KR102520746B1 - 나노 오실레이터 소자 및 이를 이용한 연산 유닛 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자는, 문턱전압 이상에서 온(ON) 상태가 되고 상기 홀딩전압 미만에서 오프(OFF) 상태가 되는 스위칭 소자; 및 상기 스위칭 소자와 직렬로 연결된 부하 소자를 포함한다. 실시예에 따르면, 스위칭 소자 및 이와 직렬로 연결된 부하 소자를 이용하여 진동 특성을 구현하므로, 종래의 커패시터를 포함하는 오실레이터 소자에 비해 훨씬 작은 크기로 제작될 수 있다. 또한, 부하 소자로서 전계 효과 트랜지스터를 활용하여 게이트 전압에 따라 오실레이터의 출력 파형의 진동수를 실시간으로 조정할 수 있다. 이들 나노 오실레이터 소자는 외부 입력에 대해 진동수 및 위상이 잠금되는 동기화 특성을 나타내므로, 복수의 오실레이터 소자들이 결합된 네트워크를 활용하여 오실레이터 기반 연산 시스템을 구현할 수 있다.

Description

나노 오실레이터 소자 및 이를 이용한 연산 유닛{FREQUENCY-TUNABLE NANO-OSCILLATOR DEVICE AND COMPUTING UNIT USING THE SAME}
본 발명은 일정 주기로 진동하는 출력 파형을 구현하기 위한 오실레이터 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스레시홀드 스위칭 소자 및 이와 직렬로 연결된 부하 소자를 이용하여 커패시터 없이 초소형으로 제작 가능한 나노 오실레이터 소자에 관한 것이다.
전자 오실레이터는 일정 주기로 반복되는 진동 파형의 전압, 전류를 구현하기 위한 소자로서, 통신 장치부터 컴퓨터 장치에 이르기까지 다양한 전자 제품에 활용되고 있다. 최근, 오실레이터는 이징 머신(Ising machine)과 같은 새로운 형태의 연산 시스템을 위한 구성요소로서 활발히 연구되고 있다. 이러한 비-전통적인 방식의 연산 시스템은 튜링 머신(Turing machine)과 같은 종래의 연산 시스템이 쉽게 해결할 수 없는 문제를 간단히 해결할 수 있고, 에너지 효율성이 높기 때문에 각광받고 있다.
종래의 오실레이터 소자는 디지털 인버터 회로 또는 인덕터-커패시터(L-C) 결합 회로로 구성되는데, 이들은 구성 소자(특히, 커패시터)의 큰 사이즈로 인해 필요 면적이 클 수밖에 없고, 따라서 많은 수의 오실레이터 소자를 필요로 하는 대형 스케일의 컴퓨팅에 활용되기 어려웠다.
이러한 종래 오실레이터 소자의 구조적인 문제점을 해결하기 위해, 스핀-토크 나노 오실레이터(STNOs), 스핀-홀 나노 오실레이터(SHNOs), 릴렉세이션 오실레이터(ROs)와 같이 작은 크기로 제작될 수 있는 오실레이터 소자가 연구되었다. 그러나 스핀-토크/스핀-나노 오실레이터는 복잡한 구조로 이루어진 자기 터널 접합(Magnetic tunnel junction)이 필요할 뿐만 아니라, 진동 특성을 구현하기 위해서는 외부 자기장이 필요한데 이로 인한 에너지 소비가 크다는 문제가 있다. 릴랙세이션 오실레이터는 스위칭 소자를 이용한다는 점에서 차이가 있으나 구성요소로서 비교적 넓은 면적을 차지하는 커패시터를 포함하므로 종래의 L-C 회로 기반 오실레이터와 마찬가지로 확장성이 떨어진다는 문제가 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2014-0095348호
이에 본 발명은 스위칭 소자와 부하 소자를 이용하여 구현될 수 있는 새로운 구조의 나노 오실레이터 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 부하 소자로서 전계 효과 트랜지스터를 활용하여 게이트 전압에 따라 출력 파형의 진동수를 임의로 조정할 수 있는 오실레이터 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자는, 문턱전압 이상에서 온(ON) 상태가 되고 홀딩전압 미만에서 오프(OFF) 상태가 되는 스위칭 소자; 및 상기 스위칭 소자와 직렬로 연결된 부하 소자를 포함하며, 상기 스위칭 소자 및 상기 부하 소자 사이의 노드에서의 출력 파형은 일정 주기로 반복되는 진동 특성을 나타낸다.
일 실시예에 따르면, 상기 스위칭 소자는 비정질 칼코게나이드 물질로 구성되는 오보닉 스레시홀드 스위치(OTS; Ovonic threshold switch)이다.
일 실시예에 따르면, 상기 부하 소자는 트랜지스터 소자로서, 상기 출력 파형의 진동수는 상기 트랜지스터 소자에 인가되는 게이트 전압에 따라 실시간으로 조정될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 출력 파형의 진동수는 0.5 내지 2 MHz 범위 내에서 조정될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 부하 소자는 저항 소자이다.
일 실시예에 따르면, 상기 출력 파형의 진동수는 상기 저항 소자의 저항 값에 따라 결정될 수 있다.
일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자는, 교류 입력에 대하여 출력 파형의 진동수가 상기 교류 입력의 진동수와 일치하게 되는 동기화 특성을 나타낸다.
일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자들이 결합된 네트워크를 이용하여 구현되는, 오실레이터 기반 연산 유닛이 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 나노 오실레이터 소자들 각각은 인접한 나노 오실레터 소자와 전계효과 트랜지스터에 의해 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되는 게이트 전압의 변화에 따라, 상기 오실레이터 소자들 사이의 위상 차이를 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 나노 오실레이터 소자들 각각은 인접한 나노 오실레이터 소자와 커패시터 또는 저항에 의해 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 커패시터의 커패시턴스 또는 상기 저항의 저항값을 설정하여 상기 오실레이터 소자들 사이의 위상 차이를 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자는, 스위칭 소자 및 이와 직렬로 연결된 부하 소자를 이용하여 진동 특성을 구현하므로, 종래의 커패시터를 포함하는 오실레이터 소자에 비해 훨씬 작은 크기로 제작될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 전계 효과 트랜지스터를 활용하여 게이트 전압에 따라 오실레이터의 출력 파형의 진동수를 실시간으로 조정할 수 있다.
실시예에 따른 구조의 나노 오실레이터 소자는, 교류 입력에 대하여 출력 파형의 진동수가 상기 교류 입력의 진동수와 일치하게 되는 동기화(synchronization) 특성을 나타낸다. 따라서 복수의 오실레이터 소자들이 결합된 네트워크를 활용하여 오실레이터 기반 연산 시스템을 구현할 수 있다.
본 발명 또는 종래 기술의 실시예의 기술적 해결책을 보다 명확하게 설명하기 위해, 실시예에 대한 설명에서 필요한 도면이 아래에서 간단히 소개된다. 아래의 도면들은 본 명세서의 실시예를 설명하기 목적일 뿐 한정의 목적이 아니라는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 설명의 명료성을 위해 도면의 일부 구성요소들에 대한 표현이 과장되거나 생략될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 진동수의 조정이 가능한 나노 오실레이터 소자의 회로 구조를 도시한다.
도 2는 일 실시예에 따른 수동 소자를 구비한 나노 오실레이터 소자의 회로 구조를 도시한다.
도 3은 일 실시예에 따른 OTS 소자의 단면을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 4는 일 실시예에 따른 OTS 소자의 I-V 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5는 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자의 출력 파형을 저항 값의 크기 별로 나타낸 그래프이다.
도 6은 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자의 진동 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 7a는 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자의 출력 파형을 전계 효과 트랜지스터에 인가된 게이트 전압의 크기에 따라 나타낸 그래프이다.
도 7b는 도 7a의 출력 파형을 고속 푸리에 변환(Fast Fourier Transform)을 통해, 출력 파형을 구성하는 진동수 성분의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 7c는 도 7a의 나노 오실레이터 소자에서 게이트 전압의 크기에 따른 고유진동수 변화를 나타내는 그래프이다.
도 8a는 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자에 교류 입력이 인가되었을 때, 입력 진동수에 따른 출력 파형의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 8b는 도 8a의 출력 파형의 진폭을 고속 푸리에 변환(Fast Fourier Transform)을 통해, 출력 파형을 구성하는 진동수 성분의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 8c는 도 8a의 나노 오실레이터 소자에서 입력 진동수에 따른 출력 파형의 진동수 변화를 인가되는 게이트 전압의 크기 별로 나타낸 그래프이다.
도 9는 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자들이 결합된 네트워크를 이용하여 구현되는 연산 유닛의 구조를 도시한다.
도 10은 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자들을 전계효과 트랜지스터로 연결하여 구현된 n x n 연산 시스템을 도시한다.
도 11a는 전계효과 트랜지스터로 연결된 2개의 나노 오실레이터 소자로 구성된 연산 유닛을 나타낸다.
도 11b는 도 11a에서 나노 오실레이터 소자들을 연결하는 전계효과 트랜지스터에 인가된 게이트 전압에 따른 오실레이터 소자의 위상 차이를 나타낸 그래프이다.
도 12a는 저항으로 연결된 5개의 오실레이터 소자들로 구성된 연산 시스템을 도시한다.
도 12b는 도 12a에 도시된 5개의 오실레이터 소자의 진동 곡선을 나타낸 그래프이다.
도 12c는 제1 오실레이터 소자(osc1)와 다른 오실레이터 소자들(osc2~osc5) 간 위상 차이의 시간에 따른 변화를 나타낸 그래프이다.
도 12d는 도 12a의 5개의 오실레이터 소자로 구성된 연산 시스템을 이용해 5개 노드의 맥스-컷(Max-Cut) 문제를 해결하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례 또는 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 명세서의 설명 부분에서 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 명세서에서 사용되는 용어는, 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 실질적인 의미와 본 명세서의 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 함을 밝혀두고자 한다.
이하, 도면들을 참조하여 나노 오실레이터 소자의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자는 스위칭 소자 및 부하 소자를 포함하며, 상기 부하 소자와 스위칭 소자는 직렬로 연결된다(도 1 또는 도 2의 회로도 참조).
스위칭 소자는 문턱전압 이상에서 온(ON) 상태로 전환되고 홀딩전압 미만에서는 오프(OFF) 상태로 전환되는, 스레시홀드(threshold) 스위치이다. 상기 스위칭 소자는, 예컨대 비정질 칼코게나이드 물질을 이용한 오보닉 스레시홀드 스위치(OTS; Ovonic threshold switch) 일 수 있다. 비정질 칼코게나이드 물질로 구성되는 OTS 스위치는, 기존의 릴랙션 오실레이터 등에서 이용되는 바나듐 옥사이드 기반 스위치와 달리 온도 변화에 따라 스위칭 특성이 변하지 않으므로 온도 변화에도 불구하고 오실레이터 특성을 유지할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 스위치의 종류는 이에 한정되지 아니하며 다양한 종류의 스레시홀드 스위치가 채용될 수 있다.
스위칭 소자는 문턱전압 이상의 전압이 인가되면 온 상태가 되면서 전류를 도통시키고 저항 값이 매우 작아지게 된다(약 100 Ω). 이때, 스위칭 소자와 직렬로 연결된 부하 소자에 대부분의 전압이 걸리게 되고, 스위칭 소자 양단에 걸리는 전압이 홀딩전압 이하로 떨어지게 되면서 다시 오프 상태로 전환된다. 오프 상태에서는 스위치의 저항 값이 매우 커지게 되므로(약 10~100 MΩ), 다시 스위칭 소자에 대부분의 전압이 걸리게 되고, 양단 전압이 문턱전압 이상이 되면 온 상태로 전환된다. 이러한 스위칭 소자의 반복적인 온/오프 전환에 의해 출력 노드의 전류/전압은 증가와 감소를 반복하게 되고, 이 과정에서 발생하는 지연에 의해 오실레이터의 진동 특성이 구현된다.
종래기술에 따른 오실레이터(예컨대, 릴렉션 오실레이터)는 커패시터의 반복적인 충전과 방전을 통해 진동 특성을 구현한다. 이에 비해, 본 발명의 구조에서는 스레시홀드 스위칭 소자가 커패시터와 유사하게 동작하여(예컨대, OTS에서는 비정질 칼코게나이드 물질의 전하 트랩 원리를 이용함), 커패시터 없이도 진동 특성을 구현할 수 있다. 따라서 오실레이터 소자의 크기와 부피를 상당히 줄일 수 있고, 많은 수의 오실레이터 소자를 필요로 하는 큰 스케일의 연산 시스템을 구현할 수 있게 된다.
실시예에 따른 구조의 나노 오실레이터 소자는 부하 소자의 종류에 따라 추가적인 특징을 가질 수 있다. 예컨대, 수동 소자인 저항을 사용하면 저항 값에 따라 정해지는 고정된 진동수를 갖는 오실레이터를 구현할 수 있는 반면, 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)와 같은 능동 소자를 사용함으로써 게이트 전압에 따라 오실레이터의 진동수를 실시간으로 조정하는 것이 가능하다.
도 1은 일 실시예에 따른 진동수의 조정이 가능한 나노 오실레이터 소자의 회로 구조를 도시한다. 도 1에 도시된 것처럼, 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자는 스위칭 소자(10) 및 상기 스위칭 소자(10)와 직렬로 연결된 트랜지스터 소자(20)로 구성된다. 스위칭 소자(10)로는 전술한 바와 같이 비정질 칼코게나이드 물질로 구성된 OTS가 이용될 수 있다. 트랜지스터 소자(20)는 예컨대 전계 효과 트랜지스터(FET)로서, 게이트 단자를 통해 인가되는 게이트 전압 VG 에 따라 저항 값이 변화하는 가변 저항으로서 동작한다.
직렬로 연결된 스위치(OTS)와 트랜지스터(FET)가 오실레이터로서 동작하기 위해서는, 트랜지스터의 출력 저항(RFET)이 온 저항(Ron; 스위치가 온 상태일 때의 저항 값)보다는 크고 오프 저항(Roff; 스위치가 오프 상태일 때의 저항 값)보다는 작게 설정되어야 한다. 이러한 가정 하에서, 문턱전압보다 큰 바이어스 전압이 인가되면 스위칭 소자가 전술한 것처럼 온 상태와 오프 상태의 전환을 반복하면서 출력 파형은 진동 특성을 나타낸다. OTS 소자가 온 상태를 유지하는 시간은 비정질 칼코게나이드 물질 내 트랩 상태의 방전 시간에 의존하므로, 오실레이터의 진동수는 트랜지스터 소자의 저항 값에 의해 결정된다. 전계 효과 트랜지스터의 저항 값(RFET)은 게이트 단자에 인가되는 게이트 전압 VG 에 의해 제어될 수 있으므로, 결과적으로 게이트 전압을 통해 오실레이터의 진동수를 임의로 조정하는 것이 가능하다.
도 2는 일 실시예에 따른 수동 소자를 구비한 나노 오실레이터 소자의 회로 구조를 도시한다. 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 오실레이터 소자는 스위칭 소자(10) 및 상기 스위칭 소자(10)와 직렬로 연결된 저항 소자(21)를 구비한다. 스위칭 소자(10)는 도 1의 실시예와 마찬가지로, 문턱전압 이상에서 온(ON) 상태로 전환되고 홀딩전압 미만에서는 오프(OFF) 상태로 전환되는 스레시홀드 스위치(예컨대, 비정질 칼코게나이드 물질로 구성되는 OTS)이다. 저항 소자(21)는 도 1의 실시예에서 가변 저항으로서 동작하는 트랜지스터 소자(20)와 달리, 저항 값이 고정되므로 도 2의 오실레이터 진동수는 상기 저항 소자(21)의 저항 값에 따라 결정된다.
도 3은 일 실시예에 따른 OTS 소자의 단면을 전자현미경(TEM)으로 촬영한 사진이다. 도 3을 참조하면, OTS 소자는 상부 전극(Ti/Au)과 하부 전극(Pt) 사이에 위치한 비정질 칼코게나이드 물질로 구성되며, 가역적인 스위칭 특성을 나타낸다. OTS 소자의 폭(d)은 약 300 nm 정도로 설정될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 일 실시예에 따른 OTS 소자의 I-V 특성을 나타내는 그래프이다. 도 4의 그래프는 10회 반복하여 측정된 결과를 나타내는데, 스위칭 소자의 문턱전압 Vth 는 약 2.5 ~ 3.0 V 이다. 반면, 홀딩전압 VH 는 약 1 V 정도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자의 출력 파형을 저항 값의 크기 별로 나타낸 그래프이다. 본 실시예에서, 나노 오실레이터 소자는 스위칭 소자와 저항 소자가 직렬로 연결된 구조를 갖는다. 소자에는 4 V의 DC 전압 바이어스가 인가되었으며, 저항 소자의 저항 값을 바꿔가며 시간에 따른 출력 전압을 측정하였다. 도 5의 그래프에서 확인할 수 있듯이, 오실레이터 소자는 특정 범위의 저항 값에 대해서만 진동 특성을 나타낸다. 구체적으로, 부하 저항 RL 이 너무 클 때(700 kΩ)와 너무 작을 때(0.7 kΩ)에는 출력 파형이 진동 특성이 나타나지 않았고, 20 kΩ 인 경우에 진동 특성이 나타남을 확인할 수 있다. 진동 특성이 나타나는 부하 소자의 저항 값의 범위는 스위칭 소자의 특성, 입력 전압 값 등 다양한 변수에 따라 달라질 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자의 진동 특성을 설명하기 위한 그래프이다. 오실레이터 소자에 이용되는 OTS 스위칭 소자를 부하 저항(RL) 과 기생 커패시터(Cpara)의 병렬 연결 구조로 모델링할 경우, 방전을 위한 특성 시간(characteristic time)을 나타내는 τdis 는 RL 과 Cpara 에 비례한다. 도 6은 모델링된 오실레이터 소자를 이용한 시뮬레이션 결과를 나타내는데, 그래프에서 점선의 기울기는 Cpara 값에 근접하며, 커패시턴스는 약 236 pF 으로 측정된다. 상기 결과로부터, OTS 소자가 종래의 오실레이터 소자에서 커패시터와 유사한 역할을 한다는 것을 알 수 있다. 이러한 구조를 이용하면 커패시터 없이 OTS 기반 오실레이터 소자를 구현할 수 있음을 의미한다.
도 7a는 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자의 출력 파형을 전계 효과 트랜지스터에 인가된 게이트 전압의 크기에 따라 나타낸 그래프이다. 본 실시예에서, 나노 오실레이터 소자는 하나의 스위칭 소자(예컨대, OTS)와 하나의 트랜지스터 소자(예컨대, FET)로 구성된다. 도 7a의 그래프는 입력 단자에 4 V의 DC 전압 바이어스가 인가한 후 출력 단자(OTS와 FET 사이의 노드)에서 출력되는 전압의 측정 결과를 나타낸다. 도시된 것처럼, 트랜지스터 소자에 인가되는 게이트 전압 VG 가 -1 V (최하단 그래프 참고)에서 -0.5 V (최상단 그래프 참고)로 증가할수록 출력 파형의 진동수(즉, 오실레이터의 고유 진동수)가 증가한다.
도 7b는 도 7a의 출력 파형을 고속 푸리에 변환(Fast Fourier Transform)을 통해, 출력 파형을 구성하는 진동수 성분의 크기를 나타낸 그래프이다. 여기서 오실레이터의 고유 진동수는 각 그래프의 1차 피크(primary peak)로 정의되고, 이후의 위성 피크들은 고조파를 나타낸다. 도 7b에 도시된 것처럼, 게이트 전압의 제어에 따라 고유 진동수 값을 약 0.5 내지 2 MHz 범위에서 조정할 수 있다.
도 7c는 도 7a의 나노 오실레이터 소자에서 게이트 전압의 크기에 따른 고유진동수 변화를 나타내는 그래프이다. 도시된 것처럼, 고유 진동수 fnat 는 게이트 전압 VG 에 선형적으로 비례하여 증가함을 알 수 있고, 이러한 결과로부터 OTS 기반 오실레이터의 발진이 기본 진동수 성분과 다른 성분을 무시할 수 있는 고조파로 구성되어 있음을 확인할 수 있다.
전술한 실시예들에 따른 나노 오실레이터 소자는, 교류 입력에 대하여 출력 파형의 진동수가 상기 교류 입력의 진동수와 일치하게 되는 동기화(synchronization) 특성을 나타낸다. 이러한 특성은 단일 오실레이터 소자에서 작은 발진 요소를 갖는 외력에 대해 오실레이터의 진동수와 위상이 잠금(locking)되는 것으로 나타낸다.
도 8a는 일 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자에 교류 입력이 인가되었을 때, 입력 진동수에 따른 출력 파형의 변화를 나타내는 그래프이다. 본 실시예에서, 4 V의 DC 성분과 0.23 ~ 0.27 V의 AC 성분을 갖는 입력 바이어스 및 -0.7 V의 게이트 전압을 인가한 상태에서 OTS 기반 나노 오실레이터 소자의 출력 파형을 측정하였다. 도시된 것처럼, 입력 진동수가 1.27 MHz, 1.2 MHz인 경우(그래프 중단 2개의 파형) 출력 파형은 하나의 진동 특성을 나타내며 동기화가 이루어졌음을 알 수 있다. 반면, 나머지 4개의 출력 파형, 즉 입력 진동수가 1.44 MHz, 1.37 MHz인 경우(그래프 상단 2개의 파형) 및 입력 진동수가 1.09 MHz, 1.02 MHz인 경우(그래프 하단 2개의 파형)에는 짧은 진동이 긴 주기로 반복되는 복잡한 진동 특성을 나타낸다. 이는 나머지 입력 진동수에 대해서는 동기화가 일어나지 않았음을 보여준다.
도 8b는 도 8a의 출력 파형의 진폭을 고속 푸리에 변환(Fast Fourier Transform)을 통해, 출력 파형을 구성하는 진동수 성분의 크기를 나타낸 그래프이다.
도 8a의 결과와 마찬가지로, 입력 진동수가 1.27 MHz, 1.2 MHz인 경우에는 고유 진동수를 나타내는 하나의 1차 피크를 보이는 반면, 나머지 입력 진동수에 대해서는 더 복잡한 형태의 진동 특성을 보인다.
도 8c는 도 8a의 나노 오실레이터 소자에서 입력 진동수에 따른 출력 파형의 진동수 변화를 인가되는 게이트 전압의 크기 별로 나타낸 그래프이다. 상기 그래프의 결과로부터, 나노 오실레이터의 진동수와 위상이 외부 바이어스에 잠금(locked)되는 동기화 특성이 구현되었음을 알 수 있다.
이와 같은 오실레이터들 간 동기화 특성을 이용하여 복수의 오실레이터 소자를 결합한 연산 시스템을 구현할 수 있다.
도 9는 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자들이 결합된 네트워크를 이용하여 구현되는 연산 유닛의 구조를 도시한다. 도 6을 참조하여 설명하였듯이, 실시예에 따른 OTS 기반 오실레이터 소자는 전압-제어 스위치와 커패시터의 병렬 연결 구조로 모델링될 수 있다. 도 9에 도시된 연산 유닛은 4개의 동일한 오실레이터 소자와(osc1, osc2, osc3, osc4) 커플링 저항(Rc)이 결합된 네트워크로 구성된다. 상기 구조의 네트워크에서, 커플링 저항(Rc)의 저항 값의 크기에 따라 각 오실레이터 소자들 간의 결합력이 강해지거나 약해진다. SPICE 소프트웨어를 이용한 시뮬레이션 결과, 결합력이 약해지면(예컨대, Rc가 5 kΩ 이상으로 설정됨) 인접한 소자들이 다른 위상을 가지고 진동하며(예컨대, 위상 차이가 π인 안티-페이즈 오실레이션), 결합력이 강해지면(예컨대, Rc가 50 Ω 이하로 설정됨) 인접한 소자들이 동일한 위상으로 진동한다(인-페이즈 오실레이션). 이러한 결과로부터, 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자들을 결합한 연산 시스템을 구현할 수 있음을 확인할 수 있다.
도 10은 실시예에 따른 나노 오실레이터 소자들을 전계효과 트랜지스터로 연결하여 구현된 n x n 연산 시스템을 도시한다. 도 10을 참조하면, 각 오실레이터 소자들은 x, y 방향으로 배열되며 서로 전계효과 트랜지스터(FET)에 의해 연결된다. 후술하는 바와 같이 FET에 인가되는 게이트 전압에 따라 오실레이터의 위상 차이를 조정할 수 있다. 예컨대, 제1 오실레이터 소자(osc11)와 제2 오실레이터 소자(osc12)를 연결하는 트랜지스터(FET11)의 게이트 전압(Vc11) 값을 변화시키면 오실레이터 소자들(osc11, osc12)의 위상 차이를 조정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 각 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되는 게이트 전압의 변화에 따라, 오실레이터 소자들 사이의 위상 차이를 제어하는 것이 가능하다. 도 11a는 전계효과 트랜지스터로 연결된 2개의 나노 오실레이터 소자(osc1, osc2)로 구성된 연산 유닛을 나타내며, 도 11b는 도 11a에서 나노 오실레이터 소자들을 연결하는 전계효과 트랜지스터에 인가된 게이트 전압(Vgc)에 따른 오실레이터 소자의 위상 차이를 나타낸 그래프이다. 도 11b에 도시된 것처럼, 게이트 전압 Vgc가 3V 인 경우 오실레이터 소자(osc1)와 오실레이터 소자(osc2)의 위상은 반대가 되고, 게이트 전압 Vgc가 5V 인 경우 오실레이터 소자(osc1)와 오실레이터 소자(osc2)의 위상은 동일함을 알 수 있다.
도 12a는 저항으로 연결된 5개의 오실레이터 소자들로 구성된 연산 시스템을 도시한다. 이러한 오실레이터 소자들로 이루어진 이징 머신(Ising machine)을 이용하면, 도 12d와 같이 복수의 노드에서의 맥스-컷(Max-Cut) 문제를 해결할 수 있다. 문제를 풀기 위해서는 각 오실레이터가 서로 반대의 위상으로 진동하기 위한 커플링 계수(도 12a에서 Rc)를 결정하는 것이 중요하다. 도 11b를 통해 알 수 있듯이, 게이트 전압을 변화시킴에 따라(커플링 저항의 변화), 연결된 두 오실레이터의 위상차이를 조절할 수 있다.
도 12a의 구성에서 Rc의 저항값을 변화시켜가며 오실레이터간 위상차이를 측정한 결과, Rc=100 kΩ일 경우 각 오실레이터간 위상차가 180°의 진동을 가장 안정적으로 보이는 것을 확인할 수 있었다. 도 12b는 Rc=100 kΩ으로 설정된 경우의 각 오실레이터 소자의 파동 형태를 도시한 것이다. 도 12b의 그래프를 참조하면, 약 200회 정도의 싸이클(cycle) 이후에는 각 진동자가 3개의 그룹으로 나누어지는 것을 알 수 있다(그룹1: osc1과 osc3, 그룹2: osc2와 osc4, 그룹3: osc5).
도 12c의 그래프는 제1 오실레이터 소자(osc1)와 다른 오실레이터 소자들(osc2~osc5) 간 위상 차이의 시간에 따른 변화를 나타낸다. 여기서 오실레이터의 한 주기에 해당하는 시간을 2*π로 정하고, 오실레이터간 피크 사이의 시간 간격을 위상차이로 계산한다. 도 12c에 도시된 것처럼, 제1 오실레이터 소자(osc1)는 제2 오실레이터 소자(osc2)와 반대 위상으로
Figure 112021075605820-pat00001
, 제3 오실레이터 소자(osc3)는 제1 오실레이터 소자(osc1)와 같은 위상으로
Figure 112021075605820-pat00002
진동하는 것을 알 수 있다.
도 12b에서와 같이, 제3 오실레이터 소자(osc3)는 제1 오실레이터 소자(osc1)와 같은 위상으로 진동하고, 제2 오실레이터 소자(osc2)와 제4 오실레이터 소자(osc4)는 제1 오실레이터 소자(osc1)와 반대의 위상(π만큼의 위상차)으로 진동하는 것을 알 수 있다. 따라서, 제1, 3 오실레이터 소자들(osc1, osc3)는 제2 오실레이터 소자(osc2), 제4 오실레이터 소자(osc4)와 끊어지는 것을 의미한다. 또한, 제5 오실레이터 소자(osc5)는 제1, 3 오실레이터 소자들(osc1, osc3) 제2, 4 오실레이터 소자들(osc2, osc4)의 중간 위상을 가지고 진동하는 것을 알 수 있는데, 이는 두 그룹의 오실레이터 중 한 그룹과는 붙어있고, 다른 한 그룹과는 끊어지는 것을 의미한다. 도 12d에서 붉은 색 라인은 맥스-컷 문제의 컷(cut)이 되는 라인(line)을 의미한다. 상술한 오실레이터 간 위상차와 컷-라인(cut-line) 사이의 관계로부터 Ising machine을 통해 맥스-컷 문제를 풀 수 있음을 알 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 나노 오실레이터 소자들로 구성된 연산 유닛에 있어서, 각각의 나노 오실레이터 소자를 커패시터 또는 저항으로 연결할 수 있다. 전술한 실시예에서, 전계효과 트랜지스터에 인가되는 게이트 전압을 조정하여 오실레이터 간 위상 차이를 제어할 수 있었다면, 본 실시예에서는 가변 커패시터 또는 가변 저항을 이용하여 커플링 계수를 임의로 설정하고, 이를 통해 오실레이터 간 위상 차이를 제어할 수 있다. 커플링 계수의 변화에 따른 위상 차이에 대한 설명은 전계효과 트랜지스터를 이용한 실시예에서 설명한 바와 같다.
이상에서 설명한 나노 오실레이터 소자에 의하면, 스위칭 소자 및 이와 직렬로 연결된 부하 소자를 이용하여 진동 특성을 구현할 수 있다. 종래의 오실레이터 소자는 커패시터를 포함하여 소형으로 제작하기 어려웠지만, 새로운 구조의 오실레이터 소자는 커패시터 없이 제작될 수 있어 소형화가 가능하며 다량의 오실레이터 소자를 이용하는 대형 연산 시스템에 유리하게 활용될 수 있다.
또한, 부하 소자로서 전계 효과 트랜지스터를 활용하면, 인가되는 게이트 전압에 따라 오실레이터의 출력 파형의 진동수를 조정할 수 있다. 이처럼 진동 특성을 실시간으로 제어할 수 있는 오실레이터 소자는 다양한 분야에서 활용될 수 있다.
이들 오실레이터 소자는 외력에 대해 위상 및 진동수가 잠금되는 동기화 특성을 가지므로, 오실레이터 소자들을 결합하여 비 전통적인 형태의 연산 시스템을 구현할 수 있다. 오실레이터를 서로 연결하는 저항의 크기에 따라 소자들 간 결합력을 조정할 수 있고, 이에 따라 인접한 오실레이터 간 위상 차이를 제어하는 것이 가능하다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 문턱전압 이상에서 온(ON) 상태가 되고 홀딩전압 미만에서 오프(OFF) 상태가 되는 스위칭 소자; 및
    상기 스위칭 소자와 직렬로 연결된 부하 소자를 포함하며,
    상기 스위칭 소자 및 상기 부하 소자 사이의 노드에서의 출력 파형은 일정 주기로 반복되는 진동 특성을 나타내되,
    상기 부하 소자는 트랜지스터 소자로서,
    상기 출력 파형의 진동수는 상기 트랜지스터 소자에 인가되는 게이트 전압에 따라 실시간으로 조정될 수 있는 것을 특징으로 하는, 나노 오실레이터 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는 비정질 칼코게나이드 물질로 구성되는 오보닉 스레시홀드 스위치(OTS; Ovonic threshold switch)인 것을 특징으로 하는, 나노 오실레이터 소자.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 따른 상기 나노 오실레이터 소자들이 결합된 네트워크를 이용하여 구현되는, 오실레이터 기반 연산 유닛.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 나노 오실레이터 소자들 각각은 인접한 나노 오실레이터 소자와 전계효과 트랜지스터에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는, 오실레이터 기반 연산 유닛.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되는 게이트 전압의 변화에 따라, 상기 오실레이터 소자들 사이의 위상 차이를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는, 오실레이터 기반 연산 유닛.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 나노 오실레이터 소자들 각각은 인접한 나노 오실레이터 소자와 커패시터 또는 저항에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는, 오실레이터 기반 연산 유닛.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 커패시터의 커패시턴스 또는 상기 저항의 저항값을 설정하여 상기 오실레이터 소자들 사이의 위상 차이를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는, 오실레이터 기반 연산 유닛.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5694054A (en) * 1995-11-28 1997-12-02 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated drivers for flat panel displays employing chalcogenide logic elements
US7116593B2 (en) * 2002-02-01 2006-10-03 Hitachi, Ltd. Storage device
EP2126938B1 (en) 2007-02-21 2016-10-12 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Spin-transfer torque oscillator
US7466584B1 (en) * 2008-01-02 2008-12-16 Ovonyx, Inc. Method and apparatus for driving an electronic load
KR102048989B1 (ko) 2013-01-24 2019-11-27 엘지전자 주식회사 고정 주파수를 이용하는 ｌｃ공진 발진기의 이득을 조절하는 무선 전력 전송 장치 및 이득 조절 방법
KR102249874B1 (ko) 2014-06-18 2021-05-11 인텔 코포레이션 조절 가능한 강도를 갖는 결합형 스핀 홀 나노 발진기들
KR102358622B1 (ko) * 2018-10-12 2022-02-04 한국과학기술연구원 오보닉 임계 스위치를 이용한 인공 뉴런 소자, 그것을 포함하는 인공 신경 칩 및 사용자 장치
KR20200059113A (ko) 2018-11-20 2020-05-28 삼성전자주식회사 복수의 링 오실레이터들을 포함하는 랜덤 넘버 생성기
US20200349453A1 (en) 2019-05-01 2020-11-05 1Qb Information Technologies Inc. Method and system for solving a dynamic programming problem
CN110750235A (zh) 2019-10-11 2020-02-04 北京科易达知识产权服务有限公司 一种速率可调的真随机数产生方方法及发生器

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