JP2011044566A - プラズマ処理装置とプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板表面におけるプラズマ処理の均一性を向上させる。
【解決手段】処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１において、処理容器２に収納された基板Ｗの中心部に導入される処理ガスの導入量と、処理容器２に収納された基板Ｗの周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化する。本発明によれば、基板Ｗの中心部と周辺部のエッチングレートＥＲ等のばらつきを小さくできる。このため、基板Ｗ表面におけるプラズマ処理の均一性が向上する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造に用いられるプラズマ処理装置とプラズマ処理方法に関する。

従来から、半導体デバイスの製造分野では、プラズマを用いてエッチングや成膜などの処理を施す方法が採用されている。その一つとして、ラジアルラインスロット板（Radial Line Slot Antenna：ＲＬＳＡ）に形成されたスロットからマイクロ波を処理容器内に伝播させてプラズマを生成させるプラズマ処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このＲＬＳＡ型のプラズマ処理装置は、高密度で低電子温度のプラズマを均一に形成することができ、大型の半導体ウェハを均一かつ高速にプラズマ処理できるといった利点がある。そして、プラズマ処理の一例として、ＨＢｒガスを用いて、基板の表面をエッチングするプロセスが知られている。

ＲＬＳＡ型のプラズマ処理装置では、処理容器の天井面に配置された誘電体を介して、処理容器の内部にマイクロ波が伝播される。そして、処理容器に導入された処理ガスがマイクロ波のエネルギーによりプラズマ化されて、基板表面のエッチングが行われる。一般に、処理容器へ処理ガスを導入するための導入部は、例えば処理容器の側面に配置されている。また最近では、処理容器の側面に配置された導入部に加えて、処理容器の天井面に処理ガスの導入部が設けられ、それら側面の導入部と天井面の導入部からの処理ガスの導入量の比をコントロールすることも行われている（Ｒａｄｉｃａｌ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ：ＲＤＣ）。

特開２００９−９９８０７号公報

ここで、従来のプラズマ処理装置では、側面の導入部と天井面の導入部からの処理ガスの導入量の比を最適化することにより、基板表面におけるプラズマ処理の均一性向上が図られていた。そして、処理中はその最適化された導入量の比を維持して、プラズマ処理が行われていた。しかしながら、処理ガスの導入量の比を最適化していても、基板の中心部と周辺部のエッチングレートなどが相違し、基板表面におけるプラズマ処理を均一にすることが困難であった。

本発明によれば、処理容器に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記処理容器に収納された基板の中心部に処理ガスを導入する中央導入部と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に処理ガスを導入する周辺導入部と、前記中央導入部と前記周辺導入部に供給する処理ガスの流量比を可変に調節するスプリッターと、前記スプリッターを制御する制御部を備え、前記制御部は、プラズマ処理中に、前記中央導入部からの処理ガスの導入量と前記周辺導入部からの処理ガスの導入量の比を変化させるように、前記スプリッターを制御する、プラズマ処理装置が提供される。

また、本発明によれば、処理容器に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記処理容器に収納された基板の中心部に導入される処理ガスの導入量と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化させられる、プラズマ処理方法が提供される。

本発明によれば、基板の中心部への処理ガスの導入量と基板の周辺部への処理ガスの導入量の比をプラズマ処理中に変化させることにより、基板の中心部と周辺部のエッチングレート等のばらつきを小さくすることができる。このため、基板表面におけるプラズマ処理の均一性が向上する。

本実施の形態にかかるプラズマ処理装置の概略的な構成を示す縦断面図である。 図１中のＸ−Ｘ断面図であり、誘電体窓の下面の状態を示している。 従来のプラズマ処理装置において、処理ガスが導入される状態の説明図である。 本実施の形態にかかるプラズマ処理装置において、処理ガスが導入される状態の説明図である。 比較例１における、エッチングレートの分布を示すグラフである。 比較例２における、エッチングレートの分布を示すグラフである。 比較例３における、エッチングレートの分布を示すグラフである。 実施例１における、エッチングレートの分布を示すグラフである。

以下、本発明の実施の形態の一例を、図面を参照にして説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１に示されるように、このプラズマ処理装置１は、円筒形状の処理容器２を備えている。処理容器２の上部は開口し、底部は塞がれている。処理容器２は、例えばアルミニウムからなり、電気的に接地されている。処理容器２の内壁面は、例えばアルミナなどの保護膜で被覆されている。

処理容器２内の底部には、基板として例えば半導体ウェハ（以下ウェハという）Ｗを載置するための載置台としてのサセプタ３が設けられている。サセプタ３は例えばアルミニウムからなり、サセプタ３の内部には、外部電源４からの電力の供給によって発熱するヒータ５が設けられている。ヒータ５によって、サセプタ３上のウェハＷを所定温度に加熱することが可能である。

処理容器２の底部には、真空ポンプなどの排気装置１０よって処理容器２内の雰囲気を排気するための排気管１１が接続されている。

処理容器２の上部には、気密性を確保するためのＯリングなどのシール材１５を介して、例えば石英などの誘電材料からなる誘電体窓１６が設けられている。図２に示されるように、誘電体窓１６は略円盤形状である。誘電体窓１６の材料として、石英に代えて、他の誘電体材料、たとえばＡｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ等のセラミックスを使用してもよい。

誘電体窓１６の上方には、平面状のスロット板、例えば円板状のラジアルラインスロット板２０が設けられている。ラジアルラインスロット板２０は、導電性を有する材質、たとえばＡｇ、Ａｕ等でメッキやコーティングされた銅の薄い円板からなる。ラジアルラインスロット板２０には、複数のスロット２１が、同心円状に複数列に配置されている。

ラジアルラインスロット板２０の上面には、マイクロ波の波長を短縮するための誘電体板２５が配置されている。誘電体板２５は、例えばＡｌ_２Ｏ_３などの誘電材料からなる。誘電体板２５の材料として、Ａｌ_２Ｏ_３に代えて、他の誘電体材料、たとえば石英、ＡｌＮ等のセラミックスを使用してもよい。誘電体板２５は導電性のカバー２６によって覆われている。カバー２６には円環状の熱媒流路２７が設けられ、この熱媒流路２７を流れる熱媒によって、カバー２６と誘電体窓１６を所定温度に維持するようになっている。

カバー２６の中央には同軸導波管３０が接続されている。同軸導波管３０は、内部導体３１と外部導体３２とによって構成されている。内側導体３１は、誘電体板２５の中央を貫通して上述のラジアルラインスロット板２０の上部中央に接続されている。ラジアルラインスロット板２０に形成された複数のスロット２１は、いずれも内側導体３１を中心とする複数の円周上に配置されている。

同軸導波管３０には、マイクロ波供給装置３５が矩形導波管３６およびモード変換器３７を介して接続されている。マイクロ波供給装置３５で発生させた、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が、矩形導波管３６、モード変換器３７、同軸導波管３０、誘電体板２５、ラジアルラインスロット板２０を介して、誘電体窓１６に放射される。そして、マイクロ波によって誘電体窓１６の下面に電界が形成され、処理容器２内にプラズマが生成される。

ラジアルラインスロット板２０に接続される内側導体３１の下端４０は円錐台形状に形成されている。このように内側導体３１の下端４０が円錐台形状に形成されていることにより、同軸導波管３０から誘電体板２５およびラジアルラインスロット板２０に対してマイクロ波が効率よく伝播される。

ガス供給源５０から供給された処理ガスが、スプリッター５１で振り分けられて、二つの供給路５２、５３を経て、処理容器２内に導入される。この実施の形態では、ガス供給源５０は、Ａｒガスを供給するＡｒガス供給部５０ａ、ＨＢｒガスを供給するＨＢｒガス供給部５０ｂ、Ｏ_２ガスを供給するＯ_２ガス供給部５０ｃを備えている。これらＡｒガス供給部５０ａ、ＨＢｒガス供給部５０ｂおよびＯ_２ガス供給部５０ｃから供給されたＡｒガス、ＨＢｒガスおよびＯ_２ガスの混合ガスが、処理ガスとして処理容器２内に導入される。

処理容器２の天井面には、ウェハＷの中心部に処理ガスを導入する中央導入部５５が設けられている。処理容器２の内側面には、ウェハＷの周辺から処理ガスを導入する周辺導入部５６が設けられている。中央導入部５５は、処理容器２の天井面の中央に配置されている。中央導入部５５には、同軸導波管３０の内部導体３１を貫通する一方の供給路５２が接続されている。

中央導入部５５には、処理容器２内に処理ガスを導入させるためのインジェクターブロック５７が取り付けられている。インジェクターブロック５７は、例えばアルミニウムなどの導電性材料からなり、インジェクターブロック５７は、電気的に接地されている。インジェクターブロック５７は円板形状をなし、インジェクターブロック５７には、上下に貫通する複数のガス噴出孔５８が設けられている。インジェクターブロック５７は、例えばアルミナかイットリアでコーティングされていても良い。

図２に示すように、インジェクターブロック５７は、誘電体窓１６の中央に設けられた円筒形状の空間部５９に保持されている。同軸導波管３０の内部導体３１の下面とインジェクターブロック５７の上面との間には、適当な間隔の円筒形状のガス溜め部６０が形成されている。内部導体３１を貫通する供給路５２からガス溜め部６０に供給された処理ガスが、ガス溜め部６０内を広がった後、インジェクターブロック５７に設けられた複数のガス噴出孔５８を通じて、処理容器２内のウェハＷの中央上方に導入される。

周辺導入部５６は、サセプタ３に載置されたウェハＷの上方を囲むように配置された、リング形状のインジェクターリング６１を備えている。インジェクターリング６１は中空であり、インジェクターリング６１の内部には、処理容器２の側面を貫通する供給路５３を経て、処理ガスが供給される。インジェクターリング６１の内側面には、複数の開口６２が等間隔で複数設けられている。処理容器２の側面を貫通する供給路５３からインジェクターリング６１の内部に供給された処理ガスが、インジェクターリング６１の内部を広がった後、インジェクターリング６１の内側面に設けられた複数の開口６２を通じて、処理容器２内のウェハＷの周囲上方に導入される。なお、インジェクターリング６１は無くても良い。例えば、処理容器２の内側面に処理ガスの供給ノズルが等間隔で設けられていても良い。

スプリッター５１と、ガス供給源５０のＡｒガス供給部５０ａ、ＨＢｒガス供給部５０ｂおよびＯ_２ガス供給部５０ｃは、制御部６５によって制御される。制御部６５の制御により、Ａｒガス供給部５０ａからスプリッター５１に供給されるＡｒガスの割合と、ＨＢｒガス供給部５０ｂからスプリッター５１に供給されるＨＢｒガスの割合と、Ｏ_２ガス供給部５０ｃからスプリッター５１に供給されるＯ_２ガスの割合が決められ、これにより、処理容器２に導入される処理ガスの組成が決められる。制御部６５の制御により、スプリッター５１から二つの供給路５２、５３に振り分けられて中央導入部５５と周辺導入部５６に供給される処理ガスの流量比が決定される。これにより、中央導入部５５と周辺導入部５６から処理容器２に導入される処理ガスの導入量比が決定される。

次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置１の作用について説明する。なお、プラズマ処理の一例として、ＨＢｒガスを含む処理ガスを使用して、ウェハＷの表面のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチングする例を説明する。

図１に示すように、このプラズマ処理装置１において、先ずウェハＷが処理容器２内に搬入され、サセプタ３上に載置される。そして、排気管１１から排気が行われて処理容器２内が減圧される。更に、ガス供給源５０からＡｒガス、ＨＢｒガス、Ｏ_２ガスを含む処理ガスが導入される。この場合、制御部６５の制御により、Ａｒガス供給部５０ａからスプリッター５１に供給されるＡｒガスの割合と、ＨＢｒガス供給部５０ｂからスプリッター５１に供給されるＨＢｒガスの割合と、Ｏ_２ガス供給部５０ｃからスプリッター５１に供給されるＯ_２ガスの割合が決められ、処理ガスの組成が決められる。そして、スプリッター５１で混合された所定の組成を有する処理ガスが処理容器２内に導入される。

処理容器２内への処理ガスの導入は、処理容器２の天井面に設けられた中央導入部５５と、処理容器２の内側面に設けられた周辺導入部５６から同時に行われ、ウェハＷの中心部とウェハＷの周辺の両方から処理ガスが導入される。中央導入部５５の処理ガスの導入量と周辺導入部５６からの処理ガスの導入量の比は、ウェハＷの表面全体に均一なエッチング処理がなされるように、制御部６５によって決定される。制御部６５は、スプリッター５１を制御し、この決定した導入量比にしたがって、中央導入部５５と周辺導入部５６から処理容器２内へ処理ガスが導入される。

そして、マイクロ波供給装置３５の作動により、誘電体窓１６の下面に電界が発生し、処理ガスがプラズマ化されて、その際に発生した活性種によって、ウェハＷの表面のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜がエッチングされる。そして、所定時間エッチング処理が行われた後、マイクロ波供給装置３５の作動と、処理容器２内への処理ガスの供給が停止され、ウェハＷが処理容器２内から搬出されて、一連のプラズマエッチング処理が終了する。

ところで、以上のようなプラズマ処理装置１において、従来は、中央導入部５５からの処理ガスの導入量と周辺導入部５６からの処理ガスの導入量の比を最適化することにより、ウェハＷの表面のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜に対するエッチングの均一性向上が図られていた。従来は、スプリッター５１の導入量比がプラズマ処理中一定になるように、制御部６５によって制御されていた。しかしながら、中央導入部５５からの処理ガスの導入量と周辺導入部５６からの処理ガスの導入量の比を高精度に最適化していても、ウェハＷの表面における中心部と周辺部のエッチングレートが大きく相違し、均一なエッチングを行うことが困難であった。

ここで、中央導入部５５と周辺導入部５６の両方からの処理ガスを導入した場合に、ウェハＷの表面における中心部と周辺部のエッチングレートの相違が生ずる要因を検討した。図３に示すように、従来は、制御部６５の制御により、中央導入部５５から導入される処理ガスＧ１の導入量Ｑと周辺導入部５６から導入される処理ガスＧ２の導入量Ｒの比Ｑ／Ｒが、プラズマ処理中一定に維持されていた。このため、中央導入部５５から導入される処理ガスＧ１と周辺導入部５６から導入される処理ガスＧ２が、サセプタ３上に載置されたウェハＷの表面において、常に同じ位置Ｐでぶつかる状態となっていた。その結果、位置Ｐにおいて、処理ガスＧ１と処理ガスＧ２が淀んでしまうことが予測された。そして、この処理ガスＧ１と処理ガスＧ２の淀みが常に同じ位置Ｐで生ずることが、ウェハＷの表面における中心部と周辺部のエッチングレートの相違の要因になると推察された。

そこで、本発明者らは、制御部６５の制御によって、プラズマ処理中に処理ガスの淀みを生ずる位置をウェハＷの表面上で移動させることにより、ウェハＷの表面における中心部と周辺部のエッチングレートの相違を低減させることを試みた。図４中において実線で示すように、先ず、中央導入部５５から処理ガスＧ１を導入量Ｑ１で導入し、周辺導入部５６から処理ガスＧ２を導入量Ｒ１で導入した（即ち、制御部６５によってスプリッター５１の導入量比をＱ１／Ｒ１に制御した）。このとき、中央導入部５５から導入される処理ガスＧ１と周辺導入部５６から導入される処理ガスＧ２が、サセプタ３上に載置されたウェハＷの表面において、位置Ｐ１でぶつかる状態となっていた。

次に、プラズマ処理の継続中に、図４中において一点差線で示すように、中央導入部５５から処理ガスＧ１を導入量Ｑ２（Ｑ２＜Ｑ１）で導入し、周辺導入部５６から処理ガスＧ２を導入量Ｒ２（Ｒ２＞Ｒ１）で導入した（即ち、制御部６５によってスプリッター５１の導入量比をＱ２／Ｒ２に制御した）。このとき、中央導入部５５から導入される処理ガスＧ１と周辺導入部５６から導入される処理ガスＧ２が、サセプタ３上に載置されたウェハＷの表面において、位置Ｐ１よりもウェハＷの中心に近い位置Ｐ２でぶつかる状態となっていた。

そして、プラズマ処理の継続中に、制御部６５によってスプリッター５１の導入量比をＱ１／Ｒ１とＱ２／Ｒ２に交互に制御することにより、中央導入部５５から処理ガスＧ１を導入量Ｑ１で導入し、周辺導入部５６から処理ガスＧ２を導入量Ｒ１で導入する状態（導入量比Ｑ１／Ｒ１）と、中央導入部５５から処理ガスＧ１を導入量Ｑ２で導入し、周辺導入部５６から処理ガスＧ２を導入量Ｒ２で導入する状態（導入量比Ｑ２／Ｒ２）を交互に繰り返した。このように導入量比Ｑ１／Ｒ１の状態と導入量比Ｑ２／Ｒ２の状態を交互に繰り返すことにより、ウェハＷの表面上で処理ガスＧ１と処理ガスＧ２のぶつかる位置を、位置Ｐ１と位置Ｐ２に交互に移動させることができた。

本発明者らは、この実験の結果から、制御部６５によってスプリッター５１の導入量比をプラズマ処理中に変化させるように制御し、中央導入部５５からの処理ガスＧ１の導入量と、周辺導入部５６からの処理ガスＧ２の導入量の比をプラズマ処理中に変化させることにより、ウェハＷの表面における中心部と周辺部のエッチングレートの相違を小さくし、均一なエッチングができるようになるという知見を得た。なお、本発明者らがこのような知見を得るに至った実験については後に説明する。

したがって、この実施の形態のプラズマ処理装置１によれば、制御部６５によってスプリッター５１の導入量比をプラズマ処理中に変化させることにより、ウェハＷの表面におけるプラズマ処理の均一性が向上する。その結果、性能の良い優れた半導体デバイスを製造できるようになる。

以上、本発明の好ましい実施の形態の一例を説明したが、本発明はここに例示した形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

以上の実施の形態では、本発明をエッチング処理を行うプラズマ処理装置１に適用したが、本発明は、エッチング処理以外の基板処理、例えば成膜処理を行うプラズマ処理装置にも適用できる。また、本発明のプラズマ処理装置で処理される基板は、半導体ウェハ、有機ＥＬ基板、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用の基板等のいずれでもよい。

スプリッター５１の導入量比に対する、ウェハＷの表面における中心部と周辺部のエッチングレートの相違を考察した。なお、ウェハＷとして直径３００ｍｍのＳｉウェハを用い、表面に形成されたＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチングした。

（比較例１〜３）
表１〜３は、比較例１〜３の処理条件をそれぞれ示している。比較例１〜３では、プラズマ処理中スプリッター５１の導入量比を一定に維持して、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を除去するエッチング工程Ｐｏｌｙを３０秒間行った。エッチング工程Ｐｏｌｙ中、中央導入部５５からの処理ガスＧ１の導入量と周辺導入部５６からの処理ガスＧ２の導入量の比を、比較例１では２５／７５に維持し、比較例２では３２／６８に維持し、比較例３では４０／６０に維持した。なお、エッチング処理の開始時に７秒間、ウェハＷの表面に形成された酸化膜を除去するブレークスルー工程ＢＴを行い、その後、エッチング工程Ｐｏｌｙを行った。

（実施例１）
表４は、実施例１の処理条件を示している。実施例１では、エッチング処理の開始時に７秒間、ウェハＷの表面に形成された酸化膜を除去するブレークスルー工程ＢＴを行った後、中央導入部５５からの処理ガスＧ１の導入量と周辺導入部５６からの処理ガスＧ２の導入量の比を３秒間２５／７５にしてＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を除去するエッチング工程Ｐｏｌｙ１と、中央導入部５５からの処理ガスＧ１の導入量と周辺導入部５６からの処理ガスＧ２の導入量の比を３秒間４０／６０にしてＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を除去するエッチング工程Ｐｏｌｙ２を交互に５回ずつ繰り返した。

これら比較例１〜３、実施例１の結果を図５〜８に示す。図５〜８において、横軸はウェハＷの表面の位置（０は中央）を示し、縦軸はエッチングレートＥＲを示す。

（比較例１）
図５に示すように、比較例１は、ウェハＷの周辺部でエッチングレートＥＲが大きく、ウェハＷの中心部でエッチングレートＥＲが小さくなった。エッチングレートＥＲの均一性（エッチングレートＥＲの平均値±エッチングレートＥＲの変動幅）は、１２１．０ｎｍ／ｍｉｎ±４３．７％であった。

（比較例２）
図６に示すように、比較例２は、ウェハＷの中心部でエッチングレートＥＲが大きく、ウェハＷの中心部と周辺部の間でエッチングレートＥＲが最も小さくなった。エッチングレートＥＲの均一性（エッチングレートＥＲの平均値±エッチングレートＥＲの変動幅）は、１６４．５ｎｍ／ｍｉｎ±２５．０％であった。

（比較例３）
図７に示すように、比較例３は、ウェハＷの中心部でエッチングレートＥＲが大きく、ウェハＷの周辺部でエッチングレートＥＲが小さくなった。エッチングレートＥＲの均一性（エッチングレートＥＲの平均値±エッチングレートＥＲの変動幅）は、１９８．２ｎｍ／ｍｉｎ±２２．６％であった。

（実施例１）
図８に示すように、実施例１は、ウェハＷの周辺部でエッチングレートＥＲが僅かに大きくなったが、ウェハＷの中心部から周辺部の間でエッチングレートＥＲがほぼ均一になった。エッチングレートＥＲの均一性（エッチングレートＥＲの平均値±エッチングレートＥＲの変動幅）は、１４８．５ｎｍ／ｍｉｎ±１８．１％であった。比較例１〜３に比べて、実施例１はエッチングレートＥＲの変動幅が最も小さくなった。

本発明は、例えば半導体製造分野に有用である。

Ｗ ウェハ
１ プラズマ処理装置
２ 処理容器
３ サセプタ
４ 外部電源
５ ヒータ
１０ 排気装置
１６ 誘電体窓
２０ ラジアルラインスロット板
２５ 誘電体板
３０ 同軸導波管
３１ 内部導体
３２ 外部導体
３５ マイクロ波供給装置
３６ 矩形導波管
５０ ガス供給源
５１ スプリッター
５２、５３ 供給路
５５ 中央導入部
５６ 周辺導入部
５７ インジェクターブロック
６１ インジェクターリング
６５ 制御部

Claims (7)

1. 処理容器に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板を処理するプラズマ処理装置であって、
   前記処理容器に収納された基板の中心部に処理ガスを導入する中央導入部と、
   前記処理容器に収納された基板の周辺部に処理ガスを導入する周辺導入部と、
   前記中央導入部と前記周辺導入部に供給する処理ガスの流量比を可変に調節するスプリッターと、
   前記スプリッターを制御する制御部を備え、
   前記制御部は、プラズマ処理中に、前記中央導入部からの処理ガスの導入量と前記周辺導入部からの処理ガスの導入量の比を変化させるように、前記スプリッターを制御する、プラズマ処理装置。
2. 前記制御部は、プラズマ処理中に、前記中央導入部からの処理ガスの導入量と前記周辺導入部からの処理ガスの導入量の比を、第１の導入量比と、前記第１の導入量比とは異なる第２の導入量比とに交互に切り替えるように、前記スプリッターを制御する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記中央導入部は、前記処理容器の天井面に設けられ、
   前記周辺導入部は、前記処理容器の内側面に設けられる、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記処理ガスは、ＨＢｒを含む、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
5. 処理容器に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板を処理するプラズマ処理方法であって、
   前記処理容器に収納された基板の中心部に導入される処理ガスの導入量と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化させられる、プラズマ処理方法。
6. 前記処理容器に収納された基板の中心部に導入される処理ガスの導入量と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、第１の導入量と、前記第１の導入量比とは異なる第２の導入量比とに交互に切り替えられる、請求項５に記載のプラズマ処理方法。
7. 前記処理ガスは、ＨＢｒを含む、請求項５または６に記載のプラズマ処理方法。

Images