JP2010282111A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表面に絶縁膜が成膜された基板とシール材との接合強度を高め、液晶表示装置の強度を高める。
【解決手段】TFTアレイ基板2と、TFTアレイ基板2の絶縁膜25が形成された側に設けられ、TFTアレイ基板2と間隔を空けて対向した対向基板4と、対向基板4のTFTアレイ基板2に対向する面に成膜され、ITOからなる対向電極43と、TFTアレイ基板2と対向基板4との間の隙間を囲繞するようにして枠状に設けられ、対向電極43に接合されたシール材3と、絶縁膜25上に形成され、シール材3に接合されたITO層9と、シール材3によって囲繞された空間に充填された液晶8と、を備える。
【選択図】図5
【解決手段】TFTアレイ基板2と、TFTアレイ基板2の絶縁膜25が形成された側に設けられ、TFTアレイ基板2と間隔を空けて対向した対向基板4と、対向基板4のTFTアレイ基板2に対向する面に成膜され、ITOからなる対向電極43と、TFTアレイ基板2と対向基板4との間の隙間を囲繞するようにして枠状に設けられ、対向電極43に接合されたシール材3と、絶縁膜25上に形成され、シール材3に接合されたITO層9と、シール材3によって囲繞された空間に充填された液晶8と、を備える。
【選択図】図5
Description
本発明は、液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は、カラーフィルタ基板とそれに対向したTFTアレイ基板との間に液晶を密閉したものである(特許文献1参照)。液晶を密閉すべく、枠状のシール材がカラーフィルタ基板の周縁部とTFTアレイ基板の周縁部の間に挟持されている。液晶はそのシール材の内側に封入されている。カラーフィルタ基板の両面のうちTFTアレイ基板に向き合う面には、ITOからなる共通電極が成膜されている。一方、TFTアレイ基板の両面のうち、カラーフィルタ基板に向き合う面には、シリコン酸化物からなる絶縁膜が成膜されている。そのため、シール材は共通電極に密着すると共に、絶縁膜に密着する(特許文献1参照)。
ところが、シール材と絶縁膜との接着強度は、シール材の引張強度やシール材と共通電極の接着強度に比べ弱い。このため、液晶表示装置にカラーフィルタ基板とTFTアレイ基板とを互いに引き離す方向に力が加えられると、シール材の引張強度に達する前にシール材と絶縁膜が剥がれてしまっていた。つまり、シール材の有する引張強度を十分に生かしきれておらず、液晶表示装置の強度が十分でなかった。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、表面に絶縁膜が成膜された基板とシール材との接合強度を高め、液晶表示装置の強度を高めることである。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、表面に絶縁膜が成膜された基板とシール材との接合強度を高め、液晶表示装置の強度を高めることである。
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、第1基板と、前記第1基板と隙間を空けて対向する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板の隙間を囲繞するように枠状に設けられたシール材と、前記シール材によって囲繞された空間に充填された液晶と、を備え、前記第1基板と前記第2基板の前記シール材形成領域にはそれぞれ同じ材料からなる層が設けられていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、TFTアレイ基板と、前記TFTアレイ基板の絶縁膜が形成された側に設けられ、前記TFTアレイ基板と間隔を空けて対向した対向基板と、前記対向基板の前記TFTアレイ基板に対向する面に成膜され、ITOからなる対向電極と、前記TFTアレイ基板と前記対向基板との間の隙間を囲繞するようにして枠状に設けられ、前記対向電極に接合されたシール材と、前記絶縁膜上に形成され、前記シール材に接合されたITO層と、前記シール材によって囲繞された空間に充填された液晶と、を備えることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
好ましくは、前記ITO層は前記対向電極と電気的に絶縁されている。
好ましくは、前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、前記対向基板から前記TFTアレイ基板に向かって見て、前記ITO層が前記配線からずれている。
好ましくは、前記ITO層は断続的に複数箇所設けられている。
好ましくは、前記配線は少なくともデータライン及びゲートラインの何れか一方である。
好ましくは、前記ITO層と前記シール材との接着強度が前記絶縁膜と前記シール材との接着強度よりも大きい。
好ましくは、前記シール材形成領域の内部において、前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極を被覆するように形成された配向膜と、を備える。
好ましくは、前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、前記対向基板から前記TFTアレイ基板に向かって見て、前記ITO層が前記配線に重なっている。
好ましくは、前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、前記対向基板から前記TFTアレイ基板に向かって見て、前記ITO層が前記配線からずれている。
好ましくは、前記ITO層は断続的に複数箇所設けられている。
好ましくは、前記配線は少なくともデータライン及びゲートラインの何れか一方である。
好ましくは、前記ITO層と前記シール材との接着強度が前記絶縁膜と前記シール材との接着強度よりも大きい。
好ましくは、前記シール材形成領域の内部において、前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極を被覆するように形成された配向膜と、を備える。
好ましくは、前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、前記対向基板から前記TFTアレイ基板に向かって見て、前記ITO層が前記配線に重なっている。
本発明によれば、TFTアレイ基板の表面に成膜された絶縁層の上にITO層が成膜されることにより、TFTアレイ基板とシール材は、間にITO層を介在させた状態で接合される。ITO層とシール材との接着強度は、絶縁膜とシール材との接着強度よりも大きい。従って、TFTアレイ基板とシール材とがより強力に接合することになり、液晶表示装置の強度が高まる。
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
<第1の実施の形態>
まず、液晶表示装置1の構成について説明する。
図1は、液晶表示装置1の正面図である。図2は、図1に示したA−A線に沿った面の縦断面図である。図1、図2に示すように、対向基板(第2基板)4がTFTアレイ基板(第1基板)2の正面に対向する。対向基板4とTFTアレイ基板2の間には、シール材3が挟持されている。このシール材3は、対向基板4の縁に沿って矩形枠状に設けられている。TFTアレイ基板2と対向基板4の間であってシール材3内には、液晶8が封入されている。図1に示すように、シール材3によって囲まれる領域が表示領域である。TFTアレイ基板2の表面には、LSIチップ6が実装されている。このLSIチップ6は、表示領域の下側に配置されている。TFTアレイ基板2の表面であって表示領域の外側には、複数本の引き回し配線からなる引き回し配線群21a,22aが形成されている。LSIチップ6には、引き回し配線群21a,22aの各引き回し配線の端部が接続されている。半分の引き回し配線群21aは、LSIチップ6からTFTアレイ基板2の左側を通って表示領域の左側まで延びている。もう半分の引き回し配線群21aは、LSIチップ6からTFTアレイ基板2の右側部を通って表示領域の右側まで延びている。引き回し配線群22aは、LSIチップ6から帯状に広がって表示領域の下部まで延びている。
まず、液晶表示装置1の構成について説明する。
図1は、液晶表示装置1の正面図である。図2は、図1に示したA−A線に沿った面の縦断面図である。図1、図2に示すように、対向基板(第2基板)4がTFTアレイ基板(第1基板)2の正面に対向する。対向基板4とTFTアレイ基板2の間には、シール材3が挟持されている。このシール材3は、対向基板4の縁に沿って矩形枠状に設けられている。TFTアレイ基板2と対向基板4の間であってシール材3内には、液晶8が封入されている。図1に示すように、シール材3によって囲まれる領域が表示領域である。TFTアレイ基板2の表面には、LSIチップ6が実装されている。このLSIチップ6は、表示領域の下側に配置されている。TFTアレイ基板2の表面であって表示領域の外側には、複数本の引き回し配線からなる引き回し配線群21a,22aが形成されている。LSIチップ6には、引き回し配線群21a,22aの各引き回し配線の端部が接続されている。半分の引き回し配線群21aは、LSIチップ6からTFTアレイ基板2の左側を通って表示領域の左側まで延びている。もう半分の引き回し配線群21aは、LSIチップ6からTFTアレイ基板2の右側部を通って表示領域の右側まで延びている。引き回し配線群22aは、LSIチップ6から帯状に広がって表示領域の下部まで延びている。
図3は、TFTアレイ基板2の表示領域の一部を拡大して示した平面図である。TFTアレイ基板2の表示領域には、図3に示すように、ゲートライン21が表示領域の左端から右端まで左右方向に等間隔かつ平行に延びている。そして、1本のゲートライン21につき、引き回し配線群21aの1本の引き回し配線21bが一体形成されている。また、TFTアレイ基板2の表示領域には、データライン22が表示領域の下端から上端まで上下方向に等間隔かつ平行に延びている。1本のデータライン22につき引き回し配線群22aの引き回し配線22bが一体形成されている。複数のゲートライン21と複数のデータライン22は平面視で互いに直交している。ゲートライン21とデータライン22は互いに絶縁されている。そして、複数の薄膜トランジスタ24がマトリクス状に配列され、各薄膜トランジスタ24がゲートライン21とデータライン22の各交差部付近に配置され、各薄膜トランジスタ24がゲートライン21とデータライン22とに接続されている。また、複数の画素電極26がマトリクス状に配列され、複数のゲートライン21と複数のデータライン22とで囲繞された各領域には、各画素電極26が配置されて薄膜トランジスタ24と接続されている。このようにして表示領域が形成されている。
図4は、図2に示した液晶表示装置1の一部を拡大して示した縦断面図である。TFTアレイ基板2は以下のようにして構成されている。ガラス基板20の一方の面上にゲート絶縁膜23が成膜され、そのゲート絶縁膜23上に保護絶縁膜25が成膜され、保護絶縁膜25がTFTアレイ基板2の表面になっている。ガラス基板20の上面に薄膜トランジスタ24のゲート電極21cがパターニングされて形成されている。ゲート電極21cがゲート絶縁膜23によって被覆されている。ゲート絶縁膜23上には半導体層24aがパターニングされて形成されている。半導体層24aは、ゲート電極21cに対向している。半導体層24aの上面中央部にはチャネル保護膜24bがパターニングされて形成され、平面視してチャネル保護膜24bの上面両側及び半導体層24aの上面両側には不純物半導体層24c、24dがパターニングされて形成されている。また、不純物半導体層24c上にドレイン電極22cがパターニングされて形成され、不純物半導体層24d上にソース電極24eがパターニングされている。そして、これら全体が保護絶縁膜25によって被覆されている。ゲート絶縁膜23及び保護絶縁膜25は、窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる。
図3に示されたゲートライン21及び引き回し配線21bは、図4に示されたガラス基板20上に形成されているとともに、ゲート絶縁膜23によって被覆されている。ゲート電極21cがゲートライン21に連接され、ゲート電極21cとゲートライン21が一体成形されている。データライン22及び引き回し配線群22aは、ゲート絶縁膜23上に形成されているとともに、保護絶縁膜25によって被覆されている。ドレイン電極22cがデータライン22に連接され、ドレイン電極22cとデータライン22が一体成形されている。
保護絶縁膜25上には画素電極26が成膜されている。画素電極26は、ITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウム錫)で形成されている。平面視して一つの画素電極26につき一つの薄膜トランジスタ24のソース電極24eが一部重なっており、保護絶縁膜25にはこの重なっている箇所においてコンタクトホール26aが形成されている。コンタクトホール26aには画素電極26と同じ材料が埋められており、画素電極26とソース電極24eがコンタクトホール26aを通じて導電している。そして、これら全ての画素電極26を被覆するように配向膜27が形成されている。この配向膜27は液晶8を配向させるものである。
対向基板4は、以下のようにして構成されている。ガラス基板40のTFTアレイ基板2側の面には、画素電極26に相対する領域で開口した黒色のブラックマトリクス41が網目状にパターニングされており、ブラックマトリクス41によって囲繞された複数の開口部がマトリクス状に配列されている。ブラックマトリクス41の各開口部には赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色を有したカラーフィルタ42が形成されており、対向基板4全体ではこれら三色が規則正しく配列されている。
ブラックマトリクス41及びカラーフィルタ42全体を被覆するように対向電極(第2層)43が形成されている。対向電極43はITOで形成されている。対向電極43が対向基板4の表面になっている。そして、対向電極43を被覆するように配向膜44が形成されている。この配向膜44は液晶8を配向させるものである。
図5は、図1に示したB−B線に沿った縦断面図である。また、図6は、図1に示すC−C線に沿った縦断面図である。液晶表示装置1を、TFTアレイ基板2の表示領域の側部に設けられたシール材3に沿って切断してみると、図5に示すように、ガラス基板20の上面に、ゲートライン21が、図5の紙面に垂直な方向に向かって複数本形成されている。そのゲートライン21をゲート絶縁膜23が被覆している。また、ゲート絶縁膜23を保護絶縁膜25が更に被覆している。保護絶縁膜25の上面にはITO層(第1層)9が成膜されている。ITO層9は、表示領域を囲むようにして矩形枠状に設けられており、対向電極43と電気的に絶縁されている。図1に示す方向に見てシール材3の形状とITO層9の形状は同じである。
一方、TFTアレイ基板2の表示領域の下部に設けられたシール材3に沿って切断してみると、図6に示すように、ガラス基板20の上面にゲート絶縁膜23が成膜され、そのゲート絶縁膜23の上面にデータライン22が、図6の紙面に垂直な方向に向かって複数本形成されている。そのデータライン22を保護絶縁膜25が被覆している。保護絶縁膜25の上面にはITO層9が成膜されている。なお、図5、図6に示す箇所は表示領域の外側であるため、薄膜トランジスタ24や画素電極26、配向膜27は設けられていない。
図5、図6に示すように、ITO層9の上面にはシール材3の下面が接着されている。シール材3は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂である。また、ITO層9は、図1に示す正面視のシール材3の形状と同じ矩形枠状に形成されているため、シール材3の下面全体がITO層9と接着している。
シール材3の上面には、図1、図5、図6に示すように、対向基板4が設けられている。そして、ガラス基板40の下面に成膜された対向電極43の下面が、シール材3の上面に接着されている。前述したとおり図5、図6に示す箇所は表示領域の外側であるため、ブラックマトリクス41、カラーフィルタ42、配向膜44は設けられていない。一方、対向電極43は、ガラス基板40の下面全体に成膜されているので、シール材3の上面全体が対向電極43と接着する。
ピール強度試験の結果から、シール材3の引張強度、SiO2等の絶縁膜とシール材3との接着強度及びITOとシール材3との接着強度を比較すると、ITOとシール材3との接着強度が最も強く、次いで、シール材3の引張強度が強く、そして、絶縁膜とシール材3との接着強度が3つの中で最も弱いことが知られている。このことは、ITO層9とシール材3との接着強度が、シール材3の引張強度や保護絶縁膜25とシール材3との接着強度よりも強いことを示している。また、保護絶縁膜25とITO層9との接着強度も、保護絶縁膜25とシール材3との接着強度よりも強いことが分かっている。この液晶表示装置1は、シール材3と保護絶縁膜25との間にITO層9が介在し、シール材3とガラス基板40との間にITOの対向電極43が介在し、シール材3が上下両面全体でITOと接着するよう構成されている。このため、TFTアレイ基板2とシール材3との接着強度及び対向基板4とシール材3との接着強度がシール材3の引張強度よりも強くなっている。従って、液晶表示装置1の強度が従来に比べ高くなっている。
次に、液晶表示装置1の製造方法について説明する。
まず、TFTアレイ基板2を製造する。即ち、気相成長工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、レジスト除去工程を適宜行う。そうすることにより、ガラス基板20の上にゲートライン21、データライン22及び薄膜トランジスタ24をパターニングするとともに、ゲート絶縁膜23及び保護絶縁膜25を成膜する。こうしてTFTアレイ基板2が完成する。
その後、画素ごとにコンタクトホール26aを保護絶縁膜25に形成する。その後、画素電極26及びITO層9をTFTアレイ基板2の表面にパターニングする。具体的には、気相成長法等によって保護絶縁膜25上にITOの膜を一面に成膜し、そのITO膜の上にレジストを塗布し、そのレジストをステッパによって露光し、そのレジストを現像液で現像し、残留したレジストをフォトマスクとしてITO膜をエッチングする。そうすると、ITO膜が形状加工され、ITO膜の一部が画素電極26、ITO層9として残留する。従って、従来のフォトマスクに比べて、ITO層9に対応する部分だけを変更するだけで、つまり、ステッパで投影する像を変更するだけで、画素電極26とITO層9を同時にパターニングすることができる。なお、画素電極26及びITO層9の元となるITO膜を成膜する際に、ITOがコンタクトホール26a内に堆積する。その後、残留したレジストを除去する。
まず、TFTアレイ基板2を製造する。即ち、気相成長工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、レジスト除去工程を適宜行う。そうすることにより、ガラス基板20の上にゲートライン21、データライン22及び薄膜トランジスタ24をパターニングするとともに、ゲート絶縁膜23及び保護絶縁膜25を成膜する。こうしてTFTアレイ基板2が完成する。
その後、画素ごとにコンタクトホール26aを保護絶縁膜25に形成する。その後、画素電極26及びITO層9をTFTアレイ基板2の表面にパターニングする。具体的には、気相成長法等によって保護絶縁膜25上にITOの膜を一面に成膜し、そのITO膜の上にレジストを塗布し、そのレジストをステッパによって露光し、そのレジストを現像液で現像し、残留したレジストをフォトマスクとしてITO膜をエッチングする。そうすると、ITO膜が形状加工され、ITO膜の一部が画素電極26、ITO層9として残留する。従って、従来のフォトマスクに比べて、ITO層9に対応する部分だけを変更するだけで、つまり、ステッパで投影する像を変更するだけで、画素電極26とITO層9を同時にパターニングすることができる。なお、画素電極26及びITO層9の元となるITO膜を成膜する際に、ITOがコンタクトホール26a内に堆積する。その後、残留したレジストを除去する。
次に、ITO層9の内側であって保護絶縁膜25の上に配向膜27を成膜し、配向膜27によって画素電極26を被覆する。その後、配向膜27をラビング処理する。
次に、対向基板4を製造する。ガラス基板40の表面にブラックマトリクス41を形成し、ブラックマトリクス41の各開口部にカラーフィルタ42を形成する。次にブラックマトリクス41及びカラーフィルタ42の上から対向電極43をべた一面に成膜する。こうして対向基板4が完成する。
次に、対向電極43上に配向膜44を成膜する。配向膜44の成膜領域は、対向電極43の縁部分を除く中央部とする。従って、対向電極43のうち配向膜44が重なっていない縁部分では対向電極43が枠状に露出する。その縁部分は、後述するようにシール材3が貼着される領域であり、対向電極43のうち配向膜44が重なった中央部は、表示領域となる。その後、配向膜44をラビング処理する。
次に、それらを貼り合わせる。まず、TFTアレイ基板2上に形成されたITO層9の上にシール材3を塗布し、表示領域をシール材3で囲繞する。シール材3による壁ができたところで、表示領域に液晶8を滴下する。そして対向基板4をTFTアレイ基板2と貼り合わせ、露出した対向電極43の縁部分をシール材3と密着させて、内部の液晶8を封止する。その後、シール材3を熱又は紫外線で硬化させる。このようにして液晶ディスプレイパネル5が完成する。
なお、液晶8の封入法としては、滴下法ではなく、真空注入法であってもよい。即ちITO層9の上にシール材3を塗布した後、対向基板4とTFTアレイ基板2を貼り合わせて、露出した対向電極43の縁部分とITO層9との間にシール材3を挟み、シール材3を熱又は紫外線によって硬化させ、その後、シール材3の内側を真空引きしながら、シール材3の内側に液晶8を注入してもよい。
また、滴下法、真空注入法の何れの方法であっても、シール材3をITO層9に塗布した後、対向基板4とTFTアレイ基板2を貼り合わせたが、逆に、露出した対向電極43の縁部分にシール材3を塗布した後、対向基板4とTFTアレイ基板2を貼り合わせてもよい。
なお、液晶8の封入法としては、滴下法ではなく、真空注入法であってもよい。即ちITO層9の上にシール材3を塗布した後、対向基板4とTFTアレイ基板2を貼り合わせて、露出した対向電極43の縁部分とITO層9との間にシール材3を挟み、シール材3を熱又は紫外線によって硬化させ、その後、シール材3の内側を真空引きしながら、シール材3の内側に液晶8を注入してもよい。
また、滴下法、真空注入法の何れの方法であっても、シール材3をITO層9に塗布した後、対向基板4とTFTアレイ基板2を貼り合わせたが、逆に、露出した対向電極43の縁部分にシール材3を塗布した後、対向基板4とTFTアレイ基板2を貼り合わせてもよい。
この液晶ディスプレイパネル5の所定位置に、LSIチップ6実装し、FPC7を接続する。こうして液晶表示装置1が完成する。
本実施形態によれば、TFTアレイ基板2の表面に成膜された保護絶縁膜25の上にITO層9が成膜されることにより、TFTアレイ基板2とシール材3は、間にITO層9を介在させた状態で接合される。ITO層9とシール材3との接着強度は、保護絶縁膜25とシール材3との接着強度よりも大きいため、TFTアレイ基板2と対向基板4とがより強力に接合することになり、液晶表示装置1の強度が高まる。また、保護絶縁膜25の上に画素電極26を設けるタイプのTFTアレイ基板2であっても、工程を追加する必要なく液晶表示装置1の強度を高めることができる。
<第2の実施の形態>
図7、図8は、液晶表示装置101の縦断面図である。また、図9は、TFTアレイ基板102の一部を拡大して示した正面図である。本実施形態は、ITO層109の形状、配置が第1実施形態と異なっている。他の構成は全て第1実施形態と同様である。TFTアレイ基板102の表示領域の側部に設けられたシール材103に沿って切断してみると、図7に示すように、保護絶縁膜125の上面にITO層109が成膜されている。表示領域の左右両側では、ITO層109は、対向基板104側からTFTアレイ基板102に向かって見て、ITO層109がゲートライン121に重なるように設けられている。同じ保護絶縁膜125上であっても、ゲートライン121の無い箇所には設けられていない。また、ITO層109は、対向電極143と電気的に絶縁されている。
図7、図8は、液晶表示装置101の縦断面図である。また、図9は、TFTアレイ基板102の一部を拡大して示した正面図である。本実施形態は、ITO層109の形状、配置が第1実施形態と異なっている。他の構成は全て第1実施形態と同様である。TFTアレイ基板102の表示領域の側部に設けられたシール材103に沿って切断してみると、図7に示すように、保護絶縁膜125の上面にITO層109が成膜されている。表示領域の左右両側では、ITO層109は、対向基板104側からTFTアレイ基板102に向かって見て、ITO層109がゲートライン121に重なるように設けられている。同じ保護絶縁膜125上であっても、ゲートライン121の無い箇所には設けられていない。また、ITO層109は、対向電極143と電気的に絶縁されている。
一方、TFTアレイ基板102の表示領域の下部に設けられたシール材103に沿って切断してみると、図8に示すように、保護絶縁膜125の上面にITO層109が成膜されている。表示領域の下側では、ITO層109は、対向基板104側からTFTアレイ基板102に向かって見て、ITO層109がデータライン122に重なるように設けられている。同じ保護絶縁膜125上であっても、データライン122のない箇所には設けられていない。
図7、図8に示すように、ITO層109の上面及び保護絶縁膜125の上面にはシール材103の下面が接着されている。このため、シール材103の下面の一部がITO層109と接着している。なお、ITO層109をゲートライン121の上全体に設けずに、図9に示すように、島状に複数箇所設けてもよい。また、図示していないが、データライン122の上のITO層109も同様である。
表示領域の上側では、ITO層109が対向基板104の上側の縁に沿って左右に帯状に形成され、そのITO層109が保護絶縁膜125上に形成され、ITO層109の上にシール材103が積層され、そのシール材103が対向電極143の上縁部とITO層109との間に挟まれている。
本実施形態によれば、より少ない量のITOで、TFTアレイ基板102とシール材103の接着強度を高めることができる。また、保護絶縁膜125の構造や材質により、ゲートライン121やデータライン122とITO層109とがショートを起こしやすい状態となっていても、確実に絶縁されている箇所にITO層109を設けるので、安全にTFTアレイ基板102とシール材103の接着させることができる。
<第3の実施の形態>
図10、図11は、液晶表示装置201の縦断面図である。また、図12は、TFTアレイ基板202の一部を拡大して示した正面図である。本実施形態は、ITO層209の形状、配置が第1、第2実施形態と異なっている。他の構成は全て第1・第2実施形態と同様である。TFTアレイ基板202の表示領域の側部に設けられたシール材203に沿って切断してみると、図10に示すように、保護絶縁膜225の上面にはITO層209が成膜されている。表示領域の左右両側では、ITO層209は、対向基板204側からTFTアレイ基板202に向かって見て、ITO層209がゲートライン221からずらして設けられている。同じ保護絶縁膜225上であっても、ゲートライン221の上には設けられていない。また、ITO層209は、対向電極243と電気的に絶縁されている。
図10、図11は、液晶表示装置201の縦断面図である。また、図12は、TFTアレイ基板202の一部を拡大して示した正面図である。本実施形態は、ITO層209の形状、配置が第1、第2実施形態と異なっている。他の構成は全て第1・第2実施形態と同様である。TFTアレイ基板202の表示領域の側部に設けられたシール材203に沿って切断してみると、図10に示すように、保護絶縁膜225の上面にはITO層209が成膜されている。表示領域の左右両側では、ITO層209は、対向基板204側からTFTアレイ基板202に向かって見て、ITO層209がゲートライン221からずらして設けられている。同じ保護絶縁膜225上であっても、ゲートライン221の上には設けられていない。また、ITO層209は、対向電極243と電気的に絶縁されている。
一方、TFTアレイ基板202の表示領域の下部に設けられたシール材203に沿って切断してみると、図11に示すように、保護絶縁膜225の上面にはITO層209が成膜されている。表示領域の下側では、ITO層209は、対向基板204側からTFTアレイ基板202に向かって見て、ITO層209がデータライン222からずらして設けられている。同じ保護絶縁膜225上であっても、データライン222の上には設けられていない。
図10、図11に示すように、ITO層209の上面及び保護絶縁膜225の上面にはシール材203の下面が接着されている。このため、シール材203の下面の一部がITO層209と接着している。なお、ITO層209を、ゲートライン121又はデータライン122の隙間全体に設けずに、図9に示すように、断続的に複数箇所設けることもできる。
本実施形態によれば、より少ない量のITOで、TFTアレイ基板202とシール材203の接着強度を高めることができる、また、場合によりTFTアレイ基板202と対向基板204との間に導電性の部材を設けなければならない場合にも、導電性部材とITO層209とが接しにくくなるので、安全にTFTアレイ基板202とシール材203の接着強度を高めることができる。
尚、上記第1の実施の形態〜第3の実施の形態によれば、対向基板とTFTアレイ基板のシール材形成領域にはそれぞれITOからなる対向電極とITO層を設けたが、何れの材料もITOに限ったものではなく、対向電極と同材料であり、基板とシール材との接着強度を高めることができるものであれば良い。
1、101、201 液晶表示装置
2、102、202 TFTアレイ基板
25、125、225 保護絶縁膜
3、103、203 シール材
4、104、204 対向基板
43、143、243 対向電極
9、109、209 ITO層
2、102、202 TFTアレイ基板
25、125、225 保護絶縁膜
3、103、203 シール材
4、104、204 対向基板
43、143、243 対向電極
9、109、209 ITO層
Claims (9)
- 第1基板と、
前記第1基板と隙間を空けて対向し、前記第1基板と対向する面に電極が設けられた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板の隙間を囲繞するように枠状に設けられたシール材と、
前記シール材によって囲繞された空間に充填された液晶と、を備え、
前記第1基板の前記シール材形成領域には、前記第2基板に設けられた電極と同じ材料からなる層が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 - TFTアレイ基板と、
前記TFTアレイ基板の絶縁膜が形成された側に設けられ、前記TFTアレイ基板と間隔を空けて対向した対向基板と、
前記基板の前記TFTアレイ基板に対向する面に成膜され、ITOからなる対向電極と、
前記TFTアレイ基板と前記対向基板との間の隙間を囲繞するようにして枠状に設けられ、前記対向電極に接合されたシール材と、
前記絶縁膜上に形成され、前記シール材に接合されたITO層と、
前記シール材によって囲繞された空間に充填された液晶と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ITO層は前記対向電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、
前記対向基板から前記TFTアレイ基板に向かって見て、前記ITO層が前記配線からずれていることを特徴とする請求項2又は3に記載の液晶表示装置。 - 前記ITO層は断続的に複数箇所設けられていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
- 前記配線は少なくともデータライン及びゲートラインの何れか一方であることを特徴とする請求項4又は5に記載の液晶表示装置。
- 前記ITO層と前記シール材との接着強度が前記絶縁膜と前記シール材との接着強度よりも大きいことを特徴とする請求項2乃至6の何れか一項に記載の液晶表示装置。
- 前記シール材形成領域の内部において、前記絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極を被覆するように形成された配向膜と、
を備えることを特徴とする請求項2乃至7の何れか一項に記載の液晶表示装置。 - 前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、
前記対向基板から前記TFTアレイ基板に向かって見て、前記ITO層が前記配線に重なっていることを特徴とする請求項2又は3に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009136923A JP2010282111A (ja) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010282111A true JP2010282111A (ja) | 2010-12-16 |
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JP2009136923A Pending JP2010282111A (ja) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 液晶表示装置 |
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JP (1) | JP2010282111A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016024370A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社 オルタステクノロジー | 液晶表示装置 |
WO2023184374A1 (zh) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、阵列基板及其制备方法 |
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2009
- 2009-06-08 JP JP2009136923A patent/JP2010282111A/ja active Pending
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