JP2010506771A - 構造化熱転写ドナー - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 212
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 36
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- -1 surfaces Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000009763 wire-cut EDM Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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Abstract
Description
図1は、パターン形成されたLITIドナーフィルム10を図示する、側面図である。図1に示されるように、LITIドナーフィルム10は、典型的には、ドナー基材12、光熱変換(LTHC)層14、任意の中間層16、及び転写層18を含む。
図2a及び2bは、ツールでエンボス加工された転写層を含む、LITIドナーフィルム20を図示する。ドナーフィルム20は、基材22、LTHC層24、任意の中間層26、及び転写層28を含む。フィルム20において、基材22、LTHC 24、任意の中間層26、及び転写層28はそれぞれ、上述されるように及び構造化の前に、基材12、LTHC 14、中間層16、及び転写層18と一致してもよく、フィルム20は、上述される代表的な方法を使用して構成し、画像化することができる。
図7a〜7cは、走査されるレーザビームの幅より小さな寸法を有する不連続形状を転写するための、本発明の実施形態の使用を明示する、平面図である。図7aは、レーザによって走査される前にドナーフィルムの転写層110中の穿孔によって形状が定められる場合の形状112(この場合、円のパターン)を示す。図7bは、レーザがドナーフィルムを横断して走査する際に、レーザによって一掃されたパターン(濃い範囲114)を示す。図7cは、レーザ走査線114によって画像化された際にドナーフィルム110からレセプタ116に転写された形状(濃いスポット116)を示す。図7cの転写された形状118の大きさは、レーザビームの寸法によってというよりは、転写フィルム(形状112)の穿孔によって定められる。この均一な転写は、転写フィルム110とレーザ走査線114との間の横方向及び角度レジストレーションを必要とする。図7dは、転写フィルム形状112とレーザ走査線114との間に角度のずれがある場合に生じる、不均一な形状の転写を明示する。ずれのため、転写される部分118の多くは、図7dに示されるように、不完全な円でしかない。図7aのドナーフィルムに示される構造化パターンは、上述される代表的な技術を使用して形成することができ、ドナーフィルムは、上述される代表的な方法を使用して、画像化され、構造化パターンの少なくとも一部分をレセプタに転写することができる。
Claims (28)
- レーザ誘起熱転写(LITI)ドナーフィルムであって、
基材と、
前記基材の上に位置する光熱変換層と、
前記光熱変換層の上に位置する転写層と、を含み、
前記転写層の表面が、前記転写層の中に延びる複数個のミクロ構造化又はナノ構造化形状を含み、前記ドナーフィルムが、前記形状によって定められるパターンで前記転写層の少なくとも一部分をレセプタに転写するように構成され、配置される、レーザ誘起熱転写(LITI)ドナーフィルム。 - 前記光熱変換層と前記転写層との間に挿入される中間層を更に含む、請求項1に記載のLITIドナーフィルム。
- 前記中間層の表面が、前記転写層の中に延びる複数個のミクロ構造化又はナノ構造化形状を含む、請求項2に記載のLITIドナーフィルム。
- 前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状が、前記光熱変換層と反対側の前記転写層の表面のくぼみを含む、請求項1に記載のLITIドナーフィルム。
- 前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状が、感光層からパターン形成される領域を含む、請求項1に記載のLITIドナーフィルム。
- 前記転写層が、前記転写層の少なくとも一部分を恒久レセプタに転写する一方、前記転写される部分の前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状のパターンを実質的に維持するように構成され、配置される、請求項1に記載のLITIドナーフィルム。
- 前記転写層が有機材料を含む、請求項1に記載のLITIドナーフィルム。
- 前記転写層が無機材料を含む、請求項1に記載のLITIドナーフィルム。
- 前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状が、連続パターンを形成する、請求項1に記載のLITIドナーフィルム。
- 前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状が、不連続パターンを形成する、請求項1に記載のLITIドナーフィルム。
- レーザ誘起熱転写(LITI)ドナーフィルムを調製する方法であって、
光熱変換層が適用された表面を有する基材を提供する工程と、
前記光熱変換層の上に転写層を適用する工程と、
前記転写層の表面を処理して、前記転写層の表面の中に延びる複数個のミクロ構造化又はナノ構造化形状を形成する、工程と、を含み、前記ドナーフィルムが、前記形状によって定められるパターンで前記転写層の少なくとも一部分をレセプタに転写するように構成され、配置される、方法。 - 前記光熱変換層と前記熱転写層との間に中間層を適用する工程を更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記中間層の表面に存在し、かつ前記転写層の中に延びる複数個のミクロ構造化又はナノ構造化形状を形成する工程を更に含む、請求項12に記載の方法。
- 前記光熱変換層と反対側の前記転写層の表面にくぼみを形成する工程を更に含む、請求項11に記載の方法。
- 感光層からパターン形成される領域を形成する工程を更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記転写層の少なくとも一部分が恒久レセプタに転写される一方、前記転写される部分の前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状のパターンが実質的に維持されるように構成し、配置する工程を更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記適用する工程が、前記転写層に有機材料を使用する工程を更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記適用する工程が、前記転写層に無機材料を使用する工程を更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記処理する工程が、前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状を連続パターンとして形成する工程を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記処理する工程が、前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状を不連続パターンとして形成する工程を含む、請求項11に記載の方法。
- ミクロ構造化又はナノ構造化物品を製作する方法であって、
基材と、
前記基材の上に位置する光熱変換層と、
前記光熱変換層の上に位置する転写層であって、前記転写層の表面が、前記転写層の中に延びる複数個のミクロ構造化又はナノ構造化形状を含む、転写層と、を含む、レーザ誘起熱転写(LITI)ドナーフィルムを提供する工程と、
前記転写層が前記レセプタの表面と接触するように、前記LITIドナーフィルムを恒久レセプタの表面に対して定置する工程と、
前記形状によって定められるパターンで、前記転写層の少なくとも一部分を前記恒久レセプタの表面に選択的に転写する工程と、を含む、方法。 - 前記提供する工程が、前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状を連続パターンとして形成する工程を含む、請求項21に記載の方法。
- 前記提供する工程が、前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状を不連続パターンとして形成する工程を含む、請求項21に記載の方法。
- 前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状が、前記転写層に第1のパターンを形成し、前記レセプタの表面が、前記第1のパターンと実質的に整合する第2のパターンを形成する構造を有し、前記定置する工程が、前記第1のパターンと前記第2のパターンを実質的に揃える工程を含む、請求項21に記載の方法。
- 前記転写する工程が、可溶性要素を前記恒久レセプタに転写する工程を含み、前記転写する工程の後に前記可溶性要素を溶解する工程を更に含む、請求項21に記載の方法。
- 前記提供する工程が、前記転写層に有機発光ダイオード材料、蛍光材料、又はリン光性材料を使用する工程を含む、請求項21に記載の方法。
- 前記転写する工程が、カラーフィルタを作製する一環として、前記部分を転写する工程を含む、請求項21に記載の方法。
- ミクロ構造化又はナノ構造化物品を製作する方法であって、
基材と、
前記基材の上に位置する光熱変換層と、
前記光熱変換層の上に位置する転写層と、を含む、レーザ誘起熱転写(LITI)ドナーフィルムを提供する工程と、
前記LITIドナーフィルムを恒久レセプタの表面に対して定置する工程であって、前記恒久レセプタの表面が、ツールの表面から離れて延びる複数個のミクロ構造化又はナノ構造化形状を有するツールを含み、前記転写層が、前記ツールの前記ミクロ構造化又はナノ構造化形状と接触する、工程と、
前記形状によって定められるパターンで、前記転写層の少なくとも一部分を、前記ツールを有する前記恒久レセプタの表面に選択的に転写する工程と、を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/551,276 | 2006-10-20 | ||
US11/551,276 US7419757B2 (en) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | Structured thermal transfer donors |
PCT/US2007/081336 WO2008048913A1 (en) | 2006-10-20 | 2007-10-15 | Structured thermal transfer donors |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013094967A Division JP5662514B2 (ja) | 2006-10-20 | 2013-04-30 | 構造化熱転写ドナー |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010506771A true JP2010506771A (ja) | 2010-03-04 |
JP2010506771A5 JP2010506771A5 (ja) | 2010-11-25 |
JP5496673B2 JP5496673B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=39314353
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009533458A Active JP5496673B2 (ja) | 2006-10-20 | 2007-10-15 | 構造化熱転写ドナー |
JP2013094967A Active JP5662514B2 (ja) | 2006-10-20 | 2013-04-30 | 構造化熱転写ドナー |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013094967A Active JP5662514B2 (ja) | 2006-10-20 | 2013-04-30 | 構造化熱転写ドナー |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7419757B2 (ja) |
JP (2) | JP5496673B2 (ja) |
KR (1) | KR101358783B1 (ja) |
TW (1) | TWI474756B (ja) |
WO (1) | WO2008048913A1 (ja) |
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-
2006
- 2006-10-20 US US11/551,276 patent/US7419757B2/en active Active
-
2007
- 2007-10-15 WO PCT/US2007/081336 patent/WO2008048913A1/en active Application Filing
- 2007-10-15 JP JP2009533458A patent/JP5496673B2/ja active Active
- 2007-10-15 KR KR1020097008557A patent/KR101358783B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-19 TW TW96139376A patent/TWI474756B/zh active
-
2008
- 2008-07-29 US US12/181,398 patent/US7592120B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-30 JP JP2013094967A patent/JP5662514B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7592120B2 (en) | 2009-09-22 |
US20080286681A1 (en) | 2008-11-20 |
KR20090077928A (ko) | 2009-07-16 |
US20080096124A1 (en) | 2008-04-24 |
WO2008048913A1 (en) | 2008-04-24 |
US7419757B2 (en) | 2008-09-02 |
JP5496673B2 (ja) | 2014-05-21 |
JP2013237268A (ja) | 2013-11-28 |
TWI474756B (zh) | 2015-02-21 |
KR101358783B1 (ko) | 2014-02-07 |
JP5662514B2 (ja) | 2015-01-28 |
TW200836582A (en) | 2008-09-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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