JP2010267924A - レーザ駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】高速なバースト応答とレーザ消光時における低電力化を両立化を図ったレーザ駆動回路を提供することである。
【解決手段】入力するバーストデータに応じてレーザダイオードＬＤに変調電流を供給する変調回路１０と、レーザダイオードＬＤにバイアス電流を与えるバイアス回路２０と、レーザダイオードＬＤに所望の発光強度と消光比が得られるように前記変調電流および前記バイアス電流を制御するＡＰＣ回路３０とを備える。送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンのときレーザダイオードＬＤが入力するバーストデータに応じてバースト駆動され、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフのときレーザダイオードＬＤが消光する。変調回路１０は、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフのとき前記変調電流を遮断する変調電流カットオフ回路１５を備え、バイアス回路２０は、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフのとき前記バイアス電流を遮断するバイアス電流カットオフ回路２１を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、光通信の送信器に用いられるレーザ駆動回路に係り、特にその消費電力の低減を図ったレーザ駆動回路に関するものである。

図９に、従来の超高速レーザ駆動回路の構成例を示す（たとえば、非特許文献１参照）。このレーザ駆動回路は、端子ＩＮＰ，ＩＮＮに入力する差動のバーストデータ信号ＤＡＴＡを、入力バッファ回路４１から、アイパターンのクロスポイントを制御電圧ＶＢ１，ＶＢ２によって設定したクロスポイント制御部４２に取り込み、バッファ回路４３，４４で増幅して、ドライブ回路４５に入力し、このドライブ回路４５によって、レーザダイオードＬＤを駆動するものである。ＶＣ１はドライブ回路４５の制御電圧、ＶＣ２はレーザダイオードＬＤにバイアス電流を供給する電流源Ｉ４０の制御電圧である。Ｌ４０は高周波カット用のインダクタである。

図１０にＳｉＧｅプロセス等で実現されている、より高機能な従来の別のレーザ駆動回路の構成例を示す。このレーザ駆動回路は、アノード側およびカソード側に高周波カット用のインダクタＬ１，Ｌ２が接続されたレーザダイオードＬＤ、端子ＩＮＰ，ＩＮＮから差動のバーストデータＤＡＴＡを入力してレーザダイオードＬＤにそのバーストデータに応じた変調信号を出力する変調回路１０、レーザダイオードＬＤにバイアス電流を供給するバイアス回路２０、レーザダイオードＬＤの出力光をモニタして変調回路１０とバイアス回路２０に制御信号ＶＣＳＭ、ＶＣＳＢを供給するＡＰＣ（Automatic Power Control）回路３０からなる。変調回路１０およびバイアス回路２０には、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮが入力している。

変調回路１０は、入力するバーストデータＤＡＴＡを送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮによってゲーティングするゲート回路１１、増幅用のプリバッファ回路１２、エミッタホロワで構成されバーストデータＤＡＴＡの振幅を大きな振幅に変換するレベル変換回路１３、およびドライブ回路としての出力バッファ回路１４から構成される。プリバッファ回路１２、レベル変換回路１３、および出力バッファ回路１４は、それぞれその電流源Ｉ１２，Ｉ１３，Ｉ１４を備え、その各々がＡＰＣ回路２０から出力する制御電圧ＶＣＳＭによって、レーザダイオードＬＤの出力光パワーが一定となるように制御される。バイアス回路２０も、ＡＰＣ回路２０から出力する制御電圧ＶＣＳＢによって、レーザダイオードＬＤの出力光パワーが一定となるように制御される。

図１１に出力バッファ回路１４の具体例を示す。この出力バッファ回路１４は、ｎｐｎのトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５からなる差動回路により構成され、トランジスタＱ３が制御電圧ＶＣＳＭで制御される電流源Ｉ１４として働く。トランジスタＱ１のコレクタの端子ＬＤＫはレーザダイオードＬＤのカソードに、トランジスタＱ２のコレクタの端子ＬＤＡはレーザダイオードＬＤのアノードに接続される。

バーストデータＤＡＴＡが入力するときは、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオン（有効）となって初段のゲート回路１１がゲートを開くことで、その出力バッファ回路１４にそのバーストデータＤＡＴＡが取り込まれる。そして、バーストデータＤＡＴＡが「１」のときは、トランジスタＱ１，Ｑ２のベースに接続された端子ＩＳＰＢがハイレベル、端子ＩＳＮＢがロウレベルとなり、「０」のときは端子ＩＳＰＢがロウレベル、端子ＩＳＮＢがハイレベルとなり、これが繰り返される。これにより、レーザダイオードＬＤがバースト駆動される。しかし、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフ（無効）のときは、ゲート回路１１が閉じられて、端子ＩＳＰＢがロウレベルに、端子ＩＳＮＢがハイレベルに、それぞれ固定される。これにより、端子ＬＤＡがロウレベル、端子ＬＤＫがハイレベルとなり、レーザダイオードＬＤのアノードがロウレベル、カソードがハイレベルとなるので、そのレーザダイオードＬＤは逆バイアス状態となる。

図１２にバイアス回路２０の具体例を示す。バイアス回路２０は、ｎｐｎのトランジスタＱ４，Ｑ５，Ｑ６、抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９からなる差動回路により構成され、トランジスタＱ６が制御電圧ＶＣＳＢで制御される電流源として働く。バーストデータＤＡＴＡが入力するときは、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンとなるので、トランジスタＱ４のベースの端子ＴＸ＿ＥＮ＿Ｐがハイレベル、トランジスタＱ５の端子ＴＸ＿ＥＮ＿Ｎがロウレベルとなり、トランジスタＱ４が導通、トランジスタＱ５が遮断して、レーザダイオードＬＤにバイアス電流を供給する。しかし、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフのときは、トランジスタＱ４のベースの端子ＴＸ＿ＥＮ＿Ｐがロウレベル、トランジスタＱ５の端子ＴＸ＿ＥＮ＿Ｎがハイレベルとなり、トランジスタＱ４が遮断、トランジスタＱ５が導通して、レーザダイオードＬＤに供給するバイアス電流を遮断する。

以上のようにして、レーザダイオードＬＤは、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンのときは、バイアス回路２０によってバイアス電流が供給され且つ出力バッファ回路１４によってバースト駆動される。しかし、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフのときは、バイアス回路２０によるバイアス電流が遮断され且つ出力バッファ回路１４によって逆バイアスされるので、レーザダイオードＬＤは消光する。

「OKIセミコンダクタ株式会社オンラインカタログのデータシートKGA4185」、[平成21年４月17日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.oki.com/OCC/datasheet/ODHKGA4185-03.pdf＞

ところが、上記した図９、図１０に示した従来のレーザ駆動回路は、レーザダイオードの動作とは無関係に一定の電流を消費している。すなわち、従来のレーザ駆動回路は、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフのときでレーザダイオードが消光時であっても、変調回路１０およびバイアス回路２０では一定の電流が消費され、電力消費が大きいという問題があった。

本発明の目的は、高速なバースト動作とレーザ消光時における低電力化を両立化を図ったレーザ駆動回路を提供することである。

上記目的を達成するために、請求項１にかかる発明は、入力するバーストデータに応じてレーザダイオードに変調電流を供給する変調回路と、該レーザダイオードにバイアス電流を与えるバイアス回路と、前記レーザダイオードに所望の発光強度と消光比が得られるように前記変調電流および前記バイアス電流を制御するＡＰＣ回路とを備え、送信イネーブル信号がオンのとき前記レーザダイオードが前記バーストデータに応じてバースト駆動され、前記送信イネーブル信号がオフのとき前記レーザダイオードが消光するレーザ駆動回路システムにおいて、前記送信イネーブル信号がオフのとき、前記変調電流および前記バイアス電流のうちの少なくとも一方が遮断されるようにしたことを特徴とする。

請求項２にかかる発明は、請求項１に記載のレーザ駆動回路において、前記変調回路は、前記送信イネーブル信号がオフのとき前記変調電流を遮断する変調電流カットオフ手段を備え、前記バイアス回路は、前記送信イネーブル信号がオフのとき前記バイアス電流を遮断するバイアス電流カットオフ手段を備えることを特徴とする。

請求項３にかかる発明は、請求項１に記載のレーザ駆動回路において、前記変調回路は、終段バッファ回路を含む複数のバッファ回路の直列接続又は該複数のバッファ回路とレベル変換回路の直列接続によって構成され、少なくとも前記終段バッファ回路の動作電流を決める電流源の電流が、前記送信イネーブル信号がオフのとき遮断することを特徴とする。

請求項４にかかる発明は、請求項１に記載のレーザ駆動回路において、前記バイアス回路は、前記送信イネーブル信号がオンのとき前記レーザダイオードにバイアス電流を供給する差動回路と、前記ＡＰＣ回路からの制御電圧に応じて該差動回路の動作電流を決める電流源を備え、該電流源は、前記送信イネーブル信号がオンからオフに変化してから所定時間の遅延の後に遮断することを特徴とする。

請求項５にかかる発明は、請求項３に記載のレーザ駆動回路において、前記電流源は、前記送信イネーブル信号がオンからオフに変化してから所定時間の遅延の後に遮断することを特徴とする。

本発明によれば、送信イネーブル信号がオフのとき、変調回路からレーザダイオードに出力する変調電流およびバイアス回路によってレーザダイオードに供給されるバイアス電流のうちの少なくとも一方が遮断されるようにしたので、消費電力を削減することができる。また、送信イネーブル信号がオンのときは、従来どおり変調回路およびバイアス回路は正常に動作しレーザダイオードの高速バースト駆動に支障が生じることはない。

本発明の第１の実施例のレーザ駆動回路のブロック図である。 本発明の第２の実施例のレーザ駆動回路のブロック図である。 本発明の第３の実施例のレーザ駆動回路のブロック図である。 本発明の第４の実施例のレーザ駆動回路のブロック図である。 本発明の第５の実施例のレーザ駆動回路のブロック図である。 本発明の第６の実施例のレーザ駆動回路のバイアス回路の回路図である。 本発明の第７の実施例のレーザ駆動回路のブロック図である。 本発明の第８の実施例のレーザ駆動回路のブロック図である。 従来のレーザ駆動回路のブロック図である。 従来の別のレーザ駆動回路のブロック図である。 従来の出力バッファ回路の回路図である。 従来のバイアス回路の回路図である。

本発明は、レーザダイオードの発光が、バーストモードでは間欠的であることに着目し、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフを示し、レーザダイオードが消光しているときに、レーザ駆動回路の電流供給を部分的若しくは全て遮断する。そのために、本発明では、従来から備わる変調回路およびバイアス回路において、その電流源を送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフを示すとき遮断する。つまり、電流源をレーザダイオードのバースト動作時と消光時に応じて動作／遮断に制御することにより、レーザダイオードのバースト駆動時の消費電力を削減する。

＜第１の実施例＞
図１に本発明の第１の実施例のレーザ駆動回路を示す。本実施例のレーザ駆動回は、変調電流出力を遮断する変調電流カットオフ回路１５を内蔵する変調回路１０（他の構成要素は省略）、レーザダイオードＬＤのバイアス電流を遮断するバイアス電流カットオフ回路２１を内蔵するバイアス回路２０、レーザダイオードＬＤの出力光をモニタしてその出力光パワーが一定となるように変調回路１０およびバイアス回路２０の電流源を制御するＡＰＣ回路３０を備える。レーザダイオードＬＤはその両端に高周波カット用のインダクタＬ１，Ｌ２が接続されている。変調電流カットオフ回路１５は、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフに連動して、レーザダイオードＬＤの消光時にそのレーザダイオードＬＤに供給する変調電流を遮断する。また、バイアス電流カットオフ回路２１も、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフに連動して、レーザダイオードＬＤの消光時にバイアス電流を遮断する。

本実施例では、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフのとき、変調電流が変調電流カットオフ回路１５で遮断され、バイアス電流がバイアス電流カットオフ回路２１で遮断される。よって、レーザ駆動回路の消費電力を削減することができる。なお、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンのときは、変調電流カットオフ回路１５は変調電流を遮断せず、バイアス電流カットオフ回路２１はバイアス電流を遮断しないので、バーストデータＤＡＴＡの入力時はレーザ駆動回路は正常に動作し、バースト駆動動作に支障が生じることはない。

＜第２の実施例＞
図２に本発明の第２の実施例のレーザ駆動回路を示す。１６は変調回路１０に内臓した変調電流生成回路であり、たとえば図１０のプリバッファ回路１２、レベル変換回路１３、および出力バッファ回路１４から構成され、共通の電流源Ｉ１０を有する。１７は変調回路１０に内蔵させたスイッチ回路であり、ＡＰＣ回路３０によって設定された電流となるように電流源Ｉ１０に制御電圧ＶＣＳＭを与える経路を形成するが、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフに連動して、オフされる。２２はバイアス回路２０に内蔵させたスイッチ回路であり、ＡＰＣ回路３０によって設定された電流となるように電流源Ｉ２０に制御電圧ＶＣＳＢを与える経路を形成するが、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフに連動して、オフされる。

本実施例では、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフのとき、スイッチ回路１７，２２がオフとなる。よって、変調電流生成回路１６の電流源Ｉ１０への制御電圧ＶＣＳＭが遮断されてその電流源Ｉ１０が遮断となり、変調電流生成回路１６が動作を停止する。また、バイアス回路２０の電流源Ｉ２０への制御電圧ＶＣＳＢが遮断されてその電流源Ｉ２０が遮断となり、バイアス回路２０が動作を停止する。よって、レーザ駆動回路の消費電力を削減することができる。なお、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンでバーストデータＤＡＴＡが入力しているときは、スイッチ回路１７，２２はオン状態となるので、変調電流生成回路１６は正常動作し、バイアス回路２０も正常動作し、バースト駆動動作に支障が生じることはない。

＜第３の実施例＞
図３に本発明の第３の実施例のレーザ駆動回路を示す。変調回路１０は図１０と同様に、ゲート回路１１、プリバッファ回路１２、レベル変換回路１３、および出力バッファ回路１４を有し、プリバッファ回路１２、レベル変換回路１３、および出力バッファ回路１４はそれぞれ電流源Ｉ１２、Ｉ１３，Ｉ１４で動作電流が決められている。ＡＰＣ回路３０からバイアス回路２０に制御電圧ＶＣＳＢを伝達する経路にはスイッチ回路ＳＷ１が挿入されている。また、ＡＰＣ回路３０から変調回路１０には、出力バッファ回路１４の電流源Ｉ１４に制御電圧ＶＣＳＭ１が、プリバッファ回路１２とレベル変換回路１３の電流源Ｉ１２，Ｉ１３に共通の制御電圧ＶＣＳＭ２が、それぞれ供給されている。そして、制御電圧ＶＣＳＭ１を伝達する経路にはスイッチ回路ＳＷ２が挿入されている。制御電圧ＶＣＳＭ２を伝達する経路にはスイッチ回路は挿入されていない。スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２は、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンのとき実線側に、オフのとき破線側に切替制御される。

本実施例では、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフのとき、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２が破線側に切り替わり、制御電圧ＶＣＳＢ，ＶＣＳＭ１が遮断される。よって、変調回路１０の内で最も電力を消費する出力バッファ回路１４が電流源Ｉ１４の遮断で不動作となり、またバイアス回路２０がレーザダイオードＬＤへのバイアス電流の供給を遮断するので、レーザ駆動回路の消費電力を削減することができる。なお、バーストデータが入力しているときは、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオンによって、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２が実線側に切り替わり、制御電圧ＶＣＳＢ，ＶＣＳＭ１が伝達され、レーザ駆動回路は正常に動作し、バースト動作に支障が生じることはない。本実施例は、変調回路１０の電流源Ｉ１２，Ｉ１３と、電流減Ｉ１４を異なる制御電圧ＶＣＳＭ１、ＶＣＳＭ２で制御するとき、１個のスイッチ回路ＳＷ２で済む。

＜第４の実施例＞
図４に本発明の第４の実施例のレーザ駆動回路を示す。本実施例では、ＡＰＣ回路３０から変調回路１０のプリバッファ回路１２、レベル変換回路１３、出力バッファ回路１４の電流源Ｉ１２，Ｉ１３，Ｉ１４に共通の制御電圧ＶＣＳＭが供給されている。そして、その制御電圧ＶＣＳＭの伝達経路にスイッチ回路ＳＷ３が挿入されている。スイッチ回路ＳＷ３は、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンのとき実線側に、オフのとき破線側に切替制御される。スイッチ回路ＳＷ１は図３の第３の実施例と同じである。

本実施例では、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフのとき、スイッチＳＷ３が破線側に切り替わり、制御電圧ＶＣＳＭが遮断される。よって、変調回路１０の電流源Ｉ１２，Ｉ１３，Ｉ１４の遮断で、プリバッファ回路１２、レベル変換回路１３、出力バッファ回路１４のすべてが不動作となり、変調回路１０での消費電力削減効果が図３の第３の実施例よりも大きくなる。ＡＰＣ回路３０からバイアス回路３０への制御電圧ＶＣＳＢは、スイッチ回路ＳＷ１によって、図３に示した第３の実施例と同様に制御される。本実施例は、変調回路１０の電流源Ｉ１２，Ｉ１３，Ｉ１４を共通の制御電圧ＶＣＳＭで制御するとき、１個のスイッチ回路ＳＷ３で済む。

＜第５の実施例＞
図５に本発明の第５の実施例のレーザ駆動回路を示す。本実施例では、ＡＰＣ回路３０から変調回路１０のプリバッファ回路１２、レベル変換回路１３の電流源Ｉ１２，Ｉ１３に共通の制御電圧ＶＣＳＭ２が供給され、その制御電圧ＶＣＳＭ２を伝達する経路にスイッチ回路ＳＷ４が挿入されている。スイッチ回路ＳＷ４は、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンのとき実線側に、オフのとき破線側に切替制御される。スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２は図３の第３の実施例と同じである。

本実施例では、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフのとき、スイッチＳＷ２，ＳＷ４が破線側に切り替わり、制御電圧ＶＣＳＭ１，ＶＣＳＭ２が遮断される。よって、変調回路１０の電流源Ｉ１２，Ｉ１３，Ｉ１４の遮断で、プリバッファ回路１２、レベル変換回路１３および出力バッファ回路１４が不動作となり、変調回路１０での消費電力削減効果が図３の第３の実施例よりも大きくなる。ＡＰＣ回路３０からバイアス回路３０への制御電圧ＶＣＳＢは、スイッチ回路ＳＷ１によって、図３に示した第３の実施例と同様に制御される。本実施例は、変調回路１０について２個のスイッチ回路ＳＷ２，ＳＷ４が必要となるが、変調回路１０の電流源Ｉ１２，Ｉ１３を制御電圧ＶＣＳＭ２で、電流源Ｉ１４を制御電圧ＶＣＳＭ１でそれぞれ個別に制御するとき、その両者を送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフに連動して遮断できる。

＜第６の実施例＞
図６に本発明の第６の実施例のレーザ駆動回路のバイアス回路を示す。本実施例では、バイアス回路２０は、前記したように、ｎｐｎのトランジスタＱ４，Ｑ５，Ｑ６、抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９からなる差動回路により構成され、トランジスタＱ６が制御電圧ＶＣＳＢを入力して、電流源として働く。このトランジスタＱ６のベースにスイッチ回路ＳＷ１が接続され、このスイッチ回路ＳＷ１が送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮを遅延回路ＤＬ１で遅延した信号によって切り替えられる。この遅延回路ＤＬ１は、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンからオフに変化するとき遅延を行い、オフからオンに切り替わるときは遅延を行わない。

送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンからオフになるときは、トランジスタＱ４のベースの端子ＴＸ＿ＥＮ＿Ｐがロウレベル、トランジスタＱ５の端子ＴＸ＿ＥＮ＿Ｎがハイレベルとなり、トランジスタＱ４が遮断、トランジスタＱ５が導通する。この後、遅延回路ＤＬ１による遅延時間の後にスイッチ回路ＳＷ１が実線側から破線側に切り替えられ、トランジスタＱ６への制御電圧ＶＣＳＢが絶たれそのトランジスタＱ６が遮断する。このように、まず差動回路のスイッチング機能によりバイアス電流経路が絶たれ、その後に電流源トランジスタＱ６が遮断するので、レーザダイオードＬＤは安全にバイアス電流が遮断されることになる。

一方、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフからオンになるときは、トランジスタＱ４のベースの端子ＴＸ＿ＥＮ＿Ｐがハイレベル、トランジスタＱ５の端子ＴＸ＿ＥＮ＿Ｎがロウレベルとなり、トランジスタＱ４が導通、トランジスタＱ５が遮断する。また、同時に、スイッチ回路ＳＷ１が破線側から実線側に切り替えられる。よって、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオフからオンとなるときは、レーザダイオードＬＤに対するバイアス電流経路が瞬時に形成され、バイアスが行われるので、入力バーストデータに応じたバースト動作に支障が生じることはない。

＜第７の実施例＞
図７に本発明の第７の実施例のレーザ駆動回路を示す。本実施例は、図５の第５の実施例のスイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４を制御する送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮの経路に、それぞれ遅延回路ＤＬ１，ＤＬ２、ＤＬ３を挿入したものである。なお、遅延回路ＤＬ２，ＤＬ３は遅延回路ＤＬ１と同様に、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンからオフに変化するとき遅延を行い、オフからオンに切り替わるときは遅延を行わない。

これにより、本実施例では、図６の第６の実施例におけるバイアス回路２０の動作に加えて、変調回路１０の電流源Ｉ１２，Ｉ１３に供給される制御電圧ＶＣＳＭ２、電流源Ｉ１４に供給される制御電圧ＶＣＳＭ１の遮断が、遅延回路ＤＬ２，ＤＬ３によって遅延される。よって、変調回路１０のプリバッファ回路１１、レベル変換回路１２、および出力バッファ回路１４が送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフより遅れて動作停止となるが、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオンと同時に動作を開始する。

＜第８の実施例＞
図８に本発明の第８の実施例のレーザ駆動回路を示す。本実施例は、図７の第７の実施例において、スイッチ回路ＳＷ４に代えて、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮで制御されるスイッチ回路ＳＷ５を設け、このスイッチ回路ＳＷ５によって、ＡＰＣ回路３０からの制御電圧ＶＣＳＭ３をプリバッファ回路１２、レベル変換回路１３の電流源Ｉ１２，Ｉ１３の他に、ゲート回路１１の電流源Ｉ１１にも供給するよう構成する。そして、そのスイッチ回路ＳＷ５を制御する送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮを遅延回路ＤＬ４で遅延させる。この遅延回路ＤＬ４も、遅延回路ＤＬ１，ＤＬ２と同様に、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがオンからオフに変化するとき遅延を行い、オフからオンに切り替わるときは遅延を行わない。

これにより、本実施例では、ゲート回路１１までも消費電力削減の対象となり、且つその電流源Ｉ１１に供給される制御電圧ＶＣＳＭ３が遅延回路ＤＬ４によって遅延される。よって、変調回路１０の全体が送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオフより遅れて動作停止となるが、送信イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮのオンと同時に動作を開始する。

Claims (5)

1. 入力するバーストデータに応じてレーザダイオードに変調電流を供給する変調回路と、該レーザダイオードにバイアス電流を与えるバイアス回路と、前記レーザダイオードに所望の発光強度と消光比が得られるように前記変調電流および前記バイアス電流を制御するＡＰＣ回路とを備え、送信イネーブル信号がオンのとき前記レーザダイオードが前記バーストデータに応じてバースト駆動され、前記送信イネーブル信号がオフのとき前記レーザダイオードが消光するレーザ駆動回路システムにおいて、
   前記送信イネーブル信号がオフのとき、前記変調電流および前記バイアス電流のうちの少なくとも一方が遮断されるようにしたことを特徴とするレーザ駆動回路。
2. 請求項１に記載のレーザ駆動回路において、
   前記変調回路は、前記送信イネーブル信号がオフのとき前記変調電流を遮断する変調電流カットオフ手段を備え、前記バイアス回路は、前記送信イネーブル信号がオフのとき前記バイアス電流を遮断するバイアス電流カットオフ手段を備えることを特徴とするレーザ駆動回路。
3. 請求項１に記載のレーザ駆動回路において、
   前記変調回路は、終段バッファ回路を含む複数のバッファ回路の直列接続又は該複数のバッファ回路とレベル変換回路の直列接続によって構成され、少なくとも前記終段バッファ回路の動作電流を決める電流源の電流が、前記送信イネーブル信号がオフのとき遮断することを特徴とするレーザ駆動回路。
4. 請求項１に記載のレーザ駆動回路において、
   前記バイアス回路は、前記送信イネーブル信号がオンのとき前記レーザダイオードにバイアス電流を供給する差動回路と、前記ＡＰＣ回路からの制御電圧に応じて該差動回路の動作電流を決める電流源を備え、
   該電流源は、前記送信イネーブル信号がオンからオフに変化してから所定時間の遅延の後に遮断することを特徴とするレーザ駆動回路。
5. 請求項３に記載のレーザ駆動回路において、
   前記電流源は、前記送信イネーブル信号がオンからオフに変化してから所定時間の遅延の後に遮断することを特徴とするレーザ駆動回路。

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