JP2011040167A - Display and its manufacturing method - Google Patents

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JP2011040167A JP2008290396A JP2008290396A JP2011040167A JP 2011040167 A JP2011040167 A JP 2011040167A JP 2008290396 A JP2008290396 A JP 2008290396A JP 2008290396 A JP2008290396 A JP 2008290396A JP 2011040167 A JP2011040167 A JP 2011040167A
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JP2008290396A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinya Ono
Takashi Osako
崇 大迫
晋也 小野
Original Assignee
Panasonic Corp
パナソニック株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display and its manufacturing method, with brightness unevenness between pixels substantially reduced while restraining inflow of overcurrent into pixels, and excellent in productivity. <P>SOLUTION: The display 100 with a plurality of light-emitting pixels 95 arranged, includes a substrate 10, a first electrode 20 formed on the substrate 10, an auxiliary wiring 30 formed in electric insulation from the first electrode 20, a light-emitting part 90 formed on the first electrode 20 and emitting light in accordance with electric current, a second electrode 80 formed at least on an upper surface of the light-emitting part 90, and an electron transport layer 70 electrically connecting the second electrode 80 and a part of the upper surface of the auxiliary wiring 30. The light-emitting part 90 includes at least the electron transport layer 70. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子を用いた表示装置において、特に、有機EL素子の輝度ばらつきを低減した表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention is a display device using an organic electroluminescence (EL) device, and more particularly to a display device and a manufacturing method thereof with reduced brightness variation of the organic EL element.

近年、従来のCRTディスプレイに対して、薄型、軽量、低消費電力などの特徴を有する液晶ディスプレイなどの平面型の表示装置の需要が急速に伸びている。 Recently, the conventional CRT displays, thin, light, the demand for flat type display device such as a liquid crystal display having features such as low power consumption is rapidly increasing. しかし、液晶ディスプレイは、視野角や応答性などに課題を有している。 However, liquid crystal display has a problem in such viewing angle and response.

その課題を改善するために、最近では、自発光、高視野角、高速応答性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と記す)を用いた、単純マトリクス方式やアクティブマトリクス方式などの表示装置が注目されている。 To improve the problem, recently, self-luminous, high viewing angle, the organic electroluminescence element having high-speed response (hereinafter, referred to as "organic EL device") using a simple matrix method or an active matrix method, etc. of the display device has been attracting attention. 特に、高精細や大画面化に有利なアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が活発に行われている。 In particular, the development of a display device of the preferred active matrix system in high-definition and large screen has been actively carried out.

有機EL素子を用いた表示装置は、有機EL素子を用いた表示パネルと、有機EL素子を駆動する駆動回路から構成されている。 A display device using the organic EL element includes a display panel using an organic EL element, and a driving circuit for driving the organic EL element. そして、表示パネルは、ガラスなどの基板上に、Alなどの第1電極とそれに対向するITOなどの第2電極と、それらの間に発光層を設けた有機EL素子を、マトリクス状に配置して構成されている。 The display panel has, on a substrate such as glass, and a second electrode such as ITO for the first electrode and the opposed thereto such as Al, an organic EL device having a luminescent layer therebetween, arranged in a matrix It is configured Te. また、駆動回路は、有機EL素子を個別に駆動する薄膜トランジスタ(TFT)などで構成されている。 The driving circuit is constituted by a thin film transistor (TFT) for driving the organic EL element separately.

また、表示装置として、有機EL素子の発光した光を、基板を介して外部に取り出す下面発光方式と、基板と対向する第2電極側から取り出す上面発光方式が検討されている。 Further, as the display device, the light emitting the organic EL element, a bottom emission type which emit to the outside through the substrate, top emission type which emit from the second electrode side of the substrate facing has been studied. しかし、アクティブマトリクス方式の下面発光方式の表示装置では、駆動回路の薄膜トランジスタが基板に形成されるため、十分な開口率を確保することが困難となっている。 However, in the display device of the bottom emission type active matrix, since the thin film transistor in the driver circuit is formed on the substrate, it has become difficult to secure a sufficient aperture ratio.

一方、上面発光方式は、薄膜トランジスタなどにより開口率が制限されないため、下面発光方式に比べて発光した光の利用効率を高めることができる。 On the other hand, top emitting method, since such a aperture ratio TFT is not limited, it is possible to increase the light utilization efficiency of the emitted compared to the lower surface emission type. この場合、上面発光方式は、発光層の上面に形成した第2電極を介して光が外部に取り出されるため、第2電極に高い導電性とともに高い光透過性が要求される。 In this case, the top emission type, the light through the second electrode formed on the upper surface of the light emitting layer because it is taken out, a high optical transparency with high conductivity to the second electrode is required. しかし、一般に第2電極に用いられる透明導電性材料は、ITOなどの金属酸化物が用いられるが、金属酸化物は金属材料に比べて抵抗率が高い。 However, in general transparent conductive material used for the second electrode is a metal oxide such as ITO is used, the metal oxide has a higher resistivity than the metal material. そのため、表示パネルが大面積化されるほど、発光画素間で第2電極の配線長に差異が生じ、表示パネル面の有機EL素子の配置位置によって電圧がばらつき、表示品質の低下を生じるという問題があった。 Therefore, as the display panel is large area, differences are produced in the wiring length of the second electrode between light emitting pixels, the voltage variation depending on the arrangement positions of the organic EL elements of the display panel surface, a problem that results in a decrease in display quality was there.

上記問題を解決するために、図21に示されるような表示装置が開示されている(例えば、特許文献1参照)。 In order to solve the above problems, a display device as shown in FIG. 21 has been disclosed (e.g., see Patent Document 1).

図21は、特許文献1に記載された従来の表示装置の有する発光画素の構造断面図である。 Figure 21 is a sectional view of a structure of a luminescence pixel included in the conventional display device disclosed in Patent Document 1. 以下に、図21を用いて特許文献1の表示装置700について簡単に説明する。 It will be briefly explained below display device 700 of Patent Document 1 with reference to FIG. 21. 同図のように、表示装置700は、基板710と同一面に、抵抗率の低い導電材料からなる第1電極720と補助配線730とが、例えば、フォトリソグラフィ法などを用いて分離して設けられている。 As shown in the drawing, the display device 700, flush with the substrate 710, a first electrode 720 made of low resistivity conductive material and the auxiliary wiring 730, for example, provided separately by using a photolithography method It is. そして、第1電極720上に発光層である光変調層750が設けられ、その上に透明導電性材料からなる第2電極760が設けられている。 Then, the light modulating layer 750 which is a light-emitting layer on the first electrode 720 is provided, the second electrode 760 is provided made of a transparent conductive material thereon. さらに、隔壁740に部分的に設けられた開口部745を介して、補助配線730と第2電極760とが接続されている。 Furthermore, through the opening 745 provided in part on the partition wall 740, and the auxiliary wiring 730 and the second electrode 760 is connected.

また、同様に、特許文献2では、第1電極と第2電流供給線とがガラス基板の異なる層に設けられ、コンタクトホールを介して、第2電極と第2電流供給線とが接続された有機発光表示装置が開示されている。 Similarly, Patent Document 2, a first electrode and a second current supply line is provided in the different layers of the glass substrate, through a contact hole, and the second electrode and the second current supply line is connected the organic light emitting display device is disclosed. これにより、第2電極による配線抵抗を小さくして、表示面内の輝度ばらつきを低減できるとしている。 Thus, by reducing the wiring resistance of the second electrode, and to be able to reduce brightness variations in the display plane.
特開2002−318556号公報 JP 2002-318556 JP 特開2003−303687号公報 JP 2003-303687 JP

しかしながら、特許文献1及び特許文献2に開示された従来の表示装置では、第2電極と補助配線とが直接接続されるため、過電流が流れた場合に、駆動回路部などの表示装置に影響を与えることがある。 However, in the conventional display device disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, since the second electrode and the auxiliary wiring is directly connected, when an overcurrent flows, affect the display device, such as a driver circuit portion the substance may cause. また、発光部にも過電流が流れるので、発光部の信頼性、寿命にも影響を与える可能性がある。 Further, since the overcurrent flows in the light emitting portion, it may give reliability of the light-emitting portion, an effect on service life.

ここで、過電流とは、通常1サブ画素当りの発光部を発光するのに必要な電流が3μA〜5μAであるのに対して、例えば数10〜数100倍以上のパルス状の電流である。 Here, the overcurrent is usually 1 for current required to emit the light emitting portion per sub-pixel that is 3Myuei~5myuei, for example, several tens to several hundreds times of pulse current . そして、過電流は、例えば表示パネル製造中での静電気、または完成した表示装置に何らかの外部からのノイズなどによる電流、または他の画素が短絡した場合に発生する。 The overcurrent, for example, occur when static electricity in a display panel manufactured or finished display device to the current due to noise from some external, or other pixel, it is shorted.

また、特許文献1および特許文献2で開示された従来の表示装置では、第2電極と補助配線が接続開口部を介して直接接続されるため、接続開口部の面積が小さくても第2電極と補助配線との接続抵抗を十分に低く抑えることができる。 Further, in the conventional display device disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, since the auxiliary wiring and the second electrode is directly connected via the connecting opening, the second electrode have a smaller area of ​​the connecting opening the connection resistance between the auxiliary wiring can be suppressed sufficiently low. そして、直接接続を実現するには、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層および発光層などの発光動作に関与する全ての層が、接続開口部を被覆しないように形成する必要がある。 Then, to achieve the direct connection, an electron injection layer, an electron transport layer, hole injection layer, so that all the layers involved in the light emission operation such as a hole transport layer and the luminescent layer does not cover the connection opening it is necessary to form.

そのため、例えば真空蒸着法を用いて、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層および発光層などが接続開口部にかからないように形成するには、高精細マスクを使用する必要がある。 Therefore, for example, by a vacuum evaporation method, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer, and the like hole transport layer and the luminescent layer is formed so as not to connecting opening uses a high-resolution mask There is a need. しかし、高精細マスクの使用は、生産性よく、大画面や高精細の表示装置を製造する上で、位置合わせなどに課題がある。 However, the use of high-resolution mask, high productivity, in manufacturing a display device having a large screen and high definition, there is a problem in such positioning.

また、上述した高精細マスクの使用をせず、かつ、過電流が抑止された接続開口部を実現する構造として、補助電極と第2電極との間に、発光部の積層構造をそのまま残して配置した構造が考えられる。 Also, without the use of fine metal mask described above, and, as a structure for realizing the connection opening overcurrent is suppressed, between the auxiliary electrode and the second electrode, while leaving a stacked structure of the light emitting portion placed the structure is considered. この場合、発光部の形成と同時に、補助電極上に発光部の積層構造が形成され、高精細マスクを使用した接続開口部のパターニング工程を介さずに第2電極を形成することが可能となる。 In this case, simultaneously with the formation of the light emitting portion, the laminated structure of a light emitting portion on the auxiliary electrode is formed, it is possible to form the second electrode without using the patterning process of the connecting opening using fine metal mask . ところが、この構造は、発光部では、電流の流れる方向に対して順方向のダイオード特性を示すが、これとは逆に、接続開口部では電流の流れる方向に対して逆方向のダイオード特性を有してしまう。 However, this structure, the light emitting portion shows a forward diode characteristic with respect to the direction of current flow, on the contrary, have the reverse direction of the diode characteristic with respect to the direction of current flow in the connecting opening Resulting in. 従って、過電流を抑止することには効果を有するが、補助配線と第2電極との間に適度な導電性を有しないので、本来の目的である輝度バラツキ低減が達成されない。 Thus has the effect to suppress the overcurrent, does not have an appropriate conductivity between the auxiliary wiring and the second electrode, the brightness variation reduction is not achieved the original purpose.

本発明は上記課題を解決するためになされたもので、画素内への過電流の流入を抑止するとともに画素間の輝度バラツキを大幅に低減し、生産性に優れた表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, a display device and a manufacturing method thereof dramatically reduce brightness variation between pixels, superior in productivity to deter the flow of over current to the pixel an object of the present invention is to provide.

上記目的を達成するために、本発明は、複数の発光画素が配置されている表示装置であって、基板と、基板上または基板内に形成された第1電極と、前記第1電極と電気絶縁されて形成された補助配線と、前記第1電極上に形成され、電流に応じて発光する発光部と、少なくとも前記発光部の上面に形成された第2電極と、前記第2電極と前記補助配線の上面の少なくとも一部とを電気的に接続する接続部とを備え、前記発光部は、発光層及び少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか一層を含み、前記接続部は、発光層以外の少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層を含むことを特徴とする。 To achieve the above object, the present invention is a display device in which a plurality of light emitting pixels are arranged, a substrate, a first electrode formed on the substrate or in the substrate, the first electrode and the electrical wherein the formed auxiliary wiring is insulated, are formed on the first electrode, a light emitting unit for emitting light in response to current, and a second electrode formed on an upper surface of at least the light emitting portion, and the second electrode and a connecting portion for electrically connecting the at least a portion of the upper surface of the auxiliary wiring, the light emitting unit, the light emitting layer and at least an electron injection layer, an electron transporting layer, or the hole injection layer and a hole transport layer include more, the connection portion is at least the electron injection layer other than the light-emitting layer, electron transporting layer, characterized in that it comprises the one layer any of the hole injection layer and a hole transport layer.

これにより、画素内への過電流の流入を抑止するとともに画素間の輝度バラツキを大幅に低減することが可能となる。 This makes it possible to greatly reduce the luminance variation between pixels to deter the flow of over current to the pixel. 本発明は、接続部が、補助配線と第2電極との間に、発光部の構成要素である、発光層以外の少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層および正孔輸送層のいずれか一層を含む構成である。 The present invention, connecting portion, between the auxiliary wiring and the second electrode, which is a component of the light-emitting portion, at least an electron injection layer other than the light-emitting layer, the electron transport layer, a hole injection layer and a hole transport layer either it is more a configuration including. 接続部に設けられた層は、補助配線の金属や第2電極のITOに比べると電気抵抗が高いので、過電流に対する電気的な緩衝層として機能することにより、過電流を効果的に抑制できる。 Layer provided connecting portion, the electric resistance is higher than the ITO metal and the second electrode of the auxiliary wiring, by acting as an electrical buffer layer against overcurrent, can be effectively suppressed overcurrent . また、上述した接続部に設けられた層は、通常真空蒸着法などで基板上に蒸着されるが、高精細マスクを用いた当該層のパターニング工程が不要となるので、大画面化、高精細化に対して有利となる。 The layer provided on the connecting portion described above, but is deposited on the substrate in such ordinary vacuum deposition method, since the patterning step of the layer becomes unnecessary with high-definition mask, large screen, high definition and it is advantageous for the reduction.

また、前記接続部は、多層構造を有し、前記多層構造は、逆方向のダイオード特性を有し、かつ、前記接続部に印加される電圧に対して前記逆方向のダイオード特性を有する層の逆耐圧が低くてもよい。 Further, the connecting portion has a multilayer structure, the multilayer structure has a reverse diode characteristics, and the layer having the opposite direction of the diode characteristic with respect to the voltage applied to the connecting portion reverse breakdown voltage may be low.

接続部が、補助配線と第2電極との間に、発光部の構成要素である、発光層以外の少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層および正孔輸送層のいずれか一層を含む構成である場合、接続部の材料選択によっては、電流の流れる方向に対し逆ダイオード特性が出てしまうことが考えられる。 Connecting portion, between the auxiliary wiring and the second electrode, which is a component of the light-emitting portion, at least an electron injection layer other than the light-emitting layer, electron transporting layer, the greater one of a hole injection layer and a hole transport layer If it is configured to include, depending on the material selection of the connecting portion, it is conceivable that cause out reverse diode characteristics with respect to the direction of current flow. しかし、この構成により、当該構成の有する特性の逆耐圧より接続部全体にかかる電圧が大きいので、なだれ電流が発生する。 However, this configuration, the voltage applied to the entire connection unit from the reverse withstand voltage characteristics possessed by the structure is large, avalanche current is generated. よって、画素内への過電流の流入を抑止するとともに画素間の輝度バラツキを大幅に低減することが可能となる。 Therefore, it is possible to greatly reduce the luminance variation between pixels to deter the flow of over current to the pixel.

また、前記接続部は、前記第2電極と前記補助配線との間で逆方向のダイオード特性を有しないことが好ましい。 Further, the connection portion preferably does not have a reverse direction of the diode characteristic between the auxiliary wiring and the second electrode.

これにより、第2電極と補助配線との間に逆方向のダイオード特性を有しないので、接続部が導電層として機能することにより、画素間の輝度バラツキを大幅に低減することが可能となる。 Thus, since it does not have a reverse diode characteristics between the auxiliary wiring and the second electrode, by the connection portion functions as a conductive layer, it is possible to greatly reduce the luminance variation between pixels.

また、前記基板は、少なくとも第1層及び当該第1層と異なる第2層とを有し、前記第1電極は、前記第1層上に形成され、前記補助配線は、前記第2層上に形成されていてもよい。 Further, the substrate has at least a first layer and the first layer is different from the second layer, the first electrode is formed on the first layer, the auxiliary line, the second layer on the it may be formed on.

これにより、補助配線の配置位置や面積などが、第1電極の配置により制限を受けにくいので、設計自由度の高い表示装置を実現できる。 Thus, such arrangement position and area of ​​the auxiliary wiring is not easily restricted by the arrangement of the first electrode, it is possible to realize a display device with high design flexibility. 例えば、補助配線と第1電極とを、それぞれ、基板の異なる層に設けることにより、補助配線と第1電極とが重なるように形成することもできるため、補助配線の面積を大幅に拡大できる。 For example, the auxiliary wiring and the first electrode, respectively, by providing the different layers of the substrate, since it also be formed to the auxiliary wiring and the first electrode are overlapped, can be greatly increasing the area of ​​the auxiliary wiring. そして、それに対応して補助配線と接合部との接続面積を拡大できる。 Then, enlarge the contact area between the auxiliary wiring and junction correspondingly. その結果、過電流を効果的に抑制できる。 As a result, it is possible to effectively suppress an overcurrent. さらに、第1電極と補助配線とを立体的に配置できるため、配線電極の形状や大きさに対する制限を大幅に緩和できる。 Furthermore, since the first electrode and the auxiliary wiring can be arranged three-dimensionally, it can be greatly relaxed restrictions on the shape and size of the wire electrode. また、第1電極と補助配線とを異なる材料で構成できるため、補助配線では必要な抵抗率に応じて、また第1電極では発光部の構成に応じて最適な材料など、選択の範囲が拡大する。 Further, since it constitutes the first electrode and the auxiliary wiring of different materials, depending on the required resistivity in the auxiliary wiring and the first electrode such as an optimum material according to the configuration of the light emitting portion, the range of selection expansion to. 例えば、下面発光方式の場合、第1電極を透明性の導電材料で形成し、補助配線を金属材料で形成することができる。 For example, the case of bottom emission type, forming a first electrode of a transparent conductive material, an auxiliary wiring can be formed of a metal material.

また、前記接続部の有する、少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層は、前記発光部及び前記接続部にわたり、連続して形成されていることが好ましい。 Further, a of said connecting portion, at least an electron injection layer, an electron transport layer, or wherein the layer of the hole injection layer and a hole transport layer over the light emitting portion and the connecting portion, that are formed continuously It is preferred.

これにより、接続部の有する層が発光部の有する層と一体的に設けられるので、生産性に優れた表示装置を実現できる。 Thus, the layer having the connecting portion is provided integrally with the layer having the light emitting portion can realize excellent display productivity.

また、前記表示装置は、前記複数の発光画素がマトリクス状に配置されており、前記第1電極及び前記発光部は、少なくとも前記発光画素ごとに離間して設けられ、前記補助配線は、少なくとも前記発光画素列ごと及び前記発光画素行ごとのいずれかに配置されていることが好ましい。 Further, the display device, the plurality of light emitting pixels are arranged in a matrix, the first electrode and the light emitting portion is provided at a distance from each other in at least every light emitting pixel, the auxiliary line, at least the it is preferably arranged in one of each and the pixel rows each emitting pixel columns.

これにより、第2電極と補助配線間の距離に依存する配線抵抗を低減して、駆動電圧の変動を抑制し、表示品質の高いカラー表示装置を実現でき、また、第2電極と補助配線との耐過電流特性を向上できる。 Thus, to reduce the wiring resistance which depends on the distance between the auxiliary wiring and the second electrode, suppressing the fluctuation in driving voltage can be realized with high display quality color display device also includes a second electrode and the auxiliary wiring to abnormal current characteristics of it can be improved.

また、前記複数の発光画素のそれぞれは、少なくとも3つのサブ画素で構成され、前記第1電極及び前記発光部は、前記サブ画素ごとに離間して設けられ、前記補助配線は、少なくとも前記サブ画素列ごと及び前記サブ画素行ごとのいずれかに配置されていてもよい。 Further, each of the plurality of light emitting pixels, composed of at least three sub-pixels, the first electrode and the light emitting portion is provided at a distance from each other in each of the sub-pixel, the auxiliary line, at least the sub-pixel it may be arranged in any one of each and the sub-pixel lines per column.

これにより、第2電極と補助配線間の距離に依存する配線抵抗を大幅に低減して、駆動電圧の変動をさらに抑制し、表示品質の高いカラー表示装置を実現できる。 Thus, the wiring resistance which depends on the distance between the auxiliary wiring and the second electrode is greatly reduced, further suppressing the fluctuation in driving voltage can be realized with high display quality color display device.

また、前記複数の発光画素のそれぞれは、少なくとも3つのサブ画素で構成され、前記第1電極及び前記発光部は、前記サブ画素ごとに離間して設けられ、前記補助配線は、少なくとも前記発光画素列ごと及び前記発光画素行ごとのいずれかに配置されていてもよい。 Further, each of the plurality of light emitting pixels, composed of at least three sub-pixels, the first electrode and the light emitting portion is provided at a distance from each other in each of the sub-pixel, the auxiliary line, at least the light emitting pixel it may be arranged in any one of each and the pixel rows for each column.

これにより、補助配線と第2電極は、1サブ画素ごとに補助配線が設けられる場合と比較して、補助配線の本数や接合ポイント数を低減できるので、より広い接合開口部の面積を介して接続することが可能となる。 Thus, the auxiliary wiring and the second electrode, as compared with the case where the auxiliary wirings for each sub-pixel is provided, it is possible to reduce the number of number and junction point of the auxiliary wiring, through the area of ​​the wider joint opening it is possible to connect. その結果、第2電極の電圧変動をさらに抑制し、表示パネルの表示の均一性を向上することができる。 As a result, the voltage variation of the second electrode is further suppressed, it is possible to improve the display uniformity of the display panel.

また、前記電子輸送層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びこれらの化合物のうち少なくともいずれか1つを含むことが好ましい。 Further, the electron transport layer, an alkali metal, preferably contains at least any one of alkaline earth metals and compounds thereof.

これにより、電子輸送効率や注入効率を向上することができる。 This makes it possible to improve the electron transport efficiency and injection efficiency.

また、前記基板は、さらに、前記第1電極の下に配置された層間絶縁層と、前記層間絶縁層の下に配置され、前記発光画素を駆動する駆動素子を有する駆動回路層とを備え、前記層間絶縁層に設けられた導電ビアを介し、前記第1電極と前記駆動素子とが接続されていてもよい。 The substrate may further, an interlayer insulating layer disposed under the first electrode is disposed under the interlayer insulating layer, and a drive circuit layer including a drive element for driving the light emitting pixels, through a conductive vias provided in the interlayer insulating layer, said first electrode and said driving element may be connected.

これにより、画素部内に駆動回路を一体化したアクティブマトリクス型の表示装置を実現できる。 This realizes the active matrix display device with integrated drive circuits in the pixel portion.

また、前記駆動素子は、薄膜トランジスタからなり、前記第1電極は、前記導電ビアを介し前記駆動素子のソース端子又はドレイン端子と接続されていることが好ましい。 The driving element consists of a thin film transistor, the first electrode, the source terminal of the drive element through the conductive vias or it is preferably connected to the drain terminal.

これにより、第2電極と補助配線との接続抵抗が変動しても、発光部に印加される電圧の変動を抑制できる。 Accordingly, even if the connection resistance between the auxiliary wiring and the second electrode varies, it can suppress the fluctuation of the voltage applied to the light emitting portion. その結果、表示品質に優れる表示装置を実現できる。 As a result, it is possible to realize a display device having excellent display quality.

また、本発明の表示装置の製造方法は、複数の発光画素が配置されている表示装置の製造方法であって、基板上または基板内に、第1電極と当該第1電極と電気絶縁された補助配線とを形成する第1形成工程と、前記第1電極上に、発光層及び少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか一層を含み、電流に応じて発光する発光部と、前記補助配線上に、少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層を含む接続部とを形成する第2形成工程と、前記第2形成工程の後、少なくとも前記発光部及び前記接続部の上に、第2電極を形成する第3形成工程とを含むことを特徴とする。 A method of manufacturing a display device of the present invention is a manufacturing method of a display device in which a plurality of light-emitting pixels are arranged, on the substrate or in the substrate, it is electrically insulated from the first electrode and the first electrode a first formation step of forming the auxiliary wiring, on the first electrode includes the light-emitting layer and at least an electron injection layer, an electron transporting layer, the greater one of the hole injection layer and a hole transport layer, depending on the current a light emitting unit for emitting Te, on the auxiliary line, and a second forming step of forming at least an electron injection layer, an electron transport layer, and a connecting portion including the one layer any of the hole injection layer and a hole transport layer, after the second forming step, on at least the light emitting portion and the connecting portion, characterized in that it comprises a third forming step of forming a second electrode.

この方法により、補助配線と第2電極とを広い接続面積で接続し、第2電極の配線抵抗を大幅に低減した表示装置を製造できる。 In this way, the auxiliary wiring and the second electrode is connected with a wide contact area can be produced display device greatly reduce the wiring resistance of the second electrode. そして、少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層および正孔輸送層のいずれかの層を介して接続するため、表示パネルとして実用上問題とならない程度の小さい接続抵抗で接続した表示装置を容易に製造できる。 Then, at least an electron injection layer, an electron transporting layer, for connecting through one of the layers of the hole injection layer and a hole transport layer, a display device connected with a small connection resistance enough to no practical problem as a display panel the can be easily manufactured. さらに、高精細マスクを用いて、例えば真空蒸着法などで表示パネルの基板上に蒸着する必要がなくなるので、大画面化、高精細化に容易に対応できる。 Further, by using a fine metal mask, for example, the need to deposit on the substrate of the display panel vacuum evaporation is eliminated, large screen, it is possible to easily deal with a higher definition. その上、接続部を構成する層をパターン形成する必要がないので、製造プロセスを簡素化して生産性を向上できる。 Moreover, it is not necessary to the layer patterned constituting the connection portion can improve the productivity by simplifying the manufacturing process.

また、前記基板は、少なくとも第1層及び当該第1層と異なる第2層を有し、前記第1形成工程では、前記第1層の上に前記第1電極を形成し、前記第2層の上に前記補助配線を形成してもよい。 The substrate has at least a second layer different from the first layer and the first layer, wherein in the first forming step, the first electrode is formed on the first layer, the second layer the auxiliary line may be formed on the.

この方法により、補助配線の形成位置や面積などは、第1電極の配置による制限を受けにくくなり、設計自由度の高い表示装置を製造できる。 This method, like the forming position and area of ​​the auxiliary wiring is hardly limited by the arrangement of the first electrode, can be manufactured display device with high design flexibility.

本発明によれば、画素内への過電流の流入を抑止するとともに、配線抵抗の低減により、画素間の輝度バラツキを大幅に低減した表示品質の高い表示装置を実現できる。 According to the present invention, to deter the flow of over current to the pixel, by reducing the wiring resistance can be realized with high display device display quality that greatly reduces the luminance variation between pixels. また、製造プロセスを簡略化できるので生産性に優れた表示装置の製造方法を提供できる。 In addition, it provides a method for producing excellent display device in productivity since the manufacturing process can be simplified.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to the drawings, embodiments of the present invention. なお、以下の実施の形態および各図面において、同じ構成要素には同じ符号を付し説明する。 In the following embodiments and the drawings, the same components will be described the same reference numerals. また、以下では、上面発光方式の陽極(アノード)を第1電極、陰極(カソード)を第2電極とする有機EL素子からなる表示装置を例に説明するが、これに限られない。 Further, in the following description anode (anode) of the first electrode of the top emission type, the display device a cathode (cathode) made of an organic EL element according to the second electrode as an example, not limited thereto.

(実施の形態1) (Embodiment 1)
以下に、本発明の実施の形態1における表示装置について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, the display device in the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1(a)は、本発明の実施の形態1における表示装置の要部を説明する部分平面図である。 Figure 1 (a) is a partial plan view illustrating a main part of a display device according to the first embodiment of the present invention. また、図1(b)は、図1(a)のA−A'線に沿って切断した要部断面図である。 Further, FIG. 1 (b) is a fragmentary cross-sectional view taken along line A-A 'in FIG. 1 (a).

図1(b)に記載された本実施の形態に係る表示装置100は、基板10と、基板10上に設けられた第1電極20及び補助配線30と、第1電極20上に設けられた正孔注入層40と、画素開口部45及び接続開口部35を形成する隔壁50と、画素開口部45に設けられた発光層60と、それらの上面に設けられた電子輸送層70と、電子輸送層70上に設けられた第2電極80とから構成されている。 Display device 100 according to the embodiment described in FIG. 1 (b), a substrate 10, a first electrode 20 and the auxiliary wiring 30 provided on the substrate 10, provided on the first electrode 20 a hole injection layer 40, a partition wall 50 forming the pixel openings 45 and connecting opening 35, the emitting layer 60 provided on the pixel opening 45, the electron transport layer 70 provided on their upper surface, electronic and a second electrode 80. provided on the transport layer 70.

また、図1(a)に記載されたように、表示装置100は、発光部90を備える発光画素95がマトリクス状に配置され、補助配線30は、各発光部90に沿って発光画素列ごとに配置して設けられている。 Further, as described in FIG. 1 (a), the display device 100, light-emitting pixel 95 including a light emitting portion 90 are arranged in a matrix, the auxiliary wiring 30, each light-emitting pixel column along the light-emitting portions 90 It is provided arranged. なお、図1(b)に記載された電子輸送層70及び第2電極80は、図1(a)に記載された部分平面図の全面にわたって形成されている。 The electron transport layer 70 and the second electrode 80 described in FIG. 1 (b), are formed over the entire surface of the portion plan view according to FIG. 1 (a). そして、補助配線30と第2電極80は、補助配線30に沿って設けられた接続開口部35において、電子輸送層70からなる接続部を介して電気的に接続されている。 The auxiliary wiring 30 and the second electrode 80, the connecting opening 35 provided along the auxiliary wiring 30 are electrically connected via a connecting portion formed of an electron transporting layer 70. このとき、第2電極80、電子輸送層70および補助配線30が、電流の流れる方向に対して、オーミック接続またはダイオード接続となるように構成されている。 In this case, the second electrode 80, the electron transport layer 70 and the auxiliary wiring 30 is, with respect to the direction of current flow, and is configured such that the ohmic connection or diode-connected. つまり、上記接続が、第2電極80から補助配線30に向かって、逆方向のダイオード特性を有しない構造となっている。 That is, the connection is, toward the auxiliary wiring 30 from the second electrode 80, and has a structure having no reverse diode characteristics. さらに、本発明の課題である過電流流入の抑止を実現するため、接続部の構成層である電子輸送層70は、積層方向に対して、第2電極及び補助配線の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有することが好ましい。 Furthermore, in order to realize the suppression of over-current flows, which is the object of the present invention, the electron transport layer 70 is a constituent layer of the connecting portion, to the stacking direction, higher than the electrical resistance of the second electrode and the auxiliary wiring it is preferable to have an electric resistance value.

なお、接続構成が、電流の流れる方向に対して、電流の流れを阻止しない層構成であれば、上記構造に限定されない。 Note that the connection configuration, the direction of current flow, if the layer structure which does not block the flow of current, not limited to the above structure. 例えば、第2電極80と補助配線30との間の構造が、多層構造であって電流の流れる方向について、逆方向のダイオード特性を有する構造となっていても、第2電極80と補助配線30との間に印加される電圧よりも、当該多層構造のうち逆方向のダイオード特性を有する層の逆耐圧が低い場合には、なだれ電流が発生する。 For example, the structure between the auxiliary wiring 30 and the second electrode 80, the direction of current flow in a multi-layer structure, even though a structure having a reverse direction of the diode characteristics, the auxiliary wiring and the second electrode 80 30 than the voltage applied between the, if the reverse breakdown voltage of a layer having a reverse direction of the diode characteristics of the multilayer structure is low, avalanche current is generated. よって、上記多層構造を有する表示装置も本発明に含まれ、図1に記載された実施の形態1に係る表示装置100と同様の効果を有する。 Therefore, a display device having the above multilayer structure is included in the present invention, the same effects as the display device 100 according to the first embodiment described in FIG.

また、発光部90は、画素開口部45に設けられた、少なくとも発光層60および正孔注入層40と電子輸送層70から構成され、発光層60に注入された電子と正孔の再結合により発生する光を第2電極80面側から放出する。 Further, the light emitting unit 90, provided in the pixel openings 45 are composed of at least a light emitting layer 60 and the hole injection layer 40 and the electron transport layer 70 by recombination of injected into the light emitting layer 60 electron-hole emit light generated from the second electrode 80 face side. なお、第1電極20は、発光部90に対応して離間して複数個別に設けられている。 The first electrode 20 is spaced to correspond to the light emitting portion 90 is provided with a plurality individually. すなわち、発光部が、少なくとも3つのRGBなどのサブ画素から構成されている場合には、各サブ画素に対応して発光部90及び第1電極20が離間して設けられる。 That is, the light emitting portion, if it is composed of sub-pixels, such as at least three RGB light-emitting portion 90 and the first electrode 20 is spaced apart so as to correspond to each sub-pixel.

ここで、基板10としては、特に限定されないが、例えば、ガラス基板、石英基板などが用いられる。 Here, the substrate 10 is not particularly limited, for example, a glass substrate, a quartz substrate is used. また、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルホンなどのプラスチック基板を用いて、表示装置に曲げ性を付与することもできる。 Further, a polyethylene terephthalate, a plastic substrate, such as polyether sulfone, may also be provided to bendability to the display device. 特に本実施の形態のように、上面発光方式の場合、不透明プラスチック基板やセラミック基板を用いることができる。 Especially as in this embodiment, the case of top emission type, it is possible to use an opaque plastic substrate or a ceramic substrate.

また、第1電極20および補助配線30としては、特に限定されないが、電気抵抗率が小さい材料を用いることが好ましく、例えば銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、コバルト、のうちのいずれかの金属、これらの金属の合金、またはそれらを積層したものを用いることができる。 As the first electrode 20 and the auxiliary wiring 30 is not particularly limited, it is preferable to use an electrical resistivity of less material, such as silver, aluminum, nickel, chromium, molybdenum, copper, iron, platinum, tungsten, lead , tin, antimony, strontium, titanium, manganese, indium, zinc, vanadium, tantalum, niobium, lanthanum, cerium, neodymium, samarium, europium, palladium, copper, cobalt, or a metal of, these metal alloys , or it can be used by laminating them.

また、発光部を構成する正孔注入層40は、正孔注入性の材料を主成分とする層である。 The hole injection layer 40 constituting the light emitting portion is a layer mainly composed of a hole injecting material. 正孔注入性の材料とは、第1電極20側から注入された正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して発光層へ注入する機能を有する材料である。 The hole injecting material, stably holes injected from the first electrode 20 side, or the holes generated auxiliary to a material having a function of injecting into the light emitting layer. 正孔注入層40としては、例えばPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)などを用いることができる。 As the hole injecting layer 40, it may be used, for example PEDOT (polyethylenedioxythiophene).

また、発光部を形成する発光層60としては、低分子系または高分子系の有機発光材料を用いることができる。 Further, as the light-emitting layer 60 for forming the light emitting portion, it is possible to use a low molecular weight or an organic light emitting material of a polymer system. 高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン(PPV)、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料などを用いることができる。 As the light emitting material of a polymer-based, such as poly-p-phenylene vinylene (PPV), such as a polymer light emitting material such as polyfluorene may be used. また、低分子系の発光材料としては、Alq 3やBe−ベンゾキノリノール(BeBq 2 )の他に、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール、4,4'−ビス(5,7−ベンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン、4,4'−ビス〔5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ベンチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフィン、2,5−ビス(〔5−α,α−ジメチルベンジル〕−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス〔5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル〕−3,4−ジフェニルチオフェン、2,5−ビス(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオ As the light emitting material of low molecular weight, in addition to, 2,5-bis (5,7-di -t- pentyl-2-benzoxazolyl) of Alq 3 and Be- benzoquinolinol (BeBq 2) - 1,3,4-thiadiazole, 4,4'-bis (5,7 Benchiru 2-benzoxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di - (2-methyl-2- butyl) -2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di -t- Benchiru 2-benzoxazolyl) Chiofin, 2,5-bis ([5-alpha, alpha- dimethylbenzyl] -2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5,7-di - (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] -3,4-diphenyl thiophene, 2,5-bis (5-methyl-2-benzoxazolyl) thio ェン、4,4'−ビス(2−ベンゾオキサイゾリル)ビフェニル、5−メチル−2−〔2−〔4−(5−メチル−2−ベンゾオキサイゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、2−〔2−(4−クロロフェニル)ビニル〕ナフト〔1,2−d〕オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、2,2'−(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、2−〔2−〔4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、2−〔2−(4−カルボキシフェニル)ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤や、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ〔f〕−8−キノリノール)亜鉛、ビス E down, 4,4'-bis (2-benzo Oki Saizo Lil) biphenyl, 5-methyl-2- [2- [4- (5-methyl-2-benzo Oki Saizo Lil) phenyl] vinyl] Benzookisaizo Lil, 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho [1,2-d] benzoxazole such as oxazole, 2, 2 '- (p-phenylene vinylene) - benzothiazole such as bis benzothiazole , 2- [2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole, and optical brighteners, such as 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole, such as benzimidazole, tris (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, bis (benzo [f] -8-quinolinol) zinc, bis 2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノール)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、8−キノリノールリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリノニル)メタン〕などの8−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどの金属キレート化オキシノイド化合物や、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベン 2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8-quinolinol lithium, tris (5-chloro-8-quinolinol) gallium, bis ( 5-chloro-8-quinolinol) calcium, poly [zinc - bis (8-hydroxy-5-Kinorinoniru) methane] metal chelated oxinoid compounds, such as 8-hydroxyquinoline-based metal complexes or dilithium et pin drill dione such as Ya , 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4- (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2 - ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) Ben ン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)2−メチルベンゼンなどのスチリルベンゼン系化合物や、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス〔2−(1−ナフチル)ビニル〕ピラジン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス〔2−(4−ビフェニル)ビニル〕ピラジン、2,5−ビス〔2−(1−ピレニル)ビニル〕ピラジンなどのジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体などが用いられる。 Emissions, 1,4-bis (2-methylstyryl) 2 and styryl benzene based compounds such as methyl benzene, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine , 2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine, 2, 5-bis and di still pyrazine derivatives such as [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine, and naphthalimide derivatives, and perylene derivatives, and oxadiazole derivatives, and aldazine derivatives, and cyclopentadiene derivatives, Ya styrylamine derivatives , and coumarin derivatives, and aromatic dimethylidyne derivative is used. さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネンなども用いられる。 Further, anthracene, salicylate, pyrene, coronene, etc. are also used. あるいは、ファク−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウムなどの燐光発光材料を用いることもできる。 Alternatively, fac - tris (2-phenylpyridine) can also be used a phosphorescent material such as iridium.

また、電子輸送層70は、電子輸送性の材料を主成分とする層である。 The electron transporting layer 70 is a layer mainly composed of an electron transporting material. 電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、第2電極80から発光層60までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。 Electronic and transport material, and a property of easily become anion having an electron acceptor property, combines the property of transmitting the charge transfer reaction between the generated electrons molecules, the charge to the light-emitting layer 60 from the second electrode 80 is that the material having the proper relative transport. 電子輸送層70としては、例えば、1,3−ビス(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)フェニレン(OXD−7)などのオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料など、あるいは、ビス(2−メチル−8−キノリノレート)−(パラ−フェニルフェノレート)アルミニウム(BAlq)、バソフプロイン(BCP)などが用いられる。 As the electron-transporting layer 70, for example, 1,3-bis oxadiazole derivatives such as (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene (OXD-7), anthraquinodimethane derivatives, diphenyl quinone derivatives, such as polymeric materials made of a silole derivative, or bis (2-methyl-8-quinolinolato) - (para - phenyl phenolate) aluminum (BAlq), Basofupuroin (BCP) and the like. このとき、以降で説明するように、例えばリチウム、ナトリウム、カルシウム、ルビジウム、セシウム、フランシムなどのアルカリ金属および、例えばマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウムアルカリ土類金属のうち少なくとも一方を主成分とする金属の層を積層して電子輸送層70を構成してもよい。 At this time, as described in the following, for example, the main component of lithium, sodium, calcium, rubidium, cesium, alkali metals and the like Furanshimu, such as magnesium, calcium, strontium, barium, at least one of radium alkaline earth metal the layer of metal may constitute the electron transport layer 70 are laminated to. また、金属の層として、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を2種類以上含有していてもよい。 Further, as a layer of a metal, alkali metal and alkaline earth metal may contain two or more types.

また、隔壁50としては、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を用いることができる。 As the partition wall 50, it is possible to use a resin material such as polyimide resin. このとき、発光部で発生する光の隣接する発光部への透過を防止するために、例えばカーボン粒子などを樹脂中に含有させてもよい。 At this time, in order to prevent the penetration into the adjacent light-emitting portion of the light generated in the light emitting portion, for example, it may be such as carbon particles is contained in the resin.

また、第2電極80としては、特に限定されないが、上面発光方式の場合、インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物を用いることが好ましい。 Further, as the second electrode 80 is not particularly limited, when the top emission type, it is preferable to use indium tin oxide or indium zinc oxide.

本実施の形態によれば、補助配線と第2電極とが電子輸送層からなる接続部を介して対向して接続されることにより、過電流を効果的に制限できる。 According to this embodiment, by the auxiliary wiring and the second electrode is connected to face each other through a connecting portion formed of an electron transporting layer, it may limit the overcurrent effectively. これにより、発光部や駆動回路などへの過電流の影響を低減し、信頼性に優れた表示装置を実現できる。 This reduces the influence of the overcurrent to such as a light emitting portion and the driving circuit can realize excellent display device reliability. また、従来では、補助配線と第2電極とを直接接続するため、当該接続部において発光部の構成層を除外するための高精細マスクが必要であった。 Further, conventionally, to connect the auxiliary wiring and the second electrode directly, high-definition mask for excluding the component layers of the light emitting portion in the connection portion is required. これに対し、本発明では、上記高精細マスクが不要となることでパネルの高精細化、大型化が容易になる。 In contrast, in the present invention, higher definition of the panel by the high resolution mask is not required, size is facilitated. その結果、表示パネル全面で、各発光部の輝度ばらつきの小さい表示品質に優れた表示装置を実現できる。 As a result, in the display panel over the entire surface, it can realize excellent display in a small display quality luminance variations of the light-emitting portions. また、配線抵抗の低減により、第2電極などでの電力損失を抑制できるとともに、駆動電圧を低減できるため、発光部に印加される電界による破壊を防止した長寿命で信頼性に優れた表示装置を実現できる。 The wiring by reducing the resistance, it is possible to suppress the power loss in the such as the second electrode, it is possible to reduce the driving voltage, excellent display device reliability and long life that prevents breakdown due to electric field applied to the light emitting portion It can be realized.

以下に、本発明の実施の形態1における表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図2及び図3は、本発明の実施の形態1における表示装置の製造方法を説明する断面図である。 2 and 3 are sectional views for explaining a method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention.

まず、図2(a)に示すように、例えばTFT(Thin Film Transistor)とコンデンサなどで構成された駆動回路(図示せず)を備えた基板10上に、Alを例えば、真空蒸着法やスパッタリング法を用いて、全面に形成する。 First, as shown in FIG. 2 (a), for example, TFT (Thin Film Transistor) and the like on the substrate 10 having the configured drive circuit (not shown) in a capacitor, the Al for example, vacuum deposition or sputtering law is used to form on the entire surface. そして、フォトリソグラフィ法を用いて、Alをエッチングして、所定の位置に第1電極20と第1電極と電気絶縁された位置に補助配線30を形成する。 Then, by photolithography, and etching the Al, to form the auxiliary wiring 30 to the first electrode 20 and the first electrode and electrically insulated located at a predetermined position. このとき、第1電極20は、発光部に対応して個別に形成され、補助配線30は、二次元のマトリクス状に配列された発光画素の、例えば行または列に沿って、一次元的に配置して形成される。 In this case, the first electrode 20 is formed individually corresponding to the light emitting portion, the auxiliary wiring 30, the light emitting pixels arranged in a two-dimensional matrix, for example along a row or column, one-dimensionally arranged to be formed. なお、基板10には、例えば、駆動回路などによる凹凸を解消するために、必要に応じて、平坦化層を設け、その上に第1電極20と補助配線30とを形成してもよい。 Note that the substrate 10, for example, in order to eliminate the irregularities due to the driving circuit, if necessary, a planarization layer may be provided to form the first electrode 20 thereon and the auxiliary wiring 30.

次に、図2(b)に示すように、正孔注入層40となる、例えばPEDOTなどを、例えばインクジェット法などを用いて、少なくとも第1電極20上の画素開口部に相当する位置に成膜する。 Next, as shown in FIG. 2 (b), the hole injection layer 40, for example, PEDOT, etc., for example, using an inkjet method, formed at a position corresponding to the pixel opening on at least the first electrode 20 to film.

次に、図2(c)に示すように、ネガ型のフォトレジスト50Aを全面に塗布する。 Next, as shown in FIG. 2 (c), a photoresist 50A of negative on the entire surface.

次に、図2(d)に示すように、ネガ型のフォトレジスト50Aの上に、発光部と接続部に相当する位置に遮光部を有するマスク110を位置合わせして載置する。 Next, as shown in FIG. 2 (d), on the negative photoresist 50A, it is placed in alignment with the mask 110 having a light shielding portion at a position corresponding to the connecting portion and the light emitting portion. そして、このマスク110を介して、フォトリソグラフィ法を用いてフォトレジスト50Aを露光する。 Then, through the mask 110, exposing the photoresist 50A by photolithography.

次に、図2(e)に示すように、マスク110を取り外し、現像処理をして、画素開口部45と接続開口部35を構成する隔壁50を形成する。 Next, as shown in FIG. 2 (e), remove the mask 110, and a developing process, to form a partition wall 50 forming the connection opening 35 and the pixel openings 45.

次に、図3(a)に示すように、画素開口部45内に、例えばインクジェット法などを用いて、発光層となるペースト材料を塗布する。 Next, as shown in FIG. 3 (a), in the pixel opening section 45, for example, using an inkjet method, applying a paste material for the light emitting layer. このとき、発光層となるペースト材料は、画素開口部45から表面張力により盛り上がった状態で塗布される。 At this time, the paste material for the light emitting layer is applied in a state in which raised by surface tension from the pixel openings 45.

次に、図3(b)に示すように、ペースト材料を、例えば、80℃30分程度乾燥させて、ペースト材料の溶剤成分を揮発させて発光層60を形成する。 Next, as shown in FIG. 3 (b), a paste material, for example, dried about 80 ° C. 30 minutes to form a light-emitting layer 60 by evaporating the solvent of the paste material. なお、このとき、発光部が少なくとも3つのRGBなどの異なるサブ画素から構成される場合、サブ画素ごとに、図3(a)と図3(b)とを繰り返すことにより、サブ画素に異なる発光部の発光層を形成した画素が形成される。 At this time, when the light emitting portion is composed of different sub-pixels, such as at least three RGB, for each sub-pixel, by repeating FIG. 3 and FIG. 3 (b) and (a), different emission to the subpixel pixels to form a light-emitting layer parts are formed.

次に、図3(c)に示すように、少なくとも発光部および接続開口部を被覆するように、例えば真空蒸着法を用いて、電子輸送層70を全面に形成する。 Next, as shown in FIG. 3 (c), so as to cover at least the light emitting portion and the connection opening, for example using a vacuum deposition method to form the electron transport layer 70 on the entire surface. これにより、接続開口部に補助配線の上面の一部と電気的に接続する接続部が形成される。 Thus, connecting portion part and electrically connecting the upper surface of the auxiliary wiring connection opening.

次に、図3(d)に示すように、電子輸送層70の上に、例えばインジウムスズ酸化物などを、スパッタリング法を用いて成膜し、第2電極80を全面に形成する。 Next, as shown in FIG. 3 (d), on the electron transport layer 70, for example, such as indium tin oxide, it is deposited by a sputtering method to form the second electrode 80 on the entire surface. これにより、第2電極80と補助配線30とが電子輸送層70を介して電気的に接続される。 Thus, the second electrode 80 and the auxiliary wiring 30 are electrically connected via the electron transport layer 70.

その後、例えば樹脂層やガラスなどを設けて保護層を形成して、表示装置100が製造される。 Then, for example, a resin layer or a glass to form a protective layer is provided, the display device 100 is manufactured.

本実施の形態の表示装置の製造方法によれば、補助配線と第2電極とが接続部の電子輸送層を介して対向して接続するため、過電流による駆動回路や発光部の特性低下を電子輸送層により抑制して、寿命などの信頼性に優れた表示装置を製造できる。 According to the manufacturing method of the display device of the present embodiment, since the auxiliary wiring and the second electrode are connected in opposition through the electron-transporting layer of the connecting portion, the property deterioration of the driving circuit and the light emitting portion due to overcurrent thereby suppressing an electron transport layer can be produced a display device with excellent reliability and life.

なお、図3(c)に記載された電子輸送層70の成膜工程と、図3(d)に記載された第2電極80の成膜工程とは、連続したドライプロセスであることが好ましい。 Incidentally, the step of forming the electron transport layer 70 described in FIG. 3 (c), has been the process for forming the second electrode 80 described in FIG. 3 (d), it is preferably a continuous dry process . ここで、連続したドライプロセスとは、スパッタリング法や蒸着法を用いた成膜工程間を、高真空度が保持された状態で仕掛かり品を移行させるプロセスのことである。 Here, the continuous dry process is the process of the inter-film forming process using a sputtering method or an evaporation method, a high degree of vacuum to shift the borrowed articles progress while being held. 電子輸送層70の成膜工程から第2電極80の成膜工程への一連のプロセスを、上記連続したドライプロセスとすることにより、製造プロセスが簡略化される。 A series of processes from the step of forming the electron transport layer 70 to the step of forming the second electrode 80, by means of the above continuous dry process, the manufacturing process is simplified. また、電子輸送層70と第2電極80との界面に、不要な酸化物層などが介在することが抑制されるので、高発光効率、低駆動電圧及び長寿命化にも貢献する。 Further, the interface between the electron transport layer 70 and the second electrode 80, such as unwanted oxide layer so that the intervening is suppressed, high luminous efficiency, also contributes to the low driving voltage and long life.

また、本実施の形態によれば、少なくとも発光層、電子輸送層や第2電極が基本的に高精細マスクを介在させずに形成できる。 Further, according to this embodiment, at least a light-emitting layer, an electron transport layer and the second electrode can be formed without interposing basically fine metal mask. その結果、高い生産性で表示装置を効率よく製造できる。 As a result, it efficiently produced display device with high productivity.

なお、本実施の形態では、発光部の構成として、正孔注入層/発光層/電子輸送層を例に説明したが、これに限られない。 In this embodiment, a structure of the light emitting portion, but the hole injection layer / light emitting layer / electron transporting layer is described as an example, not limited thereto. 例えば、発光構造を有する、発光層以外に少なくとも正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層のいずれか一層を含む構成であればよい。 For example, having a light emitting structure, at least a hole injection layer in addition to the light-emitting layer, a hole transport layer, and may be any layer configuration including the electron injection layer and the electron transporting layer. そして、発光部の構成に対応して、第2電極と補助配線との間に介在する接続部として、電子輸送層以外に、少なくとも電子注入層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか一層を設けてもよい。 Corresponding to the configuration of the light emitting portion, a connecting portion interposed between the auxiliary wiring and the second electrode, in addition to the electron-transporting layer, at least an electron injection layer, or the hole injection layer and a hole transport layer more may be a provided. つまり、接続部は、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層及び正孔輸送層などの積層構造であってもよい。 That is, the connecting portion can be an electron-transporting layer, an electron injection layer may be a laminated structure, such as a hole injection layer and a hole transport layer.

この場合、接続部は、第2電極から補助配線に向かって流れる電流が逆方向のダイオード特性を有しないように構成されることが好ましい。 In this case, the connecting portion, it is preferable that a current flowing toward the auxiliary wiring from the second electrode is configured not have the reverse direction of the diode characteristic.

しかし、例えば、接続部として正孔注入層と電子輸送層とを積層した場合などでは、第2電極から補助配線に向かって流れる電流が逆方向のダイオード特性を有してしまう場合が想定される。 However, for example, in a case where a laminate of a hole injection layer and the electron transport layer as the connection portion, is assumed when the current flowing toward the auxiliary wiring from the second electrode will have a reverse diode characteristics . この場合であっても、この積層構造の有する逆方向のダイオード特性の逆耐圧が接続部に印加される電圧よりも低い場合には、第2電極から補助配線に向かってなだれ電流が発生する。 Even in this case, the reverse breakdown voltage of the reverse diode characteristics possessed by the laminate structure in the case lower than the voltage applied to the connection portion, avalanche current is generated toward the auxiliary wiring from the second electrode. よって、上記積層構造を有する表示装置も本発明に含まれ、図1に記載された実施の形態1に係る表示装置100と同様の効果を有する。 Therefore, a display device having the above multilayer structure is included in the present invention, the same effects as the display device 100 according to the first embodiment described in FIG.

一方、この積層構造の有する逆方向のダイオード特性の逆耐圧が接続部に印加される電圧よりも低い場合には、第2電極から補助配線に向かっての電流パスが遮断されてしまい、発光のための電流パスも遮断されてしまう。 On the other hand, If this reverse breakdown voltage of the reverse diode characteristics possessed by the laminated structure is lower than the voltage applied to the connecting portion it will be cut off current path toward the auxiliary wiring from the second electrode, the light emitting current path for will also be blocked. このような積層構造は、本発明においては不適合である。 Such laminate structures are incompatible in the present invention.

つまり、発光部を流れる電流に対して、接続部の電流の流れを阻止しない層構成であれば、組み合わせは任意である。 That is, for the current flowing through the light emitting section, as long as the layer structure which does not block the flow of current connections, the combination is arbitrary.

ここで、電子注入層とは、電子注入性の材料を主成分とする層である。 Here, the electron injection layer is a layer mainly composed of an electron injecting material. 電子注入性の材料とは、第2電極80側から注入された電子を安定的に、又は電子の生成を補助して発光層60へ注入する機能を有する材料である。 The electron injecting material, stably electrons injected from the second electrode 80 side, or to assist the generation of electrons which is a material having a function of injecting into the light emitting layer 60.

また、正孔輸送層とは、正孔輸送性の材料を主成分とする層である。 Further, the hole transporting layer is a layer mainly composed of a hole transporting material. 正孔輸送性の材料とは、電子ドナー性を持ち陽イオン(正孔)になりやすい性質と、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、第1電極20から発光層60までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。 The hole-transporting material, combines the property of easily become cations (holes) having an electron donor property, the property of transmitting the charge transfer reaction between the holes produced molecules, emission from the first electrode 20 is that the material having the proper the charge transport up to the layer 60.

また、本実施の形態では、隔壁を有する表示装置を例に説明したが、これに限られない。 Further, in the present embodiment it has been described the display device having the partition wall as an example, not limited thereto. 例えば、図2(b)において、正孔注入層40以外の領域に発光層のペースト材料を撥水する層を設けることにより画素開口部のみに発光層を塗布してもよい。 For example, in FIG. 2 (b), the may be applied to the light-emitting layer only on the pixel opening by providing a layer of water repellent paste material for the light emitting layer in a region other than the hole injection layer 40. これにより、隔壁の形成工程が必要でなくなるため、さらに生産性を向上できる。 Thus, since the process of forming the partition wall is no longer necessary, it can be further improved productivity.

次に、本発明の実施の形態1に係る第1の変形例を示す表示装置について、図4と図5を用いて説明する。 Next, a display device showing a first modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

図4は、本発明の実施の形態1に係る第1の変形例を示す表示装置の要部断面図である。 Figure 4 is a fragmentary cross-sectional view of a display device showing a first modification of the first embodiment of the present invention. なお、図4は、図1(b)と同様に図1(a)のA−A'線に沿って切断した断面図で示している。 Incidentally, FIG. 4 shows a sectional view taken along line A-A 'in FIGS. 1 (a) in the same manner as FIG. 1 (b). また、図5は、本発明の実施の形態1に係る第1の変形例を示す表示装置の製造方法を説明する断面図である。 Further, FIG. 5 is a sectional view for explaining a method of manufacturing a display device according to a first modification of the first embodiment of the present invention. 図4に記載された表示装置150は、基板10と、第1電極20と、補助配線30と、正孔注入層40と、隔壁50と、発光層60と、電子輸送層70と、第2電極80とを備える。 Display device 150 described in FIG. 4, a substrate 10, a first electrode 20, the auxiliary wiring 30, the hole injection layer 40, a partition wall 50, and the light emitting layer 60, an electron transport layer 70, the second and a electrode 80. 図4に記載された表示装置150は、図1(b)に記載された表示装置100と比較して、正孔注入層40を補助配線30の接続開口部35以外の領域に形成した点が構成として異なる。 Display device 150 described in FIG. 4 differs from the display device 100 described in FIG. 1 (b), in that the hole injection layer 40 is formed in a region other than the connecting opening 35 of the auxiliary wiring 30 different as a constituent. なお、表示装置150の平面レイアウトは、図1(a)に記載された表示装置100の平面レイアウトと同じである。 The planar layout of the display device 150 is the same as the plan layout by the display device 100 according to FIG. 1 (a).

また、表示装置150は、以下に示す方法で製造される。 The display device 150 is manufactured by the following method. なお、表示装置150の製造方法は、基本的に表示装置100の製造方法と同様であり、異なる工程を主に説明し、同じ工程の説明を省略する場合ある。 The manufacturing method of the display device 150 is the same as the manufacturing method of the basic display device 100, a different process mainly described, there may be omitted the description of the same steps.

まず、図5(a)に示すように、例えばTFTとコンデンサなどで構成された駆動回路(図示せず)を備えた基板10上の所定の位置に第1電極20と第1電極と電気絶縁された位置に補助配線30を形成する。 First, FIG. 5 (a), the example TFT and the like have been a driving circuit (not shown) composed of a capacitor the first electrode 20 and the first electrode and electrically insulated in a predetermined position on the substrate 10 having the to the position for forming the auxiliary wiring 30.

次に、図5(b)に示すように、正孔注入層40となる、例えば、酸化モリブデン、酸化タングステン及び酸化バナジウムなどの遷移金属酸化物を、例えばスパッタリング法を用いて、全面に成膜する。 Next, as shown in FIG. 5 (b), the hole injection layer 40, for example, molybdenum oxide, a transition metal oxide such as tungsten oxide and vanadium oxide, for example by sputtering, formed on the entire surface to.

次に、図5(c)に示すように、補助配線30に沿って形成される接続開口部35となる位置に開口部を形成したレジスト膜115を形成する。 Next, as shown in FIG. 5 (c), a resist film 115 having an opening is formed in the position where the connecting opening 35 formed along the auxiliary line 30.

つぎに、図5(d)に示すように、レジスト膜115の開口部を介して、正孔注入層40をエッチングする。 Next, as shown in FIG. 5 (d), through the opening of the resist film 115 to etch the hole injection layer 40. これにより、補助配線30が露出する。 Thus, the auxiliary wiring 30 is exposed.

次に、図5(e)に示すように、ネガ型のフォトレジスト50Aを塗布した後、発光部と接続部に相当する位置に開口部を有するマスク110を位置合わせして載置する。 Next, as shown in FIG. 5 (e), after applying photoresist 50A of negative type, placed in alignment with the mask 110 having openings at positions corresponding to the connecting portion and the light emitting portion. そして、この開口部を介して、フォトリソグラフィ法を用いてフォトレジスト50Aを露光する。 Then, through the opening, exposing the photoresist 50A by photolithography.

次に、図5(f)に示すように、マスク110を取り外し、現像処理をして、画素開口部45と接続開口部35を構成する隔壁50を形成する。 Next, as shown in FIG. 5 (f), remove the mask 110, and a developing process, to form a partition wall 50 forming the connection opening 35 and the pixel openings 45.

その後、説明を省略するが、図3(a)から図3(d)と同様の方法により、表示装置150が製造される。 Thereafter, though not described in the same manner as FIG. 3 (d) from FIG. 3 (a), the display device 150 is manufactured.

これにより、正孔注入層を一括で形成できるため、生産性が向上する。 Accordingly, it is possible to form the hole injection layer collectively, productivity is improved. また、均一な膜厚の正孔注入層を容易に形成でき、表示ばらつきを抑制できる。 Further, a hole injection layer having a uniform thickness can be easily formed, it can suppress the display unevenness.

なお、上記表示装置150では、遷移金属からなる正孔注入層40を、接続開口部35以外の領域に形成した例で説明したが、表示装置100のように第1電極20上にのみ、フォトリソグラフィ法を用いて、正孔注入層40を形成してもよい。 In the display device 150, a hole injection layer 40 consisting of transition metals has been described in example formed in the region other than the connecting opening 35, only on the first electrode 20 as the display device 100, photo by lithography to form the hole injection layer 40.

なお、本実施の形態では、補助配線を発光画素列ごとに配置しているが、これに限られない。 In the present embodiment, the auxiliary wiring is arranged for each light emitting pixel column is not limited thereto. 図6は、本発明の実施の形態1に係る第2の変形例を示す表示装置の要部を説明する部分平面図である。 Figure 6 is a partial plan view illustrating a main part of a display device showing a second modification of the first embodiment of the present invention. 同図に記載された表示装置200のように、発光画素行および発光画素列に沿って二次元状に補助配線30及び32が配置されていてもよい。 Like the display device 200 described in the figure, two-dimensional form to the auxiliary wiring 30 and 32 may be arranged along the pixel rows and the light-emitting pixel column. これにより、補助配線30及び32と、第2電極80との接続面積を拡大して、電流密度を低減し、過電流に対する緩衝効果を向上できる。 Thus, the auxiliary wiring 30 and 32, to expand the contact area between the second electrode 80, reducing the current density, can be improved cushioning effect against overcurrent. また、第2電極と補助配線との距離に依存する配線抵抗を小さくできるので、発光部の位置による駆動電圧ばらつきを抑制できる。 Further, since the wiring resistance which depends on the distance between the auxiliary wiring and the second electrode can be reduced, it is possible to suppress a driving voltage variation due to position of the light emitting portion. その結果、さらに表示品質の高い表示装置を実現できる。 As a result, further it can realize a high quality display device.

また、図7は、本発明の実施の形態1に係る第3の変形例を示す表示装置の要部を説明する部分平面図である。 7 is a partial plan view illustrating a main part of a display device showing a third modification of the first embodiment of the present invention. 同図に記載された表示装置250は、発光画素97がRGBなどの少なくとも3つのサブ画素で構成されている。 Display device 250 described in the figure, the light emitting pixel 97 is composed of at least three sub-pixels, such as RGB. この場合のように、3つのサブ画素をまとめた発光画素ごとに、補助配線30が発光画素列ごとに発光画素に沿って一次元に配置されていてもよい。 Such is the case, each light-emitting pixel summarizes the three sub-pixels, the auxiliary interconnect 30 may be arranged in a one-dimensional along the light-emitting pixel for each light emitting pixel column.

これにより、サブ画素の開口面積を拡大できるため、表示輝度の高い表示装置を実現できる。 Accordingly, it is possible to enlarge the opening area of ​​the sub-pixel can be realized with high display luminance display. さらに、補助配線30の面積を拡大すれば、補助配線に流れ込む電流の密度をさらに低減して信頼性が向上できるとともに、マスクなどの位置合わせ精度を大幅に緩和できるので、生産性をさらに向上できる。 Further, if increasing the area of ​​the auxiliary wiring 30, the density is possible further reduced to improve the reliability of the current flowing to the auxiliary wiring, since the alignment accuracy such as a mask can be greatly reduced, the productivity can be further improved .

また、図8は、本発明の実施の形態1に係る第4の変形例を示す表示装置の要部を説明する部分平面図である。 8 is a partial plan view illustrating a main part of a display device showing a fourth modification of the first embodiment of the present invention. 同図に記載された表示装置300は、発光画素98がRGBなどの少なくとも3つのサブ画素で構成されている。 Display device 300 described in the figure, the light emitting pixel 98 is composed of at least three sub-pixels, such as RGB. この場合のように、3つのサブ画素をまとめた発光画素ごとに、補助配線30が発光画素列ごとに、また、補助配線32が発光画素行ごとに二次元に配置されていてもよい。 Such is the case, each light-emitting pixel summarizes the three sub-pixels, each auxiliary lead 30 is emitting pixel column, The auxiliary interconnect 32 may be arranged in a two-dimensional for each pixel rows.

これにより、例えば、3つのサブ画素のうち中央に配置されたサブ画素における、第2電極と補助配線との距離に依存する配線抵抗を低減できるので、サブ画素間の輝度ばらつきを、さらに抑制することができる。 Thus, for example, in the sub-pixel arranged at the center among the three sub-pixels, it is possible to reduce the wiring resistance which depends on the distance between the auxiliary wiring and the second electrode, the luminance variation among the sub-pixels further suppresses be able to.

また、本実施の形態では、接続部を電子輸送層単層で構成した例を説明したが、これに限られない。 Further, in this embodiment, the connecting portions has been described an example in which an electron-transport layer alone, not limited to this. 図9は、本発明の実施の形態1に係る第5の変形例を示す表示装置部分平面図である。 Figure 9 is a display device partial plan view showing a fifth modification of the first embodiment of the present invention. 同図に記載された表示装置350は、基板10と、第1電極20と、補助配線30と、正孔注入層40と、隔壁50と、発光層60と、電子輸送層70と、電子注入層75と、第2電極80とを備える。 Display device 350 described in the figure includes a substrate 10, a first electrode 20, the auxiliary wiring 30, the hole injection layer 40, a partition wall 50, and the light emitting layer 60, an electron transport layer 70, an electron injection the layer 75, and a second electrode 80. 図9に記載された表示装置300は、図1(b)に記載された表示装置100と比較して、電子注入層75が電子輸送層70の下層として挿入されている点が構造として異なる。 Display device 300 described in FIG. 9 differs from the display device 100 described in FIG. 1 (b), that the electron injection layer 75 is inserted as the lower layer of the electron transport layer 70 is different from a structure. 以下、図1(b)に記載された表示装置100と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。 Hereinafter, the same points as the display device 100 described in FIG. 1 (b) was omitted, will be described only the differences.

電子注入層75は、陰極である第2の電極側から注入された電子を安定的に、又は電子の生成を補助して有機層13の有する発光層へ注入する機能を有し、例えば、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を主成分とする金属の層である。 The electron injection layer 75 has a function of injecting second electrons injected from the electrode side stably is a cathode, or to assist the generation of electrons into the light-emitting layer included in the organic layer 13, for example, alkali a layer of metal mainly composed of at least one of the metals and alkaline earth metals.

これにより、発光層60への電子の輸送効率を向上できる。 Thus, it is possible to improve the electron transport efficiency to the light emitting layer 60.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
以下に、本発明の実施の形態2における表示装置について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, the display device in the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図10は、本発明の実施の形態2における表示装置の要部を説明する部分断面図である。 Figure 10 is a partial cross-sectional view illustrating a main part of a display device according to a second embodiment of the present invention. 同図のように、表示装置400は、基板210と表示部100Aとを備える。 As in the figure, the display device 400, and a display portion 100A and the substrate 210. 基板210は、発光部を駆動する駆動素子を形成した駆動回路層220と、駆動回路層220上に形成された層間絶縁層230とを備える。 Substrate 210 includes a drive circuit layer 220 that forms a drive element for driving the light emitting portion, and an interlayer insulating layer 230 formed on the driving circuit layer 220. また、表示部100Aは、表示装置100の基板10以外の構成にあたる。 The display section 100A corresponds to the configuration other than the substrate 10 of the display device 100. 本実施の形態に係る表示装置400は、基板の構成が実施の形態1と異なる。 Display device 400 according to this embodiment, different configurations of the substrate in the first embodiment. 以下、実施の形態1に記載された表示装置100と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。 Hereinafter, the same point as the display device 100 described in Embodiment 1 is omitted, will be described only the differences.

駆動回路層220は、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)などのFETで構成された駆動素子(図示せず)からなる。 Driving circuit layer 220 is made of, for example, a thin film transistor (TFT) driving element which is formed of a FET (not shown) such as. また、駆動素子となる薄膜トランジスタは、一般にゲート電極と絶縁膜を挟んで対向するソース電極とドレイン電極とから構成されるが、詳細な説明は省略する。 In addition, the thin film transistor as a driving element is generally composed of a source electrode and a drain electrode facing each other across the gate electrode and the insulating film, and a detailed description thereof will be omitted.

また、層間絶縁層230は、駆動回路層220の上に形成されている。 Further, the interlayer insulating layer 230 is formed on the driving circuit layer 220. そして、層間絶縁層230に形成された導電ビア240を介して、第1電極20と駆動素子の電極端子(図示せず)とが接続されている。 Then, through a conductive via 240 formed in the interlayer insulating layer 230, the electrode terminals of the first electrode 20 and the driving element (not shown) is connected.

表示部100Aは、層間絶縁層230上に形成されている。 Display portion 100A is formed on the interlayer insulating layer 230.

以下に、発光部を駆動する駆動回路層220について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, the driving circuit layer 220 for driving the light emitting unit, will be described with reference to the drawings. 図11は、本発明の実施の形態2における表示装置の主要な回路構成図である。 Figure 11 is a main circuit configuration diagram of a display apparatus according to the second embodiment of the present invention. 同図に示されるように、駆動回路層220は、駆動素子としてNch−FETからなるスイッチングトランジスタTr1と、Pch−FETからなる駆動トランジスタTr2と、保持容量Cとを備える。 As shown in the figure, the driving circuit layer 220 includes a switching transistor Tr1 consisting Nch-FET as a drive element, a driving transistor Tr2 consisting Pch-FET, and a storage capacitor C. そして、Tr1のドレイン電極はデータ線と、Tr1のゲート電極は走査線と、さらにTr1のソース電極は、保持容量CとTr2のゲート電極とに接続されている。 The drain electrode of the Tr1 is the data line, the scanning line gate electrodes of Tr1, further Tr1 of the source electrode, is connected to the gate electrode of the storage capacitor C and Tr2. また、Tr2のドレイン電極は電源Vddと、Tr2のソース電極は発光部の第1電極20と接続されている。 The drain electrode of the Tr2 is a power supply Vdd, the source electrode of the Tr2 is connected to the first electrode 20 of the light emitting portion.

この構成において、走査線に選択信号が入力され、Tr1を開状態にすると、データ線を介して供給されたデータ信号が電圧値として保持容量Cに書き込まれる。 In this arrangement, the selection signal to the scanning line is input, when the Tr1 opened, the data signal supplied through the data line is written into the holding capacitor C as a voltage value. そして、保持容量Cに書き込まれた保持電圧は、1フレーム期間を通じて保持され、この保持電圧により、Tr2のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した順バイアス電流が第1電極に供給される。 The holding voltage written in the storage capacitor C is held throughout one frame period by the holding voltage, an analog to vary the conductance of the Tr2 is forward biased current corresponding to the light emission gradation supplied to the first electrode It is. さらに、第1電極に供給された順バイアス電流は、発光部、第2電極、例えば電子輸送層などの接続部を介して補助配線を経由して流れる。 Further, a forward bias current supplied to the first electrode, the light emitting portion, a second electrode, for example flows through the auxiliary wiring through a connection portion such as the electron transport layer. これにより、発光部の発光層が電流に応じて発光することにより画像として表示される。 Accordingly, is displayed as an image by the light emitting layer of the light emitting section emits light in response to current.

また、本実施の形態によれば、駆動回路の駆動素子のソース電極に第1電極を接続して、補助配線に電流を流す構成である。 Further, according to this embodiment, by connecting the first electrode to the source electrode of the driving element of the driving circuit, it is configured to flow a current to the auxiliary wiring.

これにより、駆動回路層220と一体化したアクティブマトリクス型の表示装置400を簡単な構成で実現できるとともに、画素内への過電流の流入を抑止しつつ画素間の輝度バラツキを大幅に低減することが可能となる。 Thus, the active matrix display device 400 integrated with a driving circuit layer 220 can be realized with a simple configuration, to significantly reduce the brightness variation among pixels while suppressing the flow of over current to the pixel it is possible.

なお図11は、表示装置の主要な回路構成の一例であって、他の回路構成であっても適宜本発明に適応できることは言うまでもない。 Note Figure 11 is an example of a main circuit configuration of a display device, it is needless to say that can be adapted to properly present invention be other circuit configurations. 例えば、駆動素子のドレイン電極に第1電極が接続された回路構成であっても、同様の効果を奏する。 For example, the first electrode to the drain electrode of the drive element is a circuit structure connecting the same effects.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
以下に、本発明の実施の形態3における表示装置について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, the display device in the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図12(a)は、本発明の実施の形態3に係る表示装置の要部を説明する部分平面図である。 12 (a) is a partial plan view illustrating a main part of a display device according to a third embodiment of the present invention. また、図12(b)は、図12(a)のA−A'線に沿って切断した要部断面図である。 Further, FIG. 12 (b) is a fragmentary cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 12 (a).

図12(b)に記載されたように、本実施の形態の表示装置500は、基板310と、基板310上に設けられた第1電極20と、基板310内に設けられた補助配線330と、第1電極20上に設けられた正孔注入層40と、画素開口部45及び接続開口部335を形成する隔壁50と、画素開口部45に設けられた発光層60と、それらの上面に設けられた電子輸送層70と、電子輸送層70上に設けられた第2電極80とから構成されている。 As described in FIG. 12 (b), the display device 500 of this embodiment includes a substrate 310, a first electrode 20 provided on the substrate 310, and the auxiliary wiring 330 which is provided in the substrate 310 , a hole injection layer 40 provided on the first electrode 20, a partition wall 50 forming the pixel openings 45 and connecting opening 335, and the light emitting layer 60 provided on the pixel opening 45 at their top surface an electron transport layer 70 provided, and a second electrode 80. provided on the electron transport layer 70.

基板310は、複数の層から構成され、基板310の最上層であり、第1層312と、第2層314とを備える。 Substrate 310 is composed of a plurality of layers, the top layer of the substrate 310 includes a first layer 312, a second layer 314. 第1電極20は第1層312の上に形成されており、補助配線330は第2層314の上に形成されている。 The first electrode 20 is formed on the first layer 312, the auxiliary wiring 330 is formed on the second layer 314.

本実施の形態にかかる表示装置400は、実施の形態1に係る表示装置100と比較して、基板10が複数の層から構成され、基板の最上層に第1電極20が設けられ、当該最上層と異なる層に補助配線330が形成された点が構成として異なる。 Display device 400 according to this embodiment, as compared with the display device 100 according to the first embodiment, the substrate 10 is composed of a plurality of layers, the first electrode 20 is provided on the uppermost layer of the substrate, the uppermost that the auxiliary wiring 330 in an upper layer different from the layer is formed is different from a structure.

また、図12(a)に記載されたように、表示装置400は、発光部90を備える発光画素99がマトリクス状に配置され、補助配線330は、各発光部90に沿って発光画素列ごとに配置して設けられている。 Further, as described in FIG. 12 (a), the display device 400, the light emitting pixel 99 including a light emitting portion 90 are arranged in a matrix, the auxiliary wiring 330, each light emitting pixel column along the light-emitting portions 90 It is provided arranged. なお、図12(b)に記載された電子輸送層70及び第2電極80は、図12(a)に記載された部分平面図の全面にわたって形成されている。 Incidentally, and FIG. 12 (b) an electron transport layer 70 and the second electrode 80 described in is formed over the entire surface of the portion plan view according in Figure 12 (a). そして、補助配線330と第2電極80とは、補助配線330に沿って設けられた接続開口部335において、電子輸送層70からなる接続部を介して電気的に接続されている。 Then, the auxiliary wiring 330 and the second electrode 80, the connecting opening 335 which is provided along the auxiliary wiring 330 are electrically connected via a connecting portion formed of an electron transporting layer 70. このとき、第2電極80、電子輸送層70および補助配線330が、電流の流れる方向に対して、オーミック接続またはダイオード接続となるように構成されている。 In this case, the second electrode 80, the electron transport layer 70 and the auxiliary wiring 330, the direction of current flow, and is configured such that the ohmic connection or diode-connected. つまり、上記接続が、第2電極80から補助配線330に向かって、逆方向のダイオード特性を有しない構造となっている。 That is, the connection is, toward the second electrode 80 to the auxiliary wiring 330, and has a structure having no reverse diode characteristics. さらに、本発明の課題である発光画素への過電流流入の抑止を実現するため、接続部の構成層である電子輸送層70は、積層方向に対して、第2電極及び補助配線の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有することが好ましい。 Furthermore, in order to realize suppression of the overcurrent flowing into it is problem-emitting pixel of the present invention, the electron transport layer 70 is a constituent layer of the connecting portion, to the stacking direction, the electrical resistance of the second electrode and the auxiliary wiring preferably has a high electrical resistance value than the value.

なお、接続構成が、電流の流れる方向に対して、電流の流れを阻止しない層構成であれば、上記構造に限定されない。 Note that the connection configuration, the direction of current flow, if the layer structure which does not block the flow of current, not limited to the above structure. 例えば、第2電極80と補助配線330との間の構造が、多層構造であって電流の流れる方向について、逆方向のダイオード特性を有する構造となっていても、第2電極80と補助配線330との間に印加される電圧よりも、当該多層構造のうち逆方向のダイオード特性を有する層の逆耐圧が低い場合には、なだれ電流が発生する。 For example, the structure between the second electrode 80 and the auxiliary wiring 330, the direction of current flow in a multi-layer structure, even though a structure having a reverse direction of the diode characteristics, the auxiliary wiring and the second electrode 80 330 than the voltage applied between the, if the reverse breakdown voltage of a layer having a reverse direction of the diode characteristics of the multilayer structure is low, avalanche current is generated. よって、上記多層構造を有する表示装置も本発明に含まれ、図12に記載された実施の形態3に係る表示装置500と同様の効果を有する。 Therefore, a display device having the above multilayer structure is included in the present invention has the same effect as the display device 500 according to the third embodiment described in FIG. 12.

また、発光部90は、画素開口部45に設けられた、少なくとも発光層60および正孔注入層40と電子輸送層70から構成され、発光層60に注入された電子と正孔の再結合により発生する光を第2電極80面側から放出する。 Further, the light emitting unit 90, provided in the pixel openings 45 are composed of at least a light emitting layer 60 and the hole injection layer 40 and the electron transport layer 70 by recombination of injected into the light emitting layer 60 electron-hole emit light generated from the second electrode 80 face side. なお、第1電極20は、発光部90に対応して離間して複数個別に設けられている。 The first electrode 20 is spaced to correspond to the light emitting portion 90 is provided with a plurality individually. すなわち、発光部が、少なくとも3つのRGBなどのサブ画素から構成されている場合には、各サブ画素に対応して発光部90及び第1電極20が離間して設けられる。 That is, the light emitting portion, if it is composed of sub-pixels, such as at least three RGB light-emitting portion 90 and the first electrode 20 is spaced apart so as to correspond to each sub-pixel.

なお、表示装置500を構成する、例えば基板310、発光層などの各構成要素の材料などは、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。 Note that a display device 500, for example the substrate 310, etc. the material of each component, such as a light emitting layer are the same as in the first embodiment, the description thereof is omitted.

本実施の形態によれば、補助配線と第1電極とを、それぞれ、基板の異なる層に設けることにより、例えば補助配線と第1電極とが重なるように形成することもできるため、補助配線の面積を大幅に拡大できる。 According to this embodiment, the auxiliary wiring and the first electrode, respectively, by providing the different layers of the substrate, for example, the auxiliary wiring and since it is also possible to form such that the first electrode overlaps the auxiliary wiring area can be greatly expanded the. そして、それに対応して接続開口部335の面積を拡大できる。 Then, enlarge the area of ​​the connecting opening 335 it supports. その結果、第2電極と電子輸送層からなる接続部との接続面積、及び補助配線と接続部との接続面積の拡大により、過電流を効果的に抑制できる。 As a result, the connection area between the connection portion made of the second electrode and the electron transport layer, and the expansion of the connection area between the auxiliary wiring and the connecting portion can be effectively suppressed overcurrent. さらに、第1電極と補助配線とを立体的に配置できるため、配線電極の形状や大きさに対する制限を大幅に緩和できる。 Furthermore, since the first electrode and the auxiliary wiring can be arranged three-dimensionally, it can be greatly relaxed restrictions on the shape and size of the wire electrode. 上記の場合、例えば基板に形成された駆動素子の電極端子に接続される導電ビアと補助配線とが電気的にショートしないのであれば、補助配線を全面に形成してもよい。 In the above case, for example, if the conductive via and the auxiliary wiring connected to the electrode terminal of the drive element formed on the substrate is not to be electrically shorted, the auxiliary wiring may be formed over the entire surface.

また、本実施の形態においても、実施の形態1と同様に、少なくとも発光画素行ごと及び発光画素列ごとのうちいずれかにより、一次元または二次元に補助配線が設けられてもよい。 Also in this embodiment, as in the first embodiment, by one of at least every pixel rows each and luminescence pixel rows, it may be auxiliary wiring is provided in one or two dimensions.

また、本実施の形態によれば、補助配線と第1電極が立体的に配置できるため、第1電極の面積を大きくできる。 Further, it according to this embodiment, since the auxiliary wiring and the first electrode can be arranged three-dimensionally, the area of ​​the first electrode increases. それにより、発光部の開口面積を大幅に拡大できる。 This allows significantly expanding the opening area of ​​the light-emitting portion. その結果、低い駆動電圧や少ない駆動電流で発光部を発光できるので、長寿命で信頼性に優れた表示装置を実現できる。 As a result, capable of emitting light-emitting portion with a low drive voltage and low drive current, it can realize a display device with excellent reliability and long life.

また、本実施の形態によれば、第1電極と補助配線とを異なる材料で構成できるため、補助配線では必要な抵抗率に応じて、また第1電極では発光部の構成に応じて最適な材料など、選択の範囲が拡大する。 Further, according to this embodiment, it is possible to configure the first electrode and the auxiliary wiring of different materials, depending on the required resistivity in the auxiliary wiring and the first electrode optimum depending on the configuration of the light emitting portion such as material, to expand the range of selection. 例えば、下面発光方式の場合、第1電極を透明性の導電材料で形成し、補助配線を金属材料で形成することができる。 For example, the case of bottom emission type, forming a first electrode of a transparent conductive material, an auxiliary wiring can be formed of a metal material.

以下に、本発明の実施の形態3における表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, the manufacturing method of the display device in the third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図13〜図15は、本発明の実施の形態3における表示装置の製造方法を説明する断面図である。 13 to 15 are sectional views illustrating a method of manufacturing a display device in the third embodiment of the present invention.

まず、図13(a)に示すように、複数の層からなる基板310の下層となる第2層314上に、Alを、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法を用いて、全面に形成する。 First, as shown in FIG. 13 (a), on the second layer 314 comprising the underlying substrate 310 comprising a plurality of layers, the Al, for example, by a vacuum evaporation method or a sputtering method, formed on the entire surface. そして、フォトリソグラフィ法を用いて、Alをエッチングして、所定の位置に補助配線330を形成する。 Then, by photolithography, and etching the Al, forming the auxiliary wiring 330 in place. このとき、補助配線330は、二次元のマトリクス状に配列された発光部の、例えば行または列に沿って、一次元または二次元に配置して形成される。 At this time, the auxiliary wiring 330, the light-emitting portion arranged in a two-dimensional matrix, for example along a row or column are formed by arranging in a one-dimensional or two-dimensional. さらに、特に、上面発光方式の場合、各発光部を駆動する駆動回路と短絡などを生じなければ、任意の位置に補助配線を形成してもよい。 Furthermore, especially in the case of top emission type, unless it occurs short circuit and a drive circuit for driving the light emitting portion may be formed an auxiliary wiring at an arbitrary position.

次に、図13(b)に示すように、例えばCVD法やスパッタリング法などを用いて、シリコンなどの酸化膜により基板の最上層である第1層312を形成する。 Next, as shown in FIG. 13 (b), for example, by using a CVD method or a sputtering method, an oxide film such as silicon to form a first layer 312 is the uppermost layer of the substrate. このとき、第1層312の表面を、例えばCMP法などにより平坦化することが好ましい。 In this case, it is preferable that the surface of the first layer 312 is flattened by, for example, a CMP method.

次に、図13(c)に示すように、まず、Alを、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法を用いて、第1層312上に全面形成する。 Next, as shown in FIG. 13 (c), first, the Al, for example, by a vacuum evaporation method or a sputtering method is entirely formed on the first layer 312. そして、フォトリソグラフィ法を用いて、Alをエッチングし、所定の位置に第1電極20を形成する。 Then, by photolithography, etching the Al, to form the first electrode 20 in place. その後、正孔注入層40となる、例えばPEDOTなどを、例えばインクジェット法などを用いて、少なくとも第1電極20上の画素開口部に相当する位置に成膜する。 Thereafter, the hole injection layer 40, for example, PEDOT, etc., for example, using an inkjet method, is deposited at a position corresponding to the pixel opening on at least the first electrode 20.

次に、図13(d)に示すように、第1電極20と異なる位置で、補助配線330に沿って形成される接続開口部335となる位置に開口部を形成したレジスト膜115を形成する。 Next, as shown in FIG. 13 (d), at a position different from the first electrode 20, a resist film 115 having an opening is formed in the position where the connecting opening 335 which is formed along the auxiliary wiring 330 .

次に、図13(e)に示すように、レジスト膜115の開口部を介して、正孔注入層40及び第1層312をエッチングする。 Next, as shown in FIG. 13 (e), through the opening of the resist film 115 to etch the hole injection layer 40 and the first layer 312. これにより、補助配線330が露出する。 Thus, the auxiliary wiring 330 is exposed.

次に、図14(a)に示すように、ネガ型のフォトレジスト50Aを全面に塗布する。 Next, as shown in FIG. 14 (a), a photoresist 50A of negative on the entire surface. そして、ネガ型のフォトレジスト50Aの上に、画素開口部45と接続開口部335に相当する位置に遮光部を有するマスク110を位置合わせして載置する。 Then, on the negative photoresist 50A, it is placed in alignment with the mask 110 having a light shielding portion at a position corresponding to the connecting opening 335 and the pixel openings 45. そして、このマスク110を介して、フォトリソグラフィ法を用いてフォトレジスト50Aを露光する。 Then, through the mask 110, exposing the photoresist 50A by photolithography.

次に、図14(b)に示すように、マスク110を取り外し、硬化処理をして、画素開口部45と接続開口部335を構成する隔壁50を形成する。 Next, as shown in FIG. 14 (b), remove the mask 110, and the curing process, forming the partition wall 50 constituting the connection opening 335 and the pixel openings 45.

次に、図14(c)に示すように、画素開口部45内に、例えばインクジェット法などを用いて、発光層となるペースト材料を塗布する。 Next, as shown in FIG. 14 (c), in the pixel opening section 45, for example, using an inkjet method, applying a paste material for the light emitting layer. このとき、発光層となるペースト材料は、画素開口部45から表面張力により盛り上がった状態で塗布される。 At this time, the paste material for the light emitting layer is applied in a state in which raised by surface tension from the pixel openings 45.

次に、図14(d)に示すように、ペースト材料を、例えば、80℃30分程度乾燥させて、ペースト材料の溶剤成分を揮発させて発光部の発光層60を形成する。 Next, as shown in FIG. 14 (d), a paste material, for example, dried about 80 ° C. 30 minutes to form a light-emitting layer 60 of the light emitting portion to volatilize the solvent component of the paste material. なお、このとき、発光部が少なくとも3つのRGBなどの異なるサブ画素からなる場合、サブ画素ごとに、図14(c)と図14(d)を繰り返すことにより、サブ画素に異なる発光部の発光層を形成した画素が形成される。 At this time, when the light-emitting portion is composed of different sub-pixels, such as at least three RGB, for each sub-pixel, by repeating FIG. 14 (d) Fig. 14 (c), light emission of different emission portion to the sub-pixel pixels forming the layers are formed.

次に、図15(a)に示すように、少なくとも画素開口部45及び接続開口部335を被覆するように、例えば真空蒸着法を用いて、電子輸送層70を形成する。 Next, as shown in FIG. 15 (a), so as to cover at least the pixel openings 45 and connecting opening 335, for example using a vacuum deposition method to form the electron transport layer 70. これにより、接続開口部335に補助配線の上面の一部と電気的に接続する接続部が形成される。 Thus, connecting portion part and electrically connecting the upper surface of the auxiliary wiring connecting opening 335 is formed.

次に、図15(b)に示すように、電子輸送層70の上に、例えばインジウムスズ酸化物などを、スパッタリング法を用いて成膜し、第2電極80を形成する。 Next, as shown in FIG. 15 (b), on the electron transport layer 70, for example, such as indium tin oxide, is deposited by a sputtering method to form the second electrode 80. これにより、第2電極80と補助配線330が電子輸送層70を介して電気的に接続される。 Thus, the second electrode 80 and the auxiliary wiring 330 are electrically connected via the electron transport layer 70.

その後、実施の形態1と同様に、例えば樹脂層やガラスなどを設けて保護層を形成して、表示装置500が製造される。 Thereafter, as in the first embodiment, for example, a resin layer or a glass to form a protective layer is provided, the display device 500 is manufactured.

本実施の形態の表示装置の製造方法によれば、実施の形態1と同様の効果が得られる。 According to the manufacturing method of the display device of this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

また、本実施の形態の表示装置の製造方法によれば、補助配線と第1電極とを、基板の有する異なる層に設けることにより、第2電極と補助配線との接続面積をさらに拡大できる。 Further, according to the manufacturing method of the display device of this embodiment, the auxiliary wiring and the first electrode, by providing the different layers having a substrate, a contact area between the auxiliary wiring and the second electrode can be further enlarged. これにより、電流密度を低減し、過電流に対する緩衝効果をさらに向上させ、駆動電圧の変動を抑制し、輝度ばらつきの少ない高い表示品質の表示装置を生産性よく製造できる。 This reduces the current density, further improve the buffering effect against overcurrent, and suppressing the fluctuation in driving voltage can be manufactured with good productivity display device of small high display quality brightness variation.

また、本実施の形態の表示装置の製造方法によれば、補助配線と第1電極が立体的に配置できるため、第1電極の面積を大きくして発光部の開口面積を大幅に拡大できる。 Further, according to the manufacturing method of the display device of the present embodiment, since the auxiliary wiring and the first electrode can be arranged three-dimensionally, can be greatly enlarge the opening area of ​​the larger to the light emitting portion of the area of ​​the first electrode. その結果、低い駆動電圧や少ない駆動電流で発光できるので、長寿命で信頼性に優れた表示装置を製造できる。 As a result, it emits light at a low drive voltage and low drive current, it can be produced an excellent display device reliability and long life.

また、本実施の形態の表示装置の製造方法によれば、第1電極と補助配線とを異なる材料で形成できるため、補助配線では必要な抵抗率に応じて、また第1電極では発光部の構成に応じて、最適な材料を任意に選択することができる。 Further, according to the manufacturing method of the display device of the present embodiment, it is possible to form the first electrode and the auxiliary wiring of a different material, the auxiliary wiring in accordance with the required resistivity, also in the light emitting portion in the first electrode depending on the configuration, it is possible to arbitrarily select the optimum material. その結果、材料などの選択自由度の高い表示装置を容易に製造できる。 As a result, a display device with high degree of freedom in selecting such materials can be easily manufactured.

なお、図15(a)に記載された電子輸送層70の成膜工程と、図15(b)に記載された第2電極80の成膜工程とは、連続したドライプロセスであることが好ましい。 Incidentally, the film forming process of FIG. 15 electron transport layer 70 described (a), a has been the process for forming the second electrode 80 described in FIG. 15 (b), is preferably a continuous dry process . 電子輸送層70の成膜工程から第2電極80の成膜工程への一連のプロセスを、上記連続したドライプロセスとすることにより、製造プロセスが簡略化される。 A series of processes from the step of forming the electron transport layer 70 to the step of forming the second electrode 80, by means of the above continuous dry process, the manufacturing process is simplified. また、電子輸送層70と第2電極80との界面に、不要な酸化物層などが介在することが抑制されるので、表示装置の高発光効率、低駆動電圧及び長寿命化にも貢献する。 Further, the interface between the electron transport layer 70 and the second electrode 80, since such unnecessary oxide layer is suppressed to be mediated, high luminous efficiency of the display device, which also contributes to the low driving voltage and long life .

なお、本実施の形態では、発光部の構成として、正孔注入層/発光層/電子輸送層を例に説明したが、これに限られない。 In this embodiment, a structure of the light emitting portion, but the hole injection layer / light emitting layer / electron transporting layer is described as an example, not limited thereto. 例えば、発光構造を有する、発光層以外の少なくとも正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層のいずれか一層を含む構成であればよい。 For example, having a light emitting structure, at least a hole injection layer other than the light emitting layer, a hole transport layer, and may be any layer configuration including the electron injection layer and the electron transporting layer. そして、発光部の構成に対応して、第2電極と補助配線との間に介在する接続部として、電子輸送層以外に、少なくとも電子注入層、正孔注入層および正孔輸送層のいずれか一層を設けてもよい。 Corresponding to the configuration of the light emitting portion, a connecting portion interposed between the auxiliary wiring and the second electrode, in addition to the electron-transporting layer, at least an electron injection layer, or the hole injection layer and a hole transport layer more may be a provided. つまり、接続部は、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層および正孔輸送層などの積層構造であってもよい。 That is, the connecting portion can be an electron-transporting layer, an electron injection layer may be a laminated structure, such as a hole injection layer and a hole transport layer.

この場合、接続部は、第2電極から補助配線に向かって流れる電流が逆方向のダイオード特性を有しないように構成されることが好ましい。 In this case, the connecting portion, it is preferable that a current flowing toward the auxiliary wiring from the second electrode is configured not have the reverse direction of the diode characteristic.

しかし、例えば、接続部として正孔注入層と電子輸送層とを積層した場合などでは、第2電極から補助配線に向かって流れる電流が逆方向のダイオード特性を有してしまう場合が想定される。 However, for example, in a case where a laminate of a hole injection layer and the electron transport layer as the connection portion, is assumed when the current flowing toward the auxiliary wiring from the second electrode will have a reverse diode characteristics . この場合であっても、この積層構造の有する逆方向のダイオード特性の逆耐圧が接続部に印加される電圧よりも低い場合には、第2電極から補助配線に向かってなだれ電流が発生する。 Even in this case, the reverse breakdown voltage of the reverse diode characteristics possessed by the laminate structure in the case lower than the voltage applied to the connection portion, avalanche current is generated toward the auxiliary wiring from the second electrode. よって、上記積層構造を有する表示装置も本発明に含まれ、図12に記載された実施の形態3に係る表示装置500と同様の効果を有する。 Therefore, a display device having the above multilayer structure is included in the present invention has the same effect as the display device 500 according to the third embodiment described in FIG. 12.

一方、この積層構造の有する逆方向のダイオード特性の逆耐圧が接続部に印加される電圧よりも低い場合には、第2電極から補助配線に向かっての電流パスが遮断されてしまい、発光のための電流パスも遮断されてしまう。 On the other hand, If this reverse breakdown voltage of the reverse diode characteristics possessed by the laminated structure is lower than the voltage applied to the connecting portion it will be cut off current path toward the auxiliary wiring from the second electrode, the light emitting current path for will also be blocked. このような積層構造は、本発明においては不適合である。 Such laminate structures are incompatible in the present invention.

つまり、発光部を流れる電流に対して、接続部の電流の流れを阻止しない層構成であれば、組み合わせは任意である。 That is, for the current flowing through the light emitting section, as long as the layer structure which does not block the flow of current connections, the combination is arbitrary.

また、本実施の形態では、隔壁を有する表示装置を例に説明したが、これに限られない。 Further, in the present embodiment it has been described the display device having the partition wall as an example, not limited thereto. 例えば、図13(e)において、正孔注入層40以外の領域に発光層のペースト材料を撥水する層を設けることにより画素開口部のみに発光層を塗布してもよい。 For example, Figure 13 in (e), the paste material for the light emitting layer in a region other than the hole injection layer 40 only pixel opening by providing a layer of water repellent may be applied a light emitting layer. これにより、隔壁の形成工程が必要でなくなるため、さらに生産性を向上できる。 Thus, since the process of forming the partition wall is no longer necessary, it can be further improved productivity.

図16は、本発明の実施の形態3に係る第1の変形例を示す表示装置の要部断面図である。 Figure 16 is a fragmentary cross-sectional view of a display device showing a first modification of the third embodiment of the present invention. なお、図16は、図12(b)と同様に図12(a)のA−A'線に沿って切断した断面図である。 Incidentally, FIG. 16 is a sectional view taken along the line A-A 'shown in FIG. 12 (a) similarly to FIG. 12 (b). また、図17は、本発明の実施の形態3に係る第1の変形例を示す表示装置の製造方法を説明する断面図である。 Further, FIG. 17 is a sectional view for explaining a method of manufacturing a display device according to a first modification of the third embodiment of the present invention. 図16に記載された表示装置550は、基板310と、第1電極20と、補助配線330と、正孔注入層40と、隔壁50と、発光層60と、電子輸送層70と、第2電極80とを備える。 Display device 550 described in FIG. 16, a substrate 310, a first electrode 20, the auxiliary wiring 330, a hole injection layer 40, a partition wall 50, and the light emitting layer 60, an electron transport layer 70, the second and a electrode 80.

基板310は、複数の層から構成され、第1層312と、第2層314とを備える。 Substrate 310 is composed of a plurality of layers includes a first layer 312, a second layer 314. 図16に記載された表示装置550は、図12(b)に記載された表示装置400と比較して、正孔注入層40を補助配線330の接続開口部335以外の領域に形成した点が構成として異なる。 Display device 550 described in FIG. 16 differs from the display device 400 described in FIG. 12 (b), in that the hole injection layer 40 is formed in a region other than the connecting opening 335 of the auxiliary wiring 330 different as a constituent. なお、表示装置550の平面レイアウトは、図12(a)に記載された表示装置400の平面レイアウトと同じである。 The planar layout of the display device 550 is the same as the plan layout of the display device 400 described in Figure 12 (a).

また、表示装置550は、以下に示す方法で製造される。 The display device 550 is manufactured by the following method. なお、表示装置550の製造方法は、基本的に表示装置400の製造方法と同様であり、異なる工程を主に説明し、同じ工程の説明を省略する場合がある。 The manufacturing method of the display device 550 is the same as the method of manufacturing the basic display device 400, there is a case where different steps mainly described, omitting the description of the same steps.

まず、図17(a)に示すように、複数の層からなる基板のうち第2層314上の所定の位置に補助配線330を形成する。 First, as shown in FIG. 17 (a), forming an auxiliary wiring 330 to a predetermined position on the second layer 314 of the substrate comprising a plurality of layers.

次に、図17(b)に示すように、例えばCVD法やスパッタリング法などを用いて、シリコンなどの酸化膜により基板の最上層である第1層312を形成する。 Next, as shown in FIG. 17 (b), for example, by using a CVD method or a sputtering method, an oxide film such as silicon to form a first layer 312 is the uppermost layer of the substrate. このとき、第1層312の表面を、例えばCMP法などにより平坦化することが好ましい。 In this case, it is preferable that the surface of the first layer 312 is flattened by, for example, a CMP method.

次に、図17(c)に示すように、正孔注入層40となる、例えば、酸化モリブデン、酸化タングステン及び酸化バナジウムなどの遷移金属酸化物を、例えば、スパッタリング法を用いて、全面に成膜する。 Next, as shown in FIG. 17 (c), the hole injection layer 40, for example, molybdenum oxide, a transition metal oxide such as tungsten oxide and vanadium oxide, for example, by sputtering, on the entire surface formed to film.

次に、図17(d)に示すように、補助配線330に沿って形成される接続開口部335となる位置に開口部を形成したレジスト膜115を形成する。 Next, as shown in FIG. 17 (d), a resist film 115 having an opening is formed in the position where the connecting opening 335 which is formed along the auxiliary line 330.

次に、図17(e)に示すように、レジスト膜115の開口部を介して、正孔注入層40および第1層312をエッチングする。 Next, as shown in FIG. 17 (e), through the opening of the resist film 115 to etch the hole injection layer 40 and the first layer 312. これにより、補助配線330が露出する。 Thus, the auxiliary wiring 330 is exposed.

その後、説明は省略するが、図14(a)〜図15(b)と同様の方法により、表示装置550が製造される。 Then, description is omitted, in the same manner as FIG. 14 (a) ~ FIG. 15 (b), the display device 550 is manufactured.

これにより、正孔注入層を一括で形成できるため、生産性が向上する。 Accordingly, it is possible to form the hole injection layer collectively, productivity is improved. また、均一な膜厚の正孔注入層を容易に形成でき、表示ばらつきを抑制できる。 Further, a hole injection layer having a uniform thickness can be easily formed, it can suppress the display unevenness.

なお、上記表示装置550では、遷移金属からなる正孔注入層40を、接続開口部以外の領域に形成した例で説明したが、表示装置500のように第1電極20上にのみ、フォトリソグラフィ法を用いて、正孔注入層40を形成してもよい。 In the display device 550, a hole injection layer 40 consisting of transition metals has been described in example formed in the region other than the connecting opening, only on the first electrode 20 as the display device 500, photolithography law using to form the hole injection layer 40.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
以下に、本発明の実施の形態4における表示装置について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, the display device in the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図18は、本発明の実施の形態4における表示装置の要部を説明する部分断面図である。 Figure 18 is a partial cross-sectional view illustrating a main part of a display device in the fourth embodiment of the present invention. 同図のように、表示装置600は、基板410と表示部500Aとを備える。 As in the figure, the display device 600, and a display portion 500A and the substrate 410. 基板410は、ベース層405と、発光部を駆動する駆動素子を形成した駆動回路層420と、駆動回路層420上に形成された層間絶縁層445とを備える。 Substrate 410 includes a base layer 405, a drive circuit layer 420 to form a driving element for driving the light emitting portion, and an interlayer insulating layer 445 formed on the driving circuit layer 420. また、表示部500Aは、表示装置500における構成要素のうち、基板10以外の構成要素を備える。 The display unit 500A, among the components in the display apparatus 500, comprises components other than the substrate 10. 本実施の形態に係る表示装置600は、基板の構成が実施の形態3と異なる。 Display device 600 according to this embodiment, different configurations of the substrate in the third embodiment. 以下、実施の形態3に記載された表示装置500と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。 Hereinafter, the same point as the display device 500 described in the third embodiment not described, will be described only the differences.

第1電極20は、層間絶縁層445上に形成されている。 The first electrode 20 is formed on the interlayer insulating layer 445.

補助配線430は、ベース層405上に形成されている。 Auxiliary wiring 430 is formed on the base layer 405.

駆動回路層420は、ベース層405上に形成されており、例えば、TFTなどのFETで構成された駆動素子(図示せず)からなる。 Driving circuit layer 420 is formed on the base layer 405, for example, a driving element which is formed of a FET, such as TFT (not shown).

また、層間絶縁層445は、駆動回路層420の上に形成されている。 Further, the interlayer insulating layer 445 is formed on the driving circuit layer 420. そして、層間絶縁層445に形成された導電ビア440を介して、第1電極20と駆動素子の電極端子(図示せず)とが接続されている。 Then, through a conductive via 440 formed in the interlayer insulating layer 445, the electrode terminals of the first electrode 20 and the driving element (not shown) is connected.

本構成において、層間絶縁層445に形成した導電ビア440を介して第1電極20と駆動素子の電極端子(図示せず)が接続され、接続開口部435で電子輸送層70からなる接続部を介して第2電極80と補助配線430とが接続されている。 In this configuration, the electrode terminals of the first electrode 20 and the driving element (not shown) is connected through a conductive via 440 formed in the interlayer insulating layer 445, a connection portion by the connection opening 435 comprising an electron transport layer 70 and the second electrode 80 through the auxiliary wiring 430 is connected.

本実施の形態によれば、駆動回路層420と一体化したアクティブマトリクス型の表示装置600を簡単な構成で実現できる。 According to the present embodiment can be realized an active matrix display device 600 integrated with a driving circuit layer 420 with a simple configuration. また、画素内への過電流の流入を抑止するとともに、発光部の駆動電圧の変動を抑制し、発光部の輝度ばらつきを低減した高い表示品質を備えた表示装置を実現できる。 Also, to deter the flow of over current to the pixel, and suppressing the fluctuation in driving voltage of the light-emitting portion, it is possible to realize a display device having a high display quality with reduced variations in luminance of the light emitting portion.

以上、本発明の表示装置及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明に係る表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。 Although the display device and a manufacturing method thereof of the present invention has been described based on the embodiments, the display device according to the present invention is not limited to the above embodiment. 実施の形態1〜4及びその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、実施の形態1〜4及びその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。 Another embodiment and which is implemented by combining any component in the first to fourth embodiments and their modified examples, those without departing from the scope of the present invention to the first to fourth embodiments and their modified examples and variations obtained by many modifications are skilled occur, various devices with a built-in display device according to the present invention are also included in the present invention.

なお、実施の形態1〜4において、接続部を構成する層は、発光部を構成する層の一部として説明してきたが、接続部を構成する層は、発光部を構成する層と連続している必要はない。 Note that in the first to fourth embodiments, the layers constituting the connecting portion has been described as part of layers constituting the light emitting unit, the layer constituting the connecting portion is continuous with the layer constituting the light emitting portion it is not necessary is. 図19は、本発明の実施の形態1に係る第6の変形例を示す表示装置の要部断面図である。 Figure 19 is a fragmentary cross-sectional view of a display device showing a sixth modification of the first embodiment of the present invention. 同図における表示装置650は、図1(b)に記載された表示装置100と比較して、電子輸送層70が中央の隔壁50上で分断されている点のみが異なる。 Display device 650 in the figure, compared to the display device 100 described in FIG. 1 (b), only in that the electron transport layer 70 are divided on the center wall 50 is different. この場合だけでなく実施の形態1〜4において発光部と分断された接続部を有する場合においても、各実施の形態にて得られた効果と同様の効果を奏する。 In this case even when having a connection portion that is separated with the light emitting unit in the first to fourth embodiments as well, the same effect as the effect obtained in the embodiments.

ここで、上述した本発明の実施の形態1に係る第6の変形例のように、接続部が発光部と分断されている場合には、接続部は、発光部の構成要素とは異なる構成要素からなることが挙げられる。 Here, as in the sixth modification according to the first embodiment of the present invention described above, when the connection portion is separated and the light-emitting portion, the connecting portion is different from the components of the light-emitting portion configured and the like be composed of elements. この場合、製造プロセスの簡略化は困難であるが、例えば、接続部として、電子注入性の材料、電子輸送性の材料、正孔注入性の材料または正孔輸送性の材料を用いることにより、画素内への過電流の流入を抑止しながら輝度バラツキを抑制するという本発明の課題は解決される。 In this case, simplification of the manufacturing process is difficult, for example, as a connection portion, an electron injecting material, electron transporting material, by using the hole injection material or a hole transporting material, the object of the present invention of suppressing luminance variations while suppressing the inflow of over current to the pixel is solved. 更には、上述した性質を有する各種材料でなくとも、過電流防止効果を有し発光部の駆動電圧に過大な負荷がかからないような抵抗値を有するバッファ層を、接続部として用いることにより画素内への過電流の流入を抑止しながら輝度バラツキを抑制するという本発明の課題は解決される。 Furthermore, without a variety of materials having the properties described above, the buffer layer having a resistance value that does not impose an excessive load on the driving voltage of the light-emitting portion has a overcurrent prevention effect, the pixels by using a connecting portion the object of the present invention of suppressing luminance variations while suppressing the inflow of excessive current to is solved.

また、例えば、本発明に係る表示装置は、図20に記載されたような薄型フラットTVに内蔵される。 Further, for example, a display device according to the present invention is incorporated in a thin flat TV as described in Figure 20. 過電流防止機能を有し輝度バラツキの抑制された本発明に係る表示装置により、高い表示品質を備えた薄型フラットTVが実現される。 The display device according to the present invention with suppressed luminance variation has an overcurrent protection function, thin flat TV with high display quality can be realized.

本発明の表示装置およびその製造方法は、低駆動電圧で高効率、長寿命で高い表示品質が要望される、テレビ、パーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野に有用である。 Display device and its manufacturing method of the present invention, high efficiency at low drive voltage, high display quality long life is desired, useful in the art such as television, personal computer display.

(a)本発明の実施の形態1における表示装置の要部を説明する部分平面図、(b)図1(a)のA−A'線に沿って切断した要部断面図 (A) partial plan view illustrating a main part of a display device according to the first embodiment of the present invention, (b) cross sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 (a) 本発明の実施の形態1における表示装置の製造方法を説明する断面図 Sectional view illustrating a method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention 本発明の実施の形態1における表示装置の製造方法を説明する断面図 Sectional view illustrating a method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention 本発明の実施の形態1に係る第1の変形例を示す表示装置の要部断面図 Cross sectional view of a display device showing a first modification of the first embodiment of the present invention 本発明の実施の形態1に係る第1の変形例を示す表示装置の製造方法を説明する断面図 Cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display apparatus according to the first modification of the first embodiment of the present invention 本発明の実施の形態1に係る第2の変形例を示す表示装置の要部を説明する部分平面図 Partial plan view illustrating a main part of a display device showing a second modification of the first embodiment of the present invention 本発明の実施の形態1に係る第3の変形例を示す表示装置の要部を説明する部分平面図 Partial plan view illustrating a main part of a display device showing a third modification of the first embodiment of the present invention 本発明の実施の形態1に係る第4の変形例を示す表示装置の要部を説明する部分平面図 Partial plan view illustrating a main part of a display device showing a fourth modification of the first embodiment of the present invention 本発明の実施の形態1に係る第5の変形例を示す表示装置部分平面図 Display partial plan view showing a fifth modification of the first embodiment of the present invention 本発明の実施の形態2における表示装置の要部を説明する部分断面図 Partial cross-sectional view illustrating a main part of a display device according to a second embodiment of the present invention 本発明の実施の形態2における表示装置の主要な回路構成図 Main circuit configuration diagram of a display apparatus according to the second embodiment of the present invention (a)本発明の実施の形態3における表示装置の要部を説明する部分平面図、(b)図12(a)のA−A'線に沿って切断した要部断面図 (A) partial plan view illustrating a main part of a display device in the third embodiment of the present invention, (b) cross sectional view taken along the line A-A 'shown in FIG. 12 (a) 本発明の実施の形態3における表示装置の製造方法を説明する断面図 Sectional view illustrating a method of manufacturing a display device in the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態3における表示装置の製造方法を説明する断面図 Sectional view illustrating a method of manufacturing a display device in the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態3における表示装置の製造方法を説明する断面図 Sectional view illustrating a method of manufacturing a display device in the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態3に係る第1の変形例を示す表示装置の要部断面図 Cross sectional view of a display device showing a first modification of the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態3に係る第1の変形例を示す表示装置の製造方法を説明する断面図 Cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display apparatus according to the first modification of the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態4における表示装置の要部を説明する部分断面図 Partial cross-sectional view illustrating a main part of a display device in the fourth embodiment of the present invention 本発明の実施の形態1に係る第6の変形例を示す表示装置の要部断面図 Cross sectional view of a display device showing a sixth modification of the first embodiment of the present invention 本発明の表示装置を内蔵した薄型フラットTVの外観図 Exterior view of a thin flat TV with a built-in display device of the present invention 特許文献1に記載された従来の表示装置の有する発光画素の構造断面図 Structural cross-sectional view of a light-emitting pixel having a conventional display device disclosed in Patent Document 1

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10、210、310、410、710 基板 20、720 第1電極 30、32、330、430、730 補助配線 35、335、435 接続開口部 40 正孔注入層 45 画素開口部 50、740 隔壁 50A フォトレジスト 60 発光層 70 電子輸送層 75 電子注入層 80、760 第2電極 90 発光部 95、96、97、98、99 発光画素 100、150、200、250、300、350、400、500、550、600、650、700 表示装置 100A、500A 表示部 110 マスク 115 レジスト膜 220、420 駆動回路層 230、445 層間絶縁層 240、440 導電ビア 312 第1層 314 第2層 405 ベース層 745 開口部 750 光変調層 10,210,310,410,710 substrate 20,720 first electrode 30,32,330,430,730 auxiliary wiring 35,335,435 connecting opening 40 a hole injection layer 45 pixel apertures 50,740 bulkhead 50A Images resist 60 light emitting layer 70 electron-transporting layer 75 electron-injecting layer 80,760 second electrode 90 emitting portions 95,96,97,98,99 emitting pixel 100,150,200,250,300,350,400,500,550, 600,650,700 display device 100A, 500A display unit 110 mask 115 resist film 220, 420 drive circuit layer 230,445 interlayer insulating layer 240, 440 conductive vias 312 first layer 314 a second layer 405 base layer 745 openings 750 light modulation layer

Claims (20)

  1. 複数の発光画素が配置されている表示装置であって、 A display device in which a plurality of light-emitting pixels are arranged,
    基板と、 And the substrate,
    基板上または基板内に形成された第1電極と、 A first electrode formed on or in a substrate board,
    前記第1電極と電気絶縁されて形成された補助配線と、 An auxiliary wiring formed is the first electrode and electrically insulating,
    前記第1電極上に形成され、電流に応じて発光する発光部と、 Formed on the first electrode, a light emitting unit for emitting light in response to current,
    少なくとも前記発光部の上面に形成された第2電極と、 A second electrode formed on an upper surface of at least the light emitting portion,
    前記第2電極と前記補助配線の上面の少なくとも一部とを電気的に接続する接続部とを備え、 And a connecting portion for electrically connecting the at least a portion of the upper surface of the auxiliary wiring and the second electrode,
    前記発光部は、 The light emitting portion,
    発光層及び少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか一層を含み、 Emitting layer and at least an electron injection layer, an electron transporting layer, the greater one of the hole injection layer and the hole transport layer include,
    前記接続部は、 Said connection portion,
    発光層以外の少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層を含む表示装置。 At least an electron injection layer other than the light-emitting layer, electron transporting layer, the display device comprising the first layer or the hole injection layer and a hole transport layer.
  2. 前記接続部は、多層構造を有し、 It said connecting portion has a multi-layer structure,
    前記多層構造は、逆方向のダイオード特性を有し、かつ、前記接続部に印加される電圧に対して前記逆方向のダイオード特性を有する層の逆耐圧が低い 請求項1記載の表示装置。 Wherein the multilayer structure has a reverse diode characteristics, and the reverse breakdown voltage display device low claim 1, wherein the layer having the opposite direction of the diode characteristic with respect to the voltage applied to the connecting portion.
  3. 前記接続部は、 Said connection portion,
    前記第2電極と前記補助配線との間で逆方向のダイオード特性を有しない 請求項1記載の表示装置。 Display device according to claim 1, wherein no reverse diode characteristics between the auxiliary wiring and the second electrode.
  4. 前記基板は、少なくとも第1層及び当該第1層と異なる第2層とを有し、 The substrate has a at least a first layer and the first layer different from the second layer,
    前記第1電極は、前記第1層上に形成され、 The first electrode is formed on the first layer,
    前記補助配線は、前記第2層上に形成されている 請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の表示装置。 The auxiliary line, the display device according to any one of claims 1 to 3 which is formed on the second layer.
  5. 前記接続部の有する、少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層は、 Possessed by the connecting portion, at least an electron injection layer, an electron transport layer, or wherein the layer of the hole injection layer and a hole transport layer,
    前記発光部及び前記接続部にわたり、連続して形成されている 請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の表示装置。 Over the light emitting portion and the connecting portion, the display device according to any one of claims 1 to 4, which is formed continuously.
  6. 前記表示装置は、前記複数の発光画素がマトリクス状に配置されており、 The display device, the plurality of light emitting pixels are arranged in a matrix,
    前記第1電極及び前記発光部は、少なくとも前記発光画素ごとに離間して設けられ、 The first electrode and the light emitting portion is provided at a distance from each other in at least every light emitting pixels,
    前記補助配線は、少なくとも前記発光画素列ごと及び前記発光画素行ごとのいずれかに配置されている 請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の表示装置。 The auxiliary line, the display device according to at least the first term one of the light emitting pixel columns each and the luminescence pixel claim is arranged either each row 1-5.
  7. 前記複数の発光画素のそれぞれは、少なくとも3つのサブ画素で構成され、 Wherein each of the plurality of light emitting pixels, composed of at least three sub-pixels,
    前記第1電極及び前記発光部は、前記サブ画素ごとに離間して設けられ、 The first electrode and the light emitting portion is provided at a distance from each other in each of the sub-pixel,
    前記補助配線は、少なくとも前記サブ画素列ごと及び前記サブ画素行ごとのいずれかに配置されている 請求項6記載の表示装置。 The auxiliary line, at least the sub-pixel columns each and a display device according to claim 6, wherein disposed on one of each of the sub-pixel row.
  8. 前記複数の発光画素のそれぞれは、少なくとも3つのサブ画素で構成され、 Wherein each of the plurality of light emitting pixels, composed of at least three sub-pixels,
    前記第1電極及び前記発光部は、前記サブ画素ごとに離間して設けられ、 The first electrode and the light emitting portion is provided at a distance from each other in each of the sub-pixel,
    前記補助配線は、少なくとも前記発光画素列ごと及び前記発光画素行ごとのいずれかに配置されている 請求項6記載の表示装置。 The auxiliary line, at least the light emitting pixel columns each and a display device according to claim 6, wherein disposed on one of each of the pixel rows.
  9. 前記電子輸送層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びこれらの化合物のうち少なくともいずれか1つを含む 請求項1〜8のうちいずれか1項に記載の表示装置。 The electron transport layer, an alkali metal, a display device according to any one of claims 1 to 8 comprising at least any one of alkaline earth metals and compounds thereof.
  10. 前記基板は、さらに、 The substrate further
    前記第1電極の下に配置された層間絶縁層と、 An interlayer insulating layer disposed under the first electrode,
    前記層間絶縁層の下に配置され、前記発光画素を駆動する駆動素子を有する駆動回路層とを備え、 Wherein disposed below the interlayer insulating layer, and a drive circuit layer including a drive element for driving the light emitting pixels,
    前記層間絶縁層に設けられた導電ビアを介し、前記第1電極と前記駆動素子とが接続されている 請求項1〜9のうちいずれか1項に記載の表示装置。 The interlayer via conductive vias provided in the insulating layer, the display device according to any one of claims 1 to 9, the first electrode and the drive element is connected.
  11. 前記駆動素子は、薄膜トランジスタからなり、 The driving element is made of a thin film transistor,
    前記第1電極は、前記導電ビアを介し前記駆動素子のソース端子又はドレイン端子と接続されている 請求項10記載の表示装置。 The first electrode may display apparatus according to claim 10, wherein the source terminal or the connected to the drain terminal of the drive element via the conductive via.
  12. 複数の発光画素が配置されている表示装置の製造方法であって、 A method of manufacturing a display device in which a plurality of light-emitting pixels are arranged,
    基板上または基板内に、第1電極と当該第1電極と電気絶縁された補助配線とを形成する第1形成工程と、 On a substrate or in a substrate, a first forming step of forming the first electrode and the first electrode and electrically insulated auxiliary wiring,
    前記第1電極上に、発光層及び少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか一層を含み、電流に応じて発光する発光部と、前記補助配線上に、少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層を含む接続部とを形成する第2形成工程と、 Wherein on the first electrode, the light emitting layer and at least an electron injection layer, an electron transport layer comprises a further one of the hole injection layer and a hole transport layer, a light emitting unit for emitting light in response to current, on the auxiliary line at least the electron injection layer, and a second forming step of forming an electron transport layer, and a connecting portion including the one layer any of the hole injection layer and a hole transport layer,
    前記第2形成工程の後、少なくとも前記発光部及び前記接続部の上に、第2電極を形成する第3形成工程とを含む 表示装置の製造方法。 After the second forming step, on at least the light emitting portion and the connecting portion, a manufacturing method of a display device and a third forming step of forming a second electrode.
  13. 前記第2形成工程では、 In the second forming step,
    前記接続部は、多層構造を有し、 It said connecting portion has a multi-layer structure,
    前記多層構造は、逆方向のダイオード特性を有し、かつ、前記接続部に印加される電圧に対して前記逆方向のダイオード特性を有する層の逆耐圧が低い 請求項12記載の表示装置の製造方法。 Wherein the multilayer structure has a reverse diode characteristics, and manufacturing of the display device of the reverse breakdown voltage is lower according to claim 12, wherein the layer having the opposite direction of the diode characteristic with respect to the voltage applied to the connecting portion Method.
  14. 前記第2形成工程では、 In the second forming step,
    前記接続部は、 Said connection portion,
    前記第2電極と前記補助配線との間で逆方向のダイオード特性を有しない 請求項12記載の表示装置の製造方法。 The method of claim 12 display device according no reverse diode characteristics between the auxiliary wiring and the second electrode.
  15. 前記基板は、少なくとも第1層及び当該第1層と異なる第2層を有し、 The substrate has at least a second layer different from the first layer and the first layer,
    前記第1形成工程では、 In the first forming step,
    前記第1層の上に前記第1電極を形成し、 It said first electrode is formed on the first layer,
    前記第2層の上に前記補助配線を形成する 請求項12〜14のうちいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a display device according to any one of claims 12 to 14 for forming the auxiliary wiring on the second layer.
  16. 前記第2形成工程では、 In the second forming step,
    前記補助配線上に形成された、少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層は、前記接続部及び前記発光部にわたり、連続して形成されている 請求項12〜15のうちいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。 Formed on said auxiliary line, at least the electron injection layer, an electron transport layer, or wherein the layer of the hole injection layer and a hole transport layer, over said connection portion and said light emitting portion, is formed continuously method of manufacturing a display device according to any one of claims 12 to 15.
  17. 前記第2形成工程では、 In the second forming step,
    前記補助配線上に形成された、少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層は、真空蒸着法により全面形成されている 請求項16記載の表示装置の製造方法。 Formed on said auxiliary line, at least the electron injection layer, an electron transport layer, wherein the further one of the hole injection layer and a hole transport layer, the display device according to claim 16 which is entirely formed by a vacuum deposition method the method of production.
  18. 前記第2形成工程における、前記補助配線上に形成された、少なくとも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層のいずれか前記一層と、前記第3形成工程における前記第2電極とは、連続したドライプロセスにより形成されている 請求項12〜17のうちいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。 In the second forming step, formed on said auxiliary line, at least the electron injection layer, an electron transport layer, the To further one of the hole injection layer and a hole transport layer, the second in the third formation step the electrode manufacturing method of a display device according to any one of claims 12 to 17, which is formed by a continuous dry process.
  19. 前記第2形成工程では、 In the second forming step,
    前記電子輸送層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びこれらの化合物のうち少なくとも1つを含む 請求項12〜18のうちいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。 The electron transport layer, an alkali metal, a method of manufacturing a display device according to any one of claims 12 to 18 comprising at least one of alkaline earth metals and compounds thereof.
  20. 前記第1形成工程の前に、 Before the first forming step,
    前記基板の構成層として、前記発光画素を駆動する駆動素子を有する駆動回路層を形成する駆動層形成工程と、 As a layer of the substrate, and the driving layer forming step of forming a driving circuit layer having a drive element for driving the light emitting pixels,
    前記駆動回路層の上に、前記基板の最上層として、前記駆動素子と前記第1電極とを導通させる導電ビアを有する層間絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを含む 請求項12〜19のうちいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。 On the driving circuit layer, as an uppermost layer of the substrate, according to claim 12 to 19 including the insulating layer forming step of forming an interlayer insulating layer having a conductive via for electrically connecting the first electrode and the drive element out method of manufacturing a display device according to any one.
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