JP2010283678A - マグネトロン発振装置およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】周波数検出部7は、マグネトロン2から出力されたマイクロ波の周波数と、ユーザが所定の所望する発信周波数からの「ずれ」を検出してずれ信号を生成する。駆動電圧生成部8は、そのずれ信号に基づいてマイクロ波の発振周波数が所望する周波数となるようインピーダンス発生器5の駆動電圧を生成して出力する。これにより、マグネトロン2の発振を制御することができるので、広範囲な出力電力において発振周波数の安定化を実現することができる。
【選択図】 図1
Description
これに対し、マグネトロン発振装置は、プラズマ生成に必要な出力電力10kW程度までのマグネトロンが量産されていて、安価に入手できる。また、マグネトロンの駆動用電源は、構成が簡単で、安価に製作できる。したがって、マグネトロン発振装置は、プラズマ生成用の電源として多用されている。
負荷インピーダンスによって発振周波数が変化する現象を「プリング現象」と言う。
ここで、基準信号供給部は、基準信号を発振する基準信号発振器と、一端が基準信号発振器の出力端に接続された非可逆部材と、一端が非可逆部材の他端に接続されて、基準信号発振器からの基準信号を周波数結合器を通してマグネトロンへ導くとともに、周波数結合器からのマグネトロンの出力電力を負荷の方向へ導くサーキュレータとを備えるようにしてもよい。ここで、非可逆部材は用いないようにしてもよい。
図1に示すように、本発明に係る第1の実施の形態のマグネトロン発振装置1は、マグネトロン2と、マグネトロン電源3と、ランチャー4と、インピーダンス発生器5と、周波数結合器6と、周波数検出部7と、駆動電圧生成部8と、アイソレータ9とから構成される。
次に、本発明に係る第2の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態は、第1の実施の形態とインピーダンス発生器の構成を変えたものである。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
第1の例のインピーダンス発生器5cは、導波管路にマグネトロン2から負荷に向かって導波管路内に高周波HFを流し、この導波管路内の各フェライト移相器55の他端にそれぞれ対応する点Pにおいて位相を変化させ、インピーダンスを変化させるものである。
第2例のインピーダンス発生器5dは、導波管路にマグネトロン2から負荷に向かって導波管路に高周波HFを流し、この導波管路内のフェライト移相器55に対応する点Pと、導波管路を構成するフェライト移相器55とで位相を変化させ、インピーダンスを変化させるものである。
次に、本発明に係る第3の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態は、第1の実施の形態とアイソレータに対応する構成を変えたものである。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付し、適宜説明を省略する。
また、本実施の形態において、非可逆部材13は設けないようにしてもよい。
また、本実施の形態において、基本信号供給部11の入力端が周波数結合器6の出力端に接続されているが、基準信号供給部11の入力端をインピーダンス発生器5の出力端に、基準信号供給部11の出力端を周波数結合器6の入力端に接続するようにしてもよい。
次に、本発明に係る第4の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態は、第1の実施の形態と周波数検出部の構成を変えたものである。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付して、適宜説明を省略する。
(K=(1/2π)×(L/C):定数)
次に、本発明に係る第5の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態は、上述した第4の実施の形態と同様、第1の実施の形態と周波数検出部の構成を変えたものである。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付して、適宜説明を省略する。
次に、本発明に係る第6の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態は、第1の実施の形態とマグネトロンおよびマグネトロン電源の構成を変えたものである。したがって、本実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成要素については、同じ名称および符号を付して、適宜説明を省略する。
ヒータ/カソードH/Kの一端にはさらに、マグネトロン電源3aのアノード電源32が接続されている。アースに接続されたアノードAに対し、負の電圧をアノード電源32からヒータ/カソードH/Kに印加することにより、ヒータ/カソードH/KとアノードAとの間に電界が形成され、ヒータ/カソードH/KからアノードAに向けて電子が放出される。
この状態で、ヒータ/カソードH/Kと平行(電界と直角方向)に磁界を印加すると、マイクロ波Mが発振する。
図10は、アノード電流とヒータ電圧との関係を示すグラフである。「Max」はアノード電流に対するヒータ電圧の上限、「Min」は下限をそれぞれ表している。このグラフにしたがい、ヒータ電源31を用いてヒータ電圧を制御することにより、バックヒーティングを防止することができる。
次に、本発明に係る第7の実施の形態について説明する。
上述したマグネトロン発振装置1,10は、プラズマ処理装置のマイクロ波電源として用いることができる。マグネトロン発振装置1,10が用いられたプラズマ処理装置の一構成例を図11に示す。
処理容器81の底面周縁部には、真空排気用の排気口85が設けられている。処理容器81の側壁には、処理容器81内にガスを導入するガス導入用ノズル86が設けられている。例えばプラズマ処理装置がエッチング装置として用いられる場合には、ノズル86からAr等のプラズマガスと、CF4等のエッチングガスとが導入される。
誘電体板87の上には、処理容器81内にマイクロ波Mを供給するマイクロ波供給装置90のアンテナであるラジアルラインスロットアンテナ(RLSA)99が配設されている。RLSA99および誘電体板87の外周は、処理容器81の側壁上に環状に配置されたシールド材89によって覆われ、RLSA99から処理容器81内に供給されるマイクロ波が外部に漏れない構造になっている。
ここで、ラジアル導波路95は、互いに平行な2枚の円形導体板96,97と、これら2枚の導体板96,97の外周部を接続してシールドする導体リング98とを有する。ラジアル導波路95の上面となる導体板96の中心部には、円筒導波管93が接続される。また、ラジアル導波路95の下面となる導体板97には、複数のスロットが形成され、これらのスロットからRLSA99が構成される。
しかも、マグネトロン発振装置1,10は、半導体発振装置やクライストロン発振装置と同じく周波数安定度がよく、モーディングも起きない。このため、周波数依存性のある要素を多く含むプラズマ処理装置の動作を安定化し、かつ、一定化することができる。また、帯域特性を考慮しなくてもよいので、プラズマ処理装置の放電電極(本実施の形態においては、ラジアル導波路95およびRLSA99)等の設計が容易になる。
Claims (9)
- マグネトロンと、
このマグネトロンの出力電力を取り出すランチャーと、
このランチャーに入力端が接続されて、前記マグネトロンの負荷サセプタンスを調整するインピーダンス発生器と、
このインピーダンス発生器に入力端が接続されて、通過電力の一部を取り出す周波数結合器と、
入力端が周波数結合器の第1の出力端に接続され、前記マグネトロンの発振周波数と所定の周波数とのずれに応じたずれ信号を出力する周波数検出部と、
この周波数検出部に入力端が接続され、前記インピーダンス発生器に出力端が接続されて、前記ずれ信号に基づいて、前記マグネトロンの発振周波数を前記所定の周波数にするための駆動電圧を生成して前記インピーダンス発生器に出力する駆動電圧生成部と
を備えたことを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 入力端が前記周波数結合器の第2の出力端に接続され、前記マグネトロンの出力電力を負荷の方向へ導く非可逆部材をさらに備える
ことを特徴とする請求項1記載のマグネトロン発振装置。 - 前記インピーダンス発生器は、
矩形導波管と、この矩形導波管の対向する広面の内壁面にそれぞれ配設されたフェライトと、このフェライトと対応する位置で前記矩形導波管の外周に巻回されたコイルとからなる移相器と、
この移相器の一端に接続された短絡板と、
前記移相器の他端に接続された分岐導波管と
を少なくとも1組備える
ことを特徴とする請求項1または2記載のマグネトロン発振装置。 - 前記周波数結合器の第2の出力端に一端が接続されて、前記マグネトロンの出力よりも低電力かつ周波数が安定した基準信号を前記マグネトロンに供給する基準信号供給部をさらに備える
ことを特徴とする請求項1−3の何れか1項に記載のマグネトロン発振装置。 - 前記基準信号供給部は、
前記基準信号を発振する基準信号発振器と、
一端が前記基準信号発振器の出力端に接続された非可逆部材と、
一端が前記非可逆部材の他端に接続されて、前記基準信号発振器からの前記基準信号を前記周波数結合器を通して前記マグネトロンへ導くとともに、前記周波数結合器からの前記マグネトロンの出力電力を負荷の方向へ導くサーキュレータと
を備えることを特徴とする請求項4記載のマグネトロン発振装置。 - 前記周波数検出部は、
入力端が前記周波数結合器の前記第1の出力端に接続された分割回路と、
第1の入力端が前記分割回路の第1の出力端に接続された位相検波回路と、
入力端が前記分割回路の第2の出力端に接続され、出力端が前記位相検波回路の第2の入力端に接続された移相回路と
を備えることを特徴とする請求項1−5の何れか1項に記載のマグネトロン発振装置。 - 前記周波数検出部は、
入力端が前記周波数結合器の前記第1の出力端に接続された分割回路と、
入力端が前記分割回路の第1の出力端に接続された第1の共振回路と、
入力端が前記第1の共振回路に接続された第1の検波回路と、
入力端が前記分割回路の第2の出力端に接続された第2の共振回路と、
入力端が前記第2の共振回路に接続された第2の検波回路と、
第1の入力端が前記第1の検波回路に接続され、第2の入力端が前記第2の検波回路に接続された加算回路と
を備えることを特徴とする請求項1−5の何れか1項に記載のマグネトロン発振装置。 - 前記マグネトロンは、
加熱により電子を放出するカソードと、
このカソードを加熱するヒータと、
前記カソードとの間に電界を形成するアノードと
を少なくとも備え、
前記アノードに流れる電流が大きくなるにしたがって前記ヒータに印加する電圧を小さくするヒータ電源をさらに備える
ことを特徴とする請求項1−7の何れか1項に記載のマグネトロン発振装置。 - マイクロ波により生成されたプラズマを用いて、被処理体に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波の供給源として請求項1−8の何れか1項に記載のマグネトロン発振装置を備える
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
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