JP2011016704A - 電子素子基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上記課題を解決するために、電子素子基板において、酸化膜の金属基板との界面が酸素原子により終端されていることを特徴とする手段を採用した。
【選択図】図1
Description
そのうち、金属−トンネルバリア層−金属(MIM構造)をもつ電子放出源、金属−トンネルバリア層−センサー層(MIS)という構造を持ち、センサー層での電子授受をトンネルバリア層を通して金属層へ伝えるタイプのセンサー、MIM・MIS構造で、スピンを持つ材料を含む場合の磁気デバイスなどへ応用できる、アルミナ膜とその作製法について特許を申請した(特許文献1参照)。
その方法では、界面が酸化膜を構成する金属原子で終端されており(図1(a))、基板が銅やニッケルの場合、価電子バンドオフセット(正孔に対するショットキーバリア高さ)が大きいという問題があった。
界面終端原子の種類を決定付けるルールを見出し、金属基板と界面が酸素原子により終端された酸化膜の作製法として用いることを可能にした結果として得られた新たな電子素子基板である。
本発明は、金属基板(M)と酸化物(AxOy)の界面が、熱力学的に以下の関係式を満たすことにより酸素原子により終端されることに立脚している。
酸化物の界面が酸素原子により終端されるということは、酸化物の極性面が金属基板上に成長することを意味している。酸化物の酸素終端面は、酸素が最密充填した構造をとる場合が多く、その場合表面は二次元的に6回対称性をもつ。したがって、熱力学的に以下の関係式を満たすならば、実施例としてあげた銅(111)、ニッケル(111)のほかに、6回対称性を持つfcc金属の(111)およびhcp金属の(0001)面上で成長すると考えられる。
酸素分圧:上記の化学平衡式(2)で、以下の化2の条件を満たし、かつ、酸化物の金属元素が十分に酸化された状態で膜成長する酸素分圧範囲
アルミナ膜では5x10−8mbar〜6.6x10−7mbar。実施例では2x10−7mbarおよび5x10−7mbarであるが、公知文献のBに挙げた文献により、5x10−8mbar〜6.6x10−7mbarの酸素分圧範囲では、上記化学平衡式において酸素終端側で安定であることが示されている。
アルミナ膜では、実施例に挙げた2x10−7mbarおよび5x10−7mbarのみでなく、5x10−8mbar〜6.6x10−7mbarの範囲で可能であると考えられる。
界面が熱力学的平衡に必要な原子移動が可能な温度以上で、酸化膜が昇華しない温度範囲であれば、基板へ酸化膜として蒸着することができる。
アルミナ膜では500℃以上、830℃以下。界面が熱力学的平衡に必要な原子移動が可能な温度以上であることが必要である。実施例から400℃では熱力学的平衡に達していないが500℃では熱力学的に平衡な界面が形成されていることがわかる。温度の上限はアルミナ膜が昇華しない温度範囲で制限され、文献に基づきその温度は830℃以下。
成長温度は、それぞれの酸化膜ごとに異なる、原子移動が可能な温度以上で酸化膜が昇華しない温度以下の範囲となる。
例えば、アルミナ膜では500℃以上、830℃以下。
極性面を界面とする酸化物薄膜は、(金属面−酸素面)を1ユニットとして、最低3ユニット分以上の厚さを持ってはじめて酸化物膜としての性質を持つ。3ユニット分の厚さはほぼ0.4nmであり、これが最小膜厚である。最大膜厚は、酸化物薄膜中に生じるひずみの大きさに依存するが、実施例において5nm以上の膜がエピタキシャル作製できることが示されており、文献から、エピタキシャル膜中のひずみが大きくなると多結晶体になるが膜厚はさらに厚くできることがわかっている。MISやMIM構造の機能を発揮する観点から10nm未満の膜を使用すると考えられるため、最大膜厚として8nmとする。
基板の表面、蒸着条件、及び得られた酸化アルミ薄膜については、表1に詳しく示す通りである。
前記アルミナ薄膜の厚さは光電子スペクトルから推定した。
また、エピタキシャルであるかアモルファスであるかは低速電子線回折が明瞭か否かで判断した。
なお、実験番号13は、低速電子線回折が得られたが、スポット状ではなくリング状のパターンであることから多結晶体であることが判明した。
段差間隔とは、基板表面の研磨精度により現れる原子ステップ間に存在するテラスの幅をいい、この間隔が長いほど、研磨精度が高いことを意味する。
実験番号5では、アルミナ膜の走査型二次電子像には、図9に示すように、200nm程度の広さの原子レベルで平坦なテラスと原子ステップが観察され、原子レベルで平坦なアルミナ膜が得られていることがわかる。
また、実験番号10で示すより研磨精度の高い清浄なニッケル単結晶(111)上では、1000nmの段差間隔の平坦面が得られた。
図2に見られるように、界面がアルミニウム原子になっている場合は、Al 2p光電子スペクトルに、酸化膜中のAlと金属Alのピークの間に界面のAlの成分によるピーク(強度が弱くコブ状に見えることが多い)が観測される。
図3に見られるように、酸化されていないAl成分は鋭い2つのピークからなるスペクトルを与え、アルミナ膜中のAl成分は幅の広いピークを与えるので、ピークの幅から、酸化物によるピークか金属Alによるピークかの判別が付く。
図3を酸素中熱処理すると金属Alの大部分が酸化されて、図4に見られるように、図3で見られた鋭い2つのピークの強度が減少し、アルミナ膜中のAlによるピークの強度が増加した。図3、図4ともに、界面のAl成分がコブとして観測された。しかしこのコブは、図2、図18、図19と比べて強度が弱く、界面元素はアルミニウム原子と酸素原子の両方になっていると考えられる。
図17に見られるように、酸素分圧1x10−7mbar、200℃において、高い蒸着速度でアルミニウムを蒸着した場合には、蒸着したAlと酸素との反応が十分に進まず、酸化されていない金属Alが多量に残り、強度の高い鋭い2つのピークからなるスペクトルが観測された。また、界面Al成分も観測された。この試料を酸素分圧1x10−6mbar、200℃でアニールすることにより酸化反応が進み、残っていた金属Alの大部分が酸化されて、図18に見られるように、金属Al成分のピーク強度は激減して、アルミナ膜中のAl成分の強度が大きく増加した。また、界面Al成分は図2と同程度の強度で観測され、界面元素はアルミニウム原子であることがわかる。
なお、実験番号11,12,13は、本実施例の限界を示す為の参考例である。
これより、本実施例では、3/4hr以上で50×10℃以上に加熱するのが、酸素終端とするのに適切な範囲であると考えられる。
Claims (1)
- 金属基板表面に酸化膜を有する電子素子基板であって、前記酸化膜の金属基板との界面が酸素原子により終端されていることを特徴とする電子素子基板。
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JP2009163988A JP5517034B2 (ja) | 2009-07-10 | 2009-07-10 | 電子素子基板 |
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JPH0853750A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-27 | Boc Group Inc:The | 金属基板の真空プラズマ保護処理 |
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JP2000160342A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-06-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
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JPN6013008636; 吉武道子: '酸化物エレクトロニクス材料-金属電極界面のショットキーバリア高さの制御' 村田学術振興財団年報 No.22, 200812, Page.511-518 * |
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