JP2011022142A - X線検出器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】X線を検出するX線検出器は、光検出器(52b)と、前記光検出器の受光面に塗布されたX線を光に変換する蛍光物質からなるシンチレータ層と(52a)を具備する。前記蛍光物質は、希土類酸硫化物である。前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)である。前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有する。前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイである。
【選択図】図6
Description
図4に、ディテクタパネル200の基本構成を示す。図4に示すように、ディテクタパネル200は、筐状のケース(case)55に、矩形の板状のX線検出器アセンブリ(assembly)51を収容したものとなっている。ケース55は、X線検出器アセンブリ51のX線検出面に対向する上部がX線透過性の材料で構成され、一端部に取手552を有する。
52 : X線検出器
52a : シンチレータ層
52a’ : 保護層
52b : 光電変換層
52c : ガラスサブストレート
53 : 支持基板
54 : 電気回路基板
55 : ケース
56 : フレキシブル回路基板
57b : スペーサ
100 : システムコンソール
108 : 収納部
110 : コラム
120 : アーム
130 : X線照射器
132 : ケーブル
200 : ディテクタパネル
Claims (20)
- X線を検出するX線検出器であって、
光検出器と、
前記光検出器の受光面に塗布されたX線を光に変換する蛍光物質からなるシンチレータ層と
を具備することを特徴とするX線検出器。 - 前記蛍光物質は、希土類酸硫化物である
ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。 - 前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)である
ことを特徴とする請求項2に記載のX線検出器。 - 前記光検出器は、受光面が予め表面処理されている
ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。 - 前記光検出器は、受光面に予め透明な絶縁物質が塗布されている
ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。 - 前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有する
ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。 - 前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイである
ことを特徴とする請求項6に記載のX線検出器。 - 前記2次元アレイは、半導体薄膜で構成される
ことを特徴とする請求項7に記載のX線検出器。 - 前記半導体薄膜は、アモルファスシリコンである
ことを特徴とする請求項8に記載のX線検出器。 - 前記蛍光物質は、前記光検出器とは反対側の面にX線透過性の保護膜を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。 - X線を検出するX線検出器を製造する方法であって、
光検出器の受光面に蛍光物質を塗布してシンチレーション層を形成する工程を有する
ことを特徴とするX線検出器の製造方法。 - 前記蛍光物質は、希土類酸硫化物である
ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。 - 前記希土類酸硫化物は、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)である
ことを特徴とする請求項12に記載のX線検出器の製造方法。 - 前記シンチレーション層を形成する工程の前に、前記光検出器の受光面を表面処理する工程を有する
ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。 - 前記シンチレーション層を形成する工程の前に、前記光検出器の受光面に透明な絶縁物質を塗布する
ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。 - 前記光検出器は、受光面にフォトダイオードアレイを有する
ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。 - 前記フォトダイオードアレイは、2次元アレイである
ことを特徴とする請求項16に記載のX線検出器の製造方法。 - 前記2次元アレイは、半導体薄膜で構成される
ことを特徴とする請求項17に記載のX線検出器の製造方法。 - 前記半導体薄膜は、アモルファスシリコンである
ことを特徴とする請求項18に記載のX線検出器の製造方法。 - 前記蛍光物質の前記光検出器とは反対側の面に、X線透過性の保護膜を設ける工程を有する
ことを特徴とする請求項11に記載のX線検出器の製造方法。
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