JP2010505257A - 有機発光ディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents

有機発光ディスプレイ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010505257A
JP2010505257A JP2009529668A JP2009529668A JP2010505257A JP 2010505257 A JP2010505257 A JP 2010505257A JP 2009529668 A JP2009529668 A JP 2009529668A JP 2009529668 A JP2009529668 A JP 2009529668A JP 2010505257 A JP2010505257 A JP 2010505257A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
metal
oled display
organic
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2009529668A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010505257A5 (ja
Inventor
アントニオ・ボヌッチ
Original Assignee
サエス ゲッターズ ソチエタ ペル アツィオニ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サエス ゲッターズ ソチエタ ペル アツィオニ filed Critical サエス ゲッターズ ソチエタ ペル アツィオニ
Publication of JP2010505257A publication Critical patent/JP2010505257A/ja
Publication of JP2010505257A5 publication Critical patent/JP2010505257A5/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • H10K50/165Electron transporting layers comprising dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01003Lithium [Li]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

カソード(17)と有機電子伝達層(15)との間の電子供与体金属の薄層(16)と、同じ金属による有機電子伝達層の部分ドーピングとの両方を含む、有機エレクトロルミネセンスディスプレイが記載される。また、該ディスプレイの製造方法も記載される。

Description

本発明は、有機発光ディスプレイ及びその製造方法に関する。
有機発光ディスプレイは、OLEDとしての分野において知られている(その定義は発光ダイオードにも関し、これはディスプレイを形成する単位であるが、ディスプレイに関してより一般的に用いられている)。
簡単に言えば、OLEDは、第1の透明平面状支持体(ガラス又はプラスチック製);第2の支持体(これは透明である必要はなく、ガラス、金属又はプラスチック製であることができ、本質的に平面状であり且つ第1の支持体に対して平行であり、密閉空間を形成するために後者の周辺に沿って固定される);並びに前記密閉空間中で像を形成するための活性構造:から成る。前記活性構造は一般的に、前記の第1の透明支持体上に次のものを順番に積層することによって形成される:
・前記の第1の支持体上に直接配置された互いに平行の第1の一連の直線状透明電極(一般的にはITOの略号で当技術分野において周知のインジウムとスズとの混合酸化物から作られたもの)(一般的にアノード機能を有する);
・前記の第1の一連の電極と接触した、電子正孔の伝導体であり、当技術分野において簡潔にHTL(正孔輸送層)と示される有機材料層;
・前記HTL層上の、有機ルミネセンス材料の層(EML、発光層);
・前記EML層上の、当技術分野においてETL(電子輸送層)と称される有機電子伝導体材料の層;及び
・前記ELT層上に積層された、前記の第1の一連の電極に対して直角の向きの、互いに平行の第2の一連の直線状電極。
OLEDディスプレイの構造及び動作のもっと詳しい説明については、例えば米国特許第6013384号明細書、米国特許第6284393号明細書、米国特許第6509109号明細書及び特開平09−078058号公報を参照することができる。
OLEDの構造中に少量の電子供与体金属(特にアルカリ金属)を添加することにより、消費電力、ターンオン電圧及び輝度のような特性を改善することができることが知られている。
今日まで、研究者たちは、OLED中にこれらの金属を加える他の2つの方法に焦点を絞っている。
第1の態様に従えば、前記金属は、前記カソードと前記ETL有機層との間に数nm程度の非常に薄い層の形で入れられる。この方策はOLEDのターンオン電圧(当技術分野においては「ビルトイン電圧」と称される)を下げ、結果としてその消費電力を減らすことができるということが観察されている。このアプローチは、例えば米国特許第6255774号明細書に開示されている。
第2の態様に従えば、前記金属は、有機電子輸送層(又はその少なくとも一部であって前記カソードに近い部分)のドーピング元素として用いられる。この態様に従って製造されるOLEDデバイスは、電流に対する低い抵抗を示し、従ってドープされていないデバイスと比較して低い消費又は著しく高い輝度を示す。これらの効果の強さは、1対1の金属と層の有機分子との間のモル比までドーピングを増やすことによって増大するが、ドーピング量がもっと多くなってもさらなる利点はもたらされない。この第2のアプローチは、例えば米国特許第6013384号明細書及び"Bright organic electroluminescent devices having a metal-doped electron-injecting layer", by J. Kido and T. Matsumoto, Applied Physics Letters, vol. 73, n. 20, November 1998に開示されている。
実用上、上に例示した2つのシチュエーションは、ETL層内部に使用した金属が拡散することにより、経時的に変化する傾向がある。第1の場合、前記金属はETL中に拡散して、金属層を存在させる利点がゼロになり得るまでカソードとETLとの間に挟まれる金属層の初期厚さが小さくなり、ETLの不均一ドーピングをもたらす。第2の場合、前記金属はETL−カソード界面に向けて拡散し、第1の場合のものと類似したシチュエーションに向けて進んでいく。しかしながら、これらの現象は制御されず、それによりOLEDの電気的特性は再現性がなく、ディスプレイの寿命の間に制御されない態様で展開する。
米国特許第6013384号明細書 米国特許第6284393号明細書 米国特許第6509109号明細書 特開平09−078058号公報 米国特許第6255774号明細書
"Bright organic electroluminescent devices having a metal-doped electron-injecting layer", by J. Kido and T. Matsumoto, Applied Physics Letters, vol. 73, n. 20, November 1998
本発明の目的は、OLEDディスプレイ及びその製造方法であって、ディスプレイ自体の最良の機能上の特性を達成して維持することを可能にするものを提供することにある。
これらの目的及び他の目的は、本発明によって達成される。本発明は、第1の局面において、カソードとETL層との間に含まれた電子供与体金属の薄層を含み且つ該金属薄層に隣接した部分においてドープされたETL層を含むことを特徴とするOLEDディスプレイに関する。
OLEDディスプレイは複数のダイオードから作られる:便宜上、明細書の残りの部分では単一のダイオードの製造に言及する。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図1は、本発明のOLEDディスプレイの概略断面図である。 図2は、本発明のOLEDディスプレイの主要製造工程を示す概略図である。
これらの図において、様々な部分の間の割合は、もっと重要な詳細を示すために、厳密なものとはなっていない。
本発明者らは、本発明に従って製造されたOLEDディスプレイにおいては、電子供与体金属の拡散現象が、既知のディスプレイにおいて起こるものと比較して少なくなることを見出した。この現象はまだ深く研究されていなかったが、すでにドープされたETLの存在は、カソードと接触する金属層の拡散を減らし、結果としてその機能をより長期間維持させると考えられる。同様に、金属層の存在は、ETLからカソードとの界面に向けての金属の拡散を減らすと考えられる。その結果として、本発明のOLEDの電気的特徴の経時変化がより少なくなる。
図1は、本発明のディスプレイを形成させるために用いられるOLEDダイオード10を示す。このダイオードは、透明支持体11(一般的にガラス製)上に一連の層を積層して成る。この支持体上に、アノード12を積層する(図には1個のアノードのみを示す)。このアノードもまた透明であり、一般的にITOから作られ、スクリーン印刷により又は好適なマスキングを用いたカソード積層により、製造される。前記アノード上に、一般的に窒素含有芳香族化合物(アリールアミン、ピリジン又はピラジン誘導体等)を用いて製造された有機HTL層13を存在させる。次いで、有機材料のEML層14が設けられ、ここで、それぞれETL層及びHTL層により輸送された電子及び正孔の再結合の際に、ルミネセンスが発生する。この層は、例えばトリス(8−ヒドロキシキノン)アルミニウム(当技術分野においてはしばしば略号Alqで示される)から製造することができる。層14上に、電子輸送層ETL15が設けられ、この層の上に電子供与体金属層16が存在する。最後に、層16の外側表面上に、一般的にアルミニウム製のカソード17が設けられ、これにダイオード10の供給用の電気接点(図示せず)が連結される。各層の一般的な厚さは、アノード12が150nm付近、HTL層13が120nm付近、EML層14が5〜10nmの範囲、ETL層15が30〜80nmの範囲、電子供与体金属層16が0.2〜5nmの範囲、カソード17が200〜300nmの範囲である。
本発明のダイオードの特徴的な要素は、層15及び16である。
層15は、EML層と同じAlq材料で製造されていてよく、EML層に直接接触する部分15'及び部分15''から構成される。部分15'は意図的には電子供与体金属でドープされないが、これはディスプレイの寿命の間に部分15'中に部分的に拡散してもよい。ディスプレイの動作については、電子供与体金属が層14と接触したりその中に入り込んだりするのを回避することが必要であり、部分15'の高さ(厚さ)は電子供与体金属がデバイスの寿命の間にこの全体的な高さを通り抜けることができないことを保証するのに充分でなければならない。この最小高さは、周知のデータや特定有機材料中への特定金属の促進拡散試験から、補外することができる。例えば、層15がAlqから作られ且つ前記金属がリチウムである場合には、部分15'について40nm付近の厚さで、要求される特性が保証されることが観察された。対照的に、部分15''は、ダイオード10の製造の際に電子供与体金属で意図的にドープされる。部分15''中のドーピング金属と有機分子との間のモル比は、1:100〜2:1の範囲であるのが好ましく、1:6〜1:1の範囲であるのがより一層好ましい。
電子供与体金属の層16は、リチウム又はセシウムから作られているのが好ましい。
部分15''をドーピングするために用いられる金属と層16を形成させるために用いられる金属とは、必ずしも同一でなくてもよい。例えば、層15''をドーピングするためにセシウムを用い、層16を形成させるためにリチウムを用いることも可能である。
その第2の局面において、本発明は、タイプ10のダイオードを製造するための方法及び複数の斯かるダイオードから成るOLEDディスプレイに関する。
周知のように、アノード12は、サブミクロン寸法のインジウムとスズとの混合酸化物の粒子の含水アルコール懸濁液から出発するスクリーン印刷技術によって、透明支持体11上に形成させるのが一般的である。
その他の層はすべて、蒸発によって、通常は排気して温度調節したチャンバーの上方部分に上下逆さまに支持体(その上にすでにアノードが存在するもの)を配置させ、OLEDの様々な成分の供給源を提供することによって、製造される。これらの供給源からの各種成分の蒸発は、特定の供給源を開閉する機械的要素(当技術分野において「シャッター」と称されるもの)により、温度を調節することにより、又はこれら両方の手段を同時に採用することにより、調節することができる。キャリブレーションテストにより、様々な層の積層割合を決定することができ、その結果、蒸発時間によりそれらの厚さを調節することができる。別法として、積層材料の厚さ測定、一般的には支持体11に近接してチャンバー内に配置させた水晶発振子微量天秤(「水晶発振子モニター」QCMと称される)を用いることができる。
図2は、本発明の方法の必須工程、即ち層15及び16の形成を示す。表示の容易さのために、図中に排気チャンバーは示さないが、本発明を特徴付ける成分を製造するために用いた蒸発供給源が示され、また、この場合には図の詳細は釣り合いを取ったものではない。
図2aは、アノード12、HTL層13及びEML層14をすでに周知の方法で形成させた支持体を示す。
図2bは部分15'の製造操作の概略を示すものであり、これは、供給源20(例えば加熱されたるつぼ)からETL層の有機材料(例えばAlq)を蒸発させることによって得られる。この工程の間は、チャンバー内に設けられた他の蒸発供給源は作動していない(非アクティブ)。
図2cには、部分15''の製造工程を示す。この工程においては、ETLの有機材料供給源20及び電子供与体金属の供給源21の両方が作動しており(アクティブ)、2種の材料の同時蒸発が起こってそれら両方の均一混合物が積層する。電子供与体金属供給源は、単純なるつぼ(随意にオリフィスを持つ蓋で閉じられたもの)、又はもっと複雑な形状の蒸発器(例えば本出願人名義の米国特許第6753648号明細書及び国際公開WO2006/057021号パンフレットに示されたもの)であってよい。有機成分と金属との間の所望の比の達成は、2種の成分の蒸発速度の比を調節することによって達成される。後者は、供給源20及び21が保持される(異なる)温度及び随意に供給源上に置かれる蓋に設けられる開口の寸法により、調節することができる。
最後に、図2dには、層16の製造を示す。この工程においては、有機材料の供給源20は(加熱を中断するか又はシャッターを用いるかにより)作動しないようにし、層16の所望の厚さを得るのに必要な時間の間、供給源21の金属の蒸発を続ける。図2b〜2dにおいて、供給源20及び21と形成中の層との間の点線領域は、各種材料の上記の「円錐」を表わす。
10・・・OLEDダイオード
11・・・透明支持体
12・・・アノード
13・・・HTL(正孔輸送)層
14・・・EML(発光)層
15・・・ETL(電子輸送)層
15'・・・非ドープ部分
15''・・・ドープ部分
16・・・電子供与体金属層
17・・・カソード
20・・・ETLの有機材料供給源
21・・・電子供与体金属の供給源

Claims (6)

  1. カソード(17)とETL層(15)との間に含まれた電子供与体金属の薄層(16)を含み、ETL層(15)中の前記金属薄層(16)に隣接した部分(15'')が電子供与体金属でドープされたOLEDディスプレイ。
  2. 前記薄層(16)を構成する前記金属が前記部分(15'')をドープする前記金属と同じである、請求項1に記載のOLEDディスプレイ。
  3. 前記のドープされた部分(15'')をドープする前記金属がリチウムであり、前記ETL層(15)の非ドープ部分(15')が少なくとも40nmの厚さを有する、請求項1に記載のOLEDディスプレイ。
  4. 前記ドーピング金属と前記ETL層のドープされた部分中の有機金属との間のモル比が1:100〜2:1の範囲である、請求項1に記載のOLEDディスプレイ。
  5. 前記モル比が1:6〜1:1の範囲である、請求項4に記載のOLEDディスプレイ。
  6. 透明支持体(11)上に最終OLEDディスプレイの透明アノード(12)を存在させたものを、有機成分及び金属成分の蒸発のための好適な供給源を備えた排気チャンバー中に配置させる工程;
    該支持体上に、前記アノード上に、有機材料の正孔輸送層(13)及び有機発光層(14)を順次積層する工程;
    前記チャンバー内に設けられた他の供給源を作動させずに、有機電子輸送層を形成させるのに適した有機材料の蒸発供給源(20)を作動させて、電子輸送層(15)の金属でドープされていない部分(15')を形成させる工程;
    電子輸送層(15)を形成させるのに適した有機材料の供給源(20)を作動させたままにしつつ、電子供与体金属の蒸発供給源(21)を作動させて電子輸送層(15)のドープされた部分(15'')を形成させる工程;
    電子供与体金属の蒸発供給源(21)を作動させたままにしつつ、電子輸送層(15)を形成させるのに適した有機材料の供給源(20)を作動しないようにして、前記電子輸送層(15)の上にもっぱら金属層(16)を形成させる工程;
    前記金属層(16)の上に最終OLEDディスプレイを構成するダイオードのカソード(17)を形成させる工程:
    を含むことを特徴とする、OLEDディスプレイの製造方法。
JP2009529668A 2006-09-29 2007-09-20 有機発光ディスプレイ及びその製造方法 Abandoned JP2010505257A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT001872A ITMI20061872A1 (it) 2006-09-29 2006-09-29 SCHERMO ELETTROLUMINECìSCENTE ORGANICO E PROCESSO PER LA SUA PRODUZIONE
PCT/EP2007/060005 WO2008037654A1 (en) 2006-09-29 2007-09-20 Organic light emitting display and process for its manufacturing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010505257A true JP2010505257A (ja) 2010-02-18
JP2010505257A5 JP2010505257A5 (ja) 2010-07-29

Family

ID=38962840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009529668A Abandoned JP2010505257A (ja) 2006-09-29 2007-09-20 有機発光ディスプレイ及びその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110073843A1 (ja)
JP (1) JP2010505257A (ja)
KR (1) KR20090077040A (ja)
CN (1) CN101523632A (ja)
IT (1) ITMI20061872A1 (ja)
TW (1) TW200822786A (ja)
WO (1) WO2008037654A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019093492A1 (ja) * 2017-11-09 2019-05-16 コニカミノルタ株式会社 発光部材、発光システム及び発光部材の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378299A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR101671343B1 (ko) 2012-05-22 2016-11-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
US10374187B2 (en) 2012-05-22 2019-08-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and method of producing the same
KR102594014B1 (ko) * 2016-08-03 2023-10-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN106521423A (zh) * 2016-11-28 2017-03-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板
CN113140684B (zh) * 2021-04-16 2022-05-31 南京国兆光电科技有限公司 微型oled显示屏及其亮点缺陷激光修复方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326354A (ja) * 1993-05-13 1994-11-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機電界発光素子の製造方法
JPH08124679A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Ibm Japan Ltd エレクトロ・ルミネッセンス装置
DE69724129T2 (de) * 1996-09-04 2004-02-26 Cambridge Display Technology Ltd. Lichtemittierende organische vorrichtungen mit verbesserter kathode
EP0845924B1 (en) * 1996-11-29 2003-07-16 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescent device
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3266573B2 (ja) * 1998-04-08 2002-03-18 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6137223A (en) * 1998-07-28 2000-10-24 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure
US6660411B2 (en) * 2000-09-20 2003-12-09 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
ITMI20010995A1 (it) * 2001-05-15 2002-11-15 Getters Spa Dispensatori di cesio e processo per il loro uso
US9496499B2 (en) * 2005-02-22 2016-11-15 Commissariat A L'energie Atomique Organic light-emitting diode with doped layers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019093492A1 (ja) * 2017-11-09 2019-05-16 コニカミノルタ株式会社 発光部材、発光システム及び発光部材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110073843A1 (en) 2011-03-31
KR20090077040A (ko) 2009-07-14
ITMI20061872A1 (it) 2008-03-30
CN101523632A (zh) 2009-09-02
TW200822786A (en) 2008-05-16
WO2008037654A1 (en) 2008-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Karzazi Organic light emitting diodes: Devices and applications
TWI524569B (zh) 用於發光應用之電致發光裝置
JP5102967B2 (ja) Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法
US10418575B2 (en) OLED with mixed layer between the hole transport and emission layers
TWI445445B (zh) 有機發光裝置及其製造方法
EP1178546B1 (en) Process for annealing organic light emitting devices
JP2010505257A (ja) 有機発光ディスプレイ及びその製造方法
JP2012248405A (ja) 有機el素子及びその製造方法
JP2001357975A (ja) 有機el素子
US20020045397A1 (en) Method for manufacturing organic electroluminescence device
KR101262816B1 (ko) 발광 소자
JP2007036127A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5330429B2 (ja) 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
TWI255665B (en) Organic electroluminescent device
KR101850147B1 (ko) 유기발광다이오드 소자 및 그 제조방법
KR102276377B1 (ko) 전극 및 그 전극을 응용한 유기 전계 발광 소자
US20050104510A1 (en) Organic light emitting device capable of white light emissions and method for making the same
Lindla et al. Hybrid white organic light-emitting diode with a mixed-host interlayer processed by organic vapor phase deposition
JP2004031211A (ja) 有機電界発光素子
Vyavahare Fabrication and characterization of organic light emitting diodes for display applications
JP2002237388A (ja) 有機電界発光素子
JPH09194831A (ja) 有機薄膜el素子
KR100896800B1 (ko) 유기 발광 소자 및 그 제조방법
Coehoorn et al. High Efficiency OLEDs for Lighting Applications: Completing the Solid State Lighting Portfolio
Cheng et al. White organic light-emitting devices

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100608

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100608

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20110302