JP2011043720A

JP2011043720A - 電気泳動表示素子

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Publication number: JP2011043720A
Application number: JP2009192597A
Authority: JP
Inventors: Takashi Miyashita; 崇宮下
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2009-08-21
Filing date: 2009-08-21
Publication date: 2011-03-03
Anticipated expiration: 2029-08-21
Also published as: JP5446589B2

Abstract

【課題】マイクロリブ構造を有する電気泳動表示素子の画質向上を図る。
【解決手段】２枚の電極板に挟まれた空間にマイクロリブが仕切りとなり形成されている表示画素の周囲に、前記マイクロリブと同様の形状であり、表示画素を形成していないマイクロリブを形成することによって、電気泳動表示素子を構成している２枚の電極板の撓みを抑制し、前記２枚の電極板間の間隔を一定とすることで該電気泳動表示素子の画質を向上させる。
【選択図】図４

Description

本発明は電気泳動表示素子に関する。

電気泳動表示素子は、電子ブック、携帯電話、電子棚札、時計等の分野で活用され始めている。電気泳動表示素子は、紙に近い反射率・コントラスト・視野角が得られ、目にやさしい表示が可能である。また、電気泳動表示素子は、メモリ性を有し、電力を消費するのは表示書換時のみであり、一度表示させた後は電力を必要としないため、低消費電力な表示素子である。また、電気泳動表示素子の構造は、液晶表示素子や有機ＥＬ表示素子の構造に比べてシンプルであるため、表示素子のフレキシブル化が期待されている。電気泳動表示素子として、例えば特許文献１に開示されているマイクロカプセル構造電気泳動方式が知られている。特許文献１は、溶媒と帯電白微粒子とこの帯電白微粒子に対して逆極性に帯電させた逆帯電黒微粒子を封入したマイクロカプセルを電極で挟んだ構成を有する表示素子を用いて、前記マイクロカプセル中の微粒子を前記電極で発生させる電場により泳動させることで、該表示素子に黒表示又は白表示させる技術を開示している。

特表２００７−５０７７３７号公報

前記マイクロカプセル構造電気泳動方式では、マイクロカプセルの製造コストが高く、また、マイクロカプセルの耐久性も十分とは言えない。そこで、マイクロカプセルを使わない電気泳動表示素子が求められている。マイクロカプセルを使わない電気泳動表示素子の一つの方式として、マイクロリブを用いた電気泳動表示素子が考えられている。即ち、電極を有する基板上に各画素を区切る微細な隔壁であるマイクロリブを形成し、マイクロリブを挟んで前記電極と対峙するように前記基板と電極板とを貼り合わせ、マイクロリブ、前記基板及び前記電極板に囲まれた画素空間を構築し、こうして形成された画素空間に溶媒と帯電微粒子を封入する。そして、互いに対峙する電極と電極板との間に電場をかけることによってマイクロカプセル中の微粒子を泳動させて画像を表示させる方式の電気泳動表示素子が考えられている。しかしながら該方式では、電極が形成された基板と電極板とを、間隔が均一となるように平行に貼り合せ、帯電微粒子を封入する画素空間を画素毎に均一にしなければ、表示する画像にムラができるおそれがある。

そこで本発明は、対峙する電極の平行度を向上させて帯電微粒子を封入する空間を画素ごとに均一にすることにより、表示画質が良好な電気泳動表示素子を提供することを目的とする。

前記目的を果たすため、本発明の電気泳動表示素子の一態様は、第１の基板と、前記第１の基板と対峙する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを一定間隔の間隙を有する状態で貼り合せる第１の接着部と、前記間隙に閉じた空間である画素空間を形成し、前記第１の基板と前記第２の基板と共に該画素空間の境界を構成する隔壁部と、前記画素空間中の前記第１の基板上に形成されている第１の電極と、前記画素空間中の前記第２の基板上に形成されている第２の電極と、前記画素空間に封入されている分散材と該分散材に懸濁されている帯電粒子とを有する表示液と、前記画素空間の外部かつ前記第１の基板と前記第２の基板とに挟まれた前記間隙の空間に、前記第１の基板と前記第２の基板とに接する様に形成されている間隙維持隔壁部とを具備することを特徴とする。

本発明によれば、画素空間を形成するマイクロリブの他に、対峙する電極の間隔を維持するためのマイクロリブを形成することにより、帯電微粒子を封入する空間を画素ごとに均一にすることで、表示画質が良好な電気泳動表示素子を提供できる。

本発明の各実施形態に係る電気泳動表示素子の構造の一例の概略を示す図。本発明の第１の実施形態に係るシール部の構造の一例の概略を示す図。本発明の各実施形態に係る電気泳動表示素子のビューエリアの構造の一例の概略を示す図。本発明の第１の実施形態に係る電気泳動表示素子のビューエリア周縁部の構造の一例の概略を示す図。本発明の各実施形態に係る電気泳動表示素子の表示原理を説明する図。マイクロリブの上底とコモン電極との間に間隙ができた状態を説明する図。本発明の第１の実施形態に係るコモン電極に遮光パターンを形成した場合のビューエリアの構造の一例の概略を示す図。本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る電気泳動表示素子のビューエリアの構造の一例の概略を示す図。本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る電気泳動表示素子のビューエリアの構造の一例の概略を示す図。本発明の第２の実施形態に係る電気泳動表示素子のビューエリア周縁部の構造の一例の概略を示す図。本発明の第３の実施形態に係る電気泳動表示素子のビューエリア周縁部の構造の一例の概略を示す図。

［第１の実施形態］
まず、本発明の第１の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る電気泳動表示素子の構造の一例の概略を示しており、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は断面図である。本実施形態に係る電気泳動表示素子は、図１に示す様に、画素側基板１と、画素側基板１上に形成された微小な隔壁であるマイクロリブ２１を有する画素エリア２と、マイクロリブ２１を挟んで画素側基板１と貼り合わされるＣＯＭ基板３と、画素側基板１とＣＯＭ基板３とを貼り合わせるシール部４とを有している。

シール部４は、図２にその断面の概略の拡大図を示す様に、シール材４１とその中に含まれる円柱形状をしたシールギャップ材４２により構成されている。シールギャップ材４２の直径は、マイクロリブ２１の高さと同程度である。従って、シールギャップ材４２により、画素側基板１とＣＯＭ基板３とが、平行かつそれらの間隔をマイクロリブ２１の高さとする様に維持される。そして、その状態でシール材４１により画素側基板１とＣＯＭ基板３が貼り合わされる。

画素エリア２の概略の拡大図を図３に示す。尚、図３は簡単の為、一部を省略して概要を図示している。図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、画素側基板１上には、画素を構成するための、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜等で構成される画素電極２２が形成されている。そして、それぞれの画素電極２２は、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２３のソース電極に接続されている。また、ＴＦＴ２３のゲート電極には走査線２４が、ドレイン電極には信号線２５がそれぞれ接続されている。そして、これら走査線２４と信号線２５は直交している。また、図３（ａ）及び（ｂ）では図示を省略しているが、画素側基板１とそれぞれの画素電極２２との間には容量電極が形成されており、これらは容量電極線に接続されている。ＴＦＴ２３、走査線２４、信号線２５及び前記容量電極線の上には、それぞれの画素電極２２を囲み、画素電極２２の上面を露出する様にマイクロリブ２１が形成されている。マイクロリブ２１の形成方法としては、例えばフォトリソグラフィプロセス等が考えられる。ここでは、ＴＦＴ２３のドレイン電極を信号線２５と接続し、ソース電極を画素電極２２と接続しているとしたが、これとは逆にＴＦＴ２３のソース電極を信号線２５と接続し、ドレイン電極を画素電極２２と接続するようにしても良い。

マイクロリブ２１の上底にはＣＯＭ基板３が乗せられている。ここで、ＣＯＭ基板３は、ガラス基板等の透明性を有する透明基板３１に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜で構成されたコモン電極３２が形成されているものである。画素側基板１と、ＣＯＭ基板３と、マイクロリブ２１に囲まれた各画素区画には、図３（ｂ）の断面図に示す様に、溶媒５１中に懸濁した黒色のプラス帯電微粒子５２と白色のマイナス帯電微粒子５３とが封入されている。

ここで、画素エリア２の周縁部の概略の拡大図を図４に示す。図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は断面図を示している。図４（ａ）に示す通り、画素エリア２は、ビューエリア６１とダミー画素エリア６２とを有している。ビューエリア６１は、実際に画像を表示するためのエリアである。このビューエリア６１は、各々がマイクロリブ２１に囲まれてなる複数の区画を有し、各区画内に画素電極が形成されて構成されている。また、ビューエリア６１の周囲には、マイクロリブ２１に囲まれ、かつ画素電極が形成されていない１区画分幅のダミー画素エリア６２が形成されて構成されている。

このダミー画素エリア６２のマイクロリブ２１が、ＣＯＭ基板３を画素側基板１と平行に貼り合わせ、各画素区画の高さを均一にすることに重要な役割を果たしている。即ち、図４（ｂ）に示すように、シール部４と画素エリア２との距離は、画素側基板１とＣＯＭ基板３との間隔に比し大きいため、画素エリア２の周縁部ではＣＯＭ基板３は撓み易い。このＣＯＭ基板３の撓みは、特に画素エリア２の周縁部の画素区画の高さに不均一性を発生させる要因となる。前記の通りこの不均一性は表示画像の悪化を招く。本実施形態では、画素電極２２を有するビューエリア６１の外縁に、画像表示と関係がないダミー画素エリア６２を設けることで、たとえダミー画素エリア６２において画素区画の高さに不均一性が発生しても、ビューエリア６１内に画素区画の高さに不均一性を生じさせない。これにより、表示画像の質の悪化を抑制する。

このように、例えば、画素側基板１は、第１の基板として機能し、例えば、シール部４は、第１の接着部として機能し、例えば、マイクロリブ２１は、隔壁部及び間隙維持隔壁部として機能し、例えば、画素電極２２は、第１の電極として機能し、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２３は、スイッチング用薄膜トランジスタとして機能し、例えば、走査線２４は、走査線として機能し、例えば、信号線２５は、信号線として機能し、例えば、透明基板３１は、第２の基板として機能し、例えば、コモン電極３２は、第２の電極として機能し、例えば、容量電極線は、容量線として機能し、例えば、溶媒５１は、分散材として機能し、例えば、黒色のプラス帯電微粒子５２及び白色のマイナス帯電微粒子５３は、帯電粒子として機能し、例えば、シール材４１は、接着剤として機能し、例えば、シールギャップ材４２は、間隙維持部材として機能する。

次に本実施形態に係る電気泳動表示素子の動作を説明する。図３（ａ）における左右方向、つまり同じ行の各画素電極２２のスイッチング素子であるＴＦＴ２３のゲート電極に接続している走査線２４の１つに、走査信号を印加する。走査線２４に走査信号が印加されると該走査線２４に接続されているＴＦＴ２３がＯＮ状態となる。この時、図３（ａ）における上下方向、つまり同じ列のＴＦＴ２３のドレイン電極に接続している信号線２５に、それぞれ表示信号を印加する。すると、走査信号が印加された行のうち、表示信号が印加された列に対応する画素電極２２に画素電圧が印加される。この様にして、各走査線２４に順に走査信号を印加し、それと同時に画素電圧を印加したい信号線２５に表示信号を印加することによって、全画素のうち望みの画素に、順に画素電圧を印加することができる。一方で、コモン電極３２は一定電圧に維持されている。また、画素電極下の容量電極もコモン電極３２と同電圧に維持されている。

本実施形態に係る電気泳動表示素子の表示原理を図５に示す。この図に示す様に、画素電極２２に画素電圧が印加されると、それと対向するコモン電極３２との間に電場が生じる。すると、発生した電場に従って、黒色のプラス帯電微粒子５２はマイナスの電極の方へ、白色のマイナス帯電微粒子５３はプラスの電極の方へ、それぞれ溶媒５１中を移動する。その結果、ＣＯＭ基板３側から図５中の黒矢印の向きに電気泳動表示素子を観察すると、ＣＯＭ基板３は透明なので、コモン電極３２に黒色のプラス帯電微粒子５２が集まって画素が黒く見え、逆にコモン電極３２に白色のマイナス帯電微粒子５３が集まって画素が白く見える。即ち画素毎に黒又は白を表示することができる。この様に、黒又は白表示させる画素の組み合わせによって、ビューエリア６１に希望する画像を表示することができる。

本実施形態の説明では、プラスに帯電した黒色微粒子とマイナスに帯電した白色微粒子を各画素区画に封入した場合を例に挙げて説明したが、黒色微粒子と白色微粒子の帯電状態は逆でも良い。更に、微粒子の色は他の色でも構わない。また、本実施形態の説明では、２種類の微粒子を各画素区画に封入した場合を例に挙げて説明したが、１種類の微粒子又は３種類以上の微粒子を各画素区画に封入しても構わないし、更にそれに応じて、１画素区画内の画素電極の数を複数にしても良い。

また、本実施形態の画素側基板は、ガラス基板、メタル基板、プラスチック基板、フィルム基板等でよく、ＴＦＴは低温ｐ−ＳｉＴＦＴ、μｃ−ＳｉＴＦＴ、酸化物(ＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯ等)ＴＦＴ、有機ＴＦＴ等でもよい。更に本実施形態の説明ではＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式の場合を説明したが、これに限らずセグメント方式やパッシブマトリクス駆動方式等その他の駆動方式で動作させても構わない。また、画素電極２２は例えばＩＴＯ膜等と説明したが、液晶表示装置などの場合と違い電気泳動表示素子の場合の表示は反射方式であるため、画素電極２２が透明である必要はなく、不透明の電極を用いてもよい。

ところで、画素側基板１とＣＯＭ基板３との貼り合わせを厳密に行っても、マイクロリブ２１の上底とコモン電極３２との間の一部にわずかな間隙が生じる可能性がある。封入する帯電微粒子は非常に小さいため、図６に示す白抜き矢印の部分の様に、前記間隙に微粒子が入り込んでしまうおそれがある。このようなマイクロリブ２１の上底とコモン電極３２の間の微粒子は、画素電極２２によってその動きを制御できないため、該電気泳動表示素子の表示品質を悪化させると考えられる。そこで、図７に示す様に、コモン電極３２上にマイクロリブ２１の面方向の形状に一致させて遮光パターン３３を形成し、観察者からマイクロリブ２１の上底が見えない様にし、マイクロリブ２１の上底に存在する帯電微粒子に起因する表示品質の悪化を抑制することが好ましい。

本実施形態に係るマイクロリブ２１で形成した画素区画に帯電微粒子を封入し画像を表示させる電気泳動表示素子において、画素側基板１とＣＯＭ基板３とを、間隔が均一になるように平行に貼り合わせ、各画素区画の高さを均一にすることは、良質な画像を表示させるために重要である。そこで本実施形態では、画素電極２２を有し、実際に画像を表示するビューエリア６１の画素区画の周囲に、その画素区画を形成しているのと同じ形状のマイクロリブ２１に囲まれ、かつ画素電極が形成されていない１区画分幅のダミー画素エリア６２を形成している。このダミー画素エリア６２を形成しているマイクロリブ２１の存在により、ビューエリア６１の画素区画において、画素側基板１とＣＯＭ基板３との面の平行性及び間隔の均一性が保たれる。即ち、画素側基板１とＣＯＭ基板３との間隔に比して大きいシール部４とビューエリア６１の周縁部との距離のために生じるＣＯＭ基板３の撓みを、画質とは関係がないダミー画素エリア６２で抑えることによって、ビューエリア６１における画素側基板１とＣＯＭ基板３との平行性を向上させている。これは良質な画像の表示に寄与する。逆に言うと、仮にダミー画素エリア６２がない場合、ＣＯＭ基板３の撓みは、ビューエリア６１の周縁部の画素区画の高さの不均一性を招き、その結果、表示画質が悪化するおそれがある。以上のように本実施形態に係る電気泳動表示素子によれば、溶媒と帯電微粒子を封入する空間が均一に形成され、良好な画質を表示することができる。

次に、本実施形態の第１の変形例について説明する。ここでは第１の実施形態との相違点に限定して説明する。尚、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

第１の実施形態では、画素側基板１とＣＯＭ基板３との貼り合わせは、シール部４のシール材４１によってのみ行っている。しかし、これでは図６を参照して説明したように、マイクロリブ２１の上底とコモン電極３２との間にわずかな間隙が生じ、そこに帯電微粒子が入り込む恐れがある。そこで、図８に示す様に、コモン電極３２上にマイクロリブ２１の面方向の形状に一致させて接着機能付遮光パターン３４を形成し、これにより画素側基板１とＣＯＭ基板３との貼り合わせを確実にすると共に、マイクロリブ２１の上底に帯電微粒子が入り込むことを防ぐ。このように、例えば、接着機能付遮光パターン３４は、第２の接着部として機能する。

本変形例によれば、画素側基板１とＣＯＭ基板３との貼り合わせにおける該２面の平行性及び間隔の均一性が第１の実施形態に比して向上する。更にマイクロリブ２１の上底に帯電微粒子が入り込むことを防げる。その結果、該電気泳動表示素子の画質を向上させることができる。

次に、本実施形態の第２の変形例について説明する。ここでは第１の実施形態との相違点に限定して説明する。尚、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

第１の実施形態では、画素側基板１上にマイクロリブ２１を形成し、コモン電極３２を形成したＣＯＭ基板３と貼り合わせている。これに対して本変形例では、図９に示す様に、画素側基板１上の画素区画の形状に一致させてＣＯＭ基板３のコモン電極３２上にマイクロリブ２１を形成し、画素側基板１とＣＯＭ基板３を貼り合わせる。

本変形例によれば、マイクロリブ２１の上底と画素側基板１との間にわずかな間隙が生じ、そこに帯電微粒子が入り込んだとしても、それらはマイクロリブ２１の陰になり観察者から見えない。その結果、マイクロリブ２１の上底に存在する帯電微粒子による該電気泳動表示素子の画質の劣化を抑制することができる。

また、本変形例は、第１の変形例と組み合わせて実施されても良い。即ち、ＣＯＭ基板３のコモン電極３２上にマイクロリブ２１を形成し、その面方向の形状に一致させて画素側基板１上に接着機能付遮光パターン３４を形成し、それらを貼り合わせても良い。これによって、変形例１と同様の効果を得ることができる。

［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について図面を参照して説明する。ここでは第１の実施形態との相違点に限定して説明する。尚、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

第１の実施形態では、ビューエリア６１の周囲に、１区画分のダミー画素エリア６２が形成されている。これに対して、本実施形態では、図１０（ａ）に示す様にダミー画素エリア６２をシール部４の近隣まで形成する。この時、シール部４にシールギャップ材４２を含む場合、マイクロリブ２１にシールギャップ材４２が重なると、画素側基板１とＣＯＭ基板３との距離がマイクロリブ２１の高さと異なり不都合である。このため、ダミー画素エリア６２はシール部４に重ならないようにする。

また、本実施形態においても第１の実施形態の場合と同様に、図７を参照して説明した様に、コモン電極３２上にマイクロリブ２１の面方向の形状に一致させて遮光パターン３３を形成しても良い。また、図８を参照して説明した第１の変形例と同様に、コモン電極３２上にマイクロリブ２１の面方向の形状に一致させて接着機能付遮光パターン３４を形成し、これも用いて画素側基板１とＣＯＭ基板３とを貼り合わせても良い。また、図９を参照して説明した第２の変形例と同様に、画素側基板１上の画素区画の形状に一致させてＣＯＭ基板３のコモン電極３２上にマイクロリブ２１を形成し、画素側基板１とＣＯＭ基板３を貼り合わせても良い。更にこれらの組み合わせを実施しても良い。

本実施形態によれば、図１０（ｂ）に示すように、第１の実施形態の場合に比してシール部４とダミー画素エリア６２の周縁部との間隔が短くなるので、画素側基板１とＣＯＭ基板３との面の平行性及び間隔の均一性が向上する。このことは、第１の実施形態よりも更に良質な画像の表示に寄与する。

［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態について図面を参照して説明する。ここでは第１乃至２の実施形態との相違点に限定して説明する。尚、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

第２の実施形態では、シール部４にシールギャップ材４２を含むので、ダミー画素エリア６２をシール部４の近隣まで形成しシール部４には形成しない。ここで、第１乃至２の実施形態において、シールギャップ材４２は、その直径をマイクロリブ２１の高さと同程度とすることで、画素側基板１とＣＯＭ基板３との間隔をマイクロリブ２１の高さと等しくしている。従って、シールギャップ材４２に代わり、マイクロリブ２１で、画素側基板１とＣＯＭ基板３との間隔を調整することもできる。そこで本実施形態では、図１１（ａ）に示す様に、シール部４にシールギャップ材を含まず、ダミー画素エリア６２をシール部４にも形成している。

本実施形態によれば、図１１（ｂ）に示すように、同じパターンで形成されるマイクロリブ２１のみで画素側基板１とＣＯＭ基板３との間隔を維持するので、画素側基板１とＣＯＭ基板３との面の平行性及び間隔の均一性は第１乃至２の実施形態に比して向上する。このことは、第１乃至２に実施形態よりも更に良質な画像の表示に寄与する。

以上の３つの実施形態においては、ダミー画素エリア６２のマイクロリブ２１の面方向の形状は、ビューエリア６１のマイクロリブ２１の面方向の形状と同一としたが、勿論、ビューエリア６１のマイクロリブ２１と高さが等しければ、面方向の形状は異なるものでも良い。

尚、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても、発明が解決しようとする課題の欄で述べられた課題が解決でき、かつ、発明の効果が得られる場合には、この構成要素が削除された構成も発明として抽出され得る。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１…画素側基板、２…画素エリア、３…ＣＯＭ基板、４…シール部、２１…マイクロリブ、２２…画素電極、２３…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、２４…走査線、２５…信号線、３１…透明基板、３２…コモン電極、３３…遮光パターン、３４…接着機能付遮光パターン、４１…シール材、４２…シールギャップ材、５１…溶媒、５２…黒色のプラス帯電微粒子、５３…白色のマイナス帯電微粒子、６１…ビューエリア、６２…ダミー画素エリア。

Claims

第１の基板と、
前記第１の基板と対峙する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを一定間隔の間隙を有する状態で貼り合せる第１の接着部と、
前記間隙に閉じた空間である画素空間を形成し、前記第１の基板と前記第２の基板と共に該画素空間の境界を構成する隔壁部と、
前記画素空間中の前記第１の基板上に形成されている第１の電極と、
前記画素空間中の前記第２の基板上に形成されている第２の電極と、
前記画素空間に封入されている分散材と該分散材に懸濁されている帯電粒子とを有する表示液と、
前記画素空間の外部かつ前記第１の基板と前記第２の基板とに挟まれた前記間隙の空間に、前記第１の基板と前記第２の基板とに接する様に形成されている間隙維持隔壁部と、
を具備することを特徴とする電気泳動表示素子。
前記第１の接着部は、
前記第１の基板及び前記第２の基板を接着する接着剤を有し、
前記間隙維持隔壁部は前記第１の接着部と前記隔壁部との間に形成されており、
前記間隙維持隔壁部は更に前記第１の接着部にも形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示素子。
前記帯電粒子は正に帯電した粒子と負に帯電した粒子とを含むことを特徴とする請求項２に記載の電気泳動表示素子。
前記第１の電極にソース電極及びドレイン電極のうちいずれか一方が接続されているスイッチング用薄膜トランジスタと、
前記各スイッチング用薄膜トランジスタのゲート電極に走査信号を供給するための走査線と、
前記走査線と直交し前記各スイッチング用薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のうち前記第１の電極が接続していない方にデータ信号を供給するための信号線と、
前記第１の電極との間に電気容量を形成する容量線と、
を更に具備することを特徴とする請求項３に記載の電気泳動表示素子。
前記各スイッチング用薄膜トランジスタ、前記走査線、前記信号線、及び前記容量線は、前記第１の基板と前記隔壁部とに挟まれる位置に配線されていることを特徴とする請求項４に記載の電気泳動表示素子。
前記隔壁部と前記第２の電極との接触部に第２の接着部を更に具備することを特徴とする請求項５に記載の電気泳動表示素子。
前記第１の接着部は、
前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間隙を一定間隔に維持するための間隙維持部材と、
を有し、
前記間隙維持隔壁部は、前記第１の接着部と前記隔壁部との間に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示素子。