JP2011022142A - X線検出器およびその製造方法 - Google Patents

X線検出器およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】シンチレータから光検出器への光伝達特性が良い低コストのX線検出器、および、そのようなX線検出器の製造方法を実現する。
【解決手段】X線を検出するX線検出器は、光検出器(52b)と、前記光検出器の受光面に塗布されたX線を光に変換する蛍光物質からなるシンチレータ層と(52a)を具備する。前記蛍光物質は、希土類酸硫化物である。前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)である。前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有する。前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイである。
【選択図】図6

Description

本発明は、X線検出器およびその製造方法に関し、特に、X線をシンチレータ(scintillator)で光に変換して光検出器で検出するX線検出器、および、そのようなX線検出器の製造方法に関する。
X線検出器の一種に、X線をシンチレータで光に変換して光検出器で検出するようにしたものがある。X線撮影装置用のこの種のX線検出器は、X線の2次元分布が検出可能なように、パネル(panel)型のX線検出器となっており、フラットパネルディテクタ(flat panel detector : FPD)とも呼ばれる。
FPDは、シンチレーション用の蛍光体の層と、光検出用のフォトダイオードアレイ(photo diode array)の層を有する。蛍光体としては、ヨウ化セシウム(CsI)や酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)等が用いられる。
ヨウ化セシウムを用いる場合は、ヨウ化セシウムの針状結晶構造をフォトダイオードアレイ上で成長させることにより、シンチレーション層が形成される(例えば、特許文献1参照)。
酸硫化ガドリニウムを用いる場合は、シンチレーション層は、酸硫化ガドリニウムのセラミックス(ceramics)として構成され、この層に電極層および中間層を介してフォトダイオードアレイ層が貼合わされる(例えば、特許文献2参照)。
酸硫化ガドリニウムは、X線フィルムの増感紙用の蛍光体としても利用される。その場合、シンチレーション層は、台紙となるプラスチックシート(plastic sheet)に酸硫化ガドリニウムを塗布することにより形成される(例えば、特許文献3参照)。
特開2005−308582号公報(段落番号0035-0036、図1,2) 米国特許第7180075号明細書(第3欄24行−第5欄58行、FIG.1) 特開平10−237443号公報(段落番号0003、図1)
ヨウ化セシウムの針結晶構造を得るには、厳密な条件管理の下で、長時間にわたって結晶を成長させる必要があるので、X線検出器の製造コスト(cost)が嵩む。これに対して、酸硫化ガドリニウムのセラミックス(ceramics)層とフォトダイオードアレイの層を貼合わせたX線検出器は、比較的に低コストであるが、層間への空隙、気泡、狭雑物等の混入を阻止することが極めて困難なので、散乱光によるクロストーク(cross talk)により、空間分解能の低下や不均一が生じやすい。加えて、中間層が介在することにより、光の伝達効率が低下する。フォトダイオードアレイに増感紙を貼合わせて製作したX線検出器においても、同様な問題がある。
そこで、本発明の課題は、シンチレータから光検出器への光伝達特性が良い低コストのX線検出器、および、そのようなX線検出器の製造方法を実現することである。
課題を解決するための発明は、第1の観点では、X線を検出するX線検出器であって、光検出器と、前記光検出器の受光面に塗布されたX線を光に変換する蛍光物質からなるシンチレータ層とを具備することを特徴とするX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第2の観点では、前記蛍光物質は、希土類酸硫化物であることを特徴とする第1の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第3の観点では、前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)であることを特徴とする第2の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第4の観点では、前記光検出器は、受光面が予め表面処理されていることを特徴とする第1の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第5の観点では、前記光検出器は、受光面に予め透明な絶縁物質が塗布されていることを特徴とする第1の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第6の観点では、前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有することを特徴とする第1の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第7の観点では、前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイであることを特徴とする第6の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第8の観点では、前記2次元アレイは、半導体薄膜で構成されることを特徴とする第7の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第9の観点では、前記半導体薄膜は、アモルファスシリコンであることを特徴とする第8の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第10の観点では、前記蛍光物質は、前記光検出器とは反対側の面にX線透過性の保護膜を有することを特徴とする第1の観点に記載のX線検出器である。
課題を解決するための発明は、第11の観点では、X線を検出するX線検出器を製造する方法であって、光検出器の受光面に蛍光物質を塗布してシンチレーション層を形成する工程を有することを特徴とするX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第12の観点では、前記蛍光物質は、希土類酸硫化物であることを特徴とする第11の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第13の観点では、前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)であることを特徴とする第12の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第14の観点では、前記シンチレーション層を形成する工程の前に、前記光検出器の受光面を表面処理する工程を有することを特徴とする第11の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第15の観点では、前記シンチレーション層を形成する工程の前に、前記光検出器の受光面に透明な絶縁物質を塗布することを特徴とする第11の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第16の観点では、前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有することを特徴とする第11の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第17の観点では、前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイであることを特徴とする第16の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第18の観点では、前記2次元アレイは、半導体薄膜で構成されることを特徴とする第17の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第19の観点では、前記半導体薄膜は、アモルファスシリコンであることを特徴とする第18の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
課題を解決するための発明は、第20の観点では、前記蛍光物質の前記光検出器とは反対側の面に、X線透過性の保護膜を設ける工程を有することを特徴とする第11の観点に記載のX線検出器の製造方法である。
本発明によれば、第1の観点では、X線を検出するX線検出器は、光検出器と、前記シンチレーション層を形成する工程の前に、前記光検出器の受光面に塗布されたX線を光に変換する蛍光物質からなるシンチレータ層とを具備するので、シンチレータから光検出器への光伝達特性が良い低コストのX線検出器を実現することができる。
本発明によれば、第11の観点では、X線を検出するX線検出器を製造する方法において、光検出器の受光面に蛍光物質を塗布してシンチレーション層を形成する工程を有するので、シンチレータから光検出器への光伝達特性が良い低コストのX線検出器の製造方法を実現することができる。
本発明によれば、第2または第12の観点では、前記蛍光物質は、希土類酸硫化物であるので、シンチレーション層の形成が容易である。
本発明によれば、第3または第13の観点では、前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)であるので、シンチレーションの安定性が良い。
本発明によれば、第4または第14の観点では、前記光検出器は、受光面が予め表面処理されているので、蛍光物質との結合性が良い。
本発明によれば、第5または第15の観点では、前記光検出器は、受光面に予め透明な絶縁物質が塗布されているので、蛍光物質との絶縁性が良い。
本発明によれば、第6または第16の観点では、前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有するので、蛍光の分布を検出することができる。
本発明によれば、第7または第17の観点では、前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイであるので、蛍光の2次元分布を検出することができる。
本発明によれば、第8または第18の観点では、前記2次元アレイは、半導体薄膜で構成されるので、高速かつ低消費電力である。
本発明によれば、第9または第19の観点では、前記半導体薄膜は、アモルファスシリコンであるので、薄膜化が容易である。
本発明によれば、第10または第20の観点では、前記蛍光物質は、前記光検出器とは反対側の面にX線透過性の保護膜を有するので、耐環境性が良い。
X線撮影装置の外観を示す図である。 X線撮影装置の移動中の様子を示す図である。 X線撮影装置で患者を撮影する様子を示す図である。 ディテクタパネルの基本構成を示す図である。 ディテクタパネルの内部構成を示す図である。 X線検出器の模式的構成を示す図である。 X線検出器の製造工程を示す図である。 製造工程におけるX線検出器を示す図である。 製造工程におけるX線検出器を示す図である。 製造工程におけるX線検出器を示す図である。
以下、図面を参照して発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、本発明は、発明を実施するための最良の形態に限定されるものではない。
図1に、X線撮影装置の外観を示す。図1に示すように、本装置は、システムコンソール(system console)100を有する。システムコンソール100は、概ね直方体状の箱型の構造物であり、内部に撮影制御用の電子回路を収容している。
システムコンソール100は、下部に移動用のキャスター(caster)102を有し、上部に手押し用のハンドル(handle)104を有する。これによって、本装置は、図2に示すように、自由に移動させることが可能な移動型のX線撮影装置となる。
システムコンソール100の上面は操作パネル(panel)106となっており、例えば、グラフィックディスプレー(graphic display)やキーボード(keyboard)等のマン・マシンコミュニケーション(man-machine communication)機器を備えている。
システムコンソール100の背後には垂直なコラム(column)110が設けられ、コラム110から水平に伸びるアーム(arm)120の先端にX線照射器130が取り付けられている。X線照射器130は、ケーブル132を通じてシステムコンソール100から供給される高電圧によってX線を発生する。
X線照射器130は、アーム120の先端において向きが変更可能となっている。アーム120はコラム110に沿って上下移動可能であり、コラム110は長手方向の軸を中心としてスピン(spin)可能となっている。
本装置は、ディテクタパネル(detector panel)200を有する。ディテクタパネル200は、概ね矩形の板状の構造物であり、システムコンソール100とは別体に構成され、持ち運び可能となっている。ディテクタパネル200は、非撮影時にはシステムコンソール100の正面の収納部108に収納され、撮影時に収納部108から取出して使用される。ディテクタパネル200は、いわゆるFPDである。
図3に、本装置の使用中の情景を示す。図3に示すように、本装置は病室で使用される。X線撮影は、ディテクタパネル200を例えば患者の後側にあてがい、X線照射器130で前側からX線を照射することによって行う。ディテクタパネル200が検出したX線信号は、ワイヤレスにシステムコンソール100に伝達される
図4に、ディテクタパネル200の基本構成を示す。図4に示すように、ディテクタパネル200は、筐状のケース(case)55に、矩形の板状のX線検出器アセンブリ(assembly)51を収容したものとなっている。ケース55は、X線検出器アセンブリ51のX線検出面に対向する上部がX線透過性の材料で構成され、一端部に取手552を有する。
図5に、ディテクタパネル200の内部構成の一例を模式的に示す。図5は、ディテクタパネル200の垂直断面図である。図5に示すように、X線検出器アセンブリ51は、X線検出器52と支持基板53と電気回路基板54で構成される。X線検出器52は支持基板53の表面に設けられ、電気回路基板54は支持基板53の裏面に設けられ、両者はフレキシブル(flexible)回路基板56で電気的に接続される。
X線検出器52は、シンチレータ層52aと光電変換層52bとガラスサブストレート(glass substrate)52cの積層体となっており、シンチレータ層52aでX線を光に変換し、光電変換層52bで光を電気信号に変換する。変換された電気信号は、フレキシブル回路基板56を通じて電気回路基板54に入力される。光電変換層52bは、本発明における光検出器の一例である。
電気回路基板54には電気回路が搭載されている。電気回路は、システムコンソール100に対するインターフェース(interface)であって、入力信号をディジタルデータ(digital data)に変換して、ワイヤレスにシステムコンソール100に伝送する。
支持基板53の裏面には、角部に4本のスペーサ(spacer)が形成されている。スペーサ57bは、支持基板53と一体構造となっている。支持基板53はスペーサ57bによって、ケース55の内底壁の上に自立している。スペーサ57bの下端は、ケース55の内底壁に、接着あるいはねじ止め等により固定される。
図6に、X線検出器52の構成を模式的に示す。X線検出器52は、発明を実施するため最良の形態の一例である。X線検出器52の構成によって、X線検出器に関する発明を実施するため最良の形態の一例が示される。
図6に示すように、X線検出器52においては、ガラスサブストレート52c上に光電変換層52bが形成され、光電変換層52b上にシンチレータ層52aが形成され、シンチレータ層52a上に保護層52a’が形成されている。
光電変換層52bは、光電変換素子の2次元アレイで構成される。光電変換素子の2次元アレイは、周知のアクティブマトリクス(active matrix)となっている。アクティブマトリクスは、薄膜半導体で構成される。薄膜半導体としては、例えば、アモルファスシリコン(amorphous silicon)等が利用される。
アクティブマトリクスは、光電変換用のフォトダイオードと、その出力電流を蓄積するキャパシタ(capacitor)と、その電荷を出力するTFT(thin film transistor)を1単位とする。アクティブマトリクスの1単位は、X線画像の1ピクセル(pixel)に相当する。
シンチレータ層52aは、例えば、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)を蛍光体として構成される。なお、蛍光体は、酸硫化ガドリニウムに限らず、例えば、イットリウム(Y)やランタン(La)等、適宜の希土類元素の酸硫化物であって良い。
保護層52a’は、シンチレータ層52aを外部環境から保護するためのものである。保護層52a’の材料としては、X線透過性が良く、機械的強度、静電破壊(ESD)耐性、電磁波障害(EMI/EMC)耐性等に優れたプラスチック等が利用される。
図7に、X線検出器52の製造工程の主要部を示す。本行程は、発明を実施するため最良の形態の一例である。本行程によって、X線検出器の製造方法に関する発明を実施するため最良の形態の一例が示される。
図7に示すように、工程P1で、表面処理を行う。表面処理は、図8に示すように、ガラスサブストレート52c上に形成された光電変換層52bについて行われる。なお、ガラスサブストレート52cにおける光電変換層52bの形成は、本工程の前工程で完成している。
表面処理は、光電変換層52bの表面を活性化し、次工程で塗布される蛍光体との結合を強固にするために行われる。なお、光電変換層52bの表面が既に十分に活性であるときは、表面処理は省略しても良い。
工程P2で、蛍光体塗布を行う。蛍光体塗布は、適宜の有機バインダ(binder)中に分散させた例えば酸硫化ガドリニウム等の蛍光体の微粒子を、光電変換層52bの表面に塗布することによって行われる。塗布された蛍光体は、乾燥によって固形化される。
このような塗布工程P2は、増感紙の製造工程において、台紙に蛍光体を塗布する工程と同様な工程となる。したがって、同様の設備およびプロセス(process)を使用して、光電変換層52bへの蛍光体の塗布を行うことができる。
これによって、図9に示すように、光電変換層52bの上に、シンチレータ層52aが形成される。シンチレータ層52aは、光電変換層52bと直結状態となる。シンチレータ層52aの形成を、蛍光物質の塗布によって行うので、層間への空隙、気泡、狭雑物等の混入を阻止することは容易である。
蛍光体の塗布に先立って、光電変換層52bの表面に絶縁皮膜を形成するようにしても良い。絶縁皮膜の形成は、透明な絶縁物質を極薄く光電変換層52bの表面に塗布すること等により行われる。絶縁皮膜の形成を、絶縁物質の塗布によって行うので、層間への空隙、気泡、狭雑物等の混入を阻止することは容易である。
これによって、光電変換層52bとシンチレータ層52aの間の電気的な絶縁性が向上する。なお、このとき、シンチレータ層52aは光電変換層52bと直結状態ではなくなるが、絶縁皮膜が極薄くかつ透明なので、光学的には直結状態とみなして差し支えない。
工程P3で、保護層形成を行う。保護層形成は、適宜の物質をシンチレータ層52aの表面に塗布すること等によって行われる。保護層形成も、増感紙の製造工程における保護層形成と同様にして行うことができる。
これによって、図10に示すように、ガラスサブストレート52c上に、光電変換層52b、シンチレータ層52aおよび保護層52a’が順次に積層されたX線検出器52が得られる。
このようなX線検出器52では、シンチレータ層52aと光電変換層52bが直結しているので、シンチレータ層52aから光電変換層52bへの光伝達を、極めて効率良く行うことができる。これによってX線検出器52の感度が向上するので、撮影時の患者のX線被曝量を低減することができる。
また、シンチレータ層52aと光電変換層52bが直結していることにより、シンチレータ層52aから光電変換層52bへの光伝達は、X線検出器52の全面にわたって均一になる。
また、シンチレータ層52aと光電変換層52bの間に空隙、気泡、狭雑物等が存在しないので、散乱光によるクロストークが大幅に減少し、空間分解能(MTF)が向上するとともにその均一性が向上する。
例えば、シンチレータ層52aの厚みが100μmであるとすると、散乱光によるクロストークの範囲dは200μmとなる。これは、ピクセル換算で2ピクセルであり、クロストークの範囲は2ピクセル以内となる。
このような高空間分解能とその均一性、および、シンチレータ層52aから光電変換層52bへの光伝達の均一性により、X線検出器52は、高品質のX線画像が撮影可能なX線検出器となる。
また、シンチレータ層52aと光電変換層52bの間に、両者を貼り合わせるためのボンディング層や中間層等がないので、それらの熱膨張係数(CTE)等に由来する信頼性の低下が発生することもなく、かつ、製造コストが低廉である。
51 : X線検出器アセンブリ
52 : X線検出器
52a : シンチレータ層
52a’ : 保護層
52b : 光電変換層
52c : ガラスサブストレート
53 : 支持基板
54 : 電気回路基板
55 : ケース
56 : フレキシブル回路基板
57b : スペーサ
100 : システムコンソール
108 : 収納部
110 : コラム
120 : アーム
130 : X線照射器
132 : ケーブル
200 : ディテクタパネル

Claims (20)

  1. X線を検出するX線検出器であって、
    光検出器と、
    前記光検出器の受光面に塗布されたX線を光に変換する蛍光物質からなるシンチレータ層と
    を具備することを特徴とするX線検出器。
  2. 前記蛍光物質は、希土類酸硫化物である
    ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
  3. 前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)である
    ことを特徴とする請求項2に記載のX線検出器。
  4. 前記光検出器は、受光面が予め表面処理されている
    ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
  5. 前記光検出器は、受光面に予め透明な絶縁物質が塗布されている
    ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
  6. 前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有する
    ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
  7. 前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイである
    ことを特徴とする請求項6に記載のX線検出器。
  8. 前記2次元アレイは、半導体薄膜で構成される
    ことを特徴とする請求項7に記載のX線検出器。
  9. 前記半導体薄膜は、アモルファスシリコンである
    ことを特徴とする請求項8に記載のX線検出器。
  10. 前記蛍光物質は、前記光検出器とは反対側の面にX線透過性の保護膜を有する
    ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
  11. X線を検出するX線検出器を製造する方法であって、
    光検出器の受光面に蛍光物質を塗布してシンチレーション層を形成する工程を有する
    ことを特徴とするX線検出器の製造方法。
  12. 前記蛍光物質は、希土類酸硫化物である
    ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。
  13. 前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)である
    ことを特徴とする請求項12に記載のX線検出器の製造方法。
  14. 前記シンチレーション層を形成する工程の前に、前記光検出器の受光面を表面処理する工程を有する
    ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。
  15. 前記シンチレーション層を形成する工程の前に、前記光検出器の受光面に透明な絶縁物質を塗布する
    ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。
  16. 前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有する
    ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。
  17. 前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイである
    ことを特徴とする請求項16に記載のX線検出器の製造方法。
  18. 前記2次元アレイは、半導体薄膜で構成される
    ことを特徴とする請求項17に記載のX線検出器の製造方法。
  19. 前記半導体薄膜は、アモルファスシリコンである
    ことを特徴とする請求項18に記載のX線検出器の製造方法。
  20. 前記蛍光物質の前記光検出器とは反対側の面に、X線透過性の保護膜を設ける工程を有する
    ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。
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