JP2011014623A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能な電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、磁性体からなる基体１と、基体１上に形成されると共に、第１主面部２ａ、基体の端部に引き出されるように伸びる第１引き出し部２ｃ、及び第１主面部２ａと第１引き出し部２ｃとを接続する第１抵抗部２ｂを有する第１内部電極２と、第１内部電極２の第１主面部２ａを覆う第１誘電体膜３と、第１誘電体膜３上に形成される第２主面部４ａ、及び当該第２主面部４ａから基体１の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部４ｂを有する第２内部電極４と、を備える。第１主面部２ａ及び第２主面部４ａは、第１誘電体膜３を間に挟んで対向することによりコンデンサ機能を呈し、第１抵抗部２ｂ及び基体１は、協働してビーズ機能を呈する。
【選択図】図３

Description

本発明は、電子部品に関する。

電源や信号等の配線を介したノイズの漏洩や侵入を防止するためのノイズフィルタとして、例えば特許文献１に記載のインダクタとキャパシタとが組み合わされた電子部品が従来知られている。

特開２００７−２３４７５５号公報

近年、電子機器の高周波化に伴い、電子機器に用いられる部品についても高周波化に対応することが求められている。しかしながら、上記特許文献１に記載された従来の電子部品では、高周波に対応すべく高周波帯域での抵抗成分を大きくすると、低周波帯域での直流抵抗も含め、全帯域での抵抗、ひいてはインピーダンスが大きくなってしまう。

本発明は、低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能な電子部品を提供することを目的とする。

ところで、本願発明者は、高周波帯域で高インピーダンスとなる電子部品を実現すべく鋭意研究を重ねたところ、低周波帯域ではインダクタ成分が機能し、高周波帯域では主に抵抗成分が機能するビーズの特徴に着目した。そして、低周波帯域では低インピーダンスであって高周波帯域では高インピーダンスとなる電子部品に、低周波帯域と高周波帯域とで振る舞いが異なるというビーズの特徴を利用することに思い至り、コンデンサ機能とビーズ機能とを備えた電子部品に想到した。

このような検討結果を踏まえ、本発明の電子部品は、磁性体からなる基体と、基体上に形成されると共に、第１主面部、基体の端部に引き出されるように伸びる第１引き出し部、及び第１主面部と第１引き出し部とを接続する第１抵抗部を有する第１内部電極と、第１内部電極の第１主面部を覆う第１誘電体膜と、第１誘電体膜上に形成される第２主面部、及び当該第２主面部から基体の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部を有する第２内部電極と、を備え、電流が流れる方向と直交する方向に沿った第１抵抗部の幅は、第１抵抗部との境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った第１主面部の幅より狭く、第１主面部及び第２主面部は、第１誘電体膜を間に挟んで対向することによりコンデンサ機能を呈し、第１抵抗部及び基体は、協働してビーズ機能を呈することを特徴とする。

上記電子部品では、第１抵抗部の幅が第１主面部の幅より狭いため、第１抵抗部における抵抗値を大きくすることができる。また、第１内部電極の第１抵抗部が磁性体からなる基体上に形成されているため、第１抵抗部と基体によってビーズの機能を有することができる。よって、電子部品は、第１抵抗部及び基体によるビーズの機能（すなわち、インダクタ成分及び抵抗成分）と、第１及び第２の主面部によるコンデンサの機能（すなわちキャパシタ成分）とを有し、インダクタ成分と抵抗成分とキャパシタ成分とが直列に接続された等価回路を構成することができる。ビーズは、低周波帯域ではインダクタ成分が機能するため、この電子部品では、低周波帯域でインピーダンスを小さく保つことができる。一方、高周波帯域では、ビーズは主に抵抗成分が機能するため、電子部品のビーズ機能は電子部品が備えるコンデンサ機能の等価直列抵抗として機能する。ビーズの抵抗成分は直流抵抗成分と高周波帯域で増加する損失との和で構成される。よって、この電子部品によれば、高周波帯域でのインピーダンスを増加させることが可能になる。その結果、この電子部品では、低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。なお、ここでいう電流が流れる向きとは、内部電極を直流電流が流れる向きをいう。

第１主面部は長方形状を呈し、第１抵抗部の幅が第１主面部の長手方向の辺の長さよりも狭くてもよい。この場合、第１抵抗部における抵抗値を第１主面部に比べて容易に大きくすることができる。

第１抵抗部と第２主面部とが、第１誘電体膜を間に挟んで対向しないことが好ましい。この場合、例えば第１引き出し部から流れてきた電流が第２主面部に流れ込んでしまうことなく、第１抵抗部を通過した上で第１主面部に流れ込んでいくことがより確実に実現される。そのため、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

第２主面部を覆う第２誘電体膜と、第２誘電体膜上に形成される第３主面部、基体の端部に引き出されるように伸びる第３引き出し部、及び第３主面部と第３引き出し部とを接続する第３抵抗部を有する第３内部電極と、をさらに備え、第３抵抗部は、第１抵抗部を直接覆い、電流が流れる方向と直交する方向に沿った第３抵抗部の幅は、第３抵抗部との境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った第３主面部の幅より狭く、第３主面部は、第２誘電体膜を間に挟んで第２主面部と対向することでコンデンサ機能を呈することが好ましい。この場合、第１抵抗部と第３抵抗部とが直接接続されるため、直流抵抗を小さくすることができ、その結果、低周波数帯域で低インピーダンスにすることができる。

第２主面部を覆う第２誘電体膜と、第１抵抗部に接続される第３抵抗部、及び第３抵抗部に接続されると共に第２誘電体膜上に形成される第３主面部を有する第３の内部電極と、をさらに備え、第３抵抗部は、第１抵抗部の一部を覆い、電流が流れる方向と直交する方向に沿った第３抵抗部の幅は、第３抵抗部との境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った第３主面部の幅より狭く、第３主面部は、第２誘電体膜を間に挟んで第２主面部と対向することでコンデンサ機能を呈することが好ましい。この場合、コンデンサ機能の等価直列抵抗（以下、単にＥＳＲという）を増大させることができるため、インピーダンスの急峻な変化を抑制することが可能となる。

第３主面部は長方形状を呈し、第３抵抗部の幅が第３主面部の長手方向の辺の長さよりも狭くてもよい。この場合、第３抵抗部における抵抗値を第３主面部に比べて容易に大きくすることができる。

第１内部電極は、第１抵抗部を複数備えることが好ましい。複数の抵抗成分を備えることにより、電子部品では、抵抗成分の値を容易に制御することができる。

本発明の電子部品は、磁性体からなる基体と、第１主面部、基体の端部に引き出されるように伸びる第１引き出し部、及び第１主面部と第１引き出し部とを接続すると共に基体上に形成される第１抵抗部を有する第１内部電極と、少なくとも第１内部電極の第１抵抗部の一部を覆うと共に、その上に第１内部電極の第１主面部が形成される絶縁体膜と、第１内部電極の第１主面部を覆う第１誘電体膜と、第１誘電体膜上に形成される第２主面部、及び当該第２主面部から基体の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部を有する第２内部電極と、を備え、電流が流れる方向と直交する方向に沿った第１抵抗部の幅は、第１抵抗部との境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った第１主面部の幅より狭く、第１主面部及び第２主面部は、第１誘電体膜を間に挟んで対向することによりコンデンサ機能を呈し、第１抵抗部及び基体は、協働してビーズ機能を呈することを特徴とする。

上記電子部品では、第１抵抗部の幅が第１主面部の幅より狭いため、第１抵抗部における抵抗値を大きくすることができる。また、第１内部電極の第１抵抗部が磁性体からなる基体上に形成されているため、第１抵抗部と基体とによってビーズの機能を有することができる。よって、電子部品は、第１抵抗部及び基体によるビーズの機能（すなわち、インダクタ成分及び抵抗成分）と、第１及び第２の主面部によるコンデンサの機能（すなわちキャパシタ成分）とを有し、インダクタ成分と抵抗成分とキャパシタ成分とが直列に接続された等価回路を構成することができる。ビーズは、低周波帯域ではインダクタ成分が機能するため、この電子部品では、低周波帯域でインピーダンスを小さく保つことができる。一方、高周波帯域では、ビーズは主に抵抗成分が機能するため、電子部品のビーズ機能は電子部品が備えるコンデンサ機能の等価直列抵抗として機能する。ビーズの抵抗成分は直流抵抗成分と高周波帯域で増加する損失との和で構成される。よって、この電子部品によれば、高周波帯域でのインピーダンスを増加させることが可能になる。その結果、この電子部品では、低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。なお、ここでいう電流が流れる向きとは、内部電極を直流電流が流れる向きをいう。

第１主面部は長方形状を呈し、第１抵抗部の幅が第１主面部の長手方向の辺の長さよりも狭くてもよい。この場合、第１抵抗部における抵抗値を第１主面部に比べて容易に大きくすることができる。

第１抵抗部と第２主面部とが、第１誘電体膜のみを間に挟んで対向しないことが好ましい。この場合、例えば第１引き出し部から流れてきた電流が第２主面部に流れ込んでしまうことなく、第１抵抗部を通過した上で第１主面部に流れ込んでいくことがより確実に実現される。そのため、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

前記第１誘電体膜と前記絶縁体膜とは同じ材料からなっていてもよい。

本発明によれば、低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能な電子部品を提供することができる。

第１実施形態に係る電子部品の上面図である。 図１の電子部品のII−II矢印断面構成を示す図である。 第１実施形態に係る電子部品の製造工程を説明するための図である。 第１実施形態に係る電子部品の製造工程を説明するための図である。 第１実施形態に係る電子部品の等価回路を説明するための図である。 第１実施形態に係る電子部品の変形例の上面図である。 第２実施形態に係る電子部品の上面図である。 第２実施形態に係る電子部品の製造工程を説明するための図である。 第２実施形態に係る電子部品の製造工程を説明するための図である。 第３実施形態に係る電子部品の上面図である。 図１０の電子部品のXI−XI矢印断面構成を示す図である。 図１０の電子部品のXII−XII矢印断面構成を示す図である。 第３実施形態に係る電子部品の製造工程を説明するための図である。 第３実施形態に係る電子部品の製造工程を説明するための図である。 バンプ電極を備えた第３実施形態に係る電子部品を示す図である。 図１６に示した電子部品の実装構造を示す図である。 第４実施形態に係る電子部品の上面図である。 第４実施形態に係る電子部品の製造工程を説明するための図である。 第４実施形態に係る電子部品の製造工程を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
（第１実施形態）

図１に基づいて、第１実施形態に係る電子部品について説明する。図１は、第１実施形態に係る電子部品Ｄ１の上面を示す図である。図２は、図１の電子部品Ｄ１のII−II矢印断面構成を示す図である。

第１実施形態に係る電子部品Ｄ１は、磁性体からなる基体１と、基体１上にこの順で形成された第１内部電極２と、第１誘電体膜３と、第２内部電極４と、第２誘電体膜５と、第３内部電極６とを備える。基体１は直方体形状を呈する。ここで、基体１は軟磁性体（例えば、フェライト材料）からなることが好ましい。第１誘電体膜３及び第２誘電体膜５は、強誘電体からなることが好ましい。

第１実施形態に係る電子部品Ｄ１の製造工程を説明するための図である図３及び図４を用いて電子部品Ｄ１の製造工程を説明することで、電子部品Ｄ１の構成をさらに詳しく説明する。まず、図３（ａ）に示すように、第１内部電極２が基体１上に形成される。第１内部電極２は、第１主面部２ａと、基体１の端部に引き出されるように伸びる第１引き出し部２ｃと、第１主面部２ａと第１引き出し部２ｃとを接続する第１抵抗部２ｂと、を有する。第１抵抗部２ｂは、第１主面部２ａ及び第１引き出し部２ｃの双方と直接接続されている。

第１内部電極２の第１主面部２ａは、長方形状を呈する。第１主面部２ａは、その短辺が基体１の第１内部電極２が形成された主面１ａの短辺と平行であって、その長辺が基体１の主面１ａの長辺と平行であるように形成される。第１主面部２ａは、基体１の主面１ａの各辺から所定の距離を有して、その内側に位置するように形成される。

第１内部電極２の第１引き出し部２ｃは、基体１の主面１ａの一方の短辺側端部に引き出されて露出するように形成される。

電流が流れる方向と直交する方向に沿った第１内部電極２の第１抵抗部２ｂの幅は、第１抵抗部２ｂとの境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った、第１主面部２ａの幅より狭い。すなわち、本実施形態では、第１抵抗部２ｂの幅は、長方形状を呈する第１主面部２ａの長手方向の辺の長さよりも狭い。

基体１上には、さらにコンタクト導体７が形成される。コンタクト導体７は、主面１ａの短辺側端部とは異なる基体１の端部に形成される。

次に、図３（ｂ）に示すように、少なくとも第１内部電極２の第１主面部２ａ全域を覆うように第１誘電体膜３を形成する。第１誘電体膜３は、長方形状を呈する。第１誘電体膜３は、その短辺が第１内部電極２の第１主面部２ａの短辺と平行であって、その長辺が第１内部電極２の第１主面部２ａの長辺と平行であるように形成される。第１誘電体膜３は、基体１の主面１ａの各辺から所定の距離を有するように、その内側に形成される。

次に、図３（ｃ）に示すように、第２内部電極４を形成する。第２内部電極４は、第２主面部４ａと、基体１の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部４ｂと、を有する。第２主面部４ａは、長方形状を呈する。第２主面部４ａは、その短辺が第１内部電極２の第１主面部２ａの短辺と平行であって、その長辺が第１内部電極２の第１主面部２ａの長辺と平行であるように形成される。第２主面部４ａは、基体１の主面１ａの各辺から所定の距離を有し、且つ第１主面部２ａより面積が小さくなるように形成される。第２主面部４ａは、第１誘電体膜３上に形成される。第２主面部４ａは、第１誘電体膜３を間に挟んで第１内部電極２の第１抵抗部２ｂとは対向しない。

第２内部電極４の第２引き出し部４ｂは、第１引き出し部２ｃが引き出されている短辺とは異なる、基体１の主面１ａの短辺側の端部に引き出されて露出するように形成される。第２引き出し部４ｂは、第２主面部４ａに接続されている。第２引き出し部４ｂは、コンタクト導体７上に形成され、コンタクト導体７と接続される。

次に、図４（ａ）に示すように、少なくとも第２内部電極４の第２主面部４ａを覆うように第２誘電体膜５を形成する。第２誘電体膜５は、長方形状を呈する。第２誘電体膜５は、その短辺が第１内部電極２の第１主面部２ａの短辺と平行であって、その長辺が第１内部電極２の第１主面部２ａの長辺と平行であるように形成される。第２誘電体膜５は、基体１の主面１ａの各辺から所定の距離を有して、内側に位置するように形成される。

次に、図４（ｂ）に示すように、第３内部電極６を第２誘電体膜５上に形成する。第３内部電極６は、第３主面部６ａと、基体１の端部に引き出されるように伸びる第３引き出し部６ｃと、第３主面部６ａと第３引き出し部６ｃとを接続する第３抵抗部６ｂと、を有する。第３抵抗部６ｂは、第３主面部６ａ及び第３引き出し部６ｃの双方と直接接続されている。

第３主面部６ａは、第２誘電体膜５上に形成される。第３内部電極６の第３主面部６ａは、長方形状を呈する。第３主面部６ａは、その短辺が第１内部電極２の第１主面部２ａの短辺と平行であって、その長辺が第１内部電極２の第１主面部２ａの長辺と平行であるように形成される。

第３内部電極６の第３引き出し部６ｃは、第１内部電極２の第１引き出し部２ｃが引き出される基体１の端部に引き出されて露出するように形成される。

第３内部電極６の第３抵抗部６ｂは、第３主面部６ａの長辺の一部から伸びて、第３引き出し部６ｃの一端部まで伸びる。電流が流れる方向と直交する方向に沿った第３内部電極６の第３抵抗部６ｂの幅は、第３抵抗部６ｂとの境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った第３主面部６ａの幅より狭い。すなわち、本実施形態では、第３抵抗部６ｂの幅は、長方形状を呈する第３主面部６ａの長手方向の辺の長さよりも狭い。

第１実施形態では、第３内部電極６は、第１内部電極２と同じ形状を呈し、第１及び第２主面部２ａ、４ａとの対向方向から見て、第１内部電極２と重なるように形成される。第３抵抗部６ｂは、第１抵抗部２ｂを直接覆う。

こうして電子部品Ｄ１が得られる。

図５は、電子部品Ｄ１の等価回路を説明するための図である。第１内部電極２の第１主面部２ａ及び第２内部電極４の第２主面部４ａは、第１誘電体膜３を間に挟んで対向することでコンデンサ機能を呈する。第２内部電極４の第２主面部４ａ及び第３内部電極６の第３主面部６ａは、第２誘電体膜５を間に挟んで対向することでコンデンサ機能を呈する。こうして得られたコンデンサ機能によって、電子部品Ｄ１は、図５に示すようなコンデンサＣを有する。

さらに、第１内部電極２の第１抵抗部２ｂ、第３内部電極６の第３抵抗部６ｂ、及び基体１は、協働してビーズ機能を呈する。こうして得られたビーズ機能によって、電子部品Ｄ１は、図５に示すような抵抗Ｒ及びインダクタＬを有する。

電子部品Ｄ１では、第１内部電極２の第１抵抗部２ｂが磁性体からなる基体１上に形成されているため、第１抵抗部２ｂと基体１によってビーズの機能を有する。よって、電子部品Ｄ１は、第１抵抗部２ｂ及び基体１によるビーズ機能（すなわち、インダクタ成分Ｌ及び抵抗成分Ｒ）と、第１及び第２の主面部２ａ、４ａによるコンデンサ機能（すなわちキャパシタ成分Ｃ）とを有し、インダクタ成分Ｌと抵抗成分Ｒとキャパシタ成分Ｃとが、図５に示すように直列に接続された等価回路を構成することができる。

ビーズは低周波帯域ではインダクタ成分Ｌが機能するため、電子部品Ｄ１では、低周波帯域でインピーダンスを小さく保つことができる。一方、高周波帯域では、ビーズは主に抵抗成分Ｒが機能するため、電子部品Ｄ１のビーズ機能は電子部品が備えるコンデンサ機能Ｃの等価直列抵抗として機能する。ビーズの抵抗成分Ｒは直流抵抗成分と高周波帯域で増加する損失との和で構成される。よって、電子部品Ｄ１によれば、高周波帯域でのインピーダンスを増加させることが可能になる。その結果、電子部品Ｄ１では、低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

電子部品Ｄ１では、第１抵抗部２ｂの幅は第１主面部２ａの幅より狭い。これにより、第１抵抗部２ｂにおける抵抗値を大きくすることができる。

電子部品Ｄ１では、第１抵抗部２ｂと第２主面部４ａとが第１誘電体膜３を間に挟んで対向しないため、第１引き出し部２ｃから流れてきた電流が第２主面部４ａに流れ込むことなく、第１抵抗部２ｂを通過した上で第１主面部２ａに流れ込む。そのため、電子部品Ｄ１では、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

電子部品Ｄ１では、第３抵抗部６ｂが第１抵抗部２ｂを直接覆うため、第１抵抗部２ｂと第３抵抗部６ｂとが直接接続される。これにより、電子部品Ｄ１では、直流抵抗を小さくすることができ、その結果、低周波数帯域で低インピーダンスにすることができる。

図６に第１実施形態に係る電子部品Ｄ１の変形例Ｄ１Ａの上面図を示す。電子部品Ｄ１Ａでは、第３内部電極６は、第３引き出し部６ｃを有さず、第３抵抗部６ｂが直接第１抵抗部２ｂに接続されている。すなわち、第３抵抗部６ｂは、第１接続部２ｂの一部を覆う。

この場合、電子部品Ｄ１Ａでは、コンデンサ機能のＥＳＲを増大させることができるため、インピーダンスの急峻な変化を抑制することが可能となる。
（第２実施形態）

図７に基づいて、第２実施形態に係る電子部品について説明する。図７は、第２実施形態に係る電子部品Ｄ２の上面を示す図である。第２実施形態に係る電子部品Ｄ２は、第１及び第３内部電極２、６がそれぞれ第１及び第３抵抗部２ｂ、２ｄ、６ｂ、６ｄを複数備える点で、第１実施形態に係る電子部品Ｄ１とは異なる。

第２実施形態に係る電子部品Ｄ２の製造工程を説明するための図である図８及び図９を用いて電子部品Ｄ２の製造工程を説明することで、電子部品Ｄ２の構成をさらに詳しく説明する。まず、図８（ａ）に示すように、第１内部電極２は基体１上に形成される。第１内部電極２は、第１主面部２ａと、基体１の端部に引き出されるように伸びる第１引き出し部２ｃと、第１主面部２ａと第１引き出し部２ｃとを接続する複数（本実施形態では、２つ）の第１抵抗部２ｂ、２ｄと、を有する。第１抵抗部２ｂ、２ｄはそれぞれ、第１主面部２ａ及び第１引き出し部２ｃの双方と直接接続されている。

第１内部電極２の第１抵抗部２ｂは、第１主面部２ａの長辺の一部から伸びて、第１引き出し部２ｃの一端部まで伸びる。第１内部電極２の第１抵抗部２ｄは、第１主面部２ａの長辺のうち、第１抵抗部２ｂが伸びる長辺とは異なる長辺の一部から伸びて、第１引き出し部２ｃの他端部まで伸びる。電流が流れる方向と直交する方向に沿った第１抵抗部２ｂ、２ｄの幅は、第１抵抗部２ｂ、２ｄとの境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った第１主面部２ａの幅より狭い。すなわち、本実施形態では、第１抵抗部２ｂ、２ｄそれぞれの幅は、長方形状を呈する第１主面部２ａの長手方向の辺の長さよりも狭い。各第１抵抗部２ｂ、２ｄは、基体１と協働してビーズ機能（すなわち、インダクタ成分Ｌ１、Ｌ２及び抵抗成分Ｒ１、Ｒ２）を呈する。

次に、図８（ｂ）に示すように、少なくとも第１内部電極２の第１主面部２ａ全域を覆うように第１誘電体膜３を形成する。

次に、図８（ｃ）に示すように、第２内部電極４を形成する。第２内部電極４は、第２主面部４ａと、基体１の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部４ｂと、を有する。第２内部電極４は、第１誘電体膜３上に少なくとも第２主面部４ａが配置されるように形成される。第２主面部４ａは、第１誘電体膜３を間に挟んで第１内部電極２の第１抵抗部２ｂとは対向しない。第２内部電極４の第２引き出し部４ｂは、基体１の主面１ａの短辺側端部であって、第１引き出し部２ｃが引き出されている短辺とは異なる短辺側端部に引き出されて露出するように形成される。

次に、図９（ａ）に示すように、少なくとも第２内部電極４の第２主面部４ａを覆うように第２誘電体膜５を形成する。

次に、図９（ｂ）に示すように、第３内部電極６を第２誘電体膜５上に形成する。第３内部電極６は、第３主面部６ａと、基体１の端部に引き出されるように伸びる第３引き出し部６ｃと、第３主面部６ａと第３引き出し部６ｃとを接続する第３抵抗部６ｂ、６ｄと、を有する。第３抵抗部６ｂ、６ｄはそれぞれ、第３主面部６ａ及び第３引き出し部６ｃの双方と直接接続されている。

第３内部電極６の第３抵抗部６ｂは、第３主面部６ａの長辺の一部から伸びて、第３引き出し部６ｃの一端部まで伸びる。第３内部電極６の第３抵抗部６ｄは、第３主面部６ａの長辺のうち、第３抵抗部６ｂが伸びる長辺とは異なる長辺の一部から伸びて、第３引き出し部６ｃの他端部まで伸びる。電流が流れる方向と直交する方向に沿った第３抵抗部６ｂ、６ｄの幅は、第３抵抗部６ｂ、６ｄとの境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った第３主面部６ａの幅より狭い。すなわち、本実施形態では、第３抵抗部６ｂ、６ｄそれぞれの幅は、長方形状を呈する第３主面部６ａの長手方向の辺の長さよりも狭い。

第２実施形態では、第３内部電極６は、第１内部電極２と同じ形状を呈し、第１内部電極２を覆うように形成される。第３抵抗部６ｂ、６ｄは、第１抵抗部２ｂ、２ｄを直接覆う。

電子部品Ｄ２では、第１内部電極２が第１抵抗部２ｂ、２ｄを複数備える。そのため、電子部品Ｄ２では、容易に抵抗成分の値を制御することができる。

第１内部電極２の第１主面部２ａ及び第２内部電極４の第２主面部４ａは、第１誘電体膜３を間に挟んで対向することでコンデンサとして機能する。さらに、第１内部電極２の第１抵抗部２ｂ、２ｄ及び基体１は、協働してビーズとして機能する。よって、電子部品Ｄ２は、第１抵抗部２ｂ、２ｄ及び基体１によるビーズの機能と、第１及び第２の主面部２ａ、４ａとによるコンデンサの機能とを有し、インダクタ成分と抵抗成分とキャパシタ成分とが、直列に接続された等価回路を構成することができる。

ビーズの特性により、電子部品Ｄ２では、低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

電子部品Ｄ２では、第１抵抗部２ｂ、２ｄの幅は第１主面部２ａの幅より狭い。これにより、第１抵抗部２ｂ、２ｄにおける抵抗値を大きくすることができる。

電子部品Ｄ２では、第１抵抗部２ｂと第２主面部４ａとが、第１誘電体膜３を間に挟んで対向していない。そのため、電子部品Ｄ２では、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。
（第３実施形態）

図１０に基づいて、第３実施形態に係る電子部品について説明する。図１０は、第３実施形態に係る電子部品Ｄ３の上面を示す図である。図１１は、図１０の電子部品Ｄ３のXI−XI矢印断面構成を示す図である。図１２は、図１０の電子部品Ｄ３のXII−XII矢印断面構成を示す図である。

第３実施形態に係る電子部品Ｄ３は、磁性体からなる基体１１と、基体１１上に形成された第１内部電極１２と、絶縁体膜１３と、第１誘電体膜１４と、第２内部電極１５と、を備える。基体１１は直方体形状を呈する。ここで、基体１１は軟磁性体（例えば、フェライト材料）であることが好ましい。第１誘電体膜１４は、強誘電体であることが好ましい。

第３実施形態に係る電子部品Ｄ３の製造工程を説明するための図である図１３及び図１４を用いて電子部品Ｄ３の製造工程を説明することで、電子部品Ｄ３の構成をさらに詳しく説明する。まず、図１３（ａ）に示すように、第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂと第１引き出し部１２ｃを基体１１上に形成する。

第１内部電極１２の第１引き出し部１２ｃは、基体１１の第１内部電極１２が形成された主面１１ａの短辺側端部に引き出されて露出するように形成される。

第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂは、第１引き出し部１２ｃから、基体１１の主面１１ａの短辺のうち第１引き出し部１２ｃが引き出された短辺とは反対側の短辺に向かって伸びるように形成される。第１抵抗部１２ｂは、第１引き出し部１２ｃとは反対側端部において、基体１１の長辺の対向方向に伸びる部分を有し、Ｔ字形状を呈する。第１抵抗部１２ｂは、基体１１と協働してビーズ機能（すなわち、インダクタ成分Ｌ及び抵抗成分Ｒ）を呈する。

基体１１上には、さらにコンタクト導体７が形成される。コンタクト導体７は、基体１１の主面１１ａ上であって、主面１１ａの短辺のうち、第１引き出し部１２ｃが引き出される短辺とは異なる短辺側端部に形成される。

次に、図１３（ｂ）に示すように、第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂの少なくとも一部を覆うように絶縁体膜１３を形成する。絶縁体膜１３は、長方形状を呈する。絶縁体膜１３は、その短辺が基体１１の主面１１ａの短辺と平行であって、その長辺が基体１１の主面１１ａの長辺と平行であるように形成される。絶縁体膜１３は、基体１１の主面１１ａの各辺から所定の距離を有するように、その内側に形成される。

次に、図１３（ｃ）に示すように、第１内部電極１２の第１主面部１２ａ及び２つの第１抵抗部１２ｄを絶縁体膜１３上に形成する。第１主面部１２ａは、長方形状を呈する。第１主面部１２ａは、その短辺が基体１１の主面１１ａの短辺と平行であって、その長辺が基体１１の主面１１ａの長辺と平行であるように形成される。

絶縁体膜１３上に形成された２つの第１抵抗部１２ｄはそれぞれ、第１主面部１２ａの長辺上の部分であって第１引き出し部１２ｃとは反対側の部分から伸びて絶縁体膜１３からはみ出し、第１抵抗部１２ｂと直接接続されている。すなわち、各第１抵抗部１２ｄは、第１主面部２ａと直接接続されている。このように、第１内部電極１２は、第１主面部１２ａと、第１引き出し部１２ｃと、第１主面部１２ａと第１引き出し部１２ｃとを接続する第１抵抗部１２ｂ、１２ｄと、を有する。

電流が流れる方向と直交する方向に沿った第１抵抗部１２ｂ、１２ｄの幅は、第１抵抗部１２ｄとの境界において電流が流れる方向と、直交する方向に沿った第１主面部１２ａの幅より狭い。すなわち、本実施形態では、第１抵抗部１２ｂ、１２ｄの幅は、長方形状を呈する第１主面部１２ａの長手方向の辺の長さよりも狭い。

次に、図１４（ａ）に示すように、少なくとも第１内部電極１２の第１主面部１２ａを覆うように第１誘電体膜１４を形成する。第１誘電体膜１４は、長方形状を呈する。第１誘電体膜１４は、その短辺が第１内部電極１２の第１主面部１２ａの短辺と平行であって、その長辺が第１内部電極１２の第１主面部１２ａの長辺と平行であるように形成される。第１抵抗部１２ｄは、第１誘電体膜１４に一部覆われているが、覆われていない部分も有する。

次に、図１４（ｂ）に示すように、第２内部電極１５を第１誘電体膜１４上に形成する。第２内部電極１５は、第２主面部１５ａと、基体１１の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部１５ｂと、を有する。第２主面部１５ａは、長方形状を呈する。第２主面部１５ａは、その短辺が第１内部電極１２の第１主面部１２ａの短辺と平行であって、その長辺が第１内部電極１２の第１主面部１２ａの長辺と平行であるように形成される。第２内部電極１５は、第１誘電体膜１４上に少なくとも第２主面部１５ａが配置されるように形成される。第２主面部１５ａは、第１誘電体膜１４を間に挟んで隣接して第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂとは対向しない。すなわち、第２主面部１５ａは、第１誘電体膜１４のみを間に挟んで対向するのではなく、絶縁体膜１３も間に挟んでいる。

第２内部電極１５の第２引き出し部１５ｂは、基体１１の主面１１ａの短辺側端部であって、第１引き出し部１２ｃが引き出されている端部とは異なる端部に引き出されて露出するように形成される。第２引き出し部１５ｂは、第２主面部１２ａに接続されている。第２引き出し部１５ｂは、コンタクト導体７上に形成され、コンタクト導体７と接続される。

こうして電子部品Ｄ３が得られる。第１内部電極１２の第１主面部１２ａ及び第２内部電極１５の第２主面部１５ａは、第１誘電体膜１４を間に挟んで対向することでコンデンサとして機能する。さらに、第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂ及び基体１１は、協働してビーズとして機能する。よって、電子部品Ｄ３は、第１抵抗部１２ｂ及び基体１１によるビーズの機能（すなわち、インダクタ成分Ｌ及び抵抗成分Ｒ）と、第１及び第２の主面部１２ａ、１５ａによるコンデンサの機能とを有し、インダクタ成分と抵抗成分とキャパシタ成分とが、直列に接続された等価回路を構成することができる。

ビーズは、低周波帯域ではインダクタ成分が機能するため、電子部品Ｄ３では、低周波帯域でインピーダンスを小さく保つことができる。一方、高周波帯域では、ビーズは主に抵抗成分が機能するため、電子部品Ｄ３のビーズ機能は電子部品が備えるコンデンサ機能の等価直列抵抗として機能する。ビーズの抵抗成分は直流抵抗成分と高周波帯域で増加する損失との和で構成される。よって、電子部品Ｄ３によれば、高周波帯域でのインピーダンスを増加させることが可能になる。その結果、電子部品Ｄ３では、低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

電子部品Ｄ３では、第１抵抗部１２ｂの幅は第１主面部１２ａの幅より狭い。これにより、第１抵抗部１２ｂにおける抵抗値を大きくすることができる。

電子部品Ｄ３では、第１抵抗部１２ｂと第２主面部１５ａとが、第１誘電体膜１４のみを間に挟んで対向するのではなく、絶縁体膜１３をさらに間に挟んでいる。そのため、第１引き出し部１２ｃから流れてきた電流が第１抵抗部１２ｂを通らずに第２主面部１５ａに流れ込むことなく、第１抵抗部１２ｂを通過した上で第１主面部２ａに流れ込む。そのため、電子部品Ｄ３では、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

図１５に示すように、例えば電子部品Ｄ３に、バンプ電極８を設けることができる。一対のバンプ電極８はそれぞれ、第１内部電極１２の第１引き出し部１２ｃと第２内部電極１５の第２引き出し部１５ｂに接続される。さらに、電子部品Ｄ３の露出した部分、すなわち第２内部電極１５の第２主面部１５ａ及び第１誘電体膜１４上には、絶縁コート９を形成してもよい。

バンプ電極８が取り付けられた電子部品Ｄ３は、図１６に示すように、基板２０に実装することができる。電子部品Ｄ３は、基板２０上に形成されたランド電極２１に各バンプ電極８を接続させて、基板２０に実装することができる。
（第４実施形態）

図１７に基づいて、第４実施形態に係る電子部品について説明する。図１７は、第４実施形態に係る電子部品Ｄ４の上面を示す図である。第４実施形態に係る電子部品Ｄ４は、第１抵抗部１２ｂ、１２ｄの形状が異なる点で、第３実施形態に係る電子部品Ｄ３とは異なる。

第４実施形態に係る電子部品Ｄ４の製造工程を説明するための図である図１８及び図１９を用いて電子部品Ｄ４の製造工程を説明することで、電子部品Ｄ４の構成をさらに詳しく説明する。まず、図１８（ａ）に示すように、第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂと第１引き出し部１２ｃが基体１１上に形成される。

第１内部電極１２の第１引き出し部１２ｃは、基体１１の第１内部電極１２が形成された主面１１ａの一方の短辺側端部に引き出されて露出するように形成される。

第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂは、第１引き出し部１２ｃが引き出された短辺とは反対側の短辺に向かって第１引き出し部１２ｃから主面１１ａの長辺方向に沿って伸びる部分、当該部分から主面１１ａの短辺方向に沿って伸びる部分、当該部分から第１引き出し部１２ｃへ向かって主面１１ａの長辺方向に沿って伸びる部分、及び当該部分から主面１１ａの短辺方向に沿って伸びる部分を有し、Ｃ字形状に形成される。第１抵抗部１２ｂは、基体１１と協働してビーズ機能（すなわち、インダクタ成分Ｌ及び抵抗成分Ｒ）を呈する。

次に、図１８（ｂ）に示すように、第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂの一部のみを覆うように絶縁体膜１３を形成する。絶縁体膜１３は、長方形状を呈する。絶縁体膜１３は、その短辺が基体１１の主面１１ａの短辺と平行であって、その長辺が基体１１の主面１１ａの長辺と平行であるように形成される。

次に、図１８（ｃ）に示すように、第１内部電極１２の第１主面部１２ａを絶縁体膜１３上に、第１抵抗部１２ｄを第１抵抗部１２ｂの絶縁体膜１３で覆われていない部分の一部の上に形成する。第１主面部１２ａは、長方形状を呈する。第１主面部１２ａは、その短辺が基体１１の主面１１ａの短辺と平行であって、その長辺が基体１１の主面１１ａの長辺と平行であるように形成される。

第１抵抗部１２ｄは、第１主面部１２ａの第１引き出し部１２ｃ側の短辺から伸びており、第１抵抗部１２ｂと直接接続されている。すなわち、第１抵抗部１２ｄは、第１主面部２ａと直接接続されている。このように、第１内部電極１２は、第１主面部１２ａと、第１引き出し部１２ｃと、第１主面部１２ａと第１引き出し部１２ｃとを接続する第１抵抗部１２ｂ、１２ｄと、を有する。

電流が流れる方向と直交する方向に沿った第１抵抗部１２ｂ、１２ｄの幅は、第１抵抗部１２ｄとの境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った第１主面部１２ａの幅より狭い。すなわち、本実施形態では、第１抵抗部１２ｂ、１２ｄの幅は、長方形状を呈する第１主面部１２ａの長手方向の辺の長さよりも狭い。

次に、図１９（ａ）に示すように、少なくとも第１内部電極１２の第１主面部１２ａを覆うように第１誘電体膜１４を形成する。第１誘電体膜１４は、長方形状を呈する。第１誘電体膜１４は、その短辺が第１内部電極１２の第１主面部１２ａの短辺と平行であって、その長辺が第１内部電極１２の第１主面部１２ａの長辺と平行であるように形成される。第１誘電体膜１４は、第１抵抗部１２ｄの一部を覆う。

次に、図１９（ｂ）に示すように、第２内部電極１５を第１誘電体膜１４上に形成する。第２内部電極１５は、第２主面部１５ａと、基体１１の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部１５ｂと、を有する。第２主面部１５ａは、長方形状を呈する。第２主面部１５ａは、その短辺が第１内部電極１２の第１主面部１２ａの短辺と平行であって、その長辺が第１内部電極１２の第１主面部１２ａの長辺と平行であるように形成される。第２内部電極１５は、第１誘電体膜１４上に少なくとも第２主面部１５ａが配置されるように形成される。第２主面部１５ａは、第１誘電体膜１４を間に挟んで隣接して第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂとは対向しない。すなわち、第２主面部１５ａは、第１誘電体膜１４のみを間に挟んで第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂと対向するのではなく、絶縁体膜１３も間に挟んでいる。

第２内部電極１５の第２引き出し部１５ｂは、基体１１の主面１１ａの短辺であって、第１引き出し部１２ｃが引き出されている短辺とは異なる短辺側端部に引き出されて露出するように形成される。第２引き出し部１５ｂは、第２主面部１５ａに接続されている。第２引き出し部１５ｂは、コンタクト導体７上に形成され、コンタクト導体７と接続される。

こうして電子部品Ｄ４が得られる。

第１内部電極１２の第１主面部１２ａ及び第２内部電極１５の第２主面部１５ａは、第１誘電体膜１４を間に挟んで対向することでコンデンサとして機能する。さらに、第１内部電極１２の第１抵抗部１２ｂ及び基体１１は、協働してビーズとして機能する。よって、電子部品Ｄ４は、第１抵抗部１２ｂ及び基体１１によるビーズの機能（すなわち、インダクタ成分Ｌ及び抵抗成分Ｒ）と、第１及び第２の主面部１２ａ、１５ａとによるコンデンサの機能とを有し、インダクタ成分と抵抗成分とキャパシタ成分とが、直列に接続された等価回路を構成することができる。

ビーズの特性により、電子部品Ｄ４では、低周波帯域で低インピーダンスを保ちつつ、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

電子部品Ｄ４では、第１抵抗部１２ｂ、１２ｄの幅は第１主面部１２ａの幅より狭い。これにより、第１抵抗部１２ｂ、１２ｄにおける抵抗値を大きくすることができる。

電子部品Ｄ４では、第１抵抗部１２ｂと第２主面部１５ａとが、第１誘電体膜１４のみを間に挟んで対向するのではなく、絶縁体膜１３をさらに間に挟んでいる。そのため、電子部品Ｄ４では、高周波帯域で高インピーダンスにすることが可能となる。

以上、本発明の好適な実施形態及び変形例について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、誘電体層は、強誘電体に限られない。また、第３内部電極を備えていなくてもよい。あるいは、さらなる内部電極を備えていてもよい。第１〜第３内部電極の形状は、実施形態及び変形例が備える内部電極の形状に限られない。

Ｄ１〜Ｄ４…電子部品、１、１１…基体、２、１２…第１内部電極、２ａ、１２ａ…第１主面部、２ｂ、２ｄ、１２ｂ、１２ｄ…第１抵抗部、２ｃ、１２ｃ…第１引き出し部、３…第１誘電体膜、４、１５…第２内部電極、４ａ、１５ａ…第２主面部、４ｂ、１５ｂ…第２引き出し部、５…第２誘電体膜、６…第３内部電極、６ａ…第３主面部、６ｂ、６ｄ…第３抵抗部、６ｃ…第３引き出し部、７…コンタクト導体、８…バンプ電極、９…絶縁コート、１３…絶縁体膜、１４…第１誘電体膜、２０…基板、２１…ランド電極。

Claims (11)

1. 磁性体からなる基体と、
   前記基体上に形成されると共に、第１主面部、前記基体の端部に引き出されるように伸びる第１引き出し部、及び前記第１主面部と前記第１引き出し部とを接続する第１抵抗部を有する第１内部電極と、
   前記第１内部電極の前記第１主面部を覆う第１誘電体膜と、
   前記第１誘電体膜上に形成される第２主面部、及び当該第２主面部から前記基体の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部を有する第２内部電極と、を備え、
   電流が流れる方向と直交する方向に沿った前記第１抵抗部の幅は、前記第１抵抗部との境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った前記第１主面部の幅より狭く、
   前記第１主面部及び前記第２主面部は、前記第１誘電体膜を間に挟んで対向することによりコンデンサ機能を呈し、
   前記第１抵抗部及び前記基体は、協働してビーズ機能を呈することを特徴とする電子部品。
2. 前記第１主面部は長方形状を呈し、前記第１抵抗部の幅が前記第１主面部の長手方向の辺の長さよりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第１抵抗部と前記第２主面部とが、前記第１誘電体膜を間に挟んで対向しないことを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品。
4. 前記第２主面部を覆う第２誘電体膜と、
   前記第２誘電体膜上に形成される第３主面部、前記基体の端部に引き出されるように伸びる第３引き出し部、及び前記第３主面部と前記第３引き出し部とを接続する第３抵抗部を有する第３内部電極と、をさらに備え、
   前記第３抵抗部は、前記第１抵抗部を直接覆い、
   電流が流れる方向と直交する方向に沿った前記第３抵抗部の幅は、前記第３抵抗部との境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った前記第３主面部の幅より狭く、
   前記第３主面部は、前記第２誘電体膜を間に挟んで第２主面部と対向することでコンデンサ機能を呈することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項記載の電子部品。
5. 前記第２主面部を覆う第２誘電体膜と、
   前記第１抵抗部に接続される第３抵抗部、及び前記第３抵抗部に接続されると共に前記第２誘電体膜上に形成される第３主面部を有する第３の内部電極と、をさらに備え、
   前記第３抵抗部は、前記第１抵抗部の一部を覆い、
   電流が流れる方向と直交する方向に沿った前記第３抵抗部の幅は、前記第３抵抗部との境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った前記第３主面部の幅より狭く、
   前記第３主面部は、前記第２誘電体膜を間に挟んで第２主面部と対向することでコンデンサ機能を呈することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項記載の電子部品。
6. 前記第３主面部は長方形状を呈し、前記第３抵抗部の幅が前記第３主面部の長手方向の辺の長さよりも狭いことを特徴とする請求項４又は５に記載の電子部品。
7. 前記第１内部電極は、前記第１抵抗部を複数備えることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項記載の電子部品。
8. 磁性体からなる基体と、
   第１主面部、前記基体の端部に引き出されるように伸びる第１引き出し部、及び前記第１主面部と前記第１引き出し部とを接続すると共に前記基体上に形成される第１抵抗部を有する第１内部電極と、
   少なくとも前記第１内部電極の前記第１抵抗部の一部を覆うと共に、その上に前記第１内部電極の前記第１主面部が形成される絶縁体膜と、
   前記第１内部電極の前記第１主面部を覆う第１誘電体膜と、
   前記第１誘電体膜上に形成される第２主面部、及び当該第２主面部から前記基体の端部に引き出されるように伸びる第２引き出し部を有する第２内部電極と、を備え、
   電流が流れる方向と直交する方向に沿った前記第１抵抗部の幅は、前記第１抵抗部との境界における電流の流れの方向と直交する方向に沿った前記第１主面部の幅より狭く、
   前記第１主面部及び前記第２主面部は、前記第１誘電体膜を間に挟んで対向することによりコンデンサ機能を呈し、
   前記第１抵抗部及び前記基体は、協働してビーズ機能を呈することを特徴とする電子部品。
9. 前記第１主面部は長方形状を呈し、前記第１抵抗部の幅が前記第１主面部の長手方向の辺の長さよりも狭いことを特徴とする請求項８に記載の電子部品。
10. 前記第１抵抗部と前記第２主面部とが、前記第１誘電体膜のみを間に挟んで対向しないことを特徴とする請求項８又は９記載の電子部品。
11. 前記第１誘電体膜と前記絶縁体膜とは同じ材料からなることを特徴とする請求項８〜１０の何れか一項記載の電子部品。

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