JP2011009258A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子の移動度を向上させたSBSIデバイスを実現可能とした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】Si基板1上に第1SiGe膜を形成する工程と、その上にSi膜3を形成する工程と、Si膜3及び第1SiGe膜をエッチングして島状構造体を形成するとともに、第1溝を形成する工程と、第1溝底面と島状構造体上面及び側面とに絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜のうちの島状構造体側面を覆う部分をエッチングして露出させた島状構造体側面と絶縁膜のうちの第1溝底面を覆う部分との間に隙間を形成する工程と、その隙間に第2SiGe膜を形成する工程と、第1溝内から島状構造体上にかけて支持体10を形成する工程と、第1及び第2SiGe膜を露出させる第2溝を形成する工程と、第2溝を介してエッチングしてSi膜3直下から側面にかけて空洞部を形成する工程と、Si膜3とSi基板1とから酸化膜を形成する工程とを含む。
【選択図】図8
【解決手段】Si基板1上に第1SiGe膜を形成する工程と、その上にSi膜3を形成する工程と、Si膜3及び第1SiGe膜をエッチングして島状構造体を形成するとともに、第1溝を形成する工程と、第1溝底面と島状構造体上面及び側面とに絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜のうちの島状構造体側面を覆う部分をエッチングして露出させた島状構造体側面と絶縁膜のうちの第1溝底面を覆う部分との間に隙間を形成する工程と、その隙間に第2SiGe膜を形成する工程と、第1溝内から島状構造体上にかけて支持体10を形成する工程と、第1及び第2SiGe膜を露出させる第2溝を形成する工程と、第2溝を介してエッチングしてSi膜3直下から側面にかけて空洞部を形成する工程と、Si膜3とSi基板1とから酸化膜を形成する工程とを含む。
【選択図】図8
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に、SOI(Silicon On Insulator)構造に関するものである。
SOI基板上に形成された電界効果トランジスターは、素子分離の容易性、ラッチアップフリー、ソース/ドレイン接合容量が小さいなどの点から、その有用性が注目されている。特に、完全空乏型SOIトランジスターは、低消費電力かつ高速動作が可能で、低電圧駆動が容易なため、SOIトランジスターを完全空乏モードで動作させるための研究が盛んに行われている。SOI基板としては、例えば、SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)基板や貼り合わせ基板などが用いられているが、いずれもその製造法が特殊であり、通常のCMOSプロセスでは作ることができない。
このため、普通のバルクシリコンウエハから、通常のCMOSプロセスでSOI構造を作る方法であるSBSI(Separation by Bonding Silicon Island)法が知られている(例えば、非特許文献1参照)。以下、SBSI法について図を参照しながら説明する。
図16〜図18は、従来例に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図16〜図18において、(a)は平面図、(b)は(a)をX16−X´16〜X18−X´18線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図16(a)及び(b)に示すように、まず始めに、シリコン(Si)基板1上にシリコンゲルマニウム(SiGe)膜2とSi膜3とを順次成膜し、そこに支持体形成用の第1溝5を形成する。SiGe膜2とSi膜3はエピタキシャル成長法で形成し、第1溝5はドライエッチングで形成する。
図16〜図18は、従来例に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図16〜図18において、(a)は平面図、(b)は(a)をX16−X´16〜X18−X´18線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図16(a)及び(b)に示すように、まず始めに、シリコン(Si)基板1上にシリコンゲルマニウム(SiGe)膜2とSi膜3とを順次成膜し、そこに支持体形成用の第1溝5を形成する。SiGe膜2とSi膜3はエピタキシャル成長法で形成し、第1溝5はドライエッチングで形成する。
次に、Si基板1上の全面に支持体10を形成した後、支持体10、Si膜3、及びSiGe膜2を再度ドライエッチングして、図17(a)及び(b)に示すような構造体を形成する。この状態で、SiGe膜2を図17(a)の矢印の方向からフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体10にSi膜3がぶらさがった形でSi膜3の下に空洞部12が形成される。
次に、図18(a)及び(b)に示すように、Si基板1及びSi膜3を熱酸化して空洞部12内に熱酸化膜13(SiO2)を形成する(BOX酸化工程)。この熱酸化膜13は、Si膜3の熱酸化により形成される熱酸化膜13aとSi基板1の熱酸化により形成される熱酸化膜13bとを含んでいる。
次に、図18(a)及び(b)に示すように、Si基板1及びSi膜3を熱酸化して空洞部12内に熱酸化膜13(SiO2)を形成する(BOX酸化工程)。この熱酸化膜13は、Si膜3の熱酸化により形成される熱酸化膜13aとSi基板1の熱酸化により形成される熱酸化膜13bとを含んでいる。
このようにして、熱酸化膜13とSi膜3とからなるSOI構造をバルクのSi基板1(即ち、 バルクシリコンウエハ)上に形成する。熱酸化膜13はBOX層ともいい、Si膜3はSOI層ともいう。SOI構造を形成した後は、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によってSi基板1上の全面にSiO2膜(図示せず)を成膜する。そして、SiO2膜と支持体10とをCMP(Chemical Mechanical Polishing)で平坦化し、さら にHF(Hydorogen Fluoride)系溶液でウェットエッチング(即ち、HFエッチ)することで、Si膜3の表面を露出させる。
T.Sakai et al."Separation by Bonding Si Islands(SBSI) for LSI Application",Second International SiGe Technology and Device Meeting,Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004)
上記のように、SBSI法は、SOI層に形成されるデバイス(以下、SOIデバイスという。)を低コストで提供できる点、及び、バルクのSi基板に直接形成されるデバイス(以下、バルクSiデバイスという。)とSOIデバイスとを同一基板に容易に混載できるという点、で非常に有効な技術である。ただし、SBSI法で形成されるSOIデバイスとSOIウエハから形成される一般的なSOIデバイスとを比較した場合、性能の面では差が無い。そのため、SBSI法で形成されるSOIデバイスの性能をSBSIプロセス独特の構造を利用して高めていくことが、SBSI法のメリットをさらに向上させる観点から望まれていた。
一方、現在の一般的な半導体デバイスでは、微細化を進めることで高速化や小型化などの性能向上を果たしている。しかしながら、そういった微細化による性能向上も限界が見え始めたため、さまざまな企業や研究機関において微細化以外の方法によってデバイス性能向上が図られている。その高性能化手段の一つに、チャネルとなる領域(以下、チャネル領域という。)に応力を印加してキャリアの移動度を向上させる技術、いわゆる歪みSiチャネル技術がある。歪みSiチャネル技術は、SGOI(SiGe On Insulator)や、SSOI(Strained Silicon On Insulator)などに代表されるグローバル歪み技術と窒化膜等を使用したローカル歪み技術とに大別されるが、一般的に知られている事実として、図19に示すように、平面視でチャネルと略平行な方向(以下、チャネル平行方向という。)に引っ張り応力を与え、平面視でチャネルと略垂直な方向(以下、チャネル垂直方向という。)に引っ張り応力を与えると電子の移動度が向上する。
ここで、図16〜図18に示したように、SBSI法は、支持体の形成工程や、空洞部の形成工程、空洞部の埋め込み工程など独特のプロセスを有する。また、このようなプロセスにより形成されるSOIデバイス(以下、SBSIデバイスという。)では、SOI層は平面視で部分的(即ち、島状)に形成される。このため、SBSI法については、SGOIやSSOIなどの従来の歪み技術を適用することがでなかった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、歪み技術を適用して電子の移動度を向上させたSBSIデバイスを提供できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供を目的とする。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、歪み技術を適用して電子の移動度を向上させたSBSIデバイスを提供できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供を目的とする。
図14は、本発明者が行った実験結果であり、ウエハの反りの有無と電子の移動度との関係を示す図である。図14の横軸はゲート電圧Vgであり、縦軸は移動度(Mobility)である。
ここでは、図15に示すように、通常のプロセスによって作成したトランジスターが搭載されているウエハを板に載せ、この板を凸状に反らせてトランジスターの電気特性を測定した。板は、常温で変形することが可能な材質からなり、板を円筒状の金属板に載せ、その両側に冶具を用いて機械的な力を加えることにより、板を凸状に反らせることができる。
ここでは、図15に示すように、通常のプロセスによって作成したトランジスターが搭載されているウエハを板に載せ、この板を凸状に反らせてトランジスターの電気特性を測定した。板は、常温で変形することが可能な材質からなり、板を円筒状の金属板に載せ、その両側に冶具を用いて機械的な力を加えることにより、板を凸状に反らせることができる。
図14に示すように、ウエハを反らせていないもの(即ち、反り無し)と反らせたもの(即ち、上に凸状の反り)とを比較すると、凸状の反りを備えるほうが電子の移動度が高くなっていることが確認できた。これは、凸状の反りによってチャネル領域に引っ張り応力が与えられるためと考えられる。本発明は、このような知見(即ち、何らかの力でウエハを断面視で凸状に反らせてチャネル領域に引っ張り応力を与えると、移動度が向上するという知見)に基づいてなされたものである。
即ち、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1半導体膜を形成する工程と、前記第1半導体膜上に第2半導体膜を形成する工程と、前記第2半導体膜及び前記第1半導体膜をエッチングして、前記第2半導体膜及び前記第1半導体膜を有する島状構造体を形成するとともに、前記島状構造体に隣接して、前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、前記第1溝の底面と、前記島状構造体の上面及び側面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜のうちの前記島状構造体の側面を覆う部分をエッチングして当該側面を露出させ、前記島状構造体の露出した側面と、前記絶縁膜のうちの前記第1溝の底面を覆う部分と、の間に隙間を形成する工程と、前記隙間を埋め込むように第3半導体膜を形成する工程と、前記第1溝内から前記島状構造体上にかけて支持体を形成する工程と、前記支持体の下にある前記第1半導体膜及び前記第3半導体膜を露出させる第2溝を形成する工程と、前記第2溝を介して、前記第1半導体膜及び前記第3半導体膜をエッチングして、前記第2半導体膜の直下から当該第2半導体膜の側面にかけて空洞部を形成する工程と、前記空洞部に面する前記第2半導体膜と、前記半導体基板と、をそれぞれ熱酸化して、前記空洞部内に熱酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
上記の方法によれば、本発明に係る半導体装置に含まれる第2半導体膜及び半導体基板を熱酸化して熱酸化膜を形成する際に、第2半導体膜の両端の側面が空洞部と接しているため、第2半導体膜及び半導体基板がそれぞれ酸化膜へと組成変化することで生じる体積膨張によって、第2半導体膜はその両端部から中心部に向かって押される。これにより、第2半導体膜は断面視で凸状に反るので、第2半導体膜に外側へ引っ張られる力(即ち、引っ張り応力)を与えることができる。また、このような引っ張り応力の付与により、第2半導体膜に歪を持たせて電子の移動度を向上させることができる。
また、上記の製造方法において、前記隙間の幅を、前記第1半導体膜の膜厚の1/2以下とすることを特徴としても良い。
上記の方法によれば、他の膜厚比の場合と比べて、第2半導体膜を断面視で凸状に反らせる力を最も効率良く発生させることができ、十分に第2半導体膜を反らせることができる。したがって、第2半導体膜における電子の移動度をより一層向上させることができる。
さらに、上記の製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程では、エッチングレートの異なる2種類の絶縁膜のうち、エッチングレートの遅い絶縁膜を前記島状構造体の上面と、前記第1溝の底面と、に形成するとともに、エッチングレートの速い絶縁膜を前記島状構造体の側面に形成することを特徴としても良い。
上記の方法によれば、他の膜厚比の場合と比べて、第2半導体膜を断面視で凸状に反らせる力を最も効率良く発生させることができ、十分に第2半導体膜を反らせることができる。したがって、第2半導体膜における電子の移動度をより一層向上させることができる。
さらに、上記の製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程では、エッチングレートの異なる2種類の絶縁膜のうち、エッチングレートの遅い絶縁膜を前記島状構造体の上面と、前記第1溝の底面と、に形成するとともに、エッチングレートの速い絶縁膜を前記島状構造体の側面に形成することを特徴としても良い。
上記の方法によれば、第3半導体膜を形成する隙間を、エッチングによって容易に形成することができる。これにより、例えばCVD法を用いて、第3半導体膜をこの隙間に容易に形成することができるので、熱酸化する際の体積膨張において生じる力を十分に得ることができるため、第2半導体膜を断面視で凸状に反らせることが容易となる。
さらに、上記の製造方法において、前記第3半導体膜を、前記第1半導体膜と同一の種類の膜とすることを特徴としても良い。
上記の方法によれば、第1半導体膜と、第3半導体膜と、のエッチング効率が同一となるため、効率良く空洞部を形成することができる。これにより、第2半導体膜の直下から側面にかけて、確実性を高めて第2半導体膜の表面を露出させることができる。さらに、半導体基板の表面も確実性を高めて露出させることができる。
さらに、上記の製造方法において、前記第3半導体膜を、前記第1半導体膜と同一の種類の膜とすることを特徴としても良い。
上記の方法によれば、第1半導体膜と、第3半導体膜と、のエッチング効率が同一となるため、効率良く空洞部を形成することができる。これにより、第2半導体膜の直下から側面にかけて、確実性を高めて第2半導体膜の表面を露出させることができる。さらに、半導体基板の表面も確実性を高めて露出させることができる。
さらに、上記の製造方法において、前記空洞部を形成する工程と、前記熱酸化膜を形成する工程と、の間に、前記空洞部内に第4半導体膜を形成する工程、をさらに含むことを特徴としても良い。
上記の方法によれば、空洞部内において第4半導体膜が熱酸化膜へと組成変化して体積膨張するので、空洞部を介して対向する、第2半導体膜と、半導体基板と、の密着性が高まると同時に、第2半導体膜へ付与する引っ張り応力も高まる。このため、空洞部内に第4半導体膜を形成しなかった場合と比べて、第2半導体膜を凸状により一層反らせることができる。したがって、第2半導体膜における電子の移動度を更に向上させることができる。なお、第4半導体膜は、例えばアモルファスシリコンまたはポリシリコンである。
上記の方法によれば、空洞部内において第4半導体膜が熱酸化膜へと組成変化して体積膨張するので、空洞部を介して対向する、第2半導体膜と、半導体基板と、の密着性が高まると同時に、第2半導体膜へ付与する引っ張り応力も高まる。このため、空洞部内に第4半導体膜を形成しなかった場合と比べて、第2半導体膜を凸状により一層反らせることができる。したがって、第2半導体膜における電子の移動度を更に向上させることができる。なお、第4半導体膜は、例えばアモルファスシリコンまたはポリシリコンである。
さらに、上記の製造方法において、前記第2半導体膜を形成する工程と、前記第1溝を形成する工程と、の間に、前記第2半導体膜上に保護膜を形成する工程、をさらに含むことを特徴としても良い。
上記の方法によれば、例えば一連のSBSI法において、第2半導体膜の表面をエッチング雰囲気や、熱酸化の雰囲気等から保護することができる。また、保護膜に窒化シリコン(SiN)膜を選択した場合、この保護膜は支持体を除去する際のCMPストッパーとして使用することもできる。
上記の方法によれば、例えば一連のSBSI法において、第2半導体膜の表面をエッチング雰囲気や、熱酸化の雰囲気等から保護することができる。また、保護膜に窒化シリコン(SiN)膜を選択した場合、この保護膜は支持体を除去する際のCMPストッパーとして使用することもできる。
また、本発明の別の態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜を平面視で囲むように前記半導体基板上に形成された素子分離膜と、を備え、前記素子分離膜は、平面視で一の方向に向かって前記半導体膜の前後の側に配置された第1絶縁膜と、前記一の方向と平面視で交わる他の方向に向かって前記半導体膜の前後の側に配置された第2絶縁膜と、前記第1絶縁膜と前記半導体膜との間に介在する第3絶縁膜と、を含み、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜は、それぞれCVD法により形成された膜であり、前記第3絶縁膜は、前記半導体膜の熱酸化により形成された熱酸化膜であることを特徴とするものである。
このような構成の装置によれば、隙間に接しているSi膜の組成変化(酸化)に伴う膨張力により、半導体膜に引っ張り応力を与えることができ、当該半導体膜に歪を持たせて電子の移動度を向上させることができる。
このような構成の装置によれば、隙間に接しているSi膜の組成変化(酸化)に伴う膨張力により、半導体膜に引っ張り応力を与えることができ、当該半導体膜に歪を持たせて電子の移動度を向上させることができる。
以下、本発明の実施の一形態を、添付図面を参照して説明する。
図1〜図13は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図1〜図13において、(a)は平面図、(b)は(a)をX1−X´1〜X13−X´13線でそれぞれ切断したときの断面図である。
まず始めに、図1(a)及び(b)に示す工程で、バルクのシリコン(Si)基板1上に第1半導体膜として、例えばシリコンゲルマニウム(SiGe)膜(以下、第1SiGe膜という。)2を形成し、さらにその上に第2半導体膜として単結晶のSi膜3を形成する。これらの膜は、例えばエピタキシャル成長法により、それぞれ連続して形成される。
図1〜図13は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図1〜図13において、(a)は平面図、(b)は(a)をX1−X´1〜X13−X´13線でそれぞれ切断したときの断面図である。
まず始めに、図1(a)及び(b)に示す工程で、バルクのシリコン(Si)基板1上に第1半導体膜として、例えばシリコンゲルマニウム(SiGe)膜(以下、第1SiGe膜という。)2を形成し、さらにその上に第2半導体膜として単結晶のSi膜3を形成する。これらの膜は、例えばエピタキシャル成長法により、それぞれ連続して形成される。
次に、Si膜3上に、絶縁膜である保護膜4を形成する。この保護膜4を形成することで、例えば本発明においてSi膜3に付与した引っ張り応力を効果的に維持することができる。
図1(a)及び(b)では、保護膜4が2種類の絶縁膜で形成される場合を例示しているが、本発明はこれに限定させるものではない。つまり、この保護膜4は、1種類の絶縁膜のみで形成されていても構わないし、保護膜4自体を形成しなくても構わない。以下に記載する実施形態では、Si膜3上に保護膜4を形成する場合について説明するが、この保護膜4を形成しない場合であっても、本明細書に記載の工程と同等の工程を経ることで、保護膜4を形成する場合と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態では、この2種類の絶縁膜のうち、第1保護膜を、例えば二酸化シリコン(SiO2)膜4aとして、そして、SiO2膜4aの上に形成される第2保護膜を、例えば窒化シリコン(SiN)膜4bとして、それぞれ想定しているが、これに限定されるものではない。
図1(a)及び(b)では、保護膜4が2種類の絶縁膜で形成される場合を例示しているが、本発明はこれに限定させるものではない。つまり、この保護膜4は、1種類の絶縁膜のみで形成されていても構わないし、保護膜4自体を形成しなくても構わない。以下に記載する実施形態では、Si膜3上に保護膜4を形成する場合について説明するが、この保護膜4を形成しない場合であっても、本明細書に記載の工程と同等の工程を経ることで、保護膜4を形成する場合と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態では、この2種類の絶縁膜のうち、第1保護膜を、例えば二酸化シリコン(SiO2)膜4aとして、そして、SiO2膜4aの上に形成される第2保護膜を、例えば窒化シリコン(SiN)膜4bとして、それぞれ想定しているが、これに限定されるものではない。
次に、図2(a)及び(b)に示す工程で、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、第1SiGe膜2と、Si膜3と、保護膜4と、をエッチングして、島状構造体6を形成する。このエッチングに伴い、素子分離領域(即ち、SOI構造を形成しない領域)に、Si基板1を底面とする第1溝5も形成する。したがって、図に示すように、第1溝5と、島状構造体6と、は隣接して形成される。なお、上記のエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めても構わないし、Si基板1をオーバーエッチングして凹部を形成しても構わない。
次に、図3(a)及び(b)に示す工程で、島状構造体6の上面及び側面と、第1溝5の底面(つまり、露出したSi基板1上)と、を覆うようにして、例えばSiO2膜で形成された絶縁膜7を形成する。ここで、このSiO2膜を、例えばコリメータースパッター酸化膜やECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ酸化膜として形成するのが好適である。
「コリメータースパッター酸化膜」とは、コリメートスパッター源を用いて生成した、高い直進性を有する酸化物を基板表面に堆積させることで形成した酸化膜のことを指し、「ECRプラズマ酸化膜」とは、ECRスパッター装置において、ECRプラズマを用いて生成した酸化物を基板表面に堆積させることで形成した酸化膜のことを指す。
「コリメータースパッター酸化膜」とは、コリメートスパッター源を用いて生成した、高い直進性を有する酸化物を基板表面に堆積させることで形成した酸化膜のことを指し、「ECRプラズマ酸化膜」とは、ECRスパッター装置において、ECRプラズマを用いて生成した酸化物を基板表面に堆積させることで形成した酸化膜のことを指す。
このコリメータースパッター酸化膜やECRプラズマ酸化膜は、その異方性の特性により、平面に形成される酸化膜の膜質と、側面に形成される酸化膜の膜質と、が著しく異なる。具体的には、コリメータースパッター酸化膜またはECRプラズマ酸化膜を形成した場合、島状構造体6の上面と、第1溝5の底面と、を覆うようにして形成されるSiO2膜のエッチングレートと、島状構造体6の側面を覆うようにして形成されるSiO2膜のエッチングレートと、を比較した場合、CVD法を用いて同時にSiO2膜を形成したにも関わらず、前者のエッチングレートの方が後者のそれよりも遅い。このため、後の工程で実施するHF系溶液を用いたエッチング処理では、島状構造体6の側面を覆うSiO2膜を選択的に除去することができる。なお、本明細書では、エッチングレートの遅いSiO2膜を第1SiO2膜7aとして、エッチングレートの速いSiO2膜を第2SiO2膜7bとして、それぞれ図中に示す。
次に、図4(a)及び(b)に示す工程で、DHF(Diluted Hydrofluoric acid)またはBHF(Buffered Hydrofluoric acid)を用いて、第2SiO2膜7bを選択的にエッチングすることで、島状構造体6の側面を露出させる。これにより、第1SiO2膜7aと、島状構造体6の側面と、の間に隙間8を形成する。なお、このエッチングを実施する際には、その所要時間を、予め、第2SiO2膜7bが島状構造体6の側面から完全に除去される時間に設定しておくことが望ましい。これにより、隙間8の幅を、第2SiO2膜7bの(横方向の)厚さと同じ値にすることができる。
次に、図5(a)及び(b)に示す工程で、選択エピタキシャル成長法を用いて、Si基板1の表面が露出している領域にのみ第3半導体膜を形成し、図4(a)及び(b)の工程で形成した隙間8を埋め込む。この第3半導体膜は、第1半導体膜と同一の種類の膜で形成されることが好ましい。つまり、本実施形態では、第3半導体膜をSiGe膜(以下、第2SiGe膜9という。)とすることが好ましい。
第1半導体膜と、第3半導体膜と、を同一の種類の膜で形成することで、後で実施するエッチング工程において、両方の膜を一括してエッチングすることができる。これにより、Si膜3の直下から側面にかけて、Si膜3の表面を容易に露出させることができる。さらに、Si基板1の表面も容易に露出させることができる。Si膜3の直下だけでなく、Si膜3の側面も露出させることで、後で実施する熱酸化の際に、Si膜3を断面視で凸状に反らせることができる。こうすることで、Si膜3に引っ張り応力を付与することができ、Si膜3における電子の移動度を高めることができる。
ここで、本発明者の知見によれば、図5(b)に示したように、第2SiGe膜9の膜厚(=隙間8の幅)d2を、第1SiGe膜2の膜厚d1の1/2以下とすることが好ましい。つまり、エッチングレートの速いSiO2膜(即ち、第2SiO2膜7b)の膜厚を、第1SiGe膜2の膜厚d1の1/2以下とすることが好ましい。これにより、他の膜厚比の場合と比べて、Si膜3を断面視で凸状に反らせる力を最も効率良く発生させることができ、十分にSi膜3を反らせることができる。したがって、Si膜3における電子の移動度をより一層向上させることができる。
次に、図6(a)及び(b)に示す工程で、CVD法を用いて、Si基板1上を覆うように支持体膜を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて支持体膜をパターニングすることにより、第1溝5内から島状構造体6上にかけて支持体10を形成する。この支持体10は、例えばSiO2膜である。支持体10が形成された後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、支持体10の下にある第1SiGe膜2と、第2SiGe膜9とを露出させるように、第2溝11を形成する。なお、このエッチング工程では第2溝11により、第1SiGe膜2と第2SiGe膜9とが露出していれば良く、Si基板1の表面でエッチングを止めても構わないし、Si基板1をオーバーエッチングして凹部を形成しても構わない。
次に、図7(a)及び(b)に示す工程で、第2溝11を介して、第1SiGe膜2と第2SiGe膜9とを選択エッチングすることで、Si膜3の直下から側面にかけて空洞部12を形成する。このエッチング工程では、例えばフッ硝酸を用いることが好ましいが、この限りではない。
次に、図7(a)及び(b)に示す工程で、第2溝11を介して、第1SiGe膜2と第2SiGe膜9とを選択エッチングすることで、Si膜3の直下から側面にかけて空洞部12を形成する。このエッチング工程では、例えばフッ硝酸を用いることが好ましいが、この限りではない。
次に、図8(a)及び(b)に示す工程で、空洞部12に面するSi膜3とSi基板1とをそれぞれ熱酸化(以下、BOX酸化ともいう。)して、この空洞部12内に熱酸化膜(以下、BOX層ともいう。)13を形成する。この熱酸化膜13を形成する際、Si膜3及びSi基板1が酸化膜へと組成変化することで生じる体積膨張によって、Si膜(以下、SOI層ともいう。)3はその両端部から中心部に向かって押される。そのため、Si膜3は基板垂直方向に向かって凸状に反る。これにより、Si膜3に外側へ引っ張られる力(即ち、引っ張り応力)を与えることができる。また、このような引っ張り応力の付与により、Si膜3に歪を持たせて電子の移動度を向上させることができる。なお、図中では、Si膜3の酸化により生じた熱酸化膜13を13aとして、Si基板1の酸化により生じた熱酸化膜13を13bとして、それぞれ示してある。
以降の工程は、一般的なトランジスター等の製造工程に準ずる。図11(a)及び(b)に示すように、BOX層13を形成した後は、例えば、Si基板1の上方全面にSiO2層15を厚く形成して第2溝11を埋め込む。そのSiO2層15の形成は、例えばCVD法で行う。なお、BOX層13の形成工程で、空洞部が熱酸化膜13で完全に埋め込まれていない場合は、このCVD法によるSiO2層の形成工程で、空洞部の残りの部分がSiO2層15により埋め込まれる。
次に、図12(a)及び(b)に示すように、このSiO2層15を、例えばCMP処理を実施することで平坦化する。この平坦化の際、保護膜4として、SiN膜4bを形成していた場合には、これがCMP処理のストッパーとして機能する。次に、CMP処理により露出させたSiN膜4bを、例えば熱リン酸溶液等でウェットエッチングする。
これにより、図13(a)及び(b)に示すように、SOI層3上からSiN膜4bが完全に取り除かれて、素子領域のSi基板1上に、BOX層13及びSOI層3からなるSOI構造が完成する。素子領域以外のSi基板1上には、SiO2層15等が埋め込まれており、この部分が素子分離膜として機能する。その後、周知のCMOSプロセスを用いて、SOI層や、SOI構造が形成された領域以外の領域(即ち、バルク領域)のSi基板1に、MOSトランジスター等(図示せず)を形成する。
これにより、図13(a)及び(b)に示すように、SOI層3上からSiN膜4bが完全に取り除かれて、素子領域のSi基板1上に、BOX層13及びSOI層3からなるSOI構造が完成する。素子領域以外のSi基板1上には、SiO2層15等が埋め込まれており、この部分が素子分離膜として機能する。その後、周知のCMOSプロセスを用いて、SOI層や、SOI構造が形成された領域以外の領域(即ち、バルク領域)のSi基板1に、MOSトランジスター等(図示せず)を形成する。
このように、本発明の実施の形態よれば、Si膜3及びSi基板1を熱酸化して熱酸化膜13を形成する際に、Si膜3の両端の側面が空洞部12に面しているため、Si膜3及びSi基板1がそれぞれ酸化膜13へと組成変化することで生じる体積膨張によって、Si膜3はその両端部から中心部に向かって押される。これにより、Si膜3は断面視で凸状に反るので、Si膜3に外側へ引っ張られる力(即ち、引っ張り応力)を与えることができる。また、このような引っ張り応力の付与により、Si膜3に歪を持たせて電子の移動度を向上させることができる。
図13(a)及び(b)では、BOX層13が本発明の半導体装置における「絶縁膜」に対応し、SOI層3が「半導体膜」に対応し、第1SiO2膜7a、熱酸化膜13a及びSiO2層15が「素子分離膜」に対応している。また、これらの中で、第1SiO2膜7aが本発明の半導体装置における「第1絶縁膜」に対応し、SiO2層15が「第2絶縁膜」に対応し、熱酸化膜13aが「第3絶縁膜」に対応している。
なお、本発明では、Si膜3とSi基板1とを直接、熱酸化して熱酸化膜13を形成する場合について説明したが、この熱酸化の際、図9(a)及び(b)に示すように、空洞部14が形成される。この空洞部14に隙間を残しつつ第4半導体膜14aを形成し、これを熱酸化して熱酸化膜14bを形成しても良い。この第4半導体膜14aは、例えばアモルファスシリコンやポリシリコンであり、CVD法を用いて形成するのが好適である。この場合、図10(a)及び(b)に示すように、空洞部14内において第4半導体膜14aが熱酸化膜14bへと組成変化して膨張するので、空洞部14を介して対向する、Si膜3とSi基板1との密着性が高まると同時に、Si膜3を変形させる力も高まる。このため、空洞部14内に第4半導体膜14aを形成しなかった場合と比べて、効果的にSi膜3を凸状に反らせることができる。これにより、Si膜3に付与された引っ張り応力が更に高まるので、Si膜3における電子の移動度をより一層向上させることができる。
1 Si基板,2 第1SiGe膜,3 Si膜,4 保護膜,4a SiO2膜,4b SiN膜,5 第1溝,6 島状構造体,7 絶縁膜(SiO2),7a 第1SiO2膜,7b 第2SiO2膜,8 隙間,9 第2SiGe膜,10 支持体(SiO2),11 第2溝,12 空洞部,13 熱酸化膜(SiO2),13a Si膜3の酸化により形成される熱酸化膜,13b Si基板1の酸化により形成される熱酸化膜,14 隙間,14a 第4半導体膜(アモルファスシリコンまたはポリシリコン),14b 第4半導体膜の酸化により形成される熱酸化膜,15 SiO2層,d1 第1SiGe膜2の膜厚(隙間8の幅),d2 第2SiGe膜9の膜厚
Claims (7)
- 半導体基板上に第1半導体膜を形成する工程と、
前記第1半導体膜上に第2半導体膜を形成する工程と、
前記第2半導体膜及び前記第1半導体膜をエッチングして、前記第2半導体膜及び前記第1半導体膜を有する島状構造体を形成するとともに、前記島状構造体に隣接して、前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記第1溝の底面と、前記島状構造体の上面及び側面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜のうちの前記島状構造体の側面を覆う部分をエッチングして当該側面を露出させ、前記島状構造体の露出した側面と、前記絶縁膜のうちの前記第1溝の底面を覆う部分と、の間に隙間を形成する工程と、
前記隙間を埋め込むように第3半導体膜を形成する工程と、
前記第1溝内から前記島状構造体上にかけて支持体を形成する工程と、
前記支持体の下にある前記第1半導体膜及び前記第3半導体膜を露出させる第2溝を形成する工程と、
前記第2溝を介して、前記第1半導体膜及び前記第3半導体膜をエッチングして、前記第2半導体膜の直下から当該第2半導体膜の側面にかけて空洞部を形成する工程と、
前記空洞部に面する前記第2半導体膜と、前記半導体基板と、をそれぞれ熱酸化して、前記空洞部内に熱酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記隙間の幅を、前記第1半導体膜の膜厚の1/2以下とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を形成する工程では、エッチングレートの異なる2種類の絶縁膜のうち、エッチングレートの遅い絶縁膜を前記島状構造体の上面と、前記第1溝の底面と、に形成するとともに、エッチングレートの速い絶縁膜を前記島状構造体の側面に形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3半導体膜を、前記第1半導体膜と同一の種類の膜とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記空洞部を形成する工程と、前記熱酸化膜を形成する工程と、の間に、
前記空洞部内に第4半導体膜を形成する工程、をさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2半導体膜を形成する工程と、前記第1溝を形成する工程と、の間に、
前記第2半導体膜上に保護膜を形成する工程、をさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜を平面視で囲むように前記半導体基板上に形成された素子分離膜と、を備え、
前記素子分離膜は、
平面視で一の方向に向かって前記半導体膜の前後の側に配置された第1絶縁膜と、
前記一の方向と平面視で交わる他の方向に向かって前記半導体膜の前後の側に配置された第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜と前記半導体膜との間に介在する第3絶縁膜と、を含み、
前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜は、それぞれCVD法により形成された膜であり、
前記第3絶縁膜は、前記半導体膜の熱酸化により形成された熱酸化膜であることを特徴とする半導体装置。
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JP2009148368A JP2011009258A (ja) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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