の上面に実装され、上記コンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
   上記スペーサが、上記背面電極板よりも大きい外周面形状を有しており、
   このスペーサの外周縁部を支持するための環状部材が、上記背面電極板を囲むようにして配置されるとともに、この環状部材を支持するための環状基板が、上記回路基板の上面に、上記インピーダンス変換素子を囲むようにして載置されており、
   上記回路基板の上面に、上記インピーダンス変換素子の入力端子と導通する第１導電層が形成されており、
   上記環状基板に、上記第１導電層と導通する第２導電層が、該環状基板の下面から上面まで延びるように形成されており、
   上記背面電極板の下方に、該背面電極板を上方へ向けて弾性的に押圧するためのコンタクトスプリングが、該コンタクトスプリングの下端部を上記第２導電層における上記環状基板の上面の部分に当接させるようにして撓み変形した状態で配置されている、ことを特徴とするコンデンサマイクロホン。
2. 上記環状基板が、平面視において略長円形の内周面形状を有しており、
   上記第２導電層が、導電スルーホールの一部として、上記インピーダンス変換素子の両側の２箇所において上記環状基板の内周面に沿って延びるように形成されている、ことを特徴とする請求項１記載のコンデンサマイクロホン。
3. 上記環状基板の上面における複数箇所に、上記第２導電層と同じ厚さを有する第３導電層が形成されている、ことを特徴とする請求項２記載のコンデンサマイクロホン。

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