JP2010266728A - フォトマスク基板の洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトマスク基板を濾過循環させた洗浄液に浸漬し、洗浄槽や洗浄キャリアの表面からパーティクルが発生しないように、超音波のパワー密度をキャビテーションの発生する閾値以上の初期値とした後、当該洗浄槽での超音波洗浄を終了するまでの間に、超音波のパワー密度をこの初期値から段階的及び/又は連続的低減することを特徴とするフォトマスク基板の洗浄方法。
【選択図】図1
Description
基板は、基板を保持するための洗浄キャリアに保持された状態で洗浄液に浸漬させ、
導入口が基板下部に位置する場合は、流出口の位置は基板上部に設けられ、又は、導入口が基板上部に位置する場合は、流出口の位置は基板下部に設けられ、
導入口から導入された洗浄液は、流出口に向かって流れを形成し、この流れは、洗浄キャリアによって保持された基板の表面を通過し、
流出口から流出した洗浄液は、液中パーティクルカウンターのチューブが挿入された貯液槽に貯えられ、
貯液槽に貯えられた洗浄液は濾過装置を経て再度導入口から導入・循環され、
超音波振動子は、洗浄液及び基板に超音波による振動を与えるべく導入口の近傍に配置され、
超音波振動子の制御装置は、超音波のパワー密度の調整が可能で、かつ一定のパワー密度に保持可能である、
ことを特徴とする、(1)〜(5)のいずれかに記載のフォトマスク基板の洗浄方法に用いる装置。
図1と同様の洗浄槽を並べた4槽式洗浄機の第1槽の洗浄液を、非イオン系界面活性剤に水酸化カリウムを微量添加してpHを10とした洗剤、第2槽の洗浄液を冷純水、第3槽の洗浄液を冷純水、第4槽の洗浄液を温純水とした。ここで各洗浄槽12の容積は1200L、各貯液槽14の容積は400Lであり、各々の洗浄液は循環ポンプ15を用いて300L/minで0.2μmのフィルター16を通して循環させた。また、第2〜4槽では純水の新液(第2〜3槽は25℃、第4槽は40℃)を貯液槽14の上部から30L/min供給し、排出口21から30L/min排出を行った。
第1槽の洗浄条件として最初の超音波のパワーを4.8kW(超音波のパワー密度で1.2W/cm2)にして5分保持し、10分間で超音波のパワーを1.6kW(超音波のパワー密度で0.4W/cm2)まで下げ、そのパワーで5分保持して超音波洗浄を行った他は、実施例1と同様の方法で大型フォトマスク基板19を洗浄した。
図1と同様の洗浄槽を並べた4槽式洗浄機の第1槽の洗浄液を、オゾン水(オゾン濃度10ppm、炭酸ガスを溶存させてpHを5に調整)、第2槽の洗浄液をアンモニア水素水(水素濃度1ppm、アンモニア濃度1〜5ppmでpHを9に調整)、第3槽の洗浄液を冷純水、第4槽の洗浄液を温純水とした。各々の洗浄液は循環ポンプ15を用いて300L/minで0.2μmのフィルター16を通して循環させた。また、いずれの槽も新しい洗浄液(第1〜3槽は25℃、第4槽は40℃)を貯液槽14の上部から30L/min供給し、排出口21から30L/min排出を行った。
第1槽の洗浄条件として超音波のパワーを4.8kW(超音波のパワー密度で1.2W/cm2)で20分間の超音波洗浄を行った他は、実施例1と同様の方法で同じサイズの大型フォトマスク基板19を洗浄した。
第1槽の洗浄条件として超音波のパワー密度を4.8kW(超音波のパワー密度で1.2W/cm2)にして10分間の超音波を行い、第2槽の洗浄条件として超音波のパワーを4.8kW(超音波のパワー密度で1.2W/cm2)で10分間の超音波を行った他は、実施例3と同様の方法で同じサイズの大型フォトマスク基板19を洗浄した。
12 洗浄槽
13 濾過した洗浄液の導入口
14 貯液槽
15 循環ポンプ
16 フィルター
17 超音波振動子
18 超音波電源
19 大型フォトマスク基板
20 洗浄キャリア
21 排出口
Claims (7)
- 洗浄液を貯えた洗浄槽に、フォトマスク基板を浸漬して超音波洗浄するフォトマスク基板の洗浄方法において、洗浄液を濾過循環させながら、超音波のパワー密度を任意の初期値とした後、当該洗浄槽での超音波洗浄を終了するまでの間に、超音波のパワー密度をこの初期値から段階的又は/及び連続的に低減することを特徴とするフォトマスク基板の洗浄方法。
- 超音波のパワー密度の任意の初期値がキャビテーションの発生する閾値以上であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク基板の洗浄方法。
- 洗浄液をフォトマスク基板下部から上部へ、又は、フォトマスク基板上部から下部に均一に流しながら、超音波のパワー密度をキャビテーションの発生する閾値以上とした後、段階的及び/又は連続的に低減していき、キャビテーションの発生する閾値未満のパワー密度に至った後、そのパワー密度を保持した状態で、洗浄液の循環量が洗浄槽の容積以上になるまで印加することを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスク基板の洗浄方法。
- 超音波を停止する直前の洗浄液中のパーティクル量として、0.5μm以上の粒子で3個/cm3以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のフォトマスク基板の洗浄方法。
- 前記洗浄液が、純水、アルカリ洗剤、アンモニア水素水、オゾン水のいずれかであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のフォトマスク基板の洗浄方法。
- フォトマスク基板洗浄用の洗浄槽であって、洗浄槽は、洗浄液を貯える空間、洗浄槽内に設けられた超音波振動子とその制御装置、洗浄槽内に基板を保持するための洗浄キャリア並びに洗浄液の導入口及び流出口、洗浄槽に外付けされた貯液槽とを少なくとも含んでなり、
基板は、基板を保持するための洗浄キャリアに保持された状態で洗浄液に浸漬させ、
導入口が基板下部に位置する場合は、流出口の位置は基板上部に設けられ、又は、導入口が基板上部に位置する場合は、流出口の位置は基板下部に設けられ、
導入口から導入された洗浄液は、流出口に向かって流れを形成し、この流れは、洗浄キャリアによって保持された基板の表面を通過し、
流出口から流出した洗浄液は、液中パーティクルカウンターのチューブが挿入された貯液槽に貯えられ、
貯液槽に貯えられた洗浄液は濾過装置を経て再度導入口から導入・循環され、
超音波振動子は、洗浄液及び基板に超音波による振動を与えるべく導入口の近傍に配置され、
超音波振動子の制御装置は、超音波のパワー密度の調整が可能で、かつ一定のパワー密度に保持可能である、
ことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のフォトマスク基板の洗浄方法に用いる装置。 - 超音波振動子の制御装置が、プログラムにより自動的に超音波のパワー密度をキャビテーションの発生する閾値以上の初期値から段階的及び/又は連続的に低減していき、キャビテーションの発生する閾値未満のパワー密度に至った後、そのパワー密度を保持する機能と、貯液槽の液中パーティクルが所定の値以下になったことを検知して超音波を停止する機能とを備えたことを特徴とする請求項6記載の装置。
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2009
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