JP2011001582A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理装置1は、処理対象物である基板15を保持するサセプタ3と、基板15の一方の主表面上に第1のガスを供給する供給部材9と、当該基板15の上記一方の主表面と対向する領域から第2のガスを供給するバッファ室100と、バッファ室100から、サセプタ3が配置されるリアクタ室200へ第2のガスを供給する境界部50とを、処理容器の内部に備えており、境界部50は均一な多孔質材料で形成される。
【選択図】図1
Description
ニッケルは有機金属ガスに接触すると腐食する。このため、ニッケルからなる金属多孔質体を用いて上述した第2のガスとして有機金属ガスを噴射する場合は、ニッケルからなる金属多孔質体の表面を銀で覆うことが好ましい。このようにすれば、銀で覆われた表面は有機金属ガスにより酸化されないため、上記の腐食を抑制することができる。なおここで、金属多孔質体の表面を銀で覆う処理は、たとえば蒸着やめっき処理を用いることにより行なうことが好ましい。
図1に示す、本実施の形態1に係る処理装置1は、処理対象物である基板(半導体基板)の一方の主表面上に、所望の材質からなる薄膜を形成するための装置である。処理装置1を形成する処理容器は、第2のガスを受け入れ、拡散させるためのバッファ室100と、基板が配置され、基板の主表面上に成膜を行なうリアクタ室200とから構成される。バッファ室100とリアクタ室200との境界部50は、バッファ室100に供給された上記第2のガスを、リアクタ室200の内部に供給するために配置された領域である。
図3に示す、本実施の形態2に係る処理装置2は、上述した処理装置1と基本的に同様の態様を備えている。しかし処理装置2は、バッファ室がバッファ室100A、100B、100Cの3つの領域に分かれている。これに伴い、ガス導入口もガス導入口10A、10B、10Cの3つの領域に分かれており、境界部50も境界部50A、50B、50Cの3つの領域に分かれている。以上の点についてのみ、処理装置2は処理装置1と異なる。
Claims (6)
- 処理対象物を保持するサセプタと、
前記処理対象物の一方の主表面上に第1のガスを供給する供給部材と、
前記処理対象物の前記一方の主表面と対向する領域から第2のガスを供給するバッファ室と、
前記バッファ室から、前記サセプタが配置されるリアクタ室へ前記第2のガスを供給する境界部とを、処理容器の内部に備えており、
前記境界部は均一な多孔質材料で形成される、半導体製造装置。 - 前記多孔質材料はニッケルからなる金属多孔質体である、請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記金属多孔質体の表面上に銀の薄膜が配置されている、請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記供給部材は、前記リアクタ室の内部のうち、前記第1のガスを、前記処理対象物の前記一方の主表面に沿った方向に流通可能とする位置に配置され、
前記境界部の主表面は、前記一方の主表面に対向するように配置される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記バッファ室の圧力が、前記リアクタ室の圧力よりも大きい、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記バッファ室が複数の領域に分割されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
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