JP2010534178A - ガラス機能を有する基材の表面にテクスチャを形成する方法およびテクスチャが形成された表面を有するガラス製品 - Google Patents

Abstract

表面テクスチャ形成方法、すなわち、ガラス機能を有する基材の少なくとも１つの表面部分上に特徴的寸法を有する形状の少なくとも１種のアレイの形成のための方法において、堆積されるための材料の少なくとも１種の前駆物質を含む溶液は、大気圧で、フレーム（flame）の中で、解離され、材料に基づく複数の小塊の形態で、マスクを堆積させるためにフレームが表面部分に向けられ、材料のマスクがエッチングステップを受けることを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、表面のテクスチャ形成の分野に関し、とくに、ガラス製品の表面にテクスチャを形成する方法、テクスチャが形成されたガラス製品およびその使用を意図している。

多くの技術分野で適用可能であるので、材料のテクスチャ形成は、かなり関心が持たれている。

幾何学的形状のアレイを作り出すことによって、組成および体積特性を変えることなく、今までになく新しい機能を材料に与えることができる。

たとえば、ミリメートルサイズの形状の場合、もしくは、さらにサイズが１０分の１ミリメートルオーダーの場合に、とくにラミネート技法、レーザーエッチング技法もしくは化学エッチング技法によって、周期的に複製される形状を描くことが、ガラス製品に（ガラス基材の直接上に、もしくはコーティングの上に）すでに使用されてきている。

より小さな特徴的な寸法の形状の場合、とくにミクロンもしくはサブミクロンのサイズの幅もしくは周期を有する場合、テクスチャ形成技法は、非常に多くの場合、リソグラフ技法（光学的リソグラフィもしくは電気的リソグラフィなど）であり、それは、集積光学構成部品を作製するために、マイクロエレクトロニクスで使用される。

しかし、これらの技法は、以下の理由のうちの１つもしくは２つ以上のために、バルクガラス製品を製造するためのプロセスでは、不適当である。
− それらの高いコスト。
− それらの遅さ（スキャンする動き）およびそれらの複雑さ（いくつものステップを含む）。
− 形状のサイズが制限される（波長により）。
− 形成できる表面のサイズが小さい。

より最近、通常、エンボス加工と呼ばれる別の技法が使用されてきており、周期的複製されるべき基本形状を、型から、ガラス基材に積層された柔らかいコーティングに移す。

複製すべき形状を有する平らなプレス金型を下降させることによって、このコーティングにテクスチャが形成され、これらは、紫外線もしくは熱で、一般に「凍結」される。

一般に、柔らかいコーティングは、無機前駆物質からゾルゲルプロセスで形成されたコーティングである。

電子通信分野のための構成部品を製造するために、もしくは全く別の分野で、この方法は使用され、ガラスは親水性コーティングを有する。たとえば、仏国特許出願公開第２７９２６２８号明細書は、型に入れて、レリーフ（突出部、クレーターもしくはしわ）を有する疎水性ゾルゲル製品を作ることによって得られた疎水性ガラスを教示する。

リソグラフィプロセスに比べて、この技法の有利な点は数多くある。

コストの点では、同じプレス金型をたくさんの回数再使用することができ、単一のパターンから始めて、非常の多くの複製を生じさせる。

生産率の点では、形状を現すために複数のステップを必要とする他のリソグラフィ技法と異なり、これは、単一のステップのプロセスである。

形状のサイズの点では、波長に制限される光学リソグラフィと異なり、プレス金型上の形状のサイズが、所望の形状のサイズを制限する主要パラメーターである。さらに、エンボス加工技法を使用して、１ミクロン未満のサイズを有する形状、および１よりも大きな、形状の最大のサイズに対する最大の深さの比率として規定されるアスペクト比を得ることはとても難しい。

平らなプレス金型を使用したエンボス加工のこの知られた技法は、効率（製造時間、操作数の制限）の点でさらに満足がいかず、その実施は、たとえば、ガラス表面などの、大きく、堅く、もろい表面の場合、満足がいかない。

また、金属の小塊から形成されたマスクを使用するプロセスによってガラス機能を有する基材にナノテクスチャを形成する方法が、国際公開第０２／０２４７２号パンフレットから知られており、そのマスクの周囲では、フッ素化プラズマプロセスにより基材がエッチングされる。

このナノテクスチャ形成プロセスの主な欠点は、単一の形状の寸法、規模を得ることができるという事実にある。すなわち、特定の大きさのみを有する小塊でテクスチャが作製される。これらの小塊の特徴的サイズは表面全体にわたって同じであり、それゆえ、複数の規模のテクスチャを描かない。

さらに、このプロセスの実施には、連続分離ステップ、真空蒸着およびエッチングの交互のステップが含まれ、それらのステップの間で、大気圧での加熱および清浄ステップが実施される。異なる圧力（真空および大気圧下）でのこの連続ステップは、本質的に費用がかかり、工業規模の製造、すなわち大きな基材での製造を簡単にしない。

このように、本発明の主題は、テクスチャが形成されたガラス機能を有する基材を製造するための効果的なプロセスであり、前記プロセスは、低コスト、および／または簡易な設計、および／または形状の任意の領域サイズおよびサイズの適合といった産業上の制限に適合する。

また、このプロセスの目的は、利用できる、とくに新しい機能および／または用途の新しい幾何学的デザインを得るために、テクスチャが形成されたガラス機能を有する基材の範囲を広げることである。

この目的のために、本発明は、表面テクスチャ形成方法、すなわち、ガラス機能を有する基材の少なくとも１つの表面部分上に特徴的寸法を有する形状の少なくとも１種のアレイの形成のための方法において、堆積されるための材料の少なくとも１種の前駆物質を含む溶液は、大気圧で、フレーム（flame）の中で、解離され、前記材料に基づく複数の小塊の形態で、マスクを堆積させるために前記フレームが前記表面部分に向けられ、前記材料の前記マスクがエッチングステップを受けることを特徴とするテクスチャ形成方法を提供する。

本発明の好ましい態様では、以下の配列の１つもしくは２つ以上を任意選択的に提供することができる、
− 前記エッチングステップが大気圧プラズマによって支援される、
− 前記エッチングステップが真空プラズマによって支援される、
− 前記基材の前記表面部分が３５０℃より低い、好ましくは３００℃よりも低い適度な温度で予熱される、
− 前記材料の前記前駆物質が霧状の形態でフレームの中に注入される、
− 前記材料の前記マスクが、第２の材料に基づく少なくとも１種のコーティングで被覆された基材の表面部分の上に堆積される、
− 前記材料の前記マスクが、裸基材の表面部分の上に堆積される。
− 前記基材と前記フレームとの間に相対的移動が設けられている、および
− 前記移動が、再現性を保証するために一定速度であり得るか、または、様々な構造化を得るために調整される可変速度を有し得る。

本発明は、限定されない実施例と図とによって、今、より詳細に記載される。
図１は、Ｃ−ＣＶＤ技法によって堆積された銀の小塊（module）でコーティングされた基材のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図２は、Ｃ−ＣＶＤ技法によって堆積された銀の小塊でコーティングされた基材のＳＥＭ顕微鏡写真であり、前記基材は機能化ステップを受けている。 図３は、基材のＳＥＭ顕微鏡写真であり、図２の基材と同様であるが、その基材では、堆積および機能化ステップが真空下で実施された。

本発明によるテクスチャ形成プロセスは容易にオートメーション化することができ、ほかの基材変換ステップと組み合わせることができる。また、本プロセスは、製造ラインを単純化する。

本発明は、大量の、および／または大きなスケールの基材、とくに、エレクトロニクス用または建築もしくは自動車産業用のガラス製品、とくに板ガラス（glazing）の製造に好適である。

もちろん、製造パラメーター（基材温度、基材／フレーム（flame）距離、通過速度、前駆物質の性質、前駆物質の濃度）は、ガラス機能を有する基材の性質にしたがって、そして、プロセスの熱的および化学的応力に耐える基材の能力により特別にしたがって、形状の所望のアスペクト比にしたがって、および／または形状の所望の密度にしたがって、調整される。

発明のコンテクスト内で、「ガラス機能を有する基材」の表現は、無機物のガラス（ソーダ−石灰−シリカガラス、ホウケイ酸ガラス、ガラス−セラミックなど）および有機ガラス（ポリウレタンもしくはポリカーボネートなどの熱可塑性ポリマー）の両方を意味すると理解される。

ガラス機能を有する基材は透明であり、少なくとも７０〜７５％の全光透過をとくに有する。

また、ガラス機能を有する基材は着色ガラス、もしくは吸収性のあるガラスでもよい。

ガラス機能を有する基材の組成に関連して、用途で使用するスペクトルの部分で、一般に３８０から１２００ｎｍの範囲のスペクトルで、０．０１ｍｍ^-1未満の線形吸収を有する基材を使用するのが好ましい。また、極めて透明な基材、すなわち、３８０から１２００ｎｍの範囲の波長を有するスペクトルで０．００８ｍｍ^-1の線形吸収を有する基材を使用することが可能である。たとえば、サン−ゴバンガラスによって販売されているDiamant（登録商標）ブランドのガラスを選択してもよい。

ガラス機能を有する基材は、モノシリック、積層もしくは異相構造の基材でもよい。テクスチャを形成した後、その製品は、また、様々なガラス変換作業、すなわち、強化、成形、積層化などを受けるようにしてもよい。

本基材は薄くてもよく、たとえば、無機物のガラスの場合、０．１ｍｍほどの、もしくは、有機ガラスの場合、およそ１ｍｍの薄さでもよく、またはより厚くてもよく、たとえば、数ｍｍもしくは数ｃｍ以上の厚さを有してもよい。

本発明によるそのテクスチャ形成前に、テクスチャ形成プロセスを受ける予定の表面は平滑である必要はなく、テクスチャ形成された形状を有していてもよく、または、少なくとも１種のコーティングですでに被覆されていてもよい。制限されない実施例に示すように、これは、シリカのコーティング、チタンのコーティング、任意選択的にドープされた酸化スズ、酸化亜鉛（ドープされたか、もしくはされないかのどちらか）、酸化窒化物もしくは酸化炭化物（SiCO、SiONなど）のコーティング、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）類のコーティングなどでもよい。

このコーティングが、ガラス基材上で多層の積層の一部を形成してもよい。

このコーティングは、無機物、有機、とくにポリマーもしくはハイブリッドのコーティングでもよく、金属もしくは酸化物の粒子で充填されている。また、このコーティングはガラスの性質を有していてもよく、好ましくは透明であり、稠密であっても（メソ（meso））多孔質であってもよい。

フレーム（flame）内における材料の前駆物質の解離により生じた小塊（module）の個々のマスクが、それらのサイズ（幅および高さの両方）および／またはそれらの方向、および／またはそれらの距離が異なる形状を有するそれぞれの領域を有するようにしてもよい。

好ましくは、熱効果の下でデウェッティング（dewetting）の性質を示す材料からマスクの材料は選択される。ある程度まで、マスクを構成する材料は、ガラス機能を有する基材を形成する材料との親和性を有さないような表面エネルギーを有する。このように、それは、金属自体もしくは合金として使用される、たとえば、銀、金、もしくはニッケルなどの金属、または無機材料、または有機材料、またはハイブリッド材料、または金属酸化物でもよい。

好ましくは、マスクの材料は、選択されたエッチング条件下、ガラスのエッチング速度と異なる、好ましくはより低いエッチング速度を有する材料から選択される。もし、マスクの材料のエッチング速度がガラスのエッチング速度に比べて高い場合、その材料が、ガラスタイプの基材のエッチングの終わりまで適切に残るように、マスク厚みを選択することがさらに必要となる。

意図されたテクスチャ形成したがって、このプロセスは、必ずしも完全な幾何学形状にする必要がない。とくに、鋭角を有する形状もしくは丸みを帯びた角を有する形状を、必要な性能を損なうことなく作り出すことができる。

本発明によるテクスチャ形成プロセスは、また、許容できるテクスチャ形成の欠陥で、すなわち、所望の性能を減じない欠陥で、さらにより広い表面上にさらにより小さい特徴的な形状の大きさを達成することを可能にする。

本製造プロセスは、もろい材料のテクスチャ形成を可能とし、大きなガラス基材に新しい形状を引き起こす。

一つの有利な態様では、形状の特徴的な寸法、とくにその幅は、１ｍｍ未満であり、好ましくは１００ミクロン未満であり、さらにより好ましくは５００ｎｍ未満である。

０．１ｍ²以上の、好ましくは０．５ｍ²以上の、さらにより好ましくは５ｍ²以上の領域を有するガラス機能を有する基材の、曲がっているか、平らであるかのどちらかの表面部分上で、大気プラズマ支援エッチングプロセスが使用される場合、好都合なことに、テクスチャ形成を連続的に実施してもよい。とくに、製造物の幅は１ｍ以上であってもよい。

しかし、真空プラズマ支援エッチングの場合、プロセスに中断が存在することになるであろう。

ガラス機能を有する基材（すなわち、「裸（bare）」基材）の上に直接、もしくは基材と結合した表面コーティングの上に（したがって、このコーティングにテクスチャが形成される）、テクスチャ形成を実施してもよい。

コーティングの厚みは、好都合なことに、その形状の最大深さ以上である。さらに本発明の構成では、ガラス機能を有する基材は、本質的に堅いままである。

局所加熱によって、とくに１つもしくは２つ以上のレーザー、またはプラズマトーチを使用して、ガラス機能を有する基材の表面部分を変形させるようにしてもよい。この基材は無機物もしくは有機物であり、たとえば、ＰＭＭＡもしくはＰＣ（ポリカーボネート）で作製される。

ガラス要素および／または製品、とくに、無機物ガラスを製造するためのラインに、本発明によるプロセスを一体化してもよい。たとえば、フロートラインもしくは水平延伸ラインの下流に、またはカソードスパッタリング堆積ライン（マグネトロンライン）の下流に、または続く操作の中に、それを設けるようにしてもよい。

マスクが堆積された後に形状を形成するために、エッチングマスクを形成する材料で被覆されたガラスタイプの基材は、任意のエッチングプロセスによる、好ましくは乾式（とくに、大気圧もしくは真空のプラズマ支援、）エッチング技法によるエッチングステップを受ける。

このエッチングから生じた形状は、くぼみの形状および／または浮き出しの形状でもよく、伸長しており、とくに、相互に平行および／または一定の間隔（波形、ジグザクなど）でもよい。この形状は、さらに傾斜していてもよい。

テクスチャ形成により、たとえば、突出部、とくにプリズム状の突出部のアレイおよび／または伸長した形状、とくに長方形の、三角形の、台形の、円形の、もしくは不規則な断面のアレイが形成される。

テクスチャは、周期的でも、擬似周期的でも、準周期的でも、ランダムでもよい。

テクスチャを表面に数回、好ましくは連続的に形成してもよく、形状自体にテクスチャを形成することができる。

たとえば、もし、目的が超疎水性表面を作り出すことである場合、疎水性（ロータス（Lotus）効果）を高めるために、円錐もしくは多角形断面の主要な形状に、円錐もしくは多角形のサブの形状によるテクスチャを形成してもよい。

ガラス機能を有する前記基材の２つの主要表面に同じ形状もしくは異なる形状のテクスチャを、同時にもしくは連続して形成してもよい。

また、本プロセスは、堆積したコーティングを機能化させるために、テクスチャ形成された表面上にコーティングを堆積させるステップを含む。前記堆積ステップの後、この新しいテクスチャ形成されたコーティングは、第２のテクスチャ形成ステップを受けるようにしてもよく、その結果、新しく機能化される。

変形として、テクスチャが形成された表面上のこのコーティングの堆積を、複数の重ねられた層の堆積から構成することができ、その堆積の層のうちの少なくとも一層にテクスチャが形成され、このようにして機能化された多層積層のガラス基材を有する基材が与えられる。

また、本発明は、上述されたプロセスによって得ることができる、ガラス機能を有する基材をカバーする。

ガラス機能を有するこの基材は、上で述べた有利な点を全て有する（低生産コスト、形状の均一性など）。

特徴的な寸法の少なくとも１つ、とくに形状の幅は、好ましくは１ｍｍ未満であり、より好ましくは１００μｍ未満であり、さらに好ましくは５００ｎｍ未満であり、そのアレイは、好ましくは０．１ｍ²を超える領域にわたって広がっており、より好ましくは０．５ｍ²以上にわたって広がっている。

テクスチャが形成されたガラス製品は、エレクトロニクスまたは建築もしくは自動車の用途を意図してもよい。とくに、製品、とくに、（反射偏光器および透明電極を有する）平面スクリーン用の板ガラス製品、建築もしくは自動車用の製品、照明用の製品（ライトガイド）、および改質された濡れ性を有する製品（超疎水性および超親水性の製品）について言うことができる。

アレイは３Ｄアレイでもよいし、とりわけ２Ｄアレイでもよく、形状の特徴的な寸法の１つは、表面の選択された方向で、ほとんど一定でもよい。

また、平らの表面に対して反対側の表面にテクスチャを形成し、および／または機能性コーティングで被覆してもよい。コメント：フロートガラスの場合、大気側もしくはスズ側にテクスチャが形成される。

テクスチャ形成に関連した機能および性質は、以下の特徴的な寸法に基づく。
− 形状の高さｈ（複数の高さがある場合は最大高さ）および形状の幅ｗ（複数の幅がある場合は最大幅）、とくにｈ／ｗ比率、
− 形状間の距離ｄ（複数の距離がある場合は最大距離）および、とくにｗ／ｄ比率もしくは、ピッチｐ、すなわち、合計ｗ＋ｄ。

本発明では、
− 距離ｄが、１０ｎｍと１ｍｍとの間、好ましくは１０ｎｍと５００ｎｍとの間であることが好ましく、
− 幅ｗが、１０ｎｍと１ｍｍとの間、好ましくは１０ｎｍと１０μｍとの間であることが好ましく、そして
− ｈ／ｗ比率、すなわちアスペクト比が１０以下であることが好ましい。

特徴的寸法の１つ、いくつか、もしくは全てが、好ましくはミクロンもしくはサブミクロンのサイズであり、さらにはナノメートルのサイズであってもよい。

表面のテクスチャ形成は、物理化学的な改質、とくに表面エネルギーの変化を引き起こすことができる。濡れ性を改変させるために、１ミクロンよりも小さい範囲の形状が可能である。

本発明の他の詳細および有利な特徴は、実施例を読むと明らかになるだろう。

例１：
燃焼ＣＶＤ（ＣＣＶＤ）によるＡｇ小塊の生産：
サセプタ温度：８０℃
ノズルの下を通過するものの数：１０
フレーム／試料の距離：１０ｍｍ
前駆物質：水性硝酸塩溶液
前駆物質の濃度：０．５ｍｏｌ／ｌ
噴霧Ｎ₂流量：１．７ｓｌｐｍ
希釈Ｎ₂流量：１３．６ｓｌｐｍ

その結果、ナノメートルサイズの小塊が得られた。これらは、２０ｎｍと２００ｎｍとの間の寸法を有し、表面にわたって均一に分布していた。読者は図１を参照してもよい。

例２：
銀の小塊で被覆されたガラス表面の処理は、ＣＣＶＤ技法で堆積し、大気圧でのフッ素化プラズマで処理した（読者は図２を参照してもよい）。

SurfX Technologiesによって販売されているAtomflow（登録商標）ソース（５ｃｍの直径）は、ヘリウム中で生成された容量性の放電に基づくものであり、下にある基材に吹き付けた（「リモート」もしくは「放電後」のモード）。ガスは、数ミリメートルの間隔が開けられた２枚の穴の開いたアルミニウム電極を通過した。そのガスは、その電極のうちの１つ（他方は接地されている）に印加された１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）信号によって励起された。

Ｈｅ（９０ｓｌｐｍ）／Ｏ₂（１ｓｌｐｍ）／ＣＦ₄（１ｓｌｐｍ）の混合ガスを使用した。

銀の小塊マスクをエッチングした後に得られたテクスチャは、サイズが数ナノメートルから数十ナノメートルの範囲であり、数ナノメートルから数十ナノメートルの範囲の距離の間隔が開いており、最大アスペクト比が１である突出部であった。

その後、超疎水性効果を得るために拭くことによって塗布された疎水性溶液（FAS7-タイプ、ペルフルオロ化分子）によって、テクスチャが形成された基材は機能化された。

好適なエッチング条件を選択することによって、適度のヘイズを有する超疎水性試料（水の接触角＝１３８°）を得ることが可能になった。ナノテクスチャを形成しない場合の同じ試料の接触角は、たった１１０°であった。

例３：（読者は図３を参照してもよい）
「Planilux」のブランド名の下、Saint-Gobain Glass Franceから販売されている０．７ｍｍの厚みの１枚のフロートガラスを用意した。それは、１１０ｎｍの厚みのＩＴＯ（スズがドープされた酸化インジウム）のコーティングを有し、この目的のために知られている任意の技法を使用し、次いで、任意の好適な技法（プラズマ増強マグネトロンスパッタリング、熱分解、プラズマ増強ＣＶＤ、ゾルゲルなど）による１００ｎｍの厚みのＳｉＯ₂フィルムを有していた。

１５ｎｍの厚みのＡｇフィルムが、マグネトロンスパッタリングによって真空堆積された。その後、このＡｇフィルムは、９ｍＴｏｒｒの真空下、３００℃で３０分間の熱処理によるデウェッティングプロセスを受けた。その後、ＳｉＯ₂フィルム上にＡｇ小塊が形成された。

その後、得られた基材は、以下の操作条件の下、反応性イオンエッチングを受けた。カソードにはＤＣ電流が供給され、１３．５６ＭＨｚに設定された高周波発生器と接続することによってＩＴＯ伝導性サブ層にバイアスがかけられた。プラズマガスとしてＳＦ₆が使用され、圧力は７５ｍＴｏｒｒであった。パワーは０．１０６Ｗ／ｃｍ²であり、処理時間は、２５０秒であった。

室温で、一晩、１Ｍ水性ＮＨＯ₃溶液の中に浸漬することには、前のエッチングステップでエッチングされなかったＡｇ小塊のその一部を除去する効果があった。

走査電子顕微鏡の下、５００００倍で１５°の角度で見たときの得られた基材を、添付した図３に示す。観察されたものは突出物の形成であり、それの少なくとも８０％が７０ｎｍと２００ｎｍとの間の高さを有し、５０ｎｍと４００ｎｍとの間の直径を有し、隣接する突出物間の距離の少なくとも８０％が１ｎｍと５００ｎｍとの間である。これらの突出物を、基材の主面と垂直をなす軸を有する、２０°未満の小さな半頂角を有する、直立した、先端を切られた円錐として規定してもよい。

ペルフルオロオクチルエチルトリクロロシラン（Ｃ₁₀Ｆ₁₇Ｈ₄ＳｉＣｌ₃）単層は、真空下、この基材上で気体グラフト化された。

ピペットによって水の小滴の体積をそれぞれ増加および減少させることによって測定された進角（advancing angle）および受角（receiving angle）は、それぞれ１６５°および１２２°であり、超撥水性の挙動に合致する。

さらに、Hazeguard XL 211 装置を使用して、９２．８％の光透過率および４％未満のヘイズが測定された。

Claims (15)

1. 表面テクスチャ形成方法、すなわち、ガラス機能を有する基材の少なくとも１つの表面部分上に特徴的寸法を有する形状の少なくとも１種のアレイの形成のための方法において、
   堆積されるための材料の少なくとも１種の前駆物質を含む溶液は、大気圧で、フレームの中で、解離され、
   前記材料に基づく複数の小塊の形態で、マスクを堆積させるために前記フレームが前記表面部分に向けられ、
   前記材料の前記マスクがエッチングステップを受けることを特徴とするテクスチャ形成方法。
2. 前記エッチングステップが大気圧プラズマによって支援されることを特徴とする請求項１に記載のテクスチャ形成方法。
3. 前記エッチングステップが真空エッチング技法、とくにプラズマによって支援されることを特徴とする請求項１に記載のテクスチャ形成方法。
4. 前記基材の前記表面部分が３５０℃より低い、好ましくは３００℃よりも低い適度な温度で予熱されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のテクスチャ形成方法。
5. 前記材料の前記前駆物質が霧状の形態で前記フレームの中に注入されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のテクスチャ形成方法。
6. 前記材料の前記マスクが、第２の材料に基づく少なくとも１種のコーティングで被覆された基材の表面部分の上に堆積されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のテクスチャ形成方法。
7. 前記材料の前記マスクが、裸基材の表面部分の上に堆積されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のテクスチャ形成方法。
8. 前記基材と前記フレームとの間に相対的移動が確立されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のテクスチャ形成方法。
9. 前記移動が、再現性を保証するために一定速度であり得るか、または、様々な構造化を得るために調整される１つまたは２以上の可変速度を有し得ることを特徴とする請求項８に記載のテクスチャ形成方法。
10. 前記形状の前記特徴的寸法の少なくとも１種が１ｍｍ未満であり、好ましくはミクロンもしくはサブミクロンのサイズであり、または、さらにナノメートルのサイズであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のテクスチャ形成方法。
11. 前記テクスチャ形成が、突起物、とくにプリズム状もしくは円錐形の突起物のアレイ、および／または、伸長した形状、とくに断面が長方形もしくは三角形である伸長した形状のアレイであり、
    前記形状が、任意選択的に傾斜していることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のテクスチャ形成方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法によって得ることができるガラス機能を有する基材。
13. 前記特徴的寸法（ｗ）の少なくとも１種が、ミクロンもしくはサブミクロンのサイズであることを特徴とする請求項１２に記載のガラス機能を有する基材。
14. 前記形状が、高さｈ、幅ｗおよび距離ｄによって規定され、
    前記距離ｄが、１０ｎｍと１ｍｍとの間で選択され、および
    アスペクト比ｈ／ｗが１０以下になるように選択されることを特徴とする請求項１２または１３に記載のガラス機能を有する基材。
15. 建築もしくは自動車で使用されることを意図されているか、または、疎水性もしくは親水性の板ガラスであることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載のガラス機能を有する基材。

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