JP2011009131A - 電子源電極の製造方法 - Google Patents

電子源電極の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011009131A
JP2011009131A JP2009153407A JP2009153407A JP2011009131A JP 2011009131 A JP2011009131 A JP 2011009131A JP 2009153407 A JP2009153407 A JP 2009153407A JP 2009153407 A JP2009153407 A JP 2009153407A JP 2011009131 A JP2011009131 A JP 2011009131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cnt
substrate
electron source
source electrode
membrane filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009153407A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5182237B2 (ja
Inventor
Makoto Doi
真 土居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Engineering Corp
Original Assignee
JFE Engineering Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JFE Engineering Corp filed Critical JFE Engineering Corp
Priority to JP2009153407A priority Critical patent/JP5182237B2/ja
Publication of JP2011009131A publication Critical patent/JP2011009131A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5182237B2 publication Critical patent/JP5182237B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】 CNTのロスがなく、エミッション特性に優れた電子源電極を効率よく製造できる方法を提供する。
【解決手段】 上記課題は、カーボンナノチューブを分散媒に分散させた分散液をメンブレンフィルターで濾過し、メンブレンフィルター上に堆積したカーボンナノチューブを基板に転写し、真空環境下で電子ビームを照射してカーボンナノチューブを基板上に固着し、次いで、カーボンナノチューブを起毛させることを特徴とする電子源電極の製造方法によって解決される。
【選択図】 図1

Description

本発明は、カーボンナノチューブを用いた電界放出型電子放出用電極の製造方法に関するものである。
カーボンナノチューブは、化学的気相成長法(CVD法)またはアーク放電法によって生成され、炭素原子が六角形状に規則正しく並んだシート(以下、グラフェンシートと称す。)が円筒形に丸まったものであり、特異な性質を有していることから新素材として注目されている。
なお、グラフェンシートの筒が一重のものを単層カーボンナノチューブと称し、その直径は1〜数nm、長さは1〜数μm程度である。一方、グラフェンシートの筒が同芯状に幾重も重なっているものを多層カーボンナノチューブと称し、その直径は数nm〜数十nmである。また、グラフェンシートが略円錐状に丸まったものをカーボンナノホーンと称し、単層または多層カーボンナノホーンがある。本発明においては、これらをカーボンナノチューブ(以下、CNTと称す。)と総称する。また、このCNT単体をCNT繊維、該CNT繊維が集合したものをCNT集合体と称す。
このCNTの先端部は非常に高い電界電子放出特性を有しており、蛍光表示管、X線管、フィールドエミッションディスプレイ(FED)等の電界放出型冷陰極用材料として、実用化が検討されている。
アーク放電法、CVD法等によりCNTはほとんどの場合単体で生成されるため、これを用いたCNT電極素子は、CNT繊維を導電性ペースト材料に混ぜて、陰極基板にスクリーン印刷等により成膜して製作する方法が一般的である。ペーストとしては、例えば、1〜33重量%のCNTとガラス粉末との混合物に分散剤とバインダー溶液としてエチルセルロースのテルビネオール溶液を加えて混練したものが用いられ、これを図8に示すように基板表面にスクリーン印刷し、大気中で焼成して、テープで起毛処理して製造している(特許文献1)。
特開2007−115675号公報
上記のペーストを使用する方法は、スクリーン上に多量のペーストが残るためCNTのロスが多く、また、CNTに対し3〜20倍量の樹脂を焼成によって除去する際に金属基板の酸化が起こり、CNTの燃焼や損傷劣化を引き起こす。このため、エミッション特性が悪く、不安定で放電しやすく、耐久性も充分でなかった。
本発明者は、上記課題を解決するべく鋭意検討の結果、CNT分散液を作成してこれをメンブレンフィルターで濾過することにより、CNTの高密度堆積成膜が得られることを見出した。そして、これを基板に転写し、真空環境下で電子ビーム照射してCNTを基板上に固着し、起毛処理して電子源電極を製造することができた。すなわち、本発明は、カーボンナノチューブを分散媒に分散させた分散液をメンブレンフィルターで濾過し、メンブレンフィルター上に堆積したカーボンナノチューブを基板に転写し、真空環境下で電子ビームを照射してカーボンナノチューブを基板上に固着し、次いで、カーボンナノチューブを起毛させることを特徴とする電子源電極の製造方法を提供するものである。
本発明により、原料CNTをほぼ100%成膜して転写するためCNTのロスがない。樹脂等の含有不純物を酸素環境下で加熱し、燃焼させる必要がなく、CNT損傷がなく、エミッション特性にすぐれ耐久性も良好な電子源電極が得られる。
CNT分散液をメンブレンフィルターで濾過している状態を示す図である。 メンブレンフィルター上に堆積したCNTを基板に転写している状態を示す工程図である。 基板に転写されたCNTに電子ビームを照射して固着している状態を示す図である。 基板上に固着したCNTにYAGレーザを照射して起毛したCNT電極のSEM写真とエミッション電界電流密度特性を示すグラフである。 上記CNT電極のエミッション分布を示す図である。 基板上に固着したCNTをテープで起毛したCNT電極のSEM写真とエミッション電界電流密度特性を示すグラフである。 上記CNT電極のエミッション分布を示す図である。 従来のペーストでCNTを固着する方法を模式的に示す図である。
本発明に用いるカーボンナノチューブ(CNT)は、単層、二層、多層等の種類やCVD法やアーク法などの製法を問わないが、低エミッション電圧、高許容電流密度等の電子放出特性に優れたものが適している。一般的にCNTは直径が小さい(単層)ほど低エミッション電圧であり、層数が多くかつ結晶性が高いほど許容電流密度が高く耐久性に優れている。従来のアーク放電法で得られるCNTの純度は、一般に70重量%であるが、本発明では80重量%以上、好ましくは90重量%以上のものが好ましい。この純度は、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察することにより測定したものであり、アモルファスカーボン等の不純物を含むCNT集合体におけるCNTの占める割合を意味する。このようなCNTは、例えば、特開2004−292184号公報に開示されているテープ状のCNTの製造方法で得ることができる。
CNTを分散するための分散媒は有機溶媒でよく、例えば、メタノール、イソプロパノール等の低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン、ジメチルホルムアミド、エーテル、クロロホルム等の塩化炭化水素等から幅広く選択することができる。分散濃度は、CNTの分散性によるが、分散媒40mlに対し、CNTを0.1〜3mg程度でよい。
分散は、例えば超音波発振器や振動装置などを用いて、数分から数十分超音波を照射することによって行うことができる。
この分散液をメンブレンフィルターで濾過する。メンブレンフィルターの材質は、使用溶媒に対する耐性に優れ、CNTの剥離性が良好なものが良く、ポリカーボネート(PC)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE、一般名テフロン)、ポリプロピレン(PP)等のものが適当である。フィルターの孔径(ポアサイズ)は、CNT種や分散状態にもよるが、0.1〜5μm程度である。この方式の利点は、通常のろ過堆積とは異なり、高速堆積させるため再凝集しやすいCNT分散液に対し、非常に高分散したCNTをしかも均一に堆積成膜させることが出来ることにある。
この際、CNTよりも小さなアモルファスカーボン、ナノ粒子などの不純物を同時にろ過精製することも可能である。また、予めCNTが通過する孔径5〜10μmのフィルターを大きいほうから順次ろ過することにより、大径の不純物をろ過精製することもできる。濾過器には、一般的な減圧濾過器を使用することができる。
図1に示す減圧濾過器を簡単に説明すると、メンブレンフィルター下のフラスコ内を真空ポンプとともに減圧と同時あるいは前後してフィルター上の容器へCNT分散液を投入する。フィルター下部は減圧状態であるため、溶媒は一気に下部へ吸引され、数秒から数十秒以内にすばやくCNTはフィルター上に堆積する。
CNTの堆積状態は膜厚0.05〜3μmで重量密度0.1〜3μg/mm2のものである。この堆積CNT膜を基板へ転写するフローを図2に示す。
CNTが堆積したフィルターを電子源用の金属基板にのせ、メタノールなどの揮発性溶媒をCNTに浸透させた状態で、0.5〜20kg/cm2程度の圧力で加圧すると、溶媒が蒸発するに従い基板側へCNT膜が転写される。これは、メンブレンフィルターと基板表面とのCNTに対する密着性の差によって生じるものと考えられる。CNT堆積形状を基板形状に合わせることにより、使用したCNTを100%基板に成膜させることが出来る。
基板は導電性のものである。これは、ステンレス鋼やFe−Ni系合金等のNi合金、Al、Cu、W、Ti、Co、Cr、Mo、Nb、Mn、Si等の金属およびその合金製のもののほか、ガラスやセラミック等の表面に金属や導電性半導体を蒸着等により被着させたもの等がある。半導体の例としては、導電性の良好なITO(錫ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO2、TiO2などのn型酸化物半導体等を挙げることができる。基板の形状や大きさは基板の用途等に応じて定まるが、通常は、基本形状が円形、4角形、長方形等の板状、等である。
CNT膜を付着させる面は鏡面加工あるいは脱脂処理、酸化膜除去たとえば熱処理イオンボンバート等の前処理を施すことができる。
CNTが転写された基板は、このままの状態ではCNTと基板の接合性は弱く固着処理が必要である。スクリーン印刷による一般的なCNT電子源製造方法(特開2007−115675号、特開2008−176968号、特開2008−243789号など)では、CNTペーストに低融点ガラスの微粒子を予め混入し印刷成膜後、大気あるいは窒素雰囲気中で350〜500℃焼成処理時にガラスを溶融させ固着させる方法が知られている。この方法はペースト中の多量バインダー樹脂(CNT重量比20〜70倍)除去のため大気中あるいは酸化雰囲気中での焼成が必要であり、酸化する金属基板に適用することはできず、ガラス基板専用の方法である。本方法でも低融点ガラス微粒子を用いることも出来るが、不導体のものによる固着は、CNTの電子放出性を損ない、チャージアップによる放電発生等の損傷要因ともなり好ましくない。
そこで、本発明では、基板上に転写されたCNTに、真空環境下で電子ビームを照射してCNTを基板に固着させる方法をとる。
100%CNT(ナノカーボン、アモルファスカーボン等のカーボン不純物を含む)膜と金属基板を固着させる方法として、CNTを電子源とした電子ビームを真空中でCNT成膜面に照射する方法を用いたのである。この方法では図3に示すように真空中でCNTが成膜された基板に5〜20keVのエネルギーを持った電子ビームを照射すると電子ビームはCNT膜を透過し、基板表面に到達する。凡そ数μm厚さのCNT膜は10keV程度の電子ビームは透過し、金属とCNT膜を反応させ固着することができる。この固着機構は明らかではないが、CNT及び金属は変質損傷していないため、金属中の酸素、水素、炭酸ガス、水等の含有物と低エネルギーの2次電子が電子ビーム照射により放出され、CNTに付着しているカーボン系不純物と反応、変質、成膜することにより基板と固着していると考えられる。また、基板とだけでなくCNT同士も固着されており、電子ビームのエネルギーを変化させることにより、電子ビームの透過距離を変えCNT膜厚に対し基板からどの程度の厚さまでを固着させるかを制御することができる。
電子ビーム照射により基板表面とその近傍のCNTが固着されたCNT膜はレーザ照射、プラズマによる表面処理、粘着テープ起毛等の方法で電子放出するための起毛処理が施される。YAGレーザによる起毛処理は、パルス幅10ns前後、波長532nmのパルスYAGレーザをスポットあるいはライン上に集光し、CNT膜表面にエネルギー密度50〜500mJ/cm2の範囲で全面に照射する。
照射回数は1〜数回程度で全体が起毛した状態となる。このレーザ照射処理は極表層部に作用するため、前記固定処理工程と本工程の順序を逆にすることも可能である。レーザ照射による起毛処理の詳細は特開2005−166432号公報に開示されている。
また、粘着テープによる起毛法は、CNT表面に緻密で適度な粘着性を持ち、粘着剤がテープから剥離しにくいテープをCNT表面に隙間無く貼り付け、一定の角度と速度でテープを引き剥がす。引き剥がす際に基板側に固着していないCNT部分はテープと共に引き剥がされ、基板に固着しているCNT領域と固着していない領域の境界部が剥離し、基板側のCNT膜が起毛する。
特開2004−292184号公報の実施例1に記載されているテープ状CNTを用いた。このテープ状CNTは大気中アーク放電法で製造された高結晶、高純度の直径Φ10nm程度の多層CNTであり、単層CNTの低エミッション電圧と多層で高結晶性のCNTの許容電流密度の高さと耐久性の両者の特性を備えたものである。
このCNT0.5mgをメタノール40mlに加え、60分間超音波を照射して充分に分散させた。
このCNT分散液を図1に示す減圧濾過器で濾過した。メンブレンフィルターには、孔径が3μmのPTFEを用いた。濾過は5秒以内に終了し、メンブレンフィルター上に膜厚0.6μmで重量密度0.6μg/mm2の堆積CNT膜が形成された。
この堆積CNT膜を直径4mmのステンレスの基板上にのせ、8kg/cm2で加圧して、図2に示すようにして転写した。
続いて、真空中で10keVの電子線を照射してCNTを基板上に固着させ、レーザ照射法を用いて基板上に固着したCNT膜を起毛処理した。
レーザ照射は、パルス幅10ns前後、波長532nmのパルスYAGレーザを使用し、CNT膜表面にエネルギー密度220mJ/cm2で1回全面に行なった。
以上の方法で製造したCNT電極表面のSEM写真及びエミッション電界電流密度特性とそのエミッション分布を測定した結果を図4、5に示す。SEM写真ではCNTが起毛した状態で基板に固着しており、電界電流密度特性ではエミッションの閾値電界が1.1V/μmと非常に低く、またその均一性も高いことが分かる。
上記実施例1において基板上に固着したCNT膜を、粘着テープ起毛法を用いて起毛処理した。
粘着テープ起毛では、剥離強さ3N/cmのテープをCNT膜に貼り、165°の角度を保ちながら200mm/分で引き剥がして行った。
以上の方法で製造したCNT電極の表面SEM写真及びエミッション特性とエミッション分布を測定した結果を図6、7に示す。基板にCNTが非常に薄く固着しており、エミッションの閾値電界は実施例1のレーザ処照射法の場合に比べてやや高いがより均一性に優れた電極が得られることが分かる。
本発明により、エミッション特性にすぐれた電子源電極を効率よく製作できるので、種々の電気機器、電子装置に幅広く利用できる。

Claims (1)

  1. カーボンナノチューブを分散媒に分散させた分散液をメンブレンフィルターで濾過し、メンブレンフィルター上に堆積したカーボンナノチューブを基板に転写し、真空環境下で電子ビームを照射してカーボンナノチューブを基板上に固着し、次いで、カーボンナノチューブを起毛させることを特徴とする電子源電極の製造方法。
JP2009153407A 2009-06-29 2009-06-29 電子源電極の製造方法 Active JP5182237B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009153407A JP5182237B2 (ja) 2009-06-29 2009-06-29 電子源電極の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009153407A JP5182237B2 (ja) 2009-06-29 2009-06-29 電子源電極の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011009131A true JP2011009131A (ja) 2011-01-13
JP5182237B2 JP5182237B2 (ja) 2013-04-17

Family

ID=43565544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009153407A Active JP5182237B2 (ja) 2009-06-29 2009-06-29 電子源電極の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5182237B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101323306B1 (ko) * 2012-02-15 2013-10-29 고려대학교 산학협력단 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조 방법
KR101458267B1 (ko) * 2012-02-28 2014-11-07 세종대학교산학협력단 전계방출용 에미터, 그 제조방법 및 이를 이용한 전계방출장치
KR101491206B1 (ko) * 2012-02-29 2015-02-06 세종대학교산학협력단 전계방출용 에미터 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 전계방출장치
CN114171359A (zh) * 2021-12-06 2022-03-11 国家纳米科学中心 一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法
CN114599605A (zh) * 2019-10-26 2022-06-07 国立大学法人山形大学 碳质结构体的形成方法及具有碳质结构体的基体

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002157953A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Nec Corp エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置
JP2002234000A (ja) * 2000-12-01 2002-08-20 Nec Corp カーボンナノチューブのパターン形成方法
JP2005100885A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Shimadzu Corp 電界放射電子源およびこれを用いた顕微鏡
JP2007257950A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Jfe Engineering Kk カーボンナノチューブの固着方法
WO2008084788A1 (ja) * 2007-01-09 2008-07-17 Osaka Industrial Promotion Organization カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ集合体の改質方法
JP2009104928A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Jfe Engineering Corp カーボンナノチューブの起毛方法
JP2011505312A (ja) * 2007-10-30 2011-02-24 カナトゥ オイ 堆積物および堆積物を含む電子デバイス

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002157953A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Nec Corp エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置
JP2002234000A (ja) * 2000-12-01 2002-08-20 Nec Corp カーボンナノチューブのパターン形成方法
JP2005100885A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Shimadzu Corp 電界放射電子源およびこれを用いた顕微鏡
JP2007257950A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Jfe Engineering Kk カーボンナノチューブの固着方法
WO2008084788A1 (ja) * 2007-01-09 2008-07-17 Osaka Industrial Promotion Organization カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ集合体の改質方法
JP2009104928A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Jfe Engineering Corp カーボンナノチューブの起毛方法
JP2011505312A (ja) * 2007-10-30 2011-02-24 カナトゥ オイ 堆積物および堆積物を含む電子デバイス

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101323306B1 (ko) * 2012-02-15 2013-10-29 고려대학교 산학협력단 탄소나노튜브 전계 방출원의 제조 방법
KR101458267B1 (ko) * 2012-02-28 2014-11-07 세종대학교산학협력단 전계방출용 에미터, 그 제조방법 및 이를 이용한 전계방출장치
KR101491206B1 (ko) * 2012-02-29 2015-02-06 세종대학교산학협력단 전계방출용 에미터 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 전계방출장치
CN114599605A (zh) * 2019-10-26 2022-06-07 国立大学法人山形大学 碳质结构体的形成方法及具有碳质结构体的基体
KR20220087505A (ko) 2019-10-26 2022-06-24 국립대학법인 야마가타대학 탄소질 구조체의 형성 방법 및 탄소질 구조체를 가지는 기체
CN114171359A (zh) * 2021-12-06 2022-03-11 国家纳米科学中心 一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法
CN114171359B (zh) * 2021-12-06 2023-06-23 国家纳米科学中心 一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5182237B2 (ja) 2013-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100482241B1 (ko) 카본 나노튜브 및 그 제조 방법, 전자원 및 그 제조 방법및 표시 장치
EP1245704B1 (en) Uses of carbon fibers
KR100615103B1 (ko) 나노튜브, 상기 나노튜브를 구비한 전계 방출 음극과 음극선관 및 이들을 형성하기 위한 방법
JP3740295B2 (ja) カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
JP2008255003A (ja) カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子
JP2006513048A (ja) ナノ構造を含む材料を集めるおよび分類する方法および関連する物品
JP5182237B2 (ja) 電子源電極の製造方法
Kaur et al. Metal foam-carbon nanotube-reduced graphene oxide hierarchical structures for efficient field emission
Kurilich et al. Comparative study of electron field emission from randomly-oriented and vertically-aligned carbon nanotubes synthesized on stainless steel substrates
JP2010192245A (ja) エミッタの製造方法、エミッタ、電界放出発光素子の製造方法、電界放出発光素子及び照明装置
JP3897794B2 (ja) 電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法
JP4915309B2 (ja) 電子放出素子とその作製方法及びそれを装着した装置
JP3734400B2 (ja) 電子放出素子
JP5213099B2 (ja) カーボンファイバーシート上のカーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブエミッター
TWI309428B (en) Emission source having carbon nanotube
JP3912276B2 (ja) カーボンナノチューブのテープ状集合体およびこれを設置したカーボンナノチューブ設置装置
JP3912273B2 (ja) カーボンナノチューブのテープ状集合体およびこれを設置したカーボンナノチューブ設置装置
JP2011181351A (ja) 電子放出素子および電子放出素子のカソード電極の製造方法
JP3912274B2 (ja) カーボンナノチューブのテープ状集合体およびこれを設置したカーボンナノチューブ設置装置
JP2004115959A (ja) カーボンファイバーの製造方法及びそれを使用した電子放出素子の製造方法、ディスプレイの製造方法、これら製造方法に用いる触媒製造用インク
JP2009104928A (ja) カーボンナノチューブの起毛方法
JP5099331B2 (ja) ナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子
JP5376197B2 (ja) ナノ炭素材料複合体の製造方法
Wang et al. Room-temperature synthesis and characterisation of ion-induced iron-carbon nanocomposite fibres
JP3912275B2 (ja) カーボンナノチューブのテープ状集合体およびこれを設置したカーボンナノチューブ設置装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110804

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120711

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121003

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121218

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121231

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5182237

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350