JP2011037825A - 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
R1b、R2b及びR3bは、各々独立に、有機基を表す。R1b、R2b及びR3bのうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
Aが窒素原子であるときn+m=2かつn=1又は2、m=0又は1であり、Aが炭素原子であるときn+m=3かつn=1〜3の整数、m=0〜2の整数である。nが2以上のとき、複数のR1は同一でも異なっていてもよく、R1が互いに結合し環を形成していてもよい。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明により提供される化合物は、活性光線又は放射線の照射により一般式(II)で表される酸を発生する化合物(以下、「本発明の化合物」、「本発明の塩」などともいう。)であり、光酸発生剤として感活性光線性または感放射線性樹脂組成物中に用い得る。
Aが窒素原子であるときn+m=2かつn=1又は2、m=0又は1であり、Aが炭素原子であるときn+m=3かつn=1〜3の整数、m=0〜2の整数である。nが2以上のとき、複数のR1は同一でも異なっていてもよく、R1が互いに結合し環を形成していてもよい。また、mが1以上のとき、R1とR2は結合して環を形成していてもよい。
R1は、フッ素原子を含有する一価の有機基であって、(含まれる全フッ素原子の質量)/(含まれる全原子の質量)により表されるフッ素含有率が0.35以下である一価の有機基を表す。R1において、このフッ素含有率は、0.30以下であることがより好ましく、0.25以下であることが特に好ましい。
すなわち、対応するアミンとフルオロサルトン又は酸ハライド等から化合物(a)を合成したのちアンモニアによりスルホンアミド(b)へと変換した後、スルホンイミド(c)へ導く、または化合物(a)と対応するスルホンアミド直接を反応させることによって化合物(c)へと導き、化合物(c)の塩交換によって合成することができる。
M+により表わされる有機対イオンは、ヨードニウムまたはスルホニウムイオンであることが好ましく、スルホニウムイオンであることが特に好ましい。
M+により表わされる有機対イオンとして、下記一般式(IV)で表されるスルホニウムイオンが挙げられる。
R1b、R2b及びR3bのうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
R1b〜R3bは、好ましくは、互いに独立に、直鎖状もしくは分岐鎖状の炭素数1〜30のアルキル基又は炭素数3〜30の環式炭化水素基を表す。
一般式(IVa)〜(IVd)について以下に説明する。
ここで、2価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、いずれも、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。
アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ドデシル、2−エチルヘキシル、イソプロピル、sec-ブチル、t-ブチル、iso-アミル等が挙げられる。該アルキル基は更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、一般式(I)中のR2により表される鎖式アルキル基が有し得る置換基と同様の基が挙げられる。
上記一般式(IV)および(IVa)〜(IVe)で示されるカチオンの具体例としては下記式で示されるカチオンが挙げられる。
D+は金属イオン又はアンモニウムイオンを表し、特に金属イオンであることが好ましい。D+により表わされる金属イオンの具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等の1価の金属イオンが挙げられる。
上記(A)光酸発生剤は以下に示すその他の光酸発生剤とあわせて本発明の組成物中の全固形分量に対して1〜60質量%含まれることが好ましく、3〜50質量%含まれることがより好ましく、3〜35質量%含まれることが特に好ましい。
本発明においては、光酸発生剤(A)以外に、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を併用してもよい。光酸発生剤(A)と併用しうる光酸発生剤の使用量は、モル比(光酸発生剤(A)/その他の光酸発生剤)で、通常100/0〜20/80、好ましくは100/0〜40/60、更に好ましくは100/0〜50/50である。そのような併用可能な光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z-は、非求核性アニオンを表す。
スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。
スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4〜8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
式(XI)中、Rcは、環状エーテル、環状チオエーテル、環状ケトン、環状炭酸エステル、ラクトン、ラクタム構造を含んでも良い炭素数3〜30の単環または多環の環状有機基を表す。Yは、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜10の炭化水素基、炭素数1〜10のヒドロキシアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜10のアシル基、炭素数2〜10のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜10のアシルオキシ基、炭素数2〜10のアルコキシアルキル基、炭素数1〜8のハロゲン化アルキル基を表す。m=0〜6であり、複数Yが存在する場合、互いに同一でも異なっても良い。n=0〜10である。
R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はフェニルチオ基を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、または単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
lとしては、0または1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0〜2が好ましい。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204〜R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204〜R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。
酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
酸発生剤の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物である。
酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(B)を含有する。
樹脂(B)は、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH2−R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Rx1〜Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx1〜Rx3の少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
Rx1〜Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Rx1〜Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Rx1がメチル基またはエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
R1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH2−R9で表される基を表す。R9は1価の有機基を表す。
R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。
R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。
R3〜R5は、一般式(II)におけるものと同義である。
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)またはアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合
nは、−R0−Z−で表される構造の繰り返し数であり、1〜5の整数を表す。
R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
また、R8は無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造(シアノラクトン)を有する1価の有機基がより好ましい。
下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。
R7、A、R0、Z、及びnは、上記一般式(III)と同義である。
R9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。
mは、置換基数であって、0〜5の整数を表す。mは0または1であることが好ましい。
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
一般式(III)で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
R2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、R2c〜R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,またはCF3を表す。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH2−O−Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
なお、樹脂(B)は、後述する疎水性樹脂(C)との相溶性の観点から、フッ素原子および珪素原子を含有しないことが好ましい。
また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
本発明の組成物からなる膜を、液浸媒体を介して露光する場合には、必要に応じてさらに疎水性樹脂(HR)を添加することができる。これにより、レジスト膜表層に疎水性樹脂(HR)が偏在化し、液浸媒体が水の場合、レジスト膜とした際の水に対するレジスト膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。疎水性樹脂(HR)としては、表面の後退接触角が添加することにより向上する樹脂であれば何でもよいが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましい。膜の後退接触角は60°〜90°が好ましく、更に好ましくは70°以上である。添加量は、膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できる。疎水性樹脂(HR)は前述のように界面に遍在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。
R57〜R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57〜R61、R62〜R64およびR65〜R68の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。R57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)が好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることがさらに好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。
R12〜R26は、各々独立に、直鎖もしくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)またはシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、
(z)酸の作用により分解する基。
Rc31は、水素原子、アルキル基、またはフッ素で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は−CH2−O−Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。
シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Zc'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
以下に一般式(III)、(CII−AB)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。
前記各成分を溶解させて本発明の組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4〜10)、環を含有しても良いモノケトン化合物(好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。
アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3−メチルブチル、酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが好ましく挙げられる。
好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130℃以上の溶剤が挙げられる。具体的には、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。
本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。
本発明の組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物としては、好ましくは、下記式(A)〜(E)で示される構造を有する化合物を挙げることができる。
R200 、R201及びR202 は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(炭素数6〜20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203 、R204、R205及びR206 は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜20個のアルキル基を表す。
これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましく、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。
キシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C3F7基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体などを挙げることができる。
これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。
界面活性剤の使用量は、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0〜2質量%、さらに好ましくは0.0001〜2質量%、特に好ましくは0.0005〜1質量%である。
本発明の組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもよい。カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。特に、カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。更に、本発明のカルボン酸オニウム塩のカルボキシレート残基が芳香族基、炭素−炭素2重結合を含有しないことが好ましい。特に好ましいアニオン部としては、炭素数1〜30の直鎖、分岐、単環または多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好ましくはこれらのアルキル基の一部または全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。
本発明の組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(以下、「溶解阻止化合物」ともいう)を含有してもよい。溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE, 2724,355 (1996)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、(B)成分の樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
溶解阻止化合物の添加量は、本発明の組成物の固形分に対し、好ましくは3〜50質量%であり、より好ましくは5〜40質量%である。
以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
本発明の組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物(例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物)等を含有させることができる。
本発明の組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30〜250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30〜200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性または感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、一般的には1〜10質量%、より好ましくは1〜8.0質量%、さらに好ましくは1.0〜6.0質量%である。
当該レジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
また、現像処理または、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。
撹拌機、滴下漏斗、温度計を備えた100mL四つ口フラスコに、デカヒドロイソキノリン2.32g(16.7mmol)、トリエチルアミン1.69g(16.7mmol)、クロロホルム30gを投入した。滴下漏斗より上記2−(フルオロスルホニル)ジフルオロアセチルフルオライド3.00g(16.7mmol)を20〜35℃に維持しながら滴下し、投入後反応液を室温付近において1時間撹拌を継続した。この反応液に水30gを加えて有機層を分離した。この水洗操作を更に2回実施した後、有機層を濃縮して反応混合物5.84gを得た。この反応混合物は、展開液にヘキサン:酢酸エチル=5:1(体積比)を用いた15gのシリカゲルカラムで精製した。溶媒を減圧下で除去後、3.25g(10.8mmol)の化合物1が収率65.2%で得られた。
撹拌機、滴下漏斗、温度計を備えた100mL四つ口フラスコに、デカヒドロイソキノリン2.32g(16.7mmol)、トリエチルアミン1.69g(16.7mmol)、クロロホルム30gを投入した。テトラフルオロβ−サルトン3.00g(16.7mmol)を20〜35℃に維持しながら滴下し、投入後反応液を室温付近において1時間撹拌を継続した。この反応液に水30gを加えて有機層を分離した。この水洗操作を更に2回実施した後、有機層を濃縮して反応混合物5.51gを得た。この反応混合物は、展開液にヘキサン:酢酸エチル=5:1(体積比)を用いた15gのシリカゲルカラムで精製した。溶媒を減圧下で除去後、3.29g(10.8mmol)の化合物1が収率66.1%で得られた。
撹拌機、滴下漏斗、温度計を備えた100mL四つ口フラスコに、化合物13.00g(10.0mmol)、THF50gを投入した。滴下漏斗よりトリエチルアミン10.2g(100mmol)、トリフルオロメタンスルホンアミド1.49g(10.0mmol)のTHF50g溶液を滴下し、投入後反応液を80℃にて6時間撹拌した。この反応液にジクロロメタン50g1N塩酸50gを加えて有機層を分離した。この有機層を1N水酸化ナトリウム水溶液50g、水50gで洗浄した後、濃縮して粗生成物6.2gを得た。この粗生成物は精製を行わず次の反応に用いた。
1−(シクロヘキシルメトキシ)ナフタレン2.40g(10.0mmol)を三口フラスコ中でEaton試薬15gに溶解させた後、攪拌しながらテトラメチレンスルホキシド1.04g(10.0mmol)を滴下し、さらに3時間攪拌を行った。反応液を、水100gにあけた後、上記化合物2の粗成生物を6.2g、クロロホルムを50g添加した。有機層を分離した後、水層からクロロホルム50gを用いてさらに2回抽出を行った。得られた有機層を合わせ、水洗を2回行い濃縮した。得られた組成生物を酢酸エチル10gを用いて再結晶を行い、PAG11を4.17g(5.53mmol、55.3%)得た。
光酸発生剤(PAG1)〜(PAG10)及びPAG−Aも同様の方法を用いて合成した。また、PAG12及びPAG13を公知の方法により合成した。
窒素気流下シクロヘキサノン53.22gを3つ口フラスコに入れこれを80℃に加熱した。これに2−エチル−2−アダマンチルメタクリレートを12.42g、γブチロラクトンメタクリレートを8.51g、3−ヒドロキシアダマンチル−1−メタクリレートを5.91g、および開始剤V−601 1.43g(モノマーに対し5.0mol%、和光純薬製)をシクロヘキサノン98.84gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で2時間反応させた。反応液を放冷後、メタノール900ml/水100mlの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると樹脂(RA−1)が18g得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で10700、分散度(Mw/Mn)は1.81であった。
他の樹脂(RA-2〜RA-12)についても同様の手法を用いて合成した。重量平均分子量は開始剤の量を変更することで調製した。
以下に各樹脂における繰り返し単位(モル比)、重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を示す。
下記表3に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度5質量%の溶液を調製し、これを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過してポジ型感光性組成物を調製した。調製したポジ型感光性組成物を下記の方法で評価し、結果を同表に示した。表2における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。
S1:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)
S2:2−ヘプタノン
S3:シクロヘキサノン
S4:γ−ブチロラクトン
S5:プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)
〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
〔塩基性化合物〕
D−1:トリフェニルスルホニウムアセテート
D−2:2,6−ジイソプロピルアニリン
D−3:トリエタノールアミン
D−4:N,N−ジブチルアニリン
D−5:2−フェニルベンズイミダゾール
<レジスト評価>
(露光条件(1)ArFドライ露光)実施例1
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーArFエキシマレーザースキャナー(ASML社製 PAS5500/1100、NA0.75)を用い、75nm1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。その後130℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
75nm 1:1ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが85nm±10%を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
ラインエッジエッジラフネスの測定は、測長SEM((株)日立製作所S−9260)を使用して、最適露光量における75nmの孤立パターンを観察し、ラインパターンの長手方向のエッジが5μmの範囲についてエッジのあるべき基準線からの距離をにより50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
ケー・エル・エー・テンコール社製の欠陥検査装置KLA2360(商品名)を用い、欠陥検査装置のピクセルサイズを0.16μmに、また閾値を20に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出される現像欠陥を検出して、単位面積(cm2)あたりの現像欠陥数を算出した。値が0.5未満のものを○、0.5以上0.8未満のものを△、0.8以上のものを×とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製 XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向)を用い、65nm1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後130℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
65nm 1:1ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが85nm±10%を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
ラインエッジエッジラフネスの測定は、測長SEM((株)日立製作所S−9260)を使用して、最適露光量における65nmの孤立パターンを観察し、ラインパターンの長手方向のエッジが5μmの範囲についてエッジのあるべき基準線からの距離を50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
ケー・エル・エー・テンコール社製の欠陥検査装置KLA2360(商品名)を用い、欠陥検査装置のピクセルサイズを0.16μmに、また閾値を20に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出される現像欠陥を検出して、単位面積(cm2)あたりの現像欠陥数を算出した。値が0.5未満のものを○、0.5以上0.8未満のものを△、0.8以上のものを×とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
Claims (13)
- (A)活性光線又は放射線の照射により一般式(II)で表される酸を発生する化合物、及び、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
Aが窒素原子であるときn+m=2かつn=1又は2、m=0又は1であり、Aが炭素原子であるときn+m=3かつn=1〜3の整数、m=0〜2の整数である。nが2以上のとき、複数のR1は同一でも異なっていてもよく、R1が互いに結合し環を形成していてもよい。R1が互いに結合して環を形成する場合において、R1に含まれるフッ素原子の前記含有率は、2つのR1が結合して形成する2価の基に含まれるフッ素原子の含有率を表す。
また、mが1以上のとき、R1とR2は結合して環を形成していてもよく、この場合において、R1に含まれるフッ素原子の前記含有率は、R1とR2が結合して形成する2価の基に含まれるフッ素原子の含有率を表す。 - 上記一般式(II)で表される酸に含有されるフッ素原子数が8個以下である請求項1に記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
- 上記一般式(II)により表される酸が下記一般式(III)で表される構造であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の組成物。
R3は、複数ある場合はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、R4は水素原子を表す。
Lは単結合または連結基を表す。
p1は1〜8の整数を表し、p2=1または2を表し、p3=0または1を表す。
p2=2である場合、2つのR3は互いに結合し環構造を形成してもよく、n=2以上である場合、複数のR3は互いに結合し環構造を形成していてもよい。 - 一般式(III)において、Lが、単結合または、酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、窒素原子(>N−)、カルボキシル基(−OC=O−,−CO=O−)、アミド基(>NC=O−)、スルホンアミド基(>NSO2−)である、請求項4に記載の組成物。
- 上記活性光線または感放射線性樹脂組成物がさらに(C)疎水性樹脂を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の組成物。
- 上記組成物がプロトン性溶媒を含まないことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の組成物。
- 下記一般式(I)で表される化合物。
Aが窒素原子であるときn+m=2かつn=1又は2、m=0又は1であり、Aが炭素原子であるときn+m=3かつn=1〜3の整数、m=0〜2の整数である。nが2以上のとき、複数のR1は同一でも異なっていてもよく、R1が互いに結合し環を形成していてもよい。R1が互いに結合して環を形成する場合において、R1に含まれるフッ素原子の前記含有率は、2つのR1が結合して形成する2価の基に含まれるフッ素原子の含有率を表す。
また、mが1以上のとき、R1とR2は結合して環を形成していてもよく、この場合において、R1に含まれるフッ素原子の前記含有率は、R1とR2が結合して形成する2価の基に含まれるフッ素原子の含有率を表す。 - 上記一般式(I)で表される化合物を構成するアニオンに含まれるフッ素原子数が8個以下である請求項9に記載の化合物。
- 下記一般式(V)で表される化合物。
Aが窒素原子であるときn+m=2かつn=1又は2、m=0又は1であり、Aが炭素原子であるときn+m=3かつn=1〜3の整数、m=0〜2の整数である。nが2以上のとき、複数のR1は同一でも異なっていてもよく、R1が互いに結合し環を形成していてもよい。R1が互いに結合して環を形成する場合において、R1に含まれるフッ素原子の前記含有率は、2つのR1が結合して形成する2価の基に含まれるフッ素原子の含有率を表す。
また、mが1以上のとき、R1とR2は結合して環を形成していてもよく、この場合において、R1に含まれるフッ素原子の前記含有率は、R1とR2が結合して形成する2価の基に含まれるフッ素原子の含有率を表す。 - 上記一般式(V)で表される化合物を構成するアニオンに含まれるフッ素原子数が8個以下である請求項11に記載の化合物。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の組成物を用いて膜を形成すること、該膜を露光すること、露光した膜を現像することを含むパターン形成方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011173865A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-09-08 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | スルホニル光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト |
WO2012118168A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film |
JP2012224615A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
KR20130032247A (ko) * | 2011-09-22 | 2013-04-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 이것을 사용한 레지스트막, 패턴형성방법, 전자 디바이스의 제조방법, 및 전자 디바이스 |
JP2017120403A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2017129851A (ja) * | 2015-12-31 | 2017-07-27 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 光レジスト組成物、光レジスト組成物を含むコーティングされた基材、及び電子装置を形成する方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9551928B2 (en) * | 2009-04-06 | 2017-01-24 | Fujifilm Corporation | Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern therewith |
JP5651636B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-01-14 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
JP5568532B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2014-08-06 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
EP2998297A1 (en) * | 2014-09-18 | 2016-03-23 | Heraeus Materials Korea Corporation | Photo-acid generating compounds, compositions comprising said compounds, composite and process for making said composite as well as uses of said compounds |
TWI656111B (zh) | 2015-12-31 | 2019-04-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | 光酸產生劑 |
US11435665B2 (en) * | 2018-05-31 | 2022-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
JP7099250B2 (ja) * | 2018-10-25 | 2022-07-12 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP7388346B2 (ja) | 2020-02-14 | 2023-11-29 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000508678A (ja) * | 1996-12-30 | 2000-07-11 | イドロ―ケベック | 過フッ化アミド塩及びイオン伝導物質としてのその使用方法 |
JP2003525957A (ja) * | 1998-06-25 | 2003-09-02 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ペンダント型のフッ素置換イオン基を有する芳香族重合体 |
JP2006084530A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2007219471A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
WO2008009814A1 (fr) * | 2006-07-17 | 2008-01-24 | Institut National Polytechnique De Grenoble | Sulfonylimidures aromatiques, leur preparation et leur utilisation comme electrolyte. |
JP2009042748A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-02-26 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2010008912A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60234409D1 (de) | 2001-06-29 | 2009-12-31 | Jsr Corp | Säuregenerator, Sulfonsäure, Sulfonsäurederivate und strahlungsempfindliche Zusammensetzung |
JP4110319B2 (ja) | 2001-06-29 | 2008-07-02 | Jsr株式会社 | 感放射線性酸発生剤および感放射線性樹脂組成物 |
TWI273350B (en) * | 2001-12-27 | 2007-02-11 | Shinetsu Chemical Co | Photoacid generating compounds, chemically amplified positive resist materials, and pattern forming method |
JP4434762B2 (ja) | 2003-01-31 | 2010-03-17 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物 |
US7491482B2 (en) * | 2006-12-04 | 2009-02-17 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
US7390613B1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-24 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
US8003294B2 (en) * | 2007-03-09 | 2011-08-23 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, compound used for photosensitive composition and pattern-forming method using photosensitive composition |
JP5712099B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法 |
-
2010
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000508678A (ja) * | 1996-12-30 | 2000-07-11 | イドロ―ケベック | 過フッ化アミド塩及びイオン伝導物質としてのその使用方法 |
JP2003525957A (ja) * | 1998-06-25 | 2003-09-02 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ペンダント型のフッ素置換イオン基を有する芳香族重合体 |
JP2006084530A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2007219471A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
WO2008009814A1 (fr) * | 2006-07-17 | 2008-01-24 | Institut National Polytechnique De Grenoble | Sulfonylimidures aromatiques, leur preparation et leur utilisation comme electrolyte. |
JP2009042748A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-02-26 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2010008912A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JOURNAL OF ORGANIC CHEMISTRY, vol. 73, JPN6014008350, 2008, pages 5613 - 5616, ISSN: 0002756065 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011173865A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-09-08 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | スルホニル光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト |
WO2012118168A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film |
JP2013057923A (ja) * | 2011-02-28 | 2013-03-28 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜 |
CN103562795A (zh) * | 2011-02-28 | 2014-02-05 | 富士胶片株式会社 | 图案形成方法、感光化射线性或感放射线性树脂组成物及抗蚀剂膜 |
JP2012224615A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
KR20130032247A (ko) * | 2011-09-22 | 2013-04-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 이것을 사용한 레지스트막, 패턴형성방법, 전자 디바이스의 제조방법, 및 전자 디바이스 |
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JP2017120403A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2017129851A (ja) * | 2015-12-31 | 2017-07-27 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 光レジスト組成物、光レジスト組成物を含むコーティングされた基材、及び電子装置を形成する方法 |
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