JP2011027427A - 単結晶の欠陥密度測定方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶の観察面をエッチングして個々の欠陥にエッチピットを形成し、エッチピットの立体形状に関する数値データを用いて欠陥密度を測定する方法であって、
観察面からの深さのしきい値で2値化することによりエッチピットを分離する操作を、該しきい値を段階的に増加させながら複数回繰り返すことを特徴とし、かつ、エッチピットの深さとエッチピット間の距離との比によりエッチピットを統合する処理を付加し、更にその際に、各エッチピットについてそのエッチピットの最終回のデータのみを残しそれ以前のデータは消去して、各エッチピットの2値化処理データを寄せ集めることを特徴とする単結晶の欠陥密度測定方法。
【選択図】図1
Description
観察面からの深さのしきい値で2値化することによりエッチピットを分離する操作を、該しきい値を段階的に増加させながら複数回繰り返すことを特徴とし、かつ、エッチピットの深さとエッチピット間の距離との比によりエッチピットを統合する処理を付加し、更にその際に、各エッチピットについてそのエッチピットの最終回のデータのみを残しそれ以前のデータは消去して、各エッチピットの2値化処理データを寄せ集めることを特徴とする単結晶の欠陥密度測定方法が提供される。
λ1は、Th1とDmin1の重みを調整する係数であり、大きくすればDmin1よりTh1を大きく影響させることになり、小さくすれば逆になる。同じ視野の中でも領域によってしきい値Thは異なり、仮にエッチピットB1(1)も深い場合は、しきい値で3段階の2値化処理を行なう。B1(1)が浅い場合は、B1(1)の領域については、2値化処理は図1の例のように1回のみになる。
図1(c)の下段に示すように、Th3での3回目の2値化処理によりエッチピットB2(2,1)はB3(2,1,1)とB3(2,1,2)に、エッチピットB2(2,2)はB3(2,2,1)とB3(2,2,1)に、それぞれ分離される。
本発明の方法により、SiC単結晶のエッチピットを画像処理して、エッチピット分布図を作成した。サンプルのSiC単結晶は下記のようにして作製した。
溶媒としてSiを用い、添加物としてCr、Ni、Ceを用い、C源は黒鉛るつぼである。高周波コイルでるつぼを加熱し、Cを溶解し、種結晶上にSiCを成長させて作製する。
サンプルに溶融KOHエッチング(410℃×60分)を施し、白色干渉法による深さ測定を実施した。
深いエッチピットの1回目のしきい値(Th1)=0.05μm
前記の式(1)(2)におけるλ1、λ2の値:λ1=0.85、λ2=0.4
図4(イ)(ロ)(ハ)に、それぞれ異なる視野における(1)干渉顕微鏡像および(2)2値化処理3回による分離後のエッチピット分布図を示す。図4(ロ)の例に見られるように、エッチピット以外の像は除去されている。
本発明の方法により、SiC単結晶のエッチピットを画像処理して、エッチピット分布図を作成した。サンプルのSiC単結晶は下記のようにして作製した。
Cree社が昇華法にて作製。
サンプルに溶融KOHエッチング(500℃×10分)を施し、白色干渉法による深さ測定を実施した。
深いエッチピットの1回目のしきい値(Th1)=0.894μm
前記の式(1)(2)におけるλ1、λ2の値:λ1=0.6、λ2=0.3
図5(イ)(ロ)に、それぞれ異なる視野における(1)干渉顕微鏡像および(2)2値化処理3回による分離後のエッチピット分布図を示す。
図6に、実施例1のサンプルの同一視野(1)について、(A)従来法で用いた旧ソフトと(B)本発明を適用した新ソフトにより得られたエッチピット分布図(2)を示す。
Claims (2)
- 単結晶の観察面をエッチングして個々の欠陥にエッチピットを形成し、エッチピットの立体形状に関する数値データを用いて欠陥密度を測定する方法であって、
観察面からの深さのしきい値で2値化することによりエッチピットを分離する操作を、該しきい値を段階的に増加させながら複数回繰り返すことを特徴とし、かつ、エッチピットの深さとエッチピット間の距離との比によりエッチピットを統合する処理を付加し、更にその際に、各エッチピットについてそのエッチピットの最終回のデータのみを残しそれ以前のデータは消去して、各エッチピットの2値化処理データを寄せ集めることを特徴とする単結晶の欠陥密度測定方法。 - 単結晶の観察面をエッチングして個々の欠陥にエッチピットを形成し、エッチピットの立体形状に関する数値データを用いて欠陥密度を測定する装置あって、
観察面からの深さのしきい値で2値化することによりエッチピットを分離する操作を、該しきい値を段階的に増加させながら複数回繰り返すことを特徴とし、かつ、エッチピットの深さとエッチピット間の距離との比によりエッチピットを統合する処理を付加し、更にその際に、各エッチピットについてそのエッチピットの最終回のデータのみを残しそれ以前のデータは消去して、各エッチピットの2値化処理データを寄せ集めることを特徴とする単結晶の欠陥密度測定装置。
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