JP2011021265A - プラズマ蒸着方法及び該方法により形成された蒸着膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蒸着材を用いてプラズマ蒸着法により基材上に蒸着膜を成膜するためのプラズマ蒸着方法において、プラズマ放電電流を1〜30アンペア/分の範囲内の一定勾配αで40〜120アンペアの範囲内のA値まで増加させることにより蒸着材の昇華を開始させ、続いてA値よりも低い電流値である10〜80アンペアの範囲内のB値まで低下させて基材への蒸着膜の成膜を継続することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
先ず、基材としてガラス基板を、蒸着材として相対密度が95%であり、このZnO蒸着材中に含まれるCeの濃度が5質量%である多結晶ZnOのペレットを用意した。このZnO蒸着材の直径及び厚さはそれぞれ5mm及び1.6mmであり、ペレット作製に使用したZnO粉末のZnO純度は99%であった。
Claims (3)
- 蒸着材を用いてプラズマ蒸着法により基材上に蒸着膜を成膜するためのプラズマ蒸着方法において、
プラズマ放電電流を1〜30アンペア/分の範囲内の一定勾配αで40〜120アンペアの範囲内のA値まで増加させることにより前記蒸着材の昇華を開始させ、続いて前記A値よりも低い電流値である10〜80アンペアの範囲内のB値まで低下させて前記基材への蒸着膜の成膜を継続する
ことを特徴とするプラズマ蒸着方法。 - A値とB値との差が10〜50アンペアの範囲である請求項1記載の蒸着方法。
- 請求項1又は2記載の蒸着方法により形成された蒸着膜。
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