JP2010262897A - 有機半導体装置 - Google Patents
有機半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010262897A JP2010262897A JP2009114501A JP2009114501A JP2010262897A JP 2010262897 A JP2010262897 A JP 2010262897A JP 2009114501 A JP2009114501 A JP 2009114501A JP 2009114501 A JP2009114501 A JP 2009114501A JP 2010262897 A JP2010262897 A JP 2010262897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- semiconductor device
- glass plate
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 9
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】プラスティック膜11とガラス板12を積層してなり、ガラス板12の端面120がプラスティック膜11の端面110よりも内側にある基板10と、基板10上に配置され、有機半導体層22を有する積層体20とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施形態に係る有機半導体装置1は、図1に示すように、プラスティック膜11とガラス板12を積層してなり、ガラス板12の端面120がプラスティック膜11の端面110よりも内側にある基板10と、基板10上に配置され、有機半導体層22を有する積層体20とを備える。ここで、「内側」とは、図1からも明らかなように、基板10の主面方向に沿って基板10の主面の中心側である。基板10の主面方向とは、基板10の厚さ方向と垂直な方向である。
本発明の第2の実施形態に係る有機半導体装置1を図6に示す。図6に示す有機半導体装置1では、ガラス板12の端面120が、基板10の主面方向に沿って距離t2だけカバー膜30の端面300よりも内側に配置されている。図6に示す有機半導体装置1のその他の構成については、図1に示した第1の実施形態と同様である。
上記のように、本発明は第1及び第2の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
1…有機半導体装置
10…基板
11…プラスティック膜
12…ガラス板
20…積層体
21…透明電極層
22…有機半導体層
23…金属電極層
24…パッシベーション膜
25…接着材
30…カバー膜
110、120、300…端面
211…引き出し電極
400…フォトレジスト膜
Claims (9)
- プラスティック膜とガラス板を積層してなり、前記ガラス板の端面が前記プラスティック膜の端面よりも内側にある基板と、
前記基板上に配置され、有機半導体層を有する積層体と
を備えることを特徴とする有機半導体装置。 - 前記積層体の上方に配置されたカバー膜を更に備え、前記カバー膜の端面の上端と前記プラスティック膜の端面の上端とを結ぶ直線よりも前記ガラス板の端面が内側にあることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体装置。
- 前記ガラス板の端面が、前記カバー膜の端面よりも内側にあることを特徴とする請求項2に記載の有機半導体装置。
- 前記積層体が前記有機半導体層にキャリアを供給する電極層を有し、前記ガラス板上から前記プラスティック膜の前記ガラス板が配置されていない周辺領域上に渡り前記電極層が連続的に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の有機半導体装置。
- 前記カバー膜が、プラスティック若しくは金属、又はプラスティックと金属の複合材からなることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の有機半導体装置。
- 前記ガラス板の端部が面取りされ、前記ガラス板がテーパー形状を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機半導体装置。
- 前記プラスティック膜が、ポリエチレンナレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンサクシネートのいずれかからなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の有機半導体装置。
- 前記積層体が、透明電極層、前記有機半導体層、金属電極層を順に積層した構造であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の有機半導体装置。
- 前記有機半導体層が、正孔輸送層と電子輸送層を有することを特徴とする請求項8に記載の有機半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009114501A JP2010262897A (ja) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | 有機半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009114501A JP2010262897A (ja) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | 有機半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010262897A true JP2010262897A (ja) | 2010-11-18 |
Family
ID=43360805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009114501A Pending JP2010262897A (ja) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | 有機半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010262897A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015174006A1 (ja) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機el素子及び照明装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6314393Y2 (ja) * | 1985-05-30 | 1988-04-22 | ||
JPH10315278A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-12-02 | Schade Gmbh & Co Kg | 合成物質部分を射出成形する装置 |
JPH11329715A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-11-30 | Cambridge Display Technol Ltd | 有機デバイスのための可撓性基体、有機デバイスおよびその製造方法 |
JP2004046115A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2004081326A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Denso Corp | 弾球遊技機 |
-
2009
- 2009-05-11 JP JP2009114501A patent/JP2010262897A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6314393Y2 (ja) * | 1985-05-30 | 1988-04-22 | ||
JPH10315278A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-12-02 | Schade Gmbh & Co Kg | 合成物質部分を射出成形する装置 |
JPH11329715A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-11-30 | Cambridge Display Technol Ltd | 有機デバイスのための可撓性基体、有機デバイスおよびその製造方法 |
JP2004046115A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2004081326A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Denso Corp | 弾球遊技機 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015174006A1 (ja) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機el素子及び照明装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10566394B2 (en) | Organic light-emitting display panel, device and method for manufacturing the same | |
US10811631B2 (en) | Thin film transistor element substrate, method of producing the substrate, and organic EL display device including the thin film transistor element substrate | |
JP7176954B2 (ja) | 封入構造、表示パネル及びその作成方法 | |
US9184413B2 (en) | Flat panel display device and manufacturing method thereof | |
KR20160080994A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
DE102014102565B4 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements | |
JP2016091841A (ja) | 有機発光デバイスと有機表示装置 | |
KR20140013514A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20140095180A (ko) | 유기발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US11825694B2 (en) | Array substrate comprising light shielding portion and method for manufacturing the same | |
DE102014111345B4 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
US11864409B2 (en) | Light-emitting device | |
EP2822361A1 (en) | Method for manufacturing organic el device and organic el device | |
JP2008311059A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
JP6106466B2 (ja) | 有機el装置及びその製造方法 | |
JP2010262897A (ja) | 有機半導体装置 | |
US9082736B2 (en) | Organic EL panel and method of manufacturing the same | |
CN115241264A (zh) | 显示面板 | |
US11527589B2 (en) | Encapsulation structure, display panel and manufacturing method thereof each having edge encapsulation member on edge of encapsulation film | |
JP5328261B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP7295824B2 (ja) | 有機elデバイス | |
KR102656389B1 (ko) | 발광 소자를 포함하는 장치 | |
JP2016004109A (ja) | 表示装置 | |
JP2006164737A (ja) | 表示素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置 | |
JP6810211B2 (ja) | 発光表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121005 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130501 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130610 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130906 |