JP2011018744A - Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method.
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して投影光学系から射出される露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。 As an exposure apparatus used in a photolithography process, for example, an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light emitted from a projection optical system via a liquid as disclosed in the following patent document is known.
液浸露光装置において、投影光学系と物体(基板)との間に液体が保持されている状態で物体を高速で移動した場合、液体が流出したり、物体上に液体(膜、滴等)が残留したりする可能性がある。その結果、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。一方、液体を良好に保持するために、物体を低速で移動した場合、スループットが低下する可能性がある。 In an immersion exposure apparatus, when an object is moved at a high speed while the liquid is held between the projection optical system and the object (substrate), the liquid flows out or the liquid (film, droplet, etc.) on the object May remain. As a result, an exposure failure may occur or a defective device may occur. On the other hand, when the object is moved at a low speed in order to hold the liquid satisfactorily, the throughput may be reduced.
本発明の態様は、物体上での液体の残留等を抑制して、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、スループットの低下を抑制しつつ、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 An object of an aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method that can suppress the occurrence of defective exposure by suppressing the remaining liquid on an object. Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method capable of suppressing the occurrence of defective devices while suppressing a decrease in throughput.
本発明の第1の態様に従えば、基板を露光する露光装置であって、露光光を射出する射出面を有する光学系と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置された第1面と、第1面の周囲の少なくとも一部に、且つ、光学系の光軸とほぼ平行な所定方向に関して、第1面より露光光が進行する第1方向側に配置された第2面と、第2面の周囲の少なくとも一部に、且つ、所定方向に関して第2面より第1方向とは逆向きの第2方向側に配置された第3面と、第3面で規定される空間に存在する液体の少なくとも一部を回収する第1回収口と、を備え、基板の露光の少なくとも一部において、射出面、第1面、第2面、及び第3面に基板の表面が対向し、射出面と基板の表面との間の液体を介して射出面からの露光光で基板を露光する露光装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate, an optical system having an exit surface that emits exposure light, and at least a portion around the optical path of the exposure light that exits from the exit surface The first surface disposed on the first surface and at least part of the periphery of the first surface, and on the first direction side where the exposure light travels from the first surface with respect to a predetermined direction substantially parallel to the optical axis of the optical system A second surface, a third surface disposed on at least a part of the periphery of the second surface, and on a second direction side opposite to the first direction from the second surface with respect to the predetermined direction, and a third surface A first recovery port for recovering at least part of the liquid existing in the space defined by the surface, and at least part of the exposure of the substrate, the exit surface, the first surface, the second surface, and the third surface The surface of the substrate faces the substrate, and exposure light from the emission surface passes through the liquid between the emission surface and the substrate surface. Exposure apparatus is provided for exposing the.
本発明の第2の態様に従えば、基板を露光する露光装置であって、露光光を射出する射出面を有する光学系と、射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置された第1面を有し、光学系に対する位置がほぼ固定された第1部材と、第1面の周囲の少なくとも一部に、且つ、光学系の光軸とほぼ平行な所定方向に関して第1面より露光光が進行する第1方向側に配置された第2面を有し、第1部材に対して可動な第2部材と、第2面の周囲の少なくとも一部に配置された第3面を有し、第1部材に対して可動な第3部材と、第2面の少なくとも一部に配置され、気体及び液体の少なくとも一方を回収可能な第1回収口と、第3面の少なくとも一部に配置され、気体を供給する給気口と、を備え、基板の露光の少なくとも一部において、射出面、第1面、第2面、及び第3面に基板の表面が対向し、射出面と基板の表面との間の液体を介して射出面からの露光光で基板を露光する露光装置が提供される。 According to the second aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate, an optical system having an exit surface that emits exposure light, and at least a portion around the optical path of the exposure light that exits from the exit surface A first member having a first surface disposed at a substantially fixed position relative to the optical system, and a predetermined direction substantially parallel to the optical axis of the optical system at least at a part of the periphery of the first surface. The second surface is disposed on the first direction side where the exposure light travels from the first surface, and is disposed on at least a part of the periphery of the second surface and the second member movable with respect to the first member. A third member having a third surface and movable with respect to the first member; a first recovery port disposed on at least a part of the second surface and capable of recovering at least one of gas and liquid; and a third surface An air supply port for supplying gas, and at least one of exposure of the substrate , The surface of the substrate faces the emission surface, the first surface, the second surface, and the third surface, and the substrate is exposed with exposure light from the emission surface through a liquid between the emission surface and the surface of the substrate. An exposure apparatus is provided.
本発明の第3の態様に従えば、第1,第2の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus according to the first and second aspects, and developing the exposed substrate. .
本発明の第4の態様に従えば、光学系の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置された第1面と基板とを第1ギャップを介して対向させて、第1面と基板との間で液体を保持することと、射出面と基板との間の液体を介して射出面からの露光光で基板を露光することと、第1面と基板との間から流出した液体の少なくとも一部を回収することと、を含み、基板の露光の少なくとも一部において、基板は、第1面の周囲の少なくとも一部に配置された第2面と第1ギャップより小さい第2ギャップを介して対向するとともに、第2面の周囲の少なくとも一部に配置された第3面と第2ギャップより大きい第3ギャップを介して対向し、液体の回収は、第3面に配置された第1回収口を使って行われる露光方法が提供される。 According to the fourth aspect of the present invention, the first surface disposed in at least a part of the periphery of the optical path of the exposure light emitted from the exit surface of the optical system is opposed to the substrate via the first gap. Holding the liquid between the first surface and the substrate, exposing the substrate with exposure light from the emission surface via the liquid between the emission surface and the substrate, and the first surface and the substrate Recovering at least a portion of the liquid that has flowed out of the substrate, wherein at least a portion of the exposure of the substrate, the substrate has a second surface and a first gap disposed on at least a portion of the periphery of the first surface. Opposing through a smaller second gap and opposing a third surface disposed at least partially around the second surface through a third gap larger than the second gap, the recovery of the liquid Provided is an exposure method performed using a first recovery port arranged on a surface. That.
本発明の第5の態様に従えば、光学系の射出面から射出される露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、光学系に対する位置がほぼ固定された第1部材の第1面と基板とを第1ギャップを介して対向させて、第1面と基板との間で液体を保持することと、射出面と基板との間の液体を介して射出面からの露光光で基板を露光することと、第1面と基板との間から流出した液体の少なくとも一部を回収することと、基板の表面に気体を供給することと、を含み、基板の露光の少なくとも一部において、基板は、第1面の周囲の少なくとも一部に配置され、第1部材に対して可動な第2部材の第2面と第1ギャップより小さい第2ギャップを介して対向するとともに、第2面の周囲の少なくとも一部に配置され、第1部材に対して可動な第3部材の第3面と第1ギャップより小さい第3ギャップを介して対向し、液体の回収は、第2面に配置された第1回収口を使って行われ、気体の供給は、第3面に配置された給気口を使って行われる露光方法が提供される。 According to the fifth aspect of the present invention, the first surface of the first member is disposed at least at a part around the optical path of the exposure light emitted from the exit surface of the optical system, and the position relative to the optical system is substantially fixed. And the substrate are opposed to each other through the first gap, the liquid is held between the first surface and the substrate, and the substrate is exposed to light from the emission surface through the liquid between the emission surface and the substrate. In at least a part of the exposure of the substrate, the step of recovering at least a portion of the liquid that has flowed out between the first surface and the substrate, and supplying a gas to the surface of the substrate. The substrate is disposed on at least a part of the periphery of the first surface, and faces the second surface of the second member movable with respect to the first member via a second gap smaller than the first gap, and the second surface. Arranged at least partially around the surface and movable relative to the first member The third member faces the third surface through a third gap that is smaller than the first gap, and the liquid is recovered using the first recovery port disposed on the second surface, and the gas is supplied to the third surface. An exposure method is provided that is performed using an air inlet disposed on the surface.
本発明の第6の態様に従えば、第4,第5の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising: exposing a substrate using the exposure method of the fourth and fifth aspects; and developing the exposed substrate. .
本発明の態様によれば、物体上での液体の残留等を抑制して、露光不良の発生を抑制できる。また、本発明の態様によれば、スループットの低下を抑制しつつ、不良デバイスの発生を抑制できる。 According to the aspect of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of defective exposure by suppressing the liquid remaining on the object. Moreover, according to the aspect of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of defective devices while suppressing a decrease in throughput.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each part will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an example of an exposure apparatus EX according to the first embodiment. The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through a liquid LQ. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクステージ1及び基板ステージ2の位置を光学的に計測する干渉計システム3と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材4と、少なくとも投影光学系PLを収容するチャンバ装置5と、少なくとも投影光学系PLを支持するボディ6と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7とを備えている。
In FIG. 1, an exposure apparatus EX optically positions a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム、アルミニウム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。 The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. The mask M includes a transmissive mask having a transparent plate such as a glass plate and a pattern formed on the transparent plate using a light shielding material such as chrome or aluminum. A reflective mask can also be used as the mask M.
基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された多層膜とを含む。多層膜は、少なくとも感光膜を含む複数の膜が積層された膜である。感光膜は、感光材で形成された膜である。また、多層膜が、例えば反射防止膜、及び感光膜を保護する保護膜(トップコート膜)を含んでもよい。 The substrate P is a substrate for manufacturing a device. The substrate P includes, for example, a base material such as a semiconductor wafer and a multilayer film formed on the base material. The multilayer film is a film in which a plurality of films including at least a photosensitive film are stacked. The photosensitive film is a film formed of a photosensitive material. Further, the multilayer film may include, for example, an antireflection film and a protective film (topcoat film) that protects the photosensitive film.
チャンバ装置5は、実質的に閉ざされた内部空間8を形成するチャンバ部材5Aと、内部空間8の環境(温度、湿度、クリーン度、及び圧力等)を制御する環境制御装置5Bとを有する。ボディ6は、内部空間8に配置される。ボディ6は、支持面FL上に設けられた第1コラム9と、第1コラム9上に設けられた第2コラム10とを有する。第1コラム9は、第1支持部材11と、第1支持部材11に防振装置12を介して支持された第1定盤13とを有する。第2コラム10は、第1定盤13上に設けられた第2支持部材14と、第2支持部材14に防振装置15を介して支持された第2定盤16とを有する。また、本実施形態においては、支持面FL上に、防振装置17を介して、第3定盤18が配置されている。
The
照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL irradiates the predetermined illumination area IR with the exposure light EL. The illumination area IR includes a position where the exposure light EL emitted from the illumination system IL can be irradiated. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F 2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light, which is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light), is used as the exposure light EL.
マスクステージ1は、マスクMをリリース可能に保持するマスク保持部19を有し、マスクMを保持した状態で、第2定盤16のガイド面16G上を移動可能である。マスクステージ1は、駆動システム20の作動により、照明領域IRに対して、マスクMを保持して移動可能である。駆動システム20は、マスクステージ1に配置された可動子20Aと、第2定盤16に配置された固定子20Bとを有する平面モータを含む。マスクステージ1を移動可能な平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されている。マスクステージ1は、駆動システム20の作動により、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
The mask stage 1 has a
投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系PLの複数の光学素子は、保持部材(鏡筒)21に保持されている。保持部材21は、フランジ21Fを有する。投影光学系PLは、フランジ21Fを介して、第1定盤13に支持される。なお、第1定盤13と保持部材21との間に防振装置を設けることができる。
The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. A plurality of optical elements of the projection optical system PL are held by a holding member (lens barrel) 21. The holding
本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXは、Z軸とほぼ平行である。投影光学系PLにおいて、露光光ELは、投影光学系PLの物体面側から像面側に向かって、−Z方向に進行する。 In the present embodiment, the optical axis AX of the projection optical system PL is substantially parallel to the Z axis. In the projection optical system PL, the exposure light EL travels in the −Z direction from the object plane side to the image plane side of the projection optical system PL.
ここで、以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXとほぼ平行なZ軸方向に関して、投影光学系PLにおいて露光光ELが進行する方向を適宜、第1方向、と称し、Z軸方向に関して、第1方向とは逆向きの方向を適宜、第2方向、と称する。本実施形態において、第1方向は、−Z方向であり、第2方向は、+Z方向である。 Here, in the following description, with respect to the Z-axis direction substantially parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL, the direction in which the exposure light EL travels in the projection optical system PL is appropriately referred to as the first direction, and the Z-axis direction. In this regard, a direction opposite to the first direction is appropriately referred to as a second direction. In the present embodiment, the first direction is the −Z direction, and the second direction is the + Z direction.
本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.
投影光学系PLは、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面23を有する。射出面23は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子22に配置されている。投影領域PRは、射出面23から射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面23は、第1方向(−Z方向)を向いており、XY平面と平行である。なお、−Z方向を向いている射出面23は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。
The projection optical system PL has an
本実施形態において、投影光学系PLの像面近傍の光軸AX、すなわち、終端光学素子22の光軸AXは、Z軸とほぼ平行である。なお、終端光学素子22と隣り合う光学素子で規定される光軸を終端光学素子22の光軸とみなしてもよい。また、本実施形態において、投影光学系PLの像面は、X軸とY軸とを含むXY平面とほぼ平行である。また、本実施形態において、像面は、ほぼ水平である。ただし、像面はXY平面と平行でなくてもよいし、曲面であってもよい。
In the present embodiment, the optical axis AX in the vicinity of the image plane of the projection optical system PL, that is, the optical axis AX of the terminal
基板ステージ2は、基板Pをリリース可能に保持する基板保持部24を有し、第3定盤18のガイド面18G上を移動可能である。基板ステージ2は、駆動システム25の作動により、投影領域PRに対して、基板Pを保持して移動可能である。駆動システム25は、基板ステージ2に配置された可動子25Aと、第3定盤18に配置された固定子25Bとを有する平面モータを含む。基板ステージ2を移動可能な平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されている。基板ステージ2は、駆動システム25の作動により、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
The
基板ステージ2は、基板保持部24の周囲に配置され、射出面23と対向可能な上面26を有する。本実施形態において、基板ステージ2は、米国特許出願公開第2007/0177125号明細書等に開示されているような、基板保持部24の周囲の少なくとも一部に配置され、プレート部材Tの下面をリリース可能に保持するプレート部材保持部27を有する。本実施形態において、基板ステージ2の上面26は、プレート部材Tの上面を含む。上面26は、平坦である。
The
なお、プレート部材Tはリリース可能でなくてもよい。すなわち、基板ステージ2と一体的に設けられていてもよい。この場合、プレート部材保持部27を省略できる。
Note that the plate member T may not be releasable. That is, it may be provided integrally with the
本実施形態において、基板保持部24は、基板Pの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。プレート部材保持部27は、プレート部材Tの上面26とXY平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Tを保持する。
In the present embodiment, the
干渉計システム3は、XY平面内におけるマスクステージ1(マスクM)の位置を光学的に計測可能な第1干渉計ユニット3Aと、XY平面内における基板ステージ2(基板P)の位置を光学的に計測可能な第2干渉計ユニット3Bとを有する。基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置7は、干渉計システム3の計測結果に基づいて、駆動システム20,25を作動し、マスクステージ1(マスクM)及び基板ステージ2(基板P)の位置制御を実行する。
The interferometer system 3 optically measures the position of the
液浸部材4は、射出面23から射出される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように、露光光ELの光路Kの周囲の少なくとも一部に配置される。液浸部材4は、射出面23と、射出面23と対向する位置に配置された物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。液浸空間LSは、液体LQで満たされた部分(空間、領域)である。本実施形態において、物体は、基板ステージ2(プレート部材T)、及び基板ステージ2に保持された基板Pの少なくとも一方を含む。基板Pの露光中、液浸部材4は、終端光学素子22と基板Pとの間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。
The
本実施形態において、液浸部材4は、終端光学素子22の近傍に配置されている。液浸部材4は、支持機構28に支持されている。本実施形態において、支持機構28は、第1定盤13に支持されている。本実施形態において、液浸部材4は、支持機構28を介して、第1定盤13に吊り下げられている。
In the present embodiment, the
本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。基板Pの露光時、制御装置7は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、光軸AX(露光光ELの光路K)と交差するXY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。制御装置7は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. When the substrate P is exposed, the control device 7 controls the mask stage 1 and the
図2は、液浸部材4の近傍を示す側断面図、図3は、液浸部材4を下方から見た図、図4は、図2の一部を拡大した図である。
2 is a side sectional view showing the vicinity of the
図2,図3,及び図4に示すように、本実施形態において、液浸部材4は、環状の部材である。液浸部材4の少なくとも一部は、露光光ELの一部の光路及び終端光学素子22の周囲に配置されている。図3に示すように、本実施形態において、XY平面内における液浸部材4の外形は、円形である。
As shown in FIGS. 2, 3, and 4, in the present embodiment, the
液浸部材4は、射出面23から射出される露光光ELの光路Kの周囲の少なくとも一部に配置された第1面41と、第1面41の周囲の少なくとも一部に、且つ、第1面41より第1方向側(−Z方向側)に配置された第2面42と、第2面42の周囲の少なくとも一部に、且つ、第2面42より第2方向側(+Z方向側)に配置された第3面43と、第3面43で規定される空間53に存在する液体LQの少なくとも一部を回収する回収口61とを備えている。
The
本実施形態において、回収口61は、第3面43の少なくとも一部に配置されている。
In the present embodiment, the
また、液浸部材4は、光路Kに面し、第1面41の外縁と第2面42の内縁とを結ぶように配置される第4面44を有する。
Further, the
また、液浸部材4は、第3面43の周囲の少なくとも一部に、且つ、Z軸方向に関して第3面43より第1方向側(−Z方向側)に配置された第5面45を有する。
Further, the
第1面41,第2面42,第3面43,及び第5面45は、液浸部材4の下方に配置された物体の表面(上面)と対向可能である。
The
図3に示すように、本実施形態において、XY平面内における第1面41,第2面42,第3面43,及び第5面45の外形は、円形である。また、XY平面内における第2面42,第3面43,及び第5面45の内側のエッジも、円形である。
As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the outer shapes of the
基板Pの露光の少なくとも一部において、射出面23、第1面41,第2面42,第3面43,及び第5面45に基板Pの表面が対向する。本実施形態において、第1面41と投影領域PRに配置された物体との間に保持された液体LQによって液浸空間LSの一部が形成される。基板Pの露光の少なくとも一部において、第1面41は、射出面23から射出される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように、射出面23から射出される露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に配置される基板Pとの間で液体LQを保持する。これにより、基板Pの露光の少なくとも一部において、射出面23と基板Pの表面との間の空間に液体LQが満たされる。基板Pは、射出面23と基板Pの表面との間の液体LQを介して、射出面23からの露光光ELで露光される。
At least part of the exposure of the substrate P, the surface of the substrate P faces the
以下、簡単のため、射出面23、第1面41,第2面42,第3面43,及び第5面45と対向する位置に基板Pが配置され、液浸部材4と基板Pとの間に液体LQが保持されて液浸空間LSが形成される場合を例にして説明する。なお、上述のように、射出面23及び液浸部材4と他の少なくとも一つの部材(基板ステージ2のプレート部材Tなど)との間に液浸空間LSを形成することができる。
Hereinafter, for simplicity, the substrate P is disposed at a position facing the
本実施形態において、第1面41は、XY平面とほぼ平行である。図4等に示すように、第1面41は、基板Pの表面と第1ギャップG1を介して対向する。なお、第1面41は、XY平面に対して平行でなくてもよいし、曲面を含んでいてもよい。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2面42は、第1面41とほぼ平行である。すなわち、第2面42は、XY平面とほぼ平行である。第2面42は、基板Pの表面と第2ギャップG2を介して対向する。なお、第2面42は、XY平面に対して平行でなくてもよいし、曲面を含んでいてもよい。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第3面43は、第2面42の周囲の少なくとも一部に配置され、光軸AXに対する放射方向に関して外側に向かって第2方向(+Z方向)に傾斜する第1斜面431と、第1斜面431の周囲の少なくとも一部に配置され、光軸AXに対する放射方向に関して外側に向かって第1方向(−Z方向)に傾斜する第2斜面432とを含む。また、本実施形態においては、第3面43は、第1斜面431と第2斜面432との間に配置され、第1面41(XY平面)とほぼ平行な平坦面433を含む。本実施形態において、回収口61は、第2斜面432に配置されている。第3面43は、基板Pの表面と第3ギャップG3を介して対向する。
In the present embodiment, the
なお、第3面43において、平坦面433が、XY平面に対して傾斜していてもよい。例えば、第3面43が、第1傾斜面431と異なる角度で、光軸AXに対する放射方向に関して外側に向かって第2方向に傾斜していてもよいし、第2傾斜面432と異なる角度で、光軸AXに対する放射方向に関して外側に向かって第1方向に傾斜していてもよい。また、平坦面433が、曲面を含んでもよい。
In the
なお、第3面43において、平坦面433が無くてもよい。すなわち、第3面43が、第2面42の周囲の少なくとも一部に配置された第1斜面431と、第1斜面431の周囲の少なくとも一部に配置された第2斜面432とで構成されてもよい。
The
なお、第3面43において、第1傾斜面431が曲面を含んでもよいし、第2傾斜面432が曲面を含んでもよい。
In the
本実施形態において、第5面45は、第2面42とほぼ平行である。すなわち、第5面45は、XY平面とほぼ平行である。第5面45は、基板Pの表面と第5ギャップG5を介して対向する。
In the present embodiment, the
本実施形態において、Z軸方向に関して、第2面42と第5面45との位置がほぼ等しい。すなわち、本実施形態において、第2面42と第5面45とは、同一平面内に配置される。
In the present embodiment, the positions of the
なお、第5面45は、XY平面と平行でなくてもよい。例えば、第5面45が、光軸AXに対する放射方向に関して外側に向かって第2方向に傾斜していてもよいし、曲面を含んでいてもよい。
The
本実施形態において、第2ギャップG2は、第1ギャップG1より小さい。第3ギャップG3は、第2ギャップG2より大きい。第2ギャップG2と第5ギャップG5とは、ほぼ等しい。 In the present embodiment, the second gap G2 is smaller than the first gap G1. The third gap G3 is larger than the second gap G2. The second gap G2 and the fifth gap G5 are substantially equal.
第1面41は、光路Kの周囲に配置され、液体LQを回収不可能な平坦面411と、平坦面411の周囲の少なくとも一部に配置され、液体LQを回収可能な液体回収面412とを含む。
The
液浸部材4は、第1面41の少なくとも一部に配置され、液体LQを回収可能な回収口62を有する。回収口62には、多孔部材63が配置されている。多孔部材63は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、多孔部材63が、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタでもよい。回収口62は、多孔部材63の孔を介して、基板P上の液体LQを回収可能である。なお、回収口62に、多孔部材63を配置しなくてもよい。
The
本実施形態において、第1面41の液体回収面412は、多孔部材63の表面を含む。すなわち、本実施形態においては、第1面41は、平坦面411と、平坦面411の周囲に配置され、液体LQを回収可能な多孔部材63の表面(下面)とを含む。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2面42は、液体LQを回収不可能な平坦面である。本実施形態において、第2面42は、第1面41より、液体LQに対して撥液性である。本実施形態において、液体LQに対する第2面42の接触角は、例えば90度以上であり、100度以上でもよい。本実施形態においては、第2面42は、液体LQに対して撥液性の膜で形成されている。膜は、例えばフッ素を含む撥液性材料で形成される。撥液性材料としては、例えばPFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(polyetheretherketone)、テフロン(登録商標)等が挙げられる。
In the present embodiment, the
本実施形態においては、第1面41と、第4面44と、投影領域PRに配置された基板P(物体)との間に保持された液体LQによって液浸空間LSの一部が形成される。基板Pの露光の少なくとも一部において、第1面41と、第4面44と、基板Pとで規定される空間51に液体LQが保持されて、液浸空間LSの一部が形成される。
In the present embodiment, a part of the immersion space LS is formed by the liquid LQ held between the
第2面42は、第1面41と基板Pとの間の液体LQ(空間51の液体LQ)が流出することを抑制する。本実施形態において、第2面42は、液体LQに対して撥液性である。また、第2ギャップG2は、100μm以下であり、微小である。本実施形態において、第2ギャップG2は、例えば5〜20μm程度である。これにより、空間51からの液体LQの流出が抑制される。また、本実施形態においては、基板Pの表面及びプレート部材Tの上面を含む物体の表面も、液体LQに対して撥液性である。これにより、より効果的に、空間51の液体LQの流出が抑制される。
The
第5面45は、液体LQを回収不可能な平坦面である。本実施形態において、第5面45は、第1面41より、液体LQに対して撥液性である。本実施形態において、液体LQに対する第5面45の接触角は、例えば90度以上であり、100度以上でもよい。本実施形態においては、第2面42と同様、第5面45は、液体LQに対して撥液性の膜で形成されている。
The
第4面44は、液体LQに対して撥液性である。本実施形態において、第4面44は、第1面41より、液体LQに対して撥液性である。本実施形態においては、第2面42と同様、第4面44は、液体LQに対して撥液性の膜で形成されている。
The
本実施形態において、液浸部材4は、第1面41と逆方向を向き、射出面23の少なくとも一部と対向する第6面46と、第6面46の周囲に配置され、終端光学素子22の側面35と対向する第7面47と、第7面47の周囲に配置され、保持部材21の外面36と対向する第8面48とを有する。液浸部材4は、少なくとも一部が射出面23と対向するように配置されたプレート部37と、少なくとも一部が終端光学素子22の周囲に配置される本体部38とを有する。第1面41の少なくとも一部及び第6面46は、プレート部37に配置されている。第1面41の少なくとも一部、第2面42,第3面43,第4面44,第5面45,第7面47,及び第8面48は、本体部38に配置されている。また、プレート部37は、射出面23から射出された露光光ELが通過可能な開口39を有する。基板Pの露光中、射出面23から射出された露光光ELは、開口39を介して、基板Pの表面に照射される。図3に示すように、本実施形態において、開口39は、基板Pの走査方向(Y軸方向)と交差するX軸方向に長い。
In the present embodiment, the
第6面46は、射出面23と第6ギャップG6を介して対向する。第7面47は、側面35と第7ギャップG7を介して対向する。第8面48は、外面36と第8ギャップG8を介して対向する。
The
終端光学素子22の側面35は、射出面23と異なる面であり、露光光ELが通過しない面である。側面35は、射出面23の周囲に配置されている。側面35は、射出面23の周縁から上方(+Z方向)に延びるように配置されている。側面35は、射出面23の周縁から光軸AXに対する放射方向(光軸AXに対して垂直な方向)に延びるように設けられている。すなわち、側面35は、光軸AXに対する放射方向に、且つ、第2方向(+Z方向)に延びるように傾斜している。
The
本実施形態において、第6面46と射出面23とは、ほぼ平行である。また、第7面47と側面35とは、ほぼ平行である。また、第8面48と外面36とは、ほぼ平行である。
In the present embodiment, the
なお、第6面46と射出面23とは平行でなくてもよい。また、第7面47と側面35とは平行でなくてもよい。また、第8面48と外面36とは平行でなくてもよい。
The
なお、本実施形態においては、第7面47は終端光学素子22の側面35と対向しているが、第7面47の少なくとも一部が保持部材21の外面と対向していてもよい。また、本実施形態においては、第8面48は、保持部材21の外面36と対向しているが、終端光学素子22の側面35の周囲に終端光学素子22の下面が露出している場合には、第8面48の少なくとも一部が、終端光学素子22の下面と対向していてもよい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態において、液浸部材4は、露光光ELの光路Kに液体LQを供給する供給口64を備えている。本実施形態において、供給口64は、第7面47の少なくとも一部に配置されている。供給口64は、第6面46と射出面23との間の空間56に面するように配置されている。
In the present embodiment, the
本実施形態において、供給口64は、光軸AXに対して+Y側及び−Y側のそれぞれに一つずつ配置されている。なお、供給口64が、光軸AXに対して+X側及び−X側のそれぞれに一つずつ配置されてもよい。また、供給口64の数は、3つ以上でもよい。
In the present embodiment, one
図2に示すように、供給口64は、供給流路65を介して、液体供給装置66と接続されている。本実施形態において、供給流路65は、液浸部材4の内部流路65A、及びその内部流路65Aと液体供給装置66とを接続する供給管の流路65Bを含む。液体供給装置66は、クリーンで温度調整された液体LQを供給口64に供給することができる。
As shown in FIG. 2, the
回収口62は、回収流路67を介して、液体回収装置68と接続されている。本実施形態において、回収流路67は、液浸部材4の内部流路67A、及びその内部流路67Aと液体回収装置68とを接続する回収管の流路67Bを含む。液体回収装置68は、真空システム(真空源と回収口62との接続状態を制御するバルブなど)を含み、回収口62から液体LQを吸引して回収することができる。
The
回収口61は、回収流路69を介して、液体回収装置70と接続されている。本実施形態において、回収流路69は、液浸部材4の内部流路69A、及びその内部流路69Aと液体回収装置70とを接続する回収管の流路69Bを含む。液体回収装置70は、真空システム(真空源と回収口61との接続状態を制御するバルブなど)を含み、回収口61から液体LQを吸引して回収することができる。
The
本実施形態において、供給口64は、空間56に液体LQを供給する。空間56に供給された液体LQは、射出面23から射出される露光光ELの光路Kに供給される。また、供給口64から空間56に供給された液体LQの少なくとも一部は、開口39を介して、第1面41と基板Pの表面との間の空間51に供給される。空間51に供給された液体LQは、第1面41と基板Pの表面との間に保持され、液浸空間LSの一部を形成する。
In the present embodiment, the
また、供給口64から供給された液体LQの少なくとも一部は、側面35と第7面47との間の空間57に供給される。空間57に供給された液体LQは、側面35と第7面47との間に保持され、液浸空間LSの一部を形成する。
In addition, at least part of the liquid LQ supplied from the
本実施形態において、液浸空間LSの液体LQの気液界面(メニスカス、エッジ)は、液浸部材4と物体(基板P)の表面との間に配置される第1界面LG1と、投影光学系PLと液浸部材4との間に配置される第2界面LG2とを含む。
In the present embodiment, the gas-liquid interface (meniscus, edge) of the liquid LQ in the immersion space LS includes the first interface LG1 disposed between the
基板Pの露光の少なくとも一部において、第1界面LG1は、第1面41と基板Pの表面との間、あるいは第2面42の内側のエッジと基板Pの表面との間に配置される。第2界面LG2は、側面35と第7面47との間に配置される。本実施形態においては、基板Pの露光の少なくとも一部において、液浸空間LSは、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域が液体LQで覆われるように形成される。本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。
In at least a part of the exposure of the substrate P, the first interface LG1 is disposed between the
なお、第7面47及び第8面48の少なくとも一方に液体LQを回収する回収口を設けてもよい。
A recovery port for recovering the liquid LQ may be provided on at least one of the
本実施形態においては、制御装置7は、基板Pの露光の少なくとも一部において、液浸空間LSを形成するために、供給口64からの液体LQの供給動作と並行して、回収口62からの液体LQの回収動作を実行する。これにより、光路Kを含む空間51及び空間56が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。
In the present embodiment, the control device 7 uses the
なお、本実施形態においては、制御装置7は、液体回収装置68を制御して、多孔部材63の下面側空間(空間51)から上面側空間(回収流路67)へ液体LQのみが通過するように、多孔部材63の下面側空間と上面側空間との圧力差を制御することができる。本実施形態において、下面側の空間51の圧力は、液浸部材4が配置されている内部空間8の圧力とほぼ等しく、チャンバ装置5によって制御されている。制御装置7は、多孔部材63の下面側から上面側へ液体LQのみが通過するように、液体回収装置68を制御して、下面側の圧力に応じて、上面側の圧力を調整する。すなわち、制御装置7は、多孔部材63の孔を介して、空間51からの液体LQのみを回収し、気体は多孔部材63の孔を通過しないように調整する。多孔部材の一側と他側との圧力差を調整して、多孔部材の一側から他側へ液体LQのみを通過させる技術は、例えば米国特許第7292313号明細書などに開示されている。なお、多孔部材63の孔を介して空間51の液体LQとともに気体が流入してもよい。
In this embodiment, the control device 7 controls the
次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.
制御装置7は、第1面41,第2面42,第3面43,及び第5面45と基板Pの表面(あるいは基板ステージ2の上面26)とを対向させる。第1面41と基板Pの表面とは、第1ギャップG1を介して対向し、第2面42と基板Pの表面とは、第2ギャップG2を介して対向し、第3面43と基板Pの表面とは、第3ギャップG3を介して対向し、第5面45と基板Pの表面とは、第5ギャップG5を介して対向する。
The control device 7 makes the
制御装置7は、第1面41,第2面42,第3面43,及び第5面45と基板Pの表面とを対向させた状態で、液体供給装置66から液体LQを送出する。また、制御装置7は、液体回収装置68を作動する。また、制御装置7は、液体回収装置70を作動する。
The control device 7 sends out the liquid LQ from the
液体供給装置66から送出された液体LQは、供給口64より空間56に供給される。空間56に供給された液体LQは、射出面23から射出される露光光ELの光路Kに供給される。また、供給口64から空間56に供給された液体LQの少なくとも一部は、開口39を介して、空間51に供給され、第1面41と基板Pの表面との間で保持される。また、基板P上の液体LQの少なくとも一部は、基板Pの表面に面するように第1面41に配置された回収口62から回収される。これにより、供給口64から供給された液体LQによって、露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。
The liquid LQ delivered from the
本実施形態においては、基板Pの表面、第1面41、及び第4面44で囲まれた空間51がほぼ液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。また、液浸空間LSの液体LQの第1界面LG1は、第2面42の内側のエッジ(第4面44の下端)と基板Pの表面との間に形成されている。
In the present embodiment, the immersion space LS is formed so that the
制御装置7は、供給口64からの液体LQの供給動作と並行して、回収口62からの液体LQの回収動作を実行して、露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。
In parallel with the supply operation of the liquid LQ from the
制御装置7は、照明系ILより露光光ELを射出して、マスクMを露光光ELで照明する。マスクMからの露光光ELは、投影光学系PLの射出面23から射出される。これにより、射出面23と基板Pとの間の液体LQを介して射出面23からの露光光ELで基板Pが露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。
The control device 7 emits the exposure light EL from the illumination system IL, and illuminates the mask M with the exposure light EL. The exposure light EL from the mask M is emitted from the
本実施形態においては、第2面42によって、空間51の液体LQの流出が抑制されている。すなわち、空間51の液体LQが、第2ギャップG2を介して、第3面43と基板Pとの間に形成されている空間53に流入することが抑制されている。
In the present embodiment, the outflow of the liquid LQ in the
また、本実施形態においては、XY平面内における液浸空間LSの液体LQの界面LG1が第4面44より外側へ移動することが抑制されており、液浸空間LSの拡大が抑制されている。
In the present embodiment, the interface LG1 of the liquid LQ in the immersion space LS in the XY plane is suppressed from moving outside the
本実施形態において、第1面41は、基板Pの表面と第1ギャップG1を介して対向し、第1面41の周囲に配置された第2面42は、基板Pの表面と第2ギャップG2を介して対向する。第2ギャップG2は、第1ギャップG1より十分に小さい。したがって、光軸AXに対する放射方向において、界面LG1が第2ギャップG2の外側へ移動することが抑制される。すなわち、第2ギャップG2が微小なので、図4等に示すように、液体LQの表面張力により、界面LG1の位置は、第2面42の内側のエッジ(第4面44の下端)と基板Pの表面との間に維持される。これにより、液浸空間LSの液体LQが、第2ギャップG2を介して空間53に流入することが抑制される。
In the present embodiment, the
また、本実施形態においては、第2面42が液体LQに対して撥液性なので、より効果的に、空間51の液体LQの流出が抑制される。また、本実施形態においては、第2面42の内側のエッジから上方に延びるように、かつ光路Kに面するように第4面44が配置されているので、液浸空間LSの拡大が抑制される。これによっても、液浸空間LSの拡大が抑制される。
In the present embodiment, since the
また、第4面44が液体LQに対して撥液性なので、より一層、液体LQの流出を抑制することができる。本実施形態においては、第4面44は、第1面41より、液体LQに対して撥液性なので、液体LQの流出を効果的に抑制することができる。
Further, since the
なお、第4面44は、液体LQに対して撥液性でなくてもよい。例えば、液体LQに対する第1面41の撥液性と、液体LQに対する第4面44の撥液性とがほぼ等しくてもよい。
The
また、本実施形態においては、第1面41の外形、及び第2面42の内側のエッジが円形であり、XY平面内における液浸空間LSの外形もほぼ円形である。これにより、液浸空間LSの界面LG1の全方位から中心に向かう拘束力がほぼ均等に作用する。これにより、液浸空間LSの拡大が、より効果的に抑制される。
In the present embodiment, the outer shape of the
また、本実施形態においては、空間51の液体LQが流出し、第2ギャップG2を介して空間53に流入した場合でも、第3面43で規定される空間53に存在する液体LQを回収可能な回収口61が設けられているので、液体LQが空間53の外側に流出したり、基板P上に残留したりすることが抑制される。
In the present embodiment, even when the liquid LQ in the
図5は、空間51の液体LQの一部が、第2ギャップG2を介して流出した状態を示す模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a state in which a part of the liquid LQ in the
図5に示すように、例えば基板Pが−Y方向に高速で移動した場合、その基板Pの移動に伴って、第1面41と基板Pとの間の空間51から、第2面42と基板Pとの間の第2ギャップG2を介して、液体LQが流出する可能性がある。空間51から流出する液体LQは、第2ギャップG2を通過する際に、基板Pの表面において薄膜化する可能性がある。
As shown in FIG. 5, for example, when the substrate P moves at a high speed in the −Y direction, the
本実施形態においては、第2ギャップG2を形成する第2面42の周囲に、Z軸方向に関して第2面42より第2方向側(+Z方向側)に配置された第3面43が設けられている。その第3面43によって、光軸AXに対して第2ギャップG2の外側に、第2ギャップG2より大きい第3ギャップG3が形成されている。これにより、図5に示すように、第2ギャップG2において薄膜状となった液体LQは、第3ギャップG3(空間53)に移動することによって、基板P上において滴状になる。
In the present embodiment, a
換言すれば、空間51から第2ギャップG2を介して第3ギャップG3(空間53)に液体LQが流出する場合において、第3ギャップG3(空間53)におけるZ軸方向(基板Pの表面の法線方向)に関する液体LQ(滴状の液体LQ)のサイズZ3は、第2ギャップG2を通過する際の液体LQ(薄膜状の液体LQ)のサイズZ2より、大きくなる。
In other words, when the liquid LQ flows from the
これにより、回収口61は、第1面41と基板Pとの間の空間51から第2面42と基板Pとの間の第2ギャップG2を介して流出した液体LQの少なくとも一部を円滑に回収することができる。
Thereby, the
すなわち、本実施形態においては、第2ギャップG2において薄膜状になった液体LQが空間53において例えば表面張力により滴状に変化することを利用して、液体LQが空間51から流出した場合でも、その流出した液体LQは、空間53において回収口61から良好に回収される。これにより、液浸部材4と基板Pとの間から基板Pが流出することが抑制され、基板P上に液体LQが残留することが抑制される。
That is, in the present embodiment, even when the liquid LQ flows out of the
以上説明したように、本実施形態によれば、第2面42が設けられているので、その第2面42と基板Pの表面との間の微小な第2ギャップG2によって、空間51の液体LQの流出が抑制される。また、第2面42の周囲に、第2ギャップG2より大きい第3ギャップG3を基板Pの表面との間で形成する第3面43が配置されているので、薄膜化した液体LQを、その第3ギャップG3(空間53)において滴化することができる。そして、回収口61によって、その空間53の液体LQが回収されるので、液浸空間LSの液体LQが液浸部材4と基板Pとの間の空間の外側に流出したり、基板P上に残留したりすることが抑制される。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。
As described above, according to the present embodiment, since the
また、本実施形態においては、第3面43の周囲に配置され、基板Pの表面との間で微小な第5ギャップG5を形成する第5面45が配置されているので、空間53の液体LQの流出が抑制される。また、第5面45が液体LQに対して撥液性なので、空間53の液体LQの流出が、より効果的に抑制される。
In the present embodiment, since the
なお、第5面45は、液体LQに対して撥液性でなくてもよい。例えば、液体LQに対する第1面41の撥液性と、液体LQに対する第5面45の撥液性とがほぼ等しくてもよい。
Note that the
なお、本実施形態において、第5面45は無くてもよい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態においては、第2斜面432に回収口61が配置されているので、空間53の液体LQ(滴状の液体LQ)を円滑に回収することができる。
In the present embodiment, since the
なお、図6に示すように、第1斜面431に回収口61が配置されてもよい。回収口61が第1斜面431に配置されることによって、その回収口61は、空間53の液体LQを円滑に回収することができる。
As shown in FIG. 6, the
なお、第1斜面431と第2斜面432との両方に回収口61が配置されてもよい。
Note that the
なお、本実施形態においては、第2面42が、第1面41より、液体LQに対して撥液性であることとしたが、液体LQに対して撥液性でなくてもよい。例えば、液体LQに対する第1面41の撥液性と、液体LQに対する第2面42の撥液性とがほぼ等しくてもよい。
In the present embodiment, the
なお、本実施形態においては、XY平面内における第1面41,第2面42,第3面43,及び第5面45の外形が円形であり、XY平面内における第2面42,第3面43,及び第5面45の内側のエッジも円形であることとしたが、任意の多角形でもよい。例えば、図7に示す液浸部材4B、及び図8に示す液浸部材4Cのように、四角形でもよいし、図9に示す液浸部材4Dのように、八角形でもよい。また、楕円形でもよい。
In the present embodiment, the outer shapes of the
なお、本実施形態においては、第2面42がXY平面(第1面41)とほぼ平行であり、第2面42と第4面44とがほぼ垂直に交差することとしたが、例えば図10(A)に示すように、第2面42と第4面44とが曲面で結ばれていてもよいし、図10(B)に示すように、平面で結ばれていてもよい。また、図10(C)及び図10(C)に示すように、第2面42と第4面44とが複数の平面で結ばれてもよい。また、図10(E)に示すように、第2面42がXY平面と非平行でもよいし、図10(F)に示すように、XY平面とほぼ平行な第2面42と第4面44とのなす角度が、鋭角でもよい。また、第2面42と第4面44とのなす角度が、鈍角でもよい。また、図10(G)に示すように、第2面42がXY平面と非平行で、第2面42と第4面44とが曲面で結ばれていてもよいし、図10(H)に示すように、XY平面とほぼ平行な第2面42と第4面44とのなす角度が鋭角で、第2面42と第4面44とが曲面で結ばれていてもよい。また、XY平面とほぼ平行な第2面42と第4面44とのなす角度が鈍角で、第2面42と第4面44とが曲面で結ばれていてもよい。
In the present embodiment, the
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図11は、第2実施形態に係る液浸部材4Eの一例を示す図である。上述の第1実施形態と異なる第2実施形態の特徴的な部分は、第5面45に、気体を供給する給気口71を設けた点にある。
FIG. 11 is a diagram illustrating an example of the
図11において、液浸部材4Eは、第5面45に配置され、気体を供給する給気口71を備えている。給気口71は、第5面45と基板Pとの間の空間55に気体を供給する。給気口71は、基板Pの表面に向けて気体を供給する。給気口71は、供給流路を介して、気体供給装置(不図示)と接続されている。気体供給装置は、クリーンで温度調整された気体を給気口71に供給することができる。
In FIG. 11, the
給気口71から空間55に気体が供給されることによって、空間55の圧力は、空間53の圧力、及びチャンバ装置5によって制御される液浸部材4Eの周囲の空間8の圧力より高くなる。図11に示すように、給気口71から気体が供給されることによって、空間55から空間53へ向かう気体の流れが生成される。本実施形態においては、給気口71から供給された気体によって、第5面45と基板Pの表面との間にガスシールが形成される。これにより、空間53の液体LQの流出が、より効果的に抑制される。なお、給気口71から供給された気体によってガスベアリングを形成して、液浸部材4Eと基板Pとの接触を防止するようにしてもよい。
By supplying the gas from the
また、上述の実施形態で説明した各種変形例(例えば図6〜図10の変形例)は、本実施形態にも適用できる。 Moreover, the various modifications (for example, the modification of FIGS. 6-10) demonstrated by the above-mentioned embodiment are applicable also to this embodiment.
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図12は、第2実施形態に係る液浸部材4Fの近傍を示す側断面図、図13は、液浸部材4Fを下方から見た図、図14は、図12の一部を拡大した図である。上述の第1実施形態と異なる第3実施形態の特徴的な部分は、第1面41Fの少なくとも一部に、液体LQを供給する供給口72を設けた点にある。さらに、第3実施形態の特徴的な部分は、第2面42Fの少なくとも一部に、液体LQを回収可能な回収口73を設けた点にある。
12 is a side sectional view showing the vicinity of the
液浸部材4Fは、第1面41Fの少なくとも一部に配置され、液体LQを供給する供給口72と、光路Kに液体LQを供給する供給口64とを備えている。供給口72は、第1方向側(−Z方向側)に液体LQを供給する。供給口72は、クリーンで温度調整された液体LQを供給する。
The
供給口72は、第2面42F(第4面44F)の近傍に配置されている。換言すれば、供給口72は、第2ギャップG2の近傍に配置されている。図13に示すように、供給口72は、光路Kの周囲に所定間隔で複数配置されている。
The
また、液浸部材4Fは、第2面42Fの少なくとも一部に配置され、液体LQを回収可能な回収口73を備えている。回収口73には、多孔部材74が配置されている。回収口73は、多孔部材74の孔を介して、液体LQを回収可能である。本実施形態において、第2面42Fは、多孔部材73の表面(下面)を含む。
The
本実施形態において、第1面41Fは、液体回収面(回収口)を含まない。なお、第1面41Fが、液体回収面(回収口)有してもよい。
In the present embodiment, the
また、液浸部材4Fは、投影光学系PLと液浸部材4Fとの間の空間の液体LQを回収する回収口75を備えている。回収口75は、側面35と第7面47との間の空間57の液体LQを回収する。回収口75は、第7面47に配置されている。回収口75は、供給口64よりも上方に配置されている。供給口64から供給された液体LQの少なくとも一部は、側面35と第7面47との間の空間57に供給される。回収口75は、供給口64から空間57に供給された液体LQの少なくとも一部を回収する。
In addition, the
なお、回収口75は無くてもよい。例えば、回収口75を無くして、第1面41Fに回収口を配置してもよい。
The
次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.
制御装置7は、第1面41F,第2面42F,第3面43F,及び第5面45Fと基板Pの表面(あるいは基板ステージ2の上面26)とを対向させる。
The control device 7 makes the
制御装置7は、第1面41F,第2面42F,第3面43F,及び第5面45Fと基板Pの表面とを対向させた状態で、供給口64及び供給口72から液体LQを供給するとともに、その供給口64及び供給口72からの液体LQの供給動作と並行して、回収口75からの液体LQの回収動作を実行する。これにより、光路Kを含む空間51及び空間56が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。
The control device 7 supplies the liquid LQ from the
制御装置7は、照明系ILより露光光ELを射出して、マスクMを露光光ELで照明する。マスクMからの露光光ELは、投影光学系PLの射出面23から射出される。これにより、射出面23と基板Pとの間の液体LQを介して射出面23からの露光光ELで基板Pが露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。
The control device 7 emits the exposure light EL from the illumination system IL, and illuminates the mask M with the exposure light EL. The exposure light EL from the mask M is emitted from the
本実施形態においても、第2面42Fによって、第1面41Fと第4面44Fと基板Pの表面とで規定される空間51の液体LQの流出が抑制されている。
Also in this embodiment, the outflow of the liquid LQ in the
また、空間51の液体LQが流出しても、第2ギャップG2を通過する際に、その流出する液体LQは、第2面42Fに設けられた回収口73から回収される。
Even if the liquid LQ in the
また、空間51の液体LQが第2ギャップG2を介して流出した場合でも、その液体LQは、空間53において、回収口61から回収される。
Even when the liquid LQ in the
本実施形態においては、第1面41に供給口72が配置されているので、空間51の液体LQのクリーン度を維持することができる。例えば、基板Pの表面と接触することによって、液体LQのクリーン度が低下する可能性がある。例えば、基板Pと液体LQとが接触することによって、基板Pから発生(溶出)した物質(例えば感光材等の有機物)が、異物(汚染物、パーティクル)として空間51の液体LQ中に混入する可能性がある。
In the present embodiment, since the
本実施形態においては、空間51に液体LQを供給する供給口72が第1面41に配置されているので、その供給口72から供給された液体LQによって、空間51の液体LQのクリーン度の低下が抑制される。すなわち、空間51の液体LQの少なくとも一部が基板Pの表面と接触して、基板Pから発生した異物が空間51の液体LQに混入しても、供給口72から空間51に供給されるクリーンな液体LQによって、空間51の液体LQ中の異物の割合(汚染物の濃度)を低下させることができる。
In the present embodiment, since the
これにより、液浸空間LSの液体LQのクリーン度が低下することが抑制される。また、空間51の液体LQが流出してしまった場合でも、その流出した液体LQはクリーンなので、例えば第2面42F、第3面43F等の汚染が抑制される等、被害の拡大を抑制することができる。
Thereby, it is suppressed that the cleanness of the liquid LQ in the immersion space LS decreases. Even if the liquid LQ in the
なお、本実施形態において、供給口72はなくてもよい。また、上述の第1実施形態と同様に、第2面42Fに回収口73を設けずに、第1面41Fに回収口を設けてもよい。
In the present embodiment, the
また、上述の実施形態で説明した各種変形例(例えば図6〜図10の変形例)は、本実施形態にも適用できる。 Moreover, the various modifications (for example, the modification of FIGS. 6-10) demonstrated by the above-mentioned embodiment are applicable also to this embodiment.
<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図15は、第4実施形態に係る液浸部材4Gの一例を示す図である。第4実施形態は、第3実施形態の変形例である。上述の第3実施形態と異なる第4実施形態の特徴的な部分は、空間57に気体を供給する給気口76と、気体を回収する回収口77とを設けた点にある。
FIG. 15 is a diagram illustrating an example of the
図15において、液浸部材4Gは、空間57(第7ギャップG7)に気体GWを供給する給気口76を備えている。給気口76は、第7ギャップG7に面するように配置されている。本実施形態において、給気口76は、側面35と対向する液浸部材4Gの第7面47に配置されている。
In FIG. 15, the
本実施形態において、給気口76は、チャンバ装置5によって調整される内部空間8の湿度より高い湿度の気体GWを第7ギャップG7に供給する。給気口76は、第7ギャップG7に流入した液体LQの界面LG2に気体GWが接触するように、気体GWを供給する。
In the present embodiment, the
給気口76は、供給流路を介して、気体供給装置(不図示)と接続されている。気体供給装置は、チャンバ装置5から内部空間8に供給される気体より高湿度の気体を給気口76に供給する。本実施形態において、気体供給装置は、給気口76に、内部空間8の気体と同じ種類の気体を供給する。また、気体供給装置は、液体LQと同じ種類の液体の蒸気で、給気口76に供給する気体を加湿する。本実施形態において、チャンバ装置5は、内部空間8をクリーンな空気で満たし、給気口76は、水蒸気で加湿された空気を第7ギャップG7に供給する。
The
また、本実施形態においては、液浸部材4Gは、第7ギャップG7に面するように配置され、給気口76から供給された気体GWの少なくとも一部を回収する回収口77を備えている。本実施形態において、回収口77は、液浸部材4Gの第7面47に配置されている。また、回収口77は、第7ギャップG7の液体LQを回収可能である。
In the present embodiment, the
本実施形態において、回収口77は、給気口76よりも上方に配置されている。回収口77は、給気口76の上方で、給気口76に隣接するように配置されている。
In the present embodiment, the
給気口76から、液体LQの界面LG2に接触するように気体GWが供給されるので、液体LQが気化することが抑制される。したがって、液体LQの気化熱による、液体LQ、液浸部材4G、及び液浸部材4Gに対向する物体(基板P)の少なくとも一つの温度変化の発生を抑制することができる。
Since the gas GW is supplied from the
また、給気口76から供給された気体GWの少なくとも一部は、回収口77から回収される。これにより、給気口76からの気体GWが、液浸部材4Gと投影光学系PLとの間から外部(雰囲気)に流出することが抑制される。
In addition, at least a part of the gas GW supplied from the
なお、加湿された気体GWを供給する給気口76と、気体GWの少なくとも一部を回収する回収口77とを、上述の第1〜第3実施形態で示した液浸部材(4等)に配置してもよい。
It should be noted that the
<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図16は、第5実施形態に係る液浸部材4Hの一例を示す図である。図16において、液浸部材4Hは、第1面41Hを有し、投影光学系PLに対して固定された第1部材81と、第2面42H及び第3面43Hを有し、第1部材81に対して可動な第2部材82とを有する。また、第2部材82は、光路Kに面し、第1面41Hの外縁と第2面42Hの内縁とを結ぶように配置される第4面44Hを有する。
FIG. 16 is a diagram illustrating an example of the
第1部材81は、第1面41Hに配置された回収口62Hと、光路Kに液体LQを供給する供給口64Hとを有する。回収口62Hには、多孔部材63Hが配置される。
The
第2部材82は、第3面43Hに配置された回収口61Hと、第3面43Hの周囲の少なくとも一部に、且つ、Z軸方向に関して第3面43Hより第1方向側(−Z方向側)に配置された第5面45Hと、第5面45Hに配置され、気体を供給する給気口71Hとを備えている。
The
本実施形態において、第1部材81は、支持機構(図16では不図示)を介して、第1定盤13(第1コラム9)に支持されている。第2部材82は、支持機構83を介して、第1部材81に支持されている。支持機構83は、第1部材81に対して、第2部材82を移動可能に支持する。
In the present embodiment, the
本実施形態において、支持機構83は、例えばベローズ部材、バネ部材等の弾性部材を含み、第1部材81に対して、第2部材82を揺動可能に支持する。
In the present embodiment, the
なお、第2部材82が、投影光学系PL(保持部材21)に移動可能に支持されてもよいし、投影光学系PLを支持する第1定盤13(第1コラム9)に移動可能に支持されてもよい。
The
また、第1部材81を第1定盤13に対して移動可能に支持されていてもよい。
Further, the
本実施形態においては、給気口71Hから空間55に気体が供給されることによって、第5面45Hと基板Pの表面との間にガスシールが形成されるとともに、ガスベアリングが形成される。これにより、第5面45Hと基板Pの表面との第5ギャップG5を維持しつつ、液体LQの流出を効果的に抑制することができる。
In the present embodiment, by supplying gas from the
なお、上述の実施形態で説明した各種変形例(例えば図6〜図10の変形例)は、本実施形態にも適用できる。 Note that the various modifications described in the above-described embodiment (for example, the modifications in FIGS. 6 to 10) can be applied to this embodiment.
<第6実施形態>
次に、第6実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図17は、第6実施形態に係る液浸部材4Jの一例を示す図である。第6実施形態は、上述の第5実施形態の変形例である。
FIG. 17 is a diagram illustrating an example of the
上述の第5実施形態においては、揺動可能に支持された第2部材82と基板Pとの間にガスベアリングが形成されることによって、第2部材82の位置が調整されることとした。第6実施形態の特徴的な部分は、少なくともZ軸方向に第2部材82Jを移動可能な駆動装置84を設けた点にある。
In the fifth embodiment described above, the position of the
図17に示すように、液浸部材4Jは、投影光学系PLに対して位置が固定された第1部材81Jと、第1部材81Jに対して可動な第2部材82Jとを有する。
As shown in FIG. 17, the
第2部材82Jは、駆動装置84を含む支持機構85によって支持されている。駆動装置84は、第2部材82Jを、少なくともZ軸方向に移動可能である。本実施形態において、支持機構85は、第1定盤13(第1コラム9)と第2部材82Jとを接続するように配置される。すなわち、第2部材82Jは、支持機構85を介して、第1定盤13に支持されている。
The
なお、第2部材82Jが、駆動装置を含む支持機構を介して、投影光学系PL(保持部材21)に支持されてもよいし、第1部材81Jに支持されてもよい。
Note that the
第1部材81Jは、支持機構86を介して、第1定盤13に支持されている。第1部材81Jは、投影光学系PLに対する位置が固定されている。
The
制御装置7は、駆動装置84を制御して、第2部材82Jの位置を調整することができる。制御装置7は、第5面45Jと基板Pの表面との間の第5ギャップG5が維持されるように、あるいは第5ギャップG5を変更するように、少なくともZ軸方向に関する第2部材82Jの位置を調整することができる。
The control device 7 can control the
なお、本実施形態においては、第5面45Jに、気体を供給する給気口が設けられていないが、設けてもよい。
In the present embodiment, the
また、第1部材81Jが投影光学系PLに対して移動可能に支持されていてもよい。
The
本実施形態においても、液体LQの流出等を抑制することができる。 Also in this embodiment, the outflow or the like of the liquid LQ can be suppressed.
なお、上述の実施形態で説明した各種変形例(例えば図6〜図10の変形例)は、本実施形態にも適用できる。 Note that the various modifications described in the above-described embodiment (for example, the modifications in FIGS. 6 to 10) can be applied to this embodiment.
<第7実施形態>
次に、第7実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Seventh embodiment>
Next, a seventh embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図18は、第7実施形態に係る液浸部材4Kの一例を示す図である。図18において、液浸部材4Kは、投影光学系PLの射出面23から射出される露光光ELの光路Kの周囲の少なくとも一部に配置された第1面41Kを有し、投影光学系PLに対する位置がほぼ固定された第1部材81Kと、第1面41Kの周囲の少なくとも一部に、且つ、第1面41Kより第1方向側(−Z方向側)に配置された第2面42K、第2面42Kの周囲の少なくとも一部に配置された第3面43K、及び第3面43Kの周囲の少なくとも一部に配置された第5面45Kを有し、第1部材81Kに対して可動な第2部材82Kと、第2面42Kの少なくとも一部に配置され、気体及び液体の少なくとも一方を回収可能な回収口73Kと、第5面45Kの少なくとも一部に配置され、気体を供給する給気口71Kとを備えている。回収口73Kには、多孔部材74Kが配置されている。第2面74Kは、多孔部材74Kの表面(下面)を含む。
FIG. 18 is a diagram illustrating an example of the
また、第2部材82Kは、第3面43Kに配置され、空間53に存在する液体LQ及び気体の少なくとも一方を回収する回収口61Kを備えている。また、第2部材82Kは、光路Kに面し、第1面41Kの外縁と第2面42Kの内縁とを結ぶように配置される第4面44Kを有する。
The
本実施形態において、第1部材81Kは、支持機構(図18では不図示)を介して、第1定盤13(第1コラム9)に支持されている。第2部材82Kは、支持機構83Kを介して、第1部材81Kに支持されている。支持機構83Kは、第1部材81Kに対して、第2部材82Kを移動可能に支持する。
In the present embodiment, the first member 81K is supported on the first surface plate 13 (first column 9) via a support mechanism (not shown in FIG. 18). The
本実施形態において、支持機構83Kは、例えばベローズ部材、バネ部材等の弾性部材を含み、第1部材81Kに対して、第2部材82Kを揺動可能に支持する。
In the present embodiment, the
なお、第2部材82Kが、投影光学系PL(保持部材21)に移動可能に支持されてもよいし、投影光学系PLを支持する第1定盤13(第1コラム9)に移動可能に支持されてもよい。
The
第1面41Kは、光路Kが液体LQで満たされるように、投影領域PRに配置される基板P(物体)との間で液体LQを保持する。
The
本実施形態において、第2面42K及び第5面45Kは、第1面41Kより、液体LQに対して撥液性である。また、第4面44Kも、第1面41Kより、液体LQに対して撥液性である。なお、第2面42K及び第5面45Kの少なくとも一方が、第1面41Kより、液体LQに対して撥液性でなくてもよい。また、第4面44Kが、第1面41Kより、液体LQに対して撥液性でなくてもよい。
In the present embodiment, the
本実施形態において、第2面42Kと第5面45Kとはほぼ同一平面内に配置される。なお、Z軸方向に関する第2面42Kの位置と第5面45Kの位置とが異なっていてもよい。
In the present embodiment, the
次に、本実施形態に係る露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX according to the present embodiment will be described.
制御装置7は、第1部材81Kの第1面41Kと基板Pとを第1ギャップG1を介して対向させて、供給口64Kから液体LQを供給する。供給口64Kから供給された液体LQの少なくとも一部は、第1面41Kと基板Pとの間で保持される。これにより、光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。基板Pは、射出面23と基板Pとの間の液体LQを介して射出面23からの露光光ELで露光される。
The control device 7 supplies the liquid LQ from the
基板Pの露光の少なくとも一部において、基板Pは、第2部材82Kの第2面42Kと第1ギャップG1より小さい第2ギャップG2を介して対向するとともに、第5面45Kと第1ギャップG1より小さい第5ギャップG5を介して対向する。
In at least a part of the exposure of the substrate P, the substrate P opposes the
第2面42Kは、第1面41Kと基板P(物体)との間の空間51の液体LQが流出することを抑制する。また、空間51から液体LQが流出しても、その流出した液体LQの回収は、第2面42Kに配置された回収口73Kを使って行われる。また、第1面41Kと基板P(物体)との間の空間51から流出した液体LQが、第2面42Kと基板Pとの間の第2ギャップG2を介して空間53に流入しても、その空間53に存在する液体LQの回収は、回収口61Kを使って行われる。
The
本実施形態においては、第5面45Kに配置された給気口71Kを使って、基板Pの表面に気体が供給される。給気口71Kから第5面45Kと基板P(物体)との間の空間55に気体が供給されることによって、第5面45Kと基板Pの表面との間にガスシールが形成されるとともに、ガスベアリングが形成される。これにより、第5面45Kと基板Pの表面との第5ギャップG5を維持しつつ、液体LQの流出を効果的に抑制することができる。
In the present embodiment, gas is supplied to the surface of the substrate P using the
なお、少なくともZ軸方向に第2部材82Kを移動可能な駆動装置を設けて、その駆動装置の駆動力によって、少なくともZ軸方向に関する第2部材82Kの位置を調整してもよい。
A drive device that can move the
なお、本実施形態においては、第2面42K,第3面43K,及び第5面45Kが、第2部材82Kに配置されていることとしたが、例えば第2面42Kが配置される部材と、第3面43K及び第5面45Kが配置される部材とが異なってもよい。また、第2面42K及び第3面43Kが配置される部材と、第5面45Kが配置される部材とが異なってもよい。
In the present embodiment, the
また、第1部材81Kが投影光学系PLに対して移動可能に支持されていてもよい。 The first member 81K may be supported so as to be movable with respect to the projection optical system PL.
なお、上述の実施形態で説明した各種変形例(例えば図6〜図10の変形例)は、本実施形態にも適用できる。 Note that the various modifications described in the above-described embodiment (for example, the modifications in FIGS. 6 to 10) can be applied to this embodiment.
なお、上述の第1〜第7実施形態においては、空間53に存在する液体LQの少なくとも一部を回収する回収口(61等)が、第3面(43等)に配置されることとしたが、空間53の液体LQを回収可能であれば、第3面(43等)以外の部位に回収口(61等)が配置されてもよい。例えば、液浸部材4と異なる部材を空間53に配置し、その部材に空間53の液体LQを回収可能な回収口を設けてもよい。
In the first to seventh embodiments described above, the recovery port (61 etc.) for recovering at least a part of the liquid LQ existing in the
<第8実施形態>
次に、第8実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Eighth Embodiment>
Next, an eighth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図19は、第8実施形態に係る液浸部材4Lの一例を示す図である。図19において、液浸部材4Lは、投影光学系PLの射出面23から射出される露光光ELの光路Kの周囲の少なくとも一部に配置された第1面41Lを有し、投影光学系PLに対する位置がほぼ固定された第1部材81Lと、第1面41Lの周囲の少なくとも一部に、且つ、第1面41Lより第1方向側(−Z方向側)に配置された第2面42Lを有し、第1部材81Lに対して可動な第2部材82Lと、第2面42Lの少なくとも一部に配置され、気体及び液体の少なくとも一方を回収可能な回収口61Lと、第2面42Lの少なくとも一部に配置され、気体を供給する給気口71Lとを備えている。
FIG. 19 is a diagram illustrating an example of the
回収口61Lは、第1面41Lの周囲に配置された第2面42Lの第1領域421Lに配置されている。給気口71Lは、第1領域421Lの周囲に配置された第2面42Lの第2領域422Lに配置されている。第1領域421Lと第2領域422Lとは、ほぼ同一平面内に配置される。なお、Z軸方向に関する第1領域421Lの位置と第2領域422Lの位置とが異なっていてもよい。
The
第1部材81Lは、第1面41Lの少なくとも一部に配置され、液体LQを回収可能な回収口62Lを有する。回収62Lには、多孔部材63Lが配置されている。第1面41Lは、多孔部材63Lの表面(下面)を含む。
The
第2部材82Lは、光路Kに面し、第1面41Lの外縁と第2面42Lの内縁とを結ぶように配置される第4面44Lを有する。
The
本実施形態において、第1部材81Lは、支持機構(図19では不図示)を介して、第1定盤13(第1コラム9)に支持されている。第2部材82Lは、支持機構83Lを介して、第1部材81Lに支持されている。支持機構83Lは、第1部材81Lに対して、第2部材82Lを移動可能に支持する。
In the present embodiment, the
本実施形態において、支持機構83Lは、例えばベローズ部材、バネ部材等の弾性部材を含み、第1部材81Lに対して、第2部材82Lを揺動可能に支持する。
In the present embodiment, the
なお、第2部材82Lが、投影光学系PL(保持部材21)に移動可能に支持されてもよいし、投影光学系PLを支持する第1定盤13(第1コラム9)に移動可能に支持されてもよい。
The
第1面41Lは、光路Kが液体LQで満たされるように、投影領域PRに配置される基板P(物体)との間で液体LQを保持する。
The
本実施形態において、第2面42Lは、第1面41Lより、液体LQに対して撥液性である。また、第4面44Lも、第1面41Lより、液体LQに対して撥液性である。なお、第2面42Lが、第1面41Lより、液体LQに対して撥液性でなくてもよい。また、第4面44Lが、第1面41Lより、液体LQに対して撥液性でなくてもよい。
In the present embodiment, the
次に、本実施形態に係る露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX according to the present embodiment will be described.
制御装置7は、第1部材81Lの第1面41Lと基板Pとを第1ギャップG1を介して対向させて、供給口64Lから液体LQを供給する。供給口64Lから供給された液体LQの少なくとも一部は、第1面41Lと基板Pとの間で保持される。また、供給口64Lから供給され、第1面41Lと基板Pの表面との間の空間51の液体LQの少なくとも一部は、回収口62Lから回収される。供給口64Lからの液体LQの供給動作と並行して、回収口62Lからの液体LQの回収動作が実行されることによって、光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。基板Pは、射出面23と基板Pとの間の液体LQを介して射出面23からの露光光ELで露光される。
The control device 7 supplies the liquid LQ from the
基板Pの露光の少なくとも一部において、基板Pは、第2部材82Lの第2面42Lと第1ギャップG1より小さい第2ギャップG2を介して対向する。
In at least a part of the exposure of the substrate P, the substrate P faces the
第2面42Lは、第1面41Lと基板P(物体)との間の空間51の液体LQが流出することを抑制する。また、空間51から液体LQが流出しても、その流出した液体LQの回収は、第2面42L(第1領域421L)に配置された回収口61Lを使って行われる。
The
本実施形態においては、第2面42L(第2領域422L)に配置された給気口71Lを使って、基板Pの表面に気体が供給される。給気口71Lから第2面42Lと基板P(物体)との間の空間に気体が供給されることによって、第2面42Lと基板Pの表面との間にガスシールが形成されるとともに、ガスベアリングが形成される。これにより、第2面42Lと基板Pの表面との第2ギャップG2を維持しつつ、液体LQの流出を効果的に抑制することができる。
In the present embodiment, gas is supplied to the surface of the substrate P using the
なお、少なくともZ軸方向に第2部材82Lを移動可能な駆動装置を設けて、その駆動装置の駆動力によって、少なくともZ軸方向に関する第2部材82Lの位置を調整してもよい。
A drive device that can move the
なお、本実施形態においては、第2面42Lの第1領域421Lと第2領域422Lとが、第2部材82Lに配置されていることとしたが、例えば第1領域421Lが配置される部材と、第2領域422Lが配置される部材とが異なってもよい。
In the present embodiment, the
また、第1部材81Lが投影光学系PLに対して移動可能に支持されていてもよい。
The
なお、上述の実施形態で説明した各種変形例(例えば図6〜図10の変形例)は、本実施形態にも適用できる。 Note that the various modifications described in the above-described embodiment (for example, the modifications in FIGS. 6 to 10) can be applied to this embodiment.
なお、上述の第1〜第8実施形態において、終端光学素子22の射出面23と液浸部材(4など)の一部とが対向していなくてもよい。例えば、終端光学素子22の射出面23と液浸部材(4など)の第1面(41など)とが同一平面内に配置されていてもよい。
In the first to eighth embodiments described above, the
なお、上述の第1〜第8実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子22の射出側(像面側)の光路が液体LQで満たされているが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子22の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たされる投影光学系を採用することもできる。
In the first to eighth embodiments described above, the optical path on the exit side (image plane side) of the terminal
なお、上述の各実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。 In addition, although the liquid LQ of each above-mentioned embodiment is water, liquids other than water may be sufficient. For example, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, or the like can be used as the liquid LQ. In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the liquid LQ.
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Furthermore, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system while the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern With the projection optical system, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern and collectively exposed on the substrate P (stitch type batch exposure apparatus). ). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
また、露光装置EXは、例えば対応米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置でもよい。また、露光装置EXは、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーでもよい。 Further, the exposure apparatus EX, for example, as disclosed in the corresponding US Pat. No. 6,611,316, synthesizes the pattern of two masks on the substrate via the projection optical system, and performs the substrate by one scanning exposure. An exposure apparatus that double-exposes one upper shot area almost simultaneously may be used. The exposure apparatus EX may be a proximity type exposure apparatus or a mirror projection aligner.
また、露光装置EXは、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。 The exposure apparatus EX is a twin-stage type exposure having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It may be a device.
更に、露光装置EXは、例えば米国特許第6897963号明細書、米国特許出願公開第2007/0127006号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載し、露光対象の基板を保持しない計測ステージとを備えた露光装置でもよいし、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。 Further, the exposure apparatus EX is formed with a substrate stage for holding a substrate and a reference mark as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963 and US Patent Application Publication No. 2007/0127006. An exposure apparatus that includes a reference member and / or various photoelectric sensors and includes a measurement stage that does not hold the substrate to be exposed may be used, or an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ), An exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, a reticle, a mask, or the like.
また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。 In each of the above embodiments, an ArF excimer laser may be used as a light source device that generates ArF excimer laser light as the exposure light EL. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610. A harmonic generator that outputs pulsed light with a wavelength of 193 nm may be used, including a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser, an optical amplification unit having a fiber amplifier, a wavelength conversion unit, and the like. Furthermore, in the above-described embodiment, each illumination area and the projection area described above are rectangular, but other shapes such as an arc shape may be used.
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。 In each of the above-described embodiments, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6778257, a variable shaped mask (also known as an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. May be used). The variable shaping mask includes, for example, a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator). Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element. As a self-luminous type image display element, for example, CRT (Cathode Ray Tube), inorganic EL display, organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD display, field emission display (FED: Field Emission Display) And a plasma display panel (PDP).
上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置、露光方法を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いなくてもよい。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。 In each of the above embodiments, the exposure apparatus and the exposure method provided with the projection optical system PL have been described as examples. However, the projection optical system PL may not be used. Even when the projection optical system PL is not used in this way, the exposure light is irradiated onto the substrate via an optical member such as a lens, and an immersion space is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate. It is formed.
また、露光装置EXは、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)でもよい。 The exposure apparatus EX exposes a line-and-space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P as disclosed in, for example, WO 2001/035168. It may be an apparatus (lithography system).
以上のように、本実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図20に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 20, a microdevice such as a semiconductor device includes a
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.
2…基板ステージ、4…液浸部材、7…制御装置、22…終端光学素子、23…射出面、41…第1面、42…第2面、43…第3面、44…第4面、45…第5面、51…空間、53…空間、61…回収口、62…回収口、63…多孔部材、71…給気口、72…供給口、73…回収口、74…多孔部材、81…第1部材、82…第2部材、83…支持機構、84…駆動装置、431…第1斜面、432…第2斜面、433…平坦面、AX…光軸、EL…露光光、EX…露光装置、K…光路、LQ…液体、LS…液浸空間、P…基板、PL…投影光学系
DESCRIPTION OF
Claims (42)
露光光を射出する射出面を有する光学系と、
前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置された第1面と、
前記第1面の周囲の少なくとも一部に、且つ、前記光学系の光軸とほぼ平行な所定方向に関して、前記第1面より前記露光光が進行する第1方向側に配置された第2面と、
前記第2面の周囲の少なくとも一部に、且つ、前記所定方向に関して前記第2面より前記第1方向とは逆向きの第2方向側に配置された第3面と、
前記第3面で規定される空間に存在する前記液体の少なくとも一部を回収する第1回収口と、を備え、
前記基板の露光の少なくとも一部において、前記射出面、前記第1面、前記第2面、及び前記第3面に前記基板の表面が対向し、
前記射出面と前記基板の表面との間の液体を介して前記射出面からの前記露光光で前記基板を露光する露光装置。 An exposure apparatus for exposing a substrate,
An optical system having an exit surface for emitting exposure light;
A first surface disposed on at least a part of the periphery of the optical path of the exposure light emitted from the emission surface;
A second surface disposed on at least a part of the periphery of the first surface and on a first direction side where the exposure light travels from the first surface with respect to a predetermined direction substantially parallel to the optical axis of the optical system. When,
A third surface disposed on at least a part of the periphery of the second surface and on the second direction side opposite to the first direction from the second surface with respect to the predetermined direction;
A first recovery port for recovering at least a part of the liquid present in the space defined by the third surface;
In at least a part of the exposure of the substrate, the surface of the substrate faces the emission surface, the first surface, the second surface, and the third surface;
An exposure apparatus that exposes the substrate with the exposure light from the emission surface via a liquid between the emission surface and the surface of the substrate.
前記第1回収口は、前記第2斜面に配置される請求項1又は2記載の露光装置。 The third surface is disposed at least at a part of the periphery of the second surface, and includes a second inclined surface inclined outward in the radial direction with respect to the optical axis and inclined in the first direction,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the first recovery port is disposed on the second slope.
前記第1回収口は、前記第1斜面に配置される請求項1又は2記載の露光装置。 The third surface is disposed at least at a part of the periphery of the second surface, and includes a first slope inclined outward in the radial direction with respect to the optical axis and inclined in the second direction,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the first recovery port is disposed on the first slope.
前記第1面は、前記多孔部材の表面を含む請求項13記載の露光装置。 A porous member disposed in the second recovery port;
The exposure apparatus according to claim 13, wherein the first surface includes a surface of the porous member.
前記第2面は、前記多孔部材の表面を含む請求項15記載の露光装置。 A porous member disposed in the third recovery port;
The exposure apparatus according to claim 15, wherein the second surface includes a surface of the porous member.
前記第2面及び前記第3面を有し、前記第1部材に対して可動な第2部材とを有する請求項1〜18のいずれか一項記載の露光装置。 A first member having the first surface and fixed to the optical system;
The exposure apparatus according to claim 1, further comprising: a second member having the second surface and the third surface and movable with respect to the first member.
前記第5面に配置され、気体を供給する給気口とを備える請求項22又は23記載の露光装置。 In the second member, a fifth surface disposed on at least a part of the periphery of the third surface and closer to the first direction than the third surface with respect to the predetermined direction;
The exposure apparatus according to claim 22, further comprising an air supply port that is arranged on the fifth surface and supplies gas.
露光光を射出する射出面を有する光学系と、
前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置された第1面を有し、前記光学系に対する位置がほぼ固定された第1部材と、
前記第1面の周囲の少なくとも一部に、且つ、前記光学系の光軸とほぼ平行な所定方向に関して前記第1面より前記露光光が進行する第1方向側に配置された第2面を有し、前記第1部材に対して可動な第2部材と、
前記第2面の周囲の少なくとも一部に配置された第3面を有し、前記第1部材に対して可動な第3部材と、
前記第2面の少なくとも一部に配置され、気体及び液体の少なくとも一方を回収可能な第1回収口と、
前記第3面の少なくとも一部に配置され、気体を供給する給気口と、を備え、
前記基板の露光の少なくとも一部において、前記射出面、前記第1面、前記第2面、及び前記第3面に前記基板の表面が対向し、
前記射出面と前記基板の表面との間の液体を介して前記射出面からの前記露光光で前記基板を露光する露光装置。 An exposure apparatus for exposing a substrate,
An optical system having an exit surface for emitting exposure light;
A first member disposed on at least a part of the periphery of the optical path of the exposure light emitted from the emission surface, the first member having a substantially fixed position with respect to the optical system;
A second surface disposed on at least a part of the periphery of the first surface and on a first direction side where the exposure light travels from the first surface with respect to a predetermined direction substantially parallel to the optical axis of the optical system; A second member movable relative to the first member;
A third member disposed on at least a part of the periphery of the second member, and movable with respect to the first member;
A first recovery port disposed on at least a portion of the second surface and capable of recovering at least one of gas and liquid;
An air supply port that is disposed on at least a part of the third surface and supplies gas;
In at least a part of the exposure of the substrate, the surface of the substrate faces the emission surface, the first surface, the second surface, and the third surface;
An exposure apparatus that exposes the substrate with the exposure light from the emission surface via a liquid between the emission surface and the surface of the substrate.
前記第1面は、前記多孔部材の表面を含む請求項37記載の露光装置。 A porous member disposed in the second recovery port;
38. The exposure apparatus according to claim 37, wherein the first surface includes a surface of the porous member.
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 38;
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
前記射出面と前記基板との間の液体を介して前記射出面からの前記露光光で前記基板を露光することと、
前記第1面と前記基板との間から流出した液体の少なくとも一部を回収することと、を含み、
前記基板の露光の少なくとも一部において、前記基板は、前記第1面の周囲の少なくとも一部に配置された第2面と前記第1ギャップより小さい第2ギャップを介して対向するとともに、前記第2面の周囲の少なくとも一部に配置された第3面と前記第2ギャップより大きい第3ギャップを介して対向し、
前記液体の回収は、前記第3面に配置された第1回収口を使って行われる露光方法。 Between the first surface and the substrate, the first surface disposed on at least a part of the periphery of the optical path of the exposure light emitted from the exit surface of the optical system is opposed to the substrate through the first gap. Holding the liquid with,
Exposing the substrate with the exposure light from the exit surface via a liquid between the exit surface and the substrate;
Collecting at least a portion of the liquid that has flowed out between the first surface and the substrate,
In at least a part of the exposure of the substrate, the substrate opposes a second surface disposed at least at a part of the periphery of the first surface through a second gap smaller than the first gap, and Facing a third surface arranged at least in part around the two surfaces through a third gap larger than the second gap,
The liquid is collected by an exposure method performed using a first collection port disposed on the third surface.
前記射出面と前記基板との間の液体を介して前記射出面からの前記露光光で前記基板を露光することと、
前記第1面と前記基板との間から流出した液体の少なくとも一部を回収することと、
前記基板の表面に気体を供給することと、を含み、
前記基板の露光の少なくとも一部において、前記基板は、前記第1面の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第1部材に対して可動な第2部材の第2面と前記第1ギャップより小さい第2ギャップを介して対向するとともに、前記第2面の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第1部材に対して可動な第3部材の第3面と前記第1ギャップより小さい第3ギャップを介して対向し、
前記液体の回収は、前記第2面に配置された第1回収口を使って行われ、
前記気体の供給は、前記第3面に配置された給気口を使って行われる露光方法。 The first surface of the first member, which is disposed at least part of the periphery of the optical path of the exposure light emitted from the exit surface of the optical system and is substantially fixed in position with respect to the optical system, and the substrate via the first gap. Holding the liquid between the first surface and the substrate oppositely,
Exposing the substrate with the exposure light from the exit surface via a liquid between the exit surface and the substrate;
Recovering at least a portion of the liquid flowing out from between the first surface and the substrate;
Supplying a gas to the surface of the substrate,
In at least a part of the exposure of the substrate, the substrate is disposed at least at a part of the periphery of the first surface, and the second surface of the second member movable relative to the first member and the first gap The third surface of the third member that is opposed to the second second gap and is disposed at least partially around the second surface and movable with respect to the first member is smaller than the third gap. Across the gap,
The recovery of the liquid is performed using a first recovery port disposed on the second surface,
An exposure method in which the gas is supplied using an air supply port arranged on the third surface.
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure method of claim 40 or 41;
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
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