JP2010287305A - 多値レベルメモリデバイスにおける増大した記憶容量のための誤り訂正符号 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入力データを受信することと、外部符号器によって、外部符号系列を該入力データの少なくとも一部分に基づいて生成することと、内部符号器によって、内部符号系列を該外部符号系列の少なくとも一部分に基づいて生成することであって、該内部符号系列は、第一の複数のパリティ情報ビットと第二の複数のノンパリティ情報ビットとを含んでいる、ことと、該第一の複数のパリティ情報ビットを不揮発性メモリデバイスの第三の複数のパリティ用セルに書き込むことと、該第二の複数のノンパリティ情報ビットを該不揮発性メモリデバイスの第四の複数のノンパリティ用セルに書き込むこととを包含する、方法。
【選択図】図5
Description
上記された不揮発性メモリ(NVM)デバイスの開発に対する通常のワークフローは、パリティ情報ビット数がノンパリティ情報ビット数よりもかなり少ないときには、有効であり得る。しかしながら、テクノロジーノードの縮小するサイズと、各々のセルにおいて格納されるビット数の増大とによって、未処理(raw)ビット誤り率(BER)は、ますます大きくなり、その結果として、パリティ情報ビット数が増大している。これらの状況において、セルあたりのビット数を増大させることに基づく記憶容量における利得と称されるものは、信頼性目標を達成するために所望されるパリティ情報ビット数の対応する増加によって相殺され得る。このことは、硬判定ECCソリューション(例えば、ハミング符号およびBCH符号)が用いられる場合には、特に問題である。従って、本明細書において論じられている実施形態は、NVMデバイスの記憶容量を増大させるために用いられ得る測定規準と、ECCスキームとを提供している。
(項目1)
入力データを受信することと、
外部符号器によって、外部符号系列を該入力データの少なくとも一部分に基づいて生成することと、
内部符号器によって、内部符号系列を該外部符号系列の少なくとも一部分に基づいて生成することであって、該内部符号系列は、第一の複数のパリティ情報ビットと第二の複数のノンパリティ情報ビットとを含んでいる、ことと、
該第一の複数のパリティ情報ビットを不揮発性メモリデバイスの第三の複数のパリティ用セルに書き込むことと、
該第二の複数のノンパリティ情報ビットを該不揮発性メモリデバイスの第四の複数のノンパリティ用セルに書き込むことと
を包含する、方法。
(項目2)
非二進符号を上記外部符号系列の上記生成において用いることと、
二進符号を上記内部符号系列の上記生成において用いることと
をさらに包含する、上記項目に記載の方法。
(項目3)
上記非二進符号は、リードソロモン符号であり、上記二進符号は、トレリス符号化変調符号である、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の方法。
(項目4)
3つ以上の、セルあたりの公称のビット数を書き込むことと、
上記不揮発性メモリデバイスの全部のセル数のうちの15パーセント以下をパリティ用セルとして用いることと
をさらに包含する、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の方法。
(項目5)
上記不揮発性メモリデバイスは、ノンパリティ情報ビットの第一の数を格納可能であり、該第一の数を、該不揮発性メモリデバイスのパリティ用セルの第二の数と、該不揮発性メモリデバイスのノンパリティ用セルの第三の数との合計による除算は、2.2を超えている、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の方法。
(項目6)
各々のセルは、8つ以上の分割を含んでいる、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の方法。
(項目7)
第一の複数のパリティ情報ビットを不揮発性メモリデバイスの第二の複数のパリティ用セルから読み出すことと、
第三の複数のノンパリティ情報ビットを該不揮発性メモリデバイスの第四の複数のノンパリティ用セルから読み出すことであって、該第一の複数のパリティ情報ビットと該第三の複数のノンパリティ情報ビットとは、内部符号系列に対応している、ことと、
内部復号器によって、該内部符号系列を、外部符号系列を提供するために復号化することと、
外部復号器によって、該外部符号系列を、入力データを提供するために復号化することと
を包含する、方法。
(項目8)
上記外部符号系列を該外部符号系列の上記復号化の前にデインタリーブすること
をさらに包含する、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の方法。
(項目9)
二進符号を上記内部符号系列の上記復号化において用いることと、
非二進符号を上記外部符号系列の上記復号化において用いることと
をさらに包含する、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の方法。
(項目10)
コンピュータ読み取り可能媒体であって、該コンピュータ読み取り可能媒体上に格納されているコンピュータ実行可能命令を有し、該コンピュータ実行可能命令は、マシンによって実行される場合には、方法を該マシンに実行させ、該方法は、
不揮発性メモリ(NVM)デバイスが格納可能なノンパリティ情報ビット数を受信することと、
該NVMデバイスのノンパリティ用セル数を受信することと、
該NVMデバイスのパリティ用セル数を受信することと、
該NVMに対するセルあたりの実際のビット値を、該ノンパリティ情報ビット数、該ノンパリティ用セル数、および該パリティ用セル数の少なくとも一部分に基づいて決定することと
を包含する、
コンピュータ読み取り可能媒体。
(項目11)
上記命令は、上記マシンによって実行される場合には、さらに上記方法を該マシンに実行させ、該方法は、
セルあたりの実際のビット値を上記NVMに対する可能性のある複数のパラメータの組み合わせの各々に対して決定すること
を包含する、上記項目のうちのいずれか一項目に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
(項目12)
上記命令は、上記マシンによって実行される場合には、さらに上記方法を該マシンに実行させ、該方法は、
上記NVMデバイスに対する第一のパラメータの組み合わせを、上記可能性のある複数のパラメータの組み合わせに対する上記セルあたりの実際のビット値の少なくとも一部分に基づいて選択すること
を包含する、上記項目のうちのいずれか一項目に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
(項目13)
上記命令は、上記マシンによって実行される場合には、上記選択することを該マシンに、
誤り訂正符号スキームを選択することと、
セルあたりの公称のビット値を選択することと
によって実行させる、上記項目のうちのいずれか一項目に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
(項目14)
上記命令は、上記マシンによって実行される場合には、上記決定することを該マシンに、
上記NVMデバイスの上記ビット数を、ノンパリティ用セル数と、パリティ用セル数との合計によって除算すること
によって実行させる、上記項目のうちのいずれか一項目に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
(項目15)
上記命令は、上記マシンによって実行される場合には、さらに上記方法を該マシンに実行させ、該方法は、
上記NVMデバイスが格納可能な上記ノンパリティ情報ビット数を受信することと、
該NVMデバイスのセルあたりの公称のビット値を受信することと、
該NVMデバイスの上記ノンパリティ用セル数を、該ノンパリティ情報ビット数と該セルあたりの公称のビット値との少なくとも一部分に基づいて決定することと
を包含する、上記項目のうちのいずれか一項目に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
(項目16)
上記命令は、上記マシンによって実行される場合には、さらに上記方法を該マシンに実行させ、該方法は、
上記NVMデバイスのセルの分割数を受信することと、
データを該NVMデバイスの中にプログラミングし、かつデータを該NVMデバイスから読み出すことにおいて用いられる誤り訂正符号(ECC)スキームを受信することと、
該NVMデバイスの上記パリティ用セル数を、該分割数と該ECCスキームとの少なくとも一部分に基づいて決定することと
を包含する、上記項目のうちのいずれか一項目に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
(項目17)
装置であって、
不揮発性メモリセルの行列と、
該不揮発性メモリセルの行列に結合されているプログラマと
を備え、
該プログラマは、入力データを受信し、かつ該入力データの少なくとも一部分に基づいて連接符号系列を生成するように構成され、
該連接符号系列は、第一の複数のパリティ情報ビットと、第二の複数のノンパリティ情報ビットとを含み、
該プログラマは、該第一の複数のパリティ情報ビットを第三の複数のパリティ用セルに書き込み、かつ該第二の複数のノンパリティ情報ビットを第四の複数のノンパリティ用セルに書き込むようにさらに構成されている、
装置。
(項目18)
上記プログラマは、
上記入力データを受信し、かつ該入力データの少なくとも一部分に基づいて外部符号系列を生成するように構成されている外部符号器と、
上記連接符号系列を該外部符号系列の少なくとも一部分に基づいて生成するように構成されている内部符号器と
を備えている、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の装置。
(項目19)
上記外部符号器は、上記外部符号系列を生成するために非二進符号を用いるようにさらに構成され、
上記内部符号器は、上記内部符号系列を生成するために二進符号を用いるようにさらに構成されている、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の装置。
(項目20)
外部符号系列を提供するために上記連接符号系列を復号化するように構成されている内部復号器と、
上記入力データを提供するために該外部符号系列を復号化するように構成されている外部復号器と
をさらに備えている、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の装置。
(項目21)
上記装置は、集積回路である、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の装置。
(項目22)
上記装置は、不揮発性メモリデバイスである、上記項目のうちのいずれか一項目に記載の装置。
本開示の実施形態は、誤り訂正を有する多値レベルの符号化に関する方法、システムおよび装置を提供している。一部の実施形態において、データは、連接符号化/復号化スキームによって不揮発性メモリセルの行列にプログラミングされ、かつ/または該セル行列から読み出され得る。一部の実施形態において、計算モジュールは、不揮発性メモリデバイスのパラメータの所与の組み合わせにおけるセルあたりの実際のビット値を決定し得る。さらなる他の実施形態が記載され、かつ主張され得る。
104 プログラマ
108 セル行列
112 リーダ
200 計算システム
204 ノンパリティ計算モジュール
208 セルあたりの実際のビット(ABC)計算モジュール
212 パリティ計算モジュール
216 セルあたりの公称のビット(b/c)計算モジュール
220 セレクタ
504 外部符号器
508 内部符号器
512 インタリーバ
516 デジタルソース
520 内部復号器
524 デインタリーバ
528 外部復号器
532 デジタルシンク
800 ホストデバイス
804 プロセッサ
808 システム制御ロジック
812 システムメモリ
820 通信インタフェース
824 命令
Claims (22)
- 入力データを受信することと、
外部符号器によって、外部符号系列を該入力データの少なくとも一部分に基づいて生成することと、
内部符号器によって、内部符号系列を該外部符号系列の少なくとも一部分に基づいて生成することであって、該内部符号系列は、第一の複数のパリティ情報ビットと第二の複数のノンパリティ情報ビットとを含んでいる、ことと、
該第一の複数のパリティ情報ビットを不揮発性メモリデバイスの第三の複数のパリティ用セルに書き込むことと、
該第二の複数のノンパリティ情報ビットを該不揮発性メモリデバイスの第四の複数のノンパリティ用セルに書き込むことと
を包含する、方法。 - 非二進符号を前記外部符号系列の前記生成において用いることと、
二進符号を前記内部符号系列の前記生成において用いることと
をさらに包含する、請求項1に記載の方法。 - 前記非二進符号は、リードソロモン符号であり、前記二進符号は、トレリス符号化変調符号である、請求項2に記載の方法。
- 3つ以上の、セルあたりの公称のビット数を書き込むことと、
前記不揮発性メモリデバイスの全部のセル数のうちの15パーセント以下をパリティ用セルとして用いることと
をさらに包含する、請求項1に記載の方法。 - 前記不揮発性メモリデバイスは、ノンパリティ情報ビットの第一の数を格納可能であり、該第一の数を、該不揮発性メモリデバイスのパリティ用セルの第二の数と、該不揮発性メモリデバイスのノンパリティ用セルの第三の数との合計による除算は、2.2を超えている、請求項1に記載の方法。
- 各々のセルは、8つ以上の分割を含んでいる、請求項5に記載の方法。
- 第一の複数のパリティ情報ビットを不揮発性メモリデバイスの第二の複数のパリティ用セルから読み出すことと、
第三の複数のノンパリティ情報ビットを該不揮発性メモリデバイスの第四の複数のノンパリティ用セルから読み出すことであって、該第一の複数のパリティ情報ビットと該第三の複数のノンパリティ情報ビットとは、内部符号系列に対応している、ことと、
内部復号器によって、該内部符号系列を、外部符号系列を提供するために復号化することと、
外部復号器によって、該外部符号系列を、入力データを提供するために復号化することと
を包含する、方法。 - 前記外部符号系列を該外部符号系列の前記復号化の前にデインタリーブすること
をさらに包含する、請求項7に記載の方法。 - 二進符号を前記内部符号系列の前記復号化において用いることと、
非二進符号を前記外部符号系列の前記復号化において用いることと
をさらに包含する、請求項7に記載の方法。 - コンピュータ読み取り可能媒体であって、該コンピュータ読み取り可能媒体上に格納されているコンピュータ実行可能命令を有し、該コンピュータ実行可能命令は、マシンによって実行される場合には、方法を該マシンに実行させ、該方法は、
不揮発性メモリ(NVM)デバイスが格納可能なノンパリティ情報ビット数を受信することと、
該NVMデバイスのノンパリティ用セル数を受信することと、
該NVMデバイスのパリティ用セル数を受信することと、
該NVMに対するセルあたりの実際のビット値を、該ノンパリティ情報ビット数、該ノンパリティ用セル数、および該パリティ用セル数の少なくとも一部分に基づいて決定することと
を包含する、
コンピュータ読み取り可能媒体。 - 前記命令は、前記マシンによって実行される場合には、さらに前記方法を該マシンに実行させ、該方法は、
セルあたりの実際のビット値を前記NVMに対する可能性のある複数のパラメータの組み合わせの各々に対して決定すること
を包含する、請求項10に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。 - 前記命令は、前記マシンによって実行される場合には、さらに前記方法を該マシンに実行させ、該方法は、
前記NVMデバイスに対する第一のパラメータの組み合わせを、前記可能性のある複数のパラメータの組み合わせに対する前記セルあたりの実際のビット値の少なくとも一部分に基づいて選択すること
を包含する、請求項11に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。 - 前記命令は、前記マシンによって実行される場合には、前記選択することを該マシンに、
誤り訂正符号スキームを選択することと、
セルあたりの公称のビット値を選択することと
によって実行させる、請求項12に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。 - 前記命令は、前記マシンによって実行される場合には、前記決定することを該マシンに、
前記NVMデバイスの前記ビット数を、ノンパリティ用セル数と、パリティ用セル数との合計によって除算すること
によって実行させる、請求項11に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。 - 前記命令は、前記マシンによって実行される場合には、さらに前記方法を該マシンに実行させ、該方法は、
前記NVMデバイスが格納可能な前記ノンパリティ情報ビット数を受信することと、
該NVMデバイスのセルあたりの公称のビット値を受信することと、
該NVMデバイスの前記ノンパリティ用セル数を、該ノンパリティ情報ビット数と該セルあたりの公称のビット値との少なくとも一部分に基づいて決定することと
を包含する、請求項11に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。 - 前記命令は、前記マシンによって実行される場合には、さらに前記方法を該マシンに実行させ、該方法は、
前記NVMデバイスのセルの分割数を受信することと、
データを該NVMデバイスの中にプログラミングし、かつデータを該NVMデバイスから読み出すことにおいて用いられる誤り訂正符号(ECC)スキームを受信することと、
該NVMデバイスの前記パリティ用セル数を、該分割数と該ECCスキームとの少なくとも一部分に基づいて決定することと
を包含する、請求項11に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。 - 装置であって、
不揮発性メモリセルの行列と、
該不揮発性メモリセルの行列に結合されているプログラマと
を備え、
該プログラマは、入力データを受信し、かつ該入力データの少なくとも一部分に基づいて連接符号系列を生成するように構成され、
該連接符号系列は、第一の複数のパリティ情報ビットと、第二の複数のノンパリティ情報ビットとを含み、
該プログラマは、該第一の複数のパリティ情報ビットを第三の複数のパリティ用セルに書き込み、かつ該第二の複数のノンパリティ情報ビットを第四の複数のノンパリティ用セルに書き込むようにさらに構成されている、
装置。 - 前記プログラマは、
前記入力データを受信し、かつ該入力データの少なくとも一部分に基づいて外部符号系列を生成するように構成されている外部符号器と、
前記連接符号系列を該外部符号系列の少なくとも一部分に基づいて生成するように構成されている内部符号器と
を備えている、請求項17に記載の装置。 - 前記外部符号器は、前記外部符号系列を生成するために非二進符号を用いるようにさらに構成され、
前記内部符号器は、前記内部符号系列を生成するために二進符号を用いるようにさらに構成されている、請求項18に記載の装置。 - 外部符号系列を提供するために前記連接符号系列を復号化するように構成されている内部復号器と、
前記入力データを提供するために該外部符号系列を復号化するように構成されている外部復号器と
をさらに備えている、請求項17に記載の装置。 - 前記装置は、集積回路である、請求項17に記載の装置。
- 前記装置は、不揮発性メモリデバイスである、請求項17に記載の装置。
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US12/482,400 US8370702B2 (en) | 2009-06-10 | 2009-06-10 | Error correcting codes for increased storage capacity in multilevel memory devices |
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