JP2010519760A - スピントランスファトルク発振器 - Google Patents
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Abstract
Description
・ スピントランスファ構造の動作点を、自由層の磁化ベクトルが安定な静状態又は安定な歳差運動状態の何れかになることができる双安定領域内に設定し(例えば状態(a))、
・ 電流密度(絶対値)を該電流密度が第1のしきい値(|jc1(Hop)|)を横切るまで増大させて、自由層の磁化ベクトルの歳差運動を誘起させ(状態b)、
・ 電流密度(絶対値)を該電流密度が前記第1のしきい値を横切るまで減少させて、自由層の磁化ベクトルを前記歳差運動状態に維持することによって、
スピントランスファトルク構造を低い電流密度で発振器として動作させることができる。
・ スピントランスファ構造の動作点を、自由層の磁化ベクトルが安定な静状態又は安定な歳差運動状態の何れかになることができる双安定領域内に設定し(例えば状態(a))、
・ 外部磁界を該磁界が第3のしきい値(Hdown)を横切るまで変化させて、自由層の磁化ベクトルの歳差運動を誘起させ(状態b)、
・ 外部磁界を該磁界が前記第3のしきい値を横切るまで逆方向に変化させて、自由層の磁化ベクトルを前記歳差運動状態に維持することによって、
スピントランスファトルク構造を低い電流密度で発振器として動作させることができる。
Hu/2≧α4πMS (11)
の場合には、3角形領域OPP+及びOPP−は全く存在しないことを理解されたい。
・ スピントランスファ構造の動作点を、自由層の磁化ベクトルが安定な静状態又は安定な歳差運動状態の何れかになることができる第1の双安定領域内に設定し(例えば状態(a))、
・ 電流密度(絶対値)を、該電流密度が第1のしきい値(|jc1(Hop)|)横切るまで増大させて、磁化ベクトルを自由層の面外に移動させ(状態b)、
・ 電流密度(絶対値)を、該電流密度が第2の臨界線を横切るまで減少させて、自由層の磁化ベクトルを歳差運動状態にさせることによって、
スピントランスファトルク構造を低い電流密度で発振器として動作させることができることが理解されよう。
Claims (18)
- 固定磁化ベクトルを有する磁性材料の第1の層と、非磁性材料のスペーサと、自由磁化ベクトルを有する磁性材料の第2の層とを備えるスピントランスファトルク構造を、前記構造に電流を供給することによって、電圧振動を発生するように動作させる方法であって、該方法は、
・ 前記構造の動作点を、前記第2の層の磁化ベクトルが安定な静状態又は安定な歳差運動状態の何れかになることができる双安定領域内に設定するステップ、
・ 電流(絶対値)を第1のしきい値より上に増大させて、前記第2の層の磁化ベクトルの歳差運動を誘起させるステップ、及び次に
・ 電流(絶対値)を前記第1のしきい値より下に減少させて、前記第2の層の磁化ベクトルを前記歳差運動状態に維持するステップ、
を具えることを特徴とするスピントランスファトルク構造の動作方法。 - 固定磁化ベクトルを有する磁性材料の第1の層と、非磁性材料のスペーサと、自由磁化ベクトルを有する磁性材料の第2の層とを備えるスピントランスファトルク構造を、前記構造に電流を供給することによって、電圧振動を発生するように動作させる方法であって、該方法は、
・ 前記構造の動作点を、前記第2の層の磁化ベクトルが安定な静状態又は安定な歳差運動状態の何れかになることができる双安定領域内に設定するステップ、
・ 電流(絶対値)を第1のしきい値より上に増大させて、前記第2の層の磁化ベクトルを該層の面外に移動させるステップ、及び次に
・ 電流(絶対値)を前記第1のしきい値より下に減少させて、前記第2の層の磁化ベクトルを安定な歳差運動状態にするステップ、
を具えることを特徴とするスピントランスファトルク構造の動作方法。 - 前記電流を増大させ、次に減少させるステップは電流パルスを供給することによって実行することを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記第2の層の面内に磁界(Hext)を供給するステップを更に具えることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の方法。
- 前記動作点が前記双安定領域から前記磁化ベクトルの静状態のみが安定である領域に移動するまで前記電流(絶対値)を減少させることによって、前記電圧振動を停止させるステップを更に具えることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の方法。
- 前記電圧振動を停止するステップは、電流パルスを供給することによって実行することを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記動作点が前記双安定領域から前記磁化ベクトルの静状態のみが安定である領域に移動するまで磁界を所定の方向に変化させることによって、前記電圧振動を停止させるステップを更に具えることを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記電圧振動を停止するステップは、磁界パルスを供給することによって実行することを特徴とする請求項7記載の方法。
- 固定磁化ベクトルを有する磁性材料の第1の層と、非磁性材料のスペーサと、自由磁化ベクトルを有する磁性材料の第2の層とを備えるスピントランスファトルク構造を、前記構造に電流(jop)を供給するとともに前記第2の層の面内に磁界(Hext)を供給することによって、電圧振動を発生するように動作させる方法であって、該方法は、
・ 前記構造の動作点を、前記第2の層の磁化ベクトルが安定な静状態又は安定な歳差運動状態の何れかになることができる双安定領域内に設定するステップ、
・ 前記磁界が第3のしきい値を横切るまで前記磁界を所定の方向に変化させて、前記第2の層の磁化ベクトルを歳差運動させるステップ、及び次に
・ 前記磁界が前記第1のしきい値を横切るまで前記磁界を反対方向に変化させて、前記第2の層の磁化ベクトルを前記歳差運動状態に維持するステップ、
を具えることを特徴とするスピントランスファトルク構造の動作方法。 - 前記磁界を前記所定の方向に変化させ、次に前記反対方向に変化させるステップは磁界パルスを供給することによって実行することを特徴とする請求項9記載の方法。
- 前記動作点が前記双安定領域から前記磁化ベクトルの静状態のみが安定である領域に移動するまで前記磁界を前記反対方向に変化させることによって、前記電圧振動を停止させるステップを更に具えることを特徴とする請求項9又は10記載の方法。
- 前記電圧振動を停止するステップは、磁界パルスを供給することによって実行することを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記動作点が前記双安定領域から前記磁化ベクトルの静状態のみが安定である領域に移動するまで前記電流(絶対値)を減少させことによって、前記電圧振動を停止させるステップを更に具えることを特徴とする請求項9又は10記載の方法。
- 前記電圧振動を停止するステップは、電流パルスを供給することによって実行することを特徴とする請求項13記載の方法。
- 前記第1の層の前記磁化ベクトルはこの層の面に垂直であることを特徴とする請求項1−14の何れかに記載の方法。
- 前記スペーサは非磁性材料の層であることを特徴とする請求項1−15の何れかに記載の方法。
- 前記スペーサは絶縁材料の層であることを特徴とする請求項1−15の何れかに記載の方法。
- 前記磁性材料の第1の層及び前記磁性材料の第2の層は強磁性材料からなることを特徴とする請求項1−18の何れかに記載の方法。
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