JP2011021220A - 金属表面への被膜生成方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 28
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- GVALZJMUIHGIMD-UHFFFAOYSA-H magnesium phosphate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O GVALZJMUIHGIMD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 10
- 239000004137 magnesium phosphate Substances 0.000 description 10
- 229910000157 magnesium phosphate Inorganic materials 0.000 description 10
- 229960002261 magnesium phosphate Drugs 0.000 description 10
- 235000010994 magnesium phosphates Nutrition 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 6
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000003758 nuclear fuel Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- QQFLQYOOQVLGTQ-UHFFFAOYSA-L magnesium;dihydrogen phosphate Chemical compound [Mg+2].OP(O)([O-])=O.OP(O)([O-])=O QQFLQYOOQVLGTQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000401 monomagnesium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019785 monomagnesium phosphate Nutrition 0.000 description 2
- FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N nitric acid;hydrate Chemical compound O.O[N+]([O-])=O FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910017119 AlPO Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-L Phosphate ion(2-) Chemical compound OP([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- WAKZZMMCDILMEF-UHFFFAOYSA-H barium(2+);diphosphate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O WAKZZMMCDILMEF-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000010349 cathodic reaction Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000151 chromium(III) phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- IKZBVTPSNGOVRJ-UHFFFAOYSA-K chromium(iii) phosphate Chemical compound [Cr+3].[O-]P([O-])([O-])=O IKZBVTPSNGOVRJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-M dihydrogenphosphate Chemical compound OP(O)([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- CPSYWNLKRDURMG-UHFFFAOYSA-L hydron;manganese(2+);phosphate Chemical compound [Mn+2].OP([O-])([O-])=O CPSYWNLKRDURMG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000398 iron phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K iron(3+) phosphate Chemical compound [Fe+3].[O-]P([O-])([O-])=O WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910001463 metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- JUWGUJSXVOBPHP-UHFFFAOYSA-B titanium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Ti+4].[Ti+4].[Ti+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O JUWGUJSXVOBPHP-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRXTYHSAJDENHV-UHFFFAOYSA-H zinc phosphate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LRXTYHSAJDENHV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000165 zinc phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000166 zirconium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
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Abstract
【解決手段】金属表面にゾルゲル法を用いて一次被膜を形成する工程と、金属イオンを含有する溶液中に浸漬して、当該金属イオンを一次被膜に有する孔に電解析出及び焼成処理する工程とを有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
そのため、水素同位体(主に軽水素とトリチウム)の製造、輸送、貯蔵に使われている金属容器および配管内面に、水素同位体の透過を防止する薄膜を施すことが検討されている。
被膜を生成する方法の1つにゾルゲル法などの湿式化学法がある。
ゾルゲル法は、手順が簡単であり、安価で効果が高い。
また、配管や容器内部などの複雑な構造物にも容易に適用できプロセス温度も低温である。
しかし、ゾルゲル法では加熱により溶媒を揮発させる過程で素材が収縮するため、できあがる被膜は多孔質構造となり、水素の透過を十分防ぐことができない。
このことによって、基材表面の化学的緻密化被膜中およびその表面に酸化クロム−非晶質無機材料複合材微粒子を充填、被覆した複合酸化物被膜を形成する技術を開示する。
しかし、同技術は被膜形成の過程でCrO3など、特定化学物質および劇薬に指定されている物質を使用している。
また、上記の方法では600℃において厚さ約50μmの膜を用いて約1/1000の透過抑制効果を得ているが膜厚が厚い。
これを焼成することにより封孔処理する技術を開示する。
しかし、上記の方法では厚さ約200〜300μmの溶射膜を封孔処理することにより緻密膜を得ているが膜厚が厚い。
また、上記の方法では、まず酸性溶液中で陽極電解処理を行う必要がある。
金属の中には陽極電解により陽極酸化被膜が形成されるものもあるが、逆に処理中に溶出や腐食が生じるものもある。
基材金属が溶出・腐食すればセラミックス膜の剥離や密着性の低下を招くため、上記の方法は本質的に酸性溶液への浸漬および陽極処理に耐えられる基材にしか用いることができない。
しかし、上記文献では封孔処理後の誘電特性について確認されているもののガス透過性は調べられておらず、この方法において水素同位体の透過を抑制する効果があることは確認されていない。
また、室温でのみ評価がされており高温での特性は明らかとなっていない。
その後、パルス電流を約20mA/cm2の電流密度で通電し、水酸化アルミニウムAl(OH)xを析出させ、空隙を封孔処理する。
その後、空気中で乾燥する。
電気化学的分極測定を行い、封孔処理した場合に電流値が小さくなることから緻密化が進行したと判断している。
しかし、上記の方法では水酸化アルミニウムAl(OH)xを封孔処理物質として用いている。
Al(OH)xは200℃以上で著しい脱水反応を起こす。
これにより体積が収縮するため封孔効果は200℃以下に限定されると考えられる。
また、先述のように、この文献の中では室温で分極測定がなされているのみである。
本発明で電解析出及び焼成処理にて得られる酸化物としては
(グループ1)ZrO2,Al2O3,MgO,SnO2,ZnO,Y2O3,PbO,CeO2
(グループ2)TiO2,Nb2O5
(グループ3)CaO,Sc2O3,Cr2O3,HfO2,V2O5,Ta2O5,の酸化物および、上記グループ1〜3のいずれかに含まれる酸化物の複合酸化物がよい。
本発明は、(1)金属の供給源として例えばZr(NO3)4・H2Oなどの硝酸塩水和物かTiCl4などの塩化物を用いること、(2)溶液としてアルコールか、あるいは微量の水および必要に応じて過酸化水素H2O2を添加したアルコールを用いるとよい。
上記の硝酸塩水和物や塩化物をアルコールあるいは微量の水を含むアルコール中に入れると、以下の解離反応が起きる。
本発明では、あらかじめZrO2やAl2O3などの被膜を施しており、これら酸化物の上では局所アノード反応やカソード反応が一般的に生じにくいと考えられるが、わずかな数の基板まで貫通している開気孔でのみ局所アノード・カソード反応が生じ、封孔効果が得られ、水素の透過速度が減少しただけでなく、局所アノード・カソード反応で封孔処理がなされたのち、以下の反応でオーバーレイヤーが形成されているものと考えられる。
すなわち、例えばMgOをリン酸水溶液に添加すると、以下の反応で水溶性の二水素リン酸マグネシウムが形成される。
これを空気中で乾燥すると、電離していた二水素リン酸マグネシウムが固体となり、さらに500℃程度の高温に加熱すると、以下の脱水反応が生じる。
この層が残存空隙を覆うことも、水素透過速度の低下に寄与していると考えられる。
以上のように、水溶性の一水素リン酸化物あるいは二水素リン酸化物の水溶液を形成し、鉄よりイオン化傾向が大きく、pHの増大あるいは脱水反応により溶解度が低い金属リン酸塩を作るものであれば各種リン酸塩を用いることができる。
(グループA)リン酸マグネシウム、リン酸アルミニウム、リン酸カルシウム、リン酸マンガン、リン酸鉄、リン酸亜鉛、リン酸クロム及びこれらの混合物。
(グループB)リン酸バリウム、リン酸チタン、リン酸ジルコニウム及びこれらの混合物又はグループAとの混合物、また、これらのリン酸塩を用いて形成した被膜層には水素が含まれていてもよい。
これに対して本発明による被膜生成法は、厚さ0.1μmと極めて小さな膜厚で気体(水素ガス)の透過を1/1000に抑制すると共に、600℃という高温までその効果が保持されており、本発明の効果は明らかに従来技術をしのいでいる。
さらに、リン酸マグネシウム層やリン酸アルミニウム層等のリン酸塩被膜層を形成させると、透過抑制を向上できる。
<ゾルゲル法による酸化被膜の生成>
直径20mm、厚さ0.5mmのSUS430ステンレス円板に、ゾルゲル法により厚さ約0.05μmのZrO2の被膜を生成した。
ゾルゲル法にてZrO2の被膜を生成する方法としては常法を用いることができる。
例えば、ジルコニウム−n−プロポキシド,n−プロポナール,アセチルアセトン及び水を重量比で1:60:2:2の割合にて混合撹拌(室温,2日間)し、溶液にする。
これに被膜するための金属板を浸漬し、0.5mm/sのスピードにて引き上げてディップコーティングし、その後に120℃×5分間乾燥する。
次に550℃×2時間、加熱処理をする。
この一連の工程を4回繰り返した。
<溶液の準備>
ゾルゲル法にて生成した酸化被膜に電解析出するための溶液として、本実施例として下記のA液又はB液を用いた。
Zr(NO3)4・5H2Oを無水エタノールに加えて攪拌し、濃度0.1MのZr(NO3)4エタノール溶液を調製した。
Al(NO3)3・9H2Oを無水エタノールに加えて攪拌し、濃度0.1MのAl(NO3)3エタノール溶液を調製した。
<電解析出>
A液又はB液を満たしたガラスビーカーにゾルゲル法により被膜を生成した基板を陰極とし、プラチナ製の対極の間に入れて、電流密度0.1mA/cm2の直流をかけた。
析出時間は5分間である。
その後、試料をエタノール溶液から引き上げ、大気中で約150℃に20分間加熱し乾燥させた。
この電解析出および乾燥処理を3回繰り返した。
<熱処理>
乾燥処理した試料を、電気炉を用いて空気中で10℃/minで550℃まで加熱した。
550℃に1時間保ったのち、電気炉から試料を取り出し室温まで冷却した。
この処理により水酸化物が酸化物に変化する。
成膜処理の流れを図1に、これらの処理による膜の変化の様子を図3に示した。
ゾルゲル法で形成されるZrO2は絶縁体であるため、空隙が存在し膜厚が薄い部分において電解析出処理時の電流密度が大きくなる。
従って、空隙部分で選択的に電解反応が生じ効率よく空隙が封孔処理できる。
<リン酸マグネシウム層の形成>
電解析出により封孔処理をした試料にさらにリン酸塩被膜を生成する場合の例について説明する。
酸化マグネシウムMgO粉末をリン酸H3PO4溶液中に溶解させ、リン酸マグネシウム溶液を形成させた。
これに電解析出・熱処理後の基板を浸漬し、0.5mm/sで引き上げた。
大気中で約200℃に20分間加熱し乾燥させたのち、500℃で1時間の加熱処理を行った。
この浸漬・乾燥・加熱処理を3回繰り返した。
マグネシウムの濃度は、1回目が2.5%、2回目が5%、3回目が10%とした。
このプロセスを図2に示し、被膜の変化の様子を図4に模式的に示した。
<リン酸アルミニウム層の形成>
Al(OH)3粉末をH3PO4溶液に溶かすことにより5%Al溶液を作り、これに電解析出及び焼成処理を施した試料を浸漬し、引き上げと乾燥を三回繰り返した後、500℃で焼成することによりリン酸アルミニウム(AlPO4)膜を形成した。
<透過率試験>
図5に示した透過率測定装置により試料中の水素透過速度を調べた。
試料はリボンヒーターで加熱した。
試料の上流の圧力を10−760torrに調整し、水素ガスの透過を質量分析法および圧力上昇法で測定した。
試験は500℃、600℃で行った。
試料をはさんで左側が上流側にあたり、この部分に10−760torrの水素ガスを導入した。
下流側(右側)へ透過する水素の量は、真空ポンプで排気しながら質量分析計で水素の分圧上昇を測定するか、あるいは真空ポンプへのバルブを閉じ、透過した水素を下流側へ溜め込んだ際の圧力上昇速度を測定し求めた。
図6はゾルゲル法でZrO2膜を形成させたステンレス鋼試料および電解析出及び焼成処理による封孔処理を施した試料の600℃における水素透過実験の結果である。
上流側の水素の圧力は740torrであり、上流側に水素を導入した時点を横軸の原点としている。
封孔処理をしていない試料では、透過により急激に下流側の水素分圧が上昇しているが、封孔処理を施した試料では水素分圧がほとんど上昇しておらず、透過が抑制されていることがわかる。
図7は、上流側圧力760torrにおける水素透過速度について、未処理の基材試料、ゾルゲル法でZrO2膜を形成させたステンレス鋼試料、電解析出及び焼成処理による封孔処理を施した試料、ならびにリン酸塩被膜を形成した試料を比較したものである。
基材試料と比べ、ゾルゲル法でZrO2膜を形成させた試料は1/100程度に水素透過速度が減少している。
電解分析及び焼成処理による封孔処理を施した試料では、さらに一桁水素透過速度が減少し、基材試料の約1/1000となっている。
これはA液,B液と同じであった。
加えて、リン酸マグネシウム層を形成させると、600℃での透過速度に大きな違いはないが、500℃の透過速度はさらに一桁減少し、約1/10000となっている。
図8(a)は本発明による封孔処理を施した膜をグロー放電発光分析により深さ方向分析した結果、図8(b)に部分拡大図を示す。
また、図9に断面の走査電子顕微鏡写真例を示す。
膜厚が約100ナノメートル(0.1μm)であることがわかる。
図10はさらにリン酸マグネシウム層を形成した場合のグロー放電発光分析の結果を示し、図11に走査電子顕微鏡断面写真を示す。
リン酸マグネシウム層を形成させた場合でも、膜厚は約200ナノメートル(0.2μm)である。
すなわち、極めて薄い膜で上述の透過抑制効果が発現していたことになる。
また、リン酸アルミニウム層を形成した試料について、500℃において、上流側水素圧力1気圧で水素透過実験を行った結果、水素透過速度 3×10−8 mol H2/m2sであった。
従って、核融合炉の燃料システム、原子炉燃料の再処理工場、トリチウム標識化合物の製造工場の配管材料などへの応用が期待される。
また、水素製造装置や高圧水素を取り扱う化学プラントにおいて、容器・配管材料の水素脆化を予防すると共に、水素の漏洩を抑制し、爆発事故などを防ぐための被覆としても利用できる。
Claims (2)
- 金属表面にゾルゲル法を用いて一次被膜を形成する工程と、
金属イオンを含有する溶液中に浸漬して、当該金属イオンを一次被膜に有する孔に電解析出及び焼成処理する工程とを有することを特徴とする金属表面への被膜生成方法。 - さらに、電解析出及び焼成処理した被膜をリン酸塩溶液に浸漬及び焼成する工程を有することを特徴とする請求項1記載の金属表面への被膜生成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009166165A JP5569896B2 (ja) | 2009-07-14 | 2009-07-14 | 金属表面への被膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2009166165A JP5569896B2 (ja) | 2009-07-14 | 2009-07-14 | 金属表面への被膜生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011021220A true JP2011021220A (ja) | 2011-02-03 |
JP5569896B2 JP5569896B2 (ja) | 2014-08-13 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5569896B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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