JP2011019102A5 - - Google Patents
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Claims (18)
- 第1基準電圧が入力される上部電極と、金属膜から成る下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に挟持される光依存可変抵抗素子とを有する光センサ素子と、
前記下部電極と第2基準電圧を供給する第2基準電圧線との間に接続される容量素子と、
オン状態の時に前記下部電極に第1電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記下部電極をフローティング状態とするスイッチ回路と、
前記下部電極がフローティングの状態において、前記光依存可変抵抗素子に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有し、
前記光依存可変抵抗素子は、アモルファスシリコン膜であり、
前記下部電極と前記光依存可変抵抗素子の前記アモルファスシリコン膜とで構成されるダイオードの電流−電圧特性において、前記第1基準電圧は、順方向の電圧であることを特徴とする光センサ回路。 - 前記第1の基準電圧と前記第2基準電圧とは同一の電圧であることを特徴とする請求項1に記載の光センサ回路。
- 前記スイッチ回路と前記検出回路は、半導体層としてポリシリコン層を使用する薄膜トランジスタで構成されることを特徴とする請求項1に記載の光センサ回路。
- 第1基準電圧が入力される第1上部電極と、金属膜から成る第1下部電極と、前記第1上部電極と前記第1下部電極との間に挟持された第1光依存可変抵抗素子とを有する第1光センサ素子と、
前記第1基準電圧が入力される第2上部電極と、第2下部電極と、前記第2上部電極と前記第2下部電極との間に挟持された第2光依存可変抵抗素子とを有する暗電流補償用の第2光センサ素子と、
前記第1下部電極と前記第2下部電極との間に接続される容量素子と、
オン状態の時に前記第1下部電極に第1電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記第1下部電極をフローティング状態とする第1スイッチ回路と、
オン状態の時に前記第2下部電極に第1電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記第2下部電極をフローティング状態とする第2スイッチ回路と、
前記第2下部電極がフローティングの状態で所定期間経過後に、前記第2下部電極に第1電源電圧を入力する第3スイッチ回路と、
前記第1下部電極がフローティングの状態において、前記第1光依存可変抵抗素子に所定期間光が照射された後で前記第3スイッチ回路がオン状態の時に前記第1下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有し、
前記第1光依存可変抵抗素子は、アモルファスシリコン膜であり、
前記第2光依存可変抵抗素子は、遮光されたアモルファスシリコン膜であり、
前記第1下部電極と前記第1光依存可変抵抗素子の前記アモルファスシリコン膜とで構成されるダイオードの電流−電圧特性、および、前記第2下部電極と前記第2光依存可変抵抗素子の前記アモルファスシリコン膜とで構成されるダイオードの電流−電圧特性において、前記第1基準電圧は、順方向の電圧であることを特徴とする光センサ回路。 - 前記各スイッチ回路と前記検出回路は、半導体層としてポリシリコン層を使用する薄膜トランジスタで構成されることを特徴とする請求項4に記載の光センサ回路。
- マトリクス状に配置された光センサ画素と、出力線とを備え、
前記各光センサ画素は、光センサ素子を有する光センサアレイであって、
前記各光センサ素子は、第1の基準電圧が入力される上部電極と、下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に挟持される光依存可変抵抗素子とを有し、
前記各光センサ画素は、前記下部電極と第2基準電圧を供給する第2基準電圧線との間に接続される容量素子と、
第2電極に第1電源電圧が入力され、第1電極が前記下部電極に接続されるとともに、制御電極に第2クロックが入力される第1トランジスタと、
第2電極に第2電源電圧が入力され、制御電極が前記下部電極に接続される第2トランジスタと、
第2電極が前記第2トランジスタの第1電極に接続され、第1電極が前記出力線に接続されるとともに、制御電極に第1クロックが入力される第3トランジスタとを有し、
前記光依存可変抵抗素子は、アモルファスシリコン膜であることを特徴とする光センサアレイ。 - 前記第1基準電圧を供給する第1基準電圧線と、
前記第2基準電圧を供給する第2基準電圧線と、
前記第1電源電圧を供給する第1電源電圧線と、
前記第2電源電圧を供給する第2電源電圧線と、
前記第1クロックを入力する第1クロック線と、
前記第2クロックを入力する第2クロック線とを有することを特徴とする請求項6に記載の光センサアレイ。 - 前記第1クロックと、前記第2クロックとは位相が異なることを特徴とする請求項6に記載の光センサアレイ。
- 前記第1トランジスタは、前記第2クロックによりオンとなった時に、前記下部電極に前記第1電源電圧を入力し、次に前記第2クロックが入力されるまでの期間、前記下部電極をフローティング状態とすることを特徴とする請求項6に記載の光センサアレイ。
- 前記第3トランジスタは、前記第2クロックより前に入力される第1クロックによりオンとなり、
前記出力線は、前記第3トランジスタオンとなる前に、前記第1基準電圧とされ、
前記第2トランジスタと前記第3トランジスタとにより、前記下部電極がフローティングの状態の時に前記光依存可変抵抗素子に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を、前記出力線の電圧変化として検出することを特徴とする請求項9に記載の光センサアレイ。 - 前記第1基準電圧と前記第2基準電圧とは同一の電圧であることを特徴とする請求項6に記載の光センサアレイ。
- マトリクス状に配置された光センサ画素と、出力線とを備え、
前記各光センサ画素は、第1光センサ素子と、暗電流補償用の第2光センサ素子を有する光センサアレイであって、
前記第1光センサ素子は、第1基準電圧が入力される第1上部電極と、第1下部電極と、前記第1上部電極と前記第1下部電極との間に挟持された第1光依存可変抵抗素子とを有し、
前記第2光センサ素子は、第1基準電圧が入力される第2上部電極と、第2下部電極と、前記第2上部電極と前記第2下部電極との間に挟持された第2光依存可変抵抗素子とを有し、
前記各光センサ画素は、前記第1下部電極と第2下部電極との間に接続される容量素子と、
第2電極に第1電源電圧が入力され、第1電極が前記第1下部電極に接続されるとともに、制御電極に第2クロックが入力される第1トランジスタと、
第2電極に第2電源電圧が入力され、制御電極が前記下部電極に接続される第2トランジスタと、
第2電極が前記第2トランジスタの第1電極に接続され、第1電極が前記出力線に接続されるとともに、制御電極に第1クロックが入力される第3トランジスタと、
第2電極に第1電源電圧が入力され、第1電極が前記第2下部電極に接続されるとともに、制御電極に第2クロックが入力される第4トランジスタと、
第2電極に第2電源電圧が入力され、第1電極が前記第2下部電極に接続されるとともに、制御電極に第1クロックが入力される第5トランジスタと、
前記第1光依存可変抵抗素子は、アモルファスシリコン膜であり、
前記第2光依存可変抵抗素子は、遮光されたアモルファスシリコン膜であることを特徴とする光センサアレイ。 - 前記第1基準電圧を供給する第1基準電圧線と、
前記第1電源電圧を供給する第1電源電圧線と、
前記第2電源電圧を供給する第2電源電圧線と、
前記第1クロックを入力する第1クロック線と、
前記第2クロックを入力する第2クロック線とを有することを特徴とする請求項12に記載の光センサアレイ。 - 前記第1クロックと、前記第2クロックとは位相が異なることを特徴とする請求項12に記載の光センサアレイ。
- 前記第1トランジスタは、前記第2クロックによりオンとなった時に、前記第1下部電極に前記第1電源電圧を入力し、次に前記第2クロックが入力されるまでの期間、前記第1下部電極をフローティング状態となし、
前記第4トランジスタは、前記第2クロックによりオンとなった時に、前記第2下部電極に前記第1電源電圧を入力し、次に前記第2クロックが入力されるまでの期間、前記第2下部電極をフローティング状態とすることを特徴とする請求項12に記載の光センサアレイ。 - 前記第5トランジスタは、前記第2クロックより前に入力される第1クロックによりオンとなった時に、前記第2下部電極に前記第1電源電圧を入力することを特徴とする請求項15に記載の光センサアレイ。
- 前記第3トランジスタは、前記第2クロックより前に入力される第1クロックによりオンとなり、
前記出力線は、前記第3トランジスタオンとなる前に、前記第1基準電圧とされ、
前記第2トランジスタと前記第3トランジスタとにより、前記第1下部電極がフローティングの状態において前記光依存可変抵抗素子に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を、前記出力線の電圧変化として検出することを特徴とする請求項16に記載の光センサアレイ。 - 前記各トランジスタは、半導体層としてポリシリコン層を使用する薄膜トランジスタで構成されることを特徴とする請求項6または請求項12に記載の光センサアレイ。
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