JP2010258086A - Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated type adhesive sheet for semiconductor - Google Patents

Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated type adhesive sheet for semiconductor Download PDF

Info

Publication number
JP2010258086A
JP2010258086A JP2009104124A JP2009104124A JP2010258086A JP 2010258086 A JP2010258086 A JP 2010258086A JP 2009104124 A JP2009104124 A JP 2009104124A JP 2009104124 A JP2009104124 A JP 2009104124A JP 2010258086 A JP2010258086 A JP 2010258086A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive sheet
adhesive
semiconductor
curing
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009104124A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Maki Yamada
真樹 山田
Kohei Taniguchi
紘平 谷口
Koichi Sawabe
浩一 沢辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2009104124A priority Critical patent/JP2010258086A/en
Publication of JP2010258086A publication Critical patent/JP2010258086A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin-film adhesive sheet for a semiconductor that has adhesivity equivalent to or more than conventional one and is superior in filling property of unevenness during molding. <P>SOLUTION: The adhesive sheet is made of adhesive resin composition containing at least high molecular weight element, wherein the adhesive strength between an adhesive sheet before curing at 70°C and a silicon wafer is ≥100 N/m, the elastic modulus is 1 to 3,000 MPa at 35°C, the storage elasticity after curing is less than 5 MPa at 170°C by dynamic viscoelasticity, and a ratio of adhesive strength after curing and moisture adsorption to die shear strength before moisture adsorption is ≥0.7 or. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体用接着シート、及びダイシング一体型半導体用接着シートに関する。   The present invention relates to a semiconductor adhesive sheet and a dicing integrated semiconductor adhesive sheet.

従来、半導体素子に使用されている接着シートの厚みは10μm〜60μmが使用されてきたが、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきた。こうした要求に対して、接着シートには更なる薄膜化が求められているが、従来の接着シートを薄膜化した場合、十分な特性が得られない。そのため、前記要求に対処するべく薄膜化可能な接着シートが必要となった。   Conventionally, the thickness of the adhesive sheet used for the semiconductor element has been 10 μm to 60 μm. However, with recent miniaturization and high performance of the semiconductor element, the support member used is also miniaturized and finer. Has come to be required. In response to these requirements, the adhesive sheet is required to be further thinned. However, when the conventional adhesive sheet is thinned, sufficient characteristics cannot be obtained. Therefore, an adhesive sheet that can be thinned is required to cope with the above requirement.

この接着シートは、個片貼付け方式あるいはシリコンウェハ裏面貼付け方式において使用されているが、前者の個片貼付け方式の接着シートを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着シートをカッティングあるいはパンチングによって個片化を行うが、シリコンウエハとの接着性が低い場合、接着シートとの間にシリコンウエハなどの切削屑などが入り込み、その後の工程で半導体素子にダメージを与えるため収率が低下する問題がある。従来の技術により、本課題を解決しようとした場合、低分子量成分の増量、低温軟化成分の増量などが検討されてきたが、この場合、接着シート自体の粘着性が向上するためダイシングテープと組み合わせて使用する場合に、ピックアップ性が低下する問題が発生する。   This adhesive sheet is used in the individual piece attaching method or the silicon wafer back surface attaching method. When manufacturing the semiconductor device using the former individual piece attaching method adhesive sheet, the reel-like adhesive sheet is cut or punched. If the adhesiveness to the silicon wafer is low, cutting waste such as a silicon wafer enters between the adhesive sheet and damages the semiconductor element in the subsequent process, resulting in a decrease in yield. There's a problem. When trying to solve this problem with conventional technology, increasing the low molecular weight component, increasing the low temperature softening component, etc. have been studied. In this case, in order to improve the adhesiveness of the adhesive sheet itself, combined with dicing tape When using it, there arises a problem that the pickup property is lowered.

一方、半導体素子をはじめとする各種電子部品を搭載した実装基板として最も重要な特性の一つとして信頼性がある。その中でも、熱疲労に対する接続信頼性は実装基板を用いた機器の信頼性に直接関係するため非常に重要な項目である。この接続信頼性を低下させる原因として、熱膨張係数の異なる各種材料を用いていることから生じる熱応力が挙げられる。これは半導体素子の熱膨張係数が約4ppm/℃と小さいのに対し、電子部品を実装する配線基板の熱膨張係数が15ppm/℃以上と大きいことから熱衝撃に対して熱ひずみが発生し、その熱ひずみによって熱応力が発生するため、この応力緩和が課題である。また、このような配線基板は配線による凹凸を一般に有しており、この配線基板凹凸を埋込ことが必要である。上記の応力緩和性、基板凹凸埋込性の点から、半導体用接着シートが、硬化後の弾性率がある程度低いことが望ましいが、接着シートの切断性向上のため無機フィラを添加すると、一般的に接着シートが高弾性化するとともにシリコンウエハとの接着性が低下することが分かっており、半導体用接着シートの薄膜化を行うにあたりシリコンウエハとの接着性と半導体パッケージの信頼性の両立が課題となっている。   On the other hand, reliability is one of the most important characteristics as a mounting board on which various electronic components such as semiconductor elements are mounted. Among them, the connection reliability against thermal fatigue is a very important item because it is directly related to the reliability of the equipment using the mounting substrate. As a cause of lowering the connection reliability, there is a thermal stress generated by using various materials having different thermal expansion coefficients. This is because the thermal expansion coefficient of the semiconductor element is as small as about 4 ppm / ° C., whereas the thermal expansion coefficient of the wiring board on which the electronic component is mounted is as large as 15 ppm / ° C. Since thermal stress is generated by the thermal strain, this stress relaxation is a problem. Further, such a wiring board generally has unevenness due to wiring, and it is necessary to bury the unevenness of the wiring board. From the viewpoints of stress relaxation and embedding on the substrate, it is desirable that the adhesive sheet for semiconductors has a somewhat low elastic modulus after curing, but it is common to add an inorganic filler to improve the cutting property of the adhesive sheet. In addition, it is known that the adhesive sheet becomes highly elastic and the adhesiveness with the silicon wafer decreases, and it is necessary to satisfy both the adhesiveness with the silicon wafer and the reliability of the semiconductor package when thinning the adhesive sheet for semiconductors. It has become.

特開2006−093213号公報JP 2006-093213 A

従来の接着シートを薄膜化した場合、シリコンウエハとの接着力が不十分であるため個片化工程にてシリコンウエハとの間に切削屑が入り込む、モールド時に実装基板と接着シート間に異物が侵入するという不具合が発生した。また、半導体素子の高性能化、小型化、薄型化に伴い、半導体用接着シートに薄膜化が求められている。従来の半導体シートは厚み10μm〜60μmで使用されているが、これを薄くした場合、硬化前状態でのシリコンウエハとの接着力および半導体素子の凹凸の埋め込み性が低下する。
本発明は、薄膜の接着シートで従来同等以上の接着性を有し、かつモールド時の凹凸埋込性に優れる半導体用接着シートを提供することを目的とする。そして、半導体素子の凹凸の埋め込み性やシリコンウエハとの接着力および有機基板への濡れ性を向上させた半導体用接着シートを提供することを目的とする。
When the conventional adhesive sheet is made thin, the adhesive force with the silicon wafer is insufficient, so cutting waste enters between the silicon wafer in the singulation process, and foreign matter is found between the mounting board and the adhesive sheet during molding. A problem of intrusion occurred. In addition, as semiconductor devices have higher performance, smaller size, and thinner thickness, there is a demand for thinner adhesive sheets for semiconductors. Conventional semiconductor sheets are used in a thickness of 10 μm to 60 μm. However, when the thickness is reduced, the adhesive strength with a silicon wafer and the embedding property of the semiconductor element in the state before curing are lowered.
An object of the present invention is to provide an adhesive sheet for a semiconductor which is an adhesive sheet of a thin film and has an adhesive property equal to or higher than that of a conventional one and is excellent in uneven embedding property at the time of molding. And it aims at providing the adhesive sheet for semiconductors which improved the embedding property of the unevenness | corrugation of a semiconductor element, the adhesive force with a silicon wafer, and the wettability to an organic substrate.

本発明は以下の通りである。
(1) 高分子量成分を少なくとも含有する接着剤樹脂組成物からなる接着シートであって、70℃における硬化前の接着シートとシリコンウエハの接着力が100N/m以上であり、かつ35℃の弾性率が1〜3000MPaであり、硬化後の動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が170℃で5MPa未満であり、硬化後の吸湿処理後の接着力/吸湿処理前のダイシェア強さ比が0.7以上であることを特徴とする半導体用接着シート。
(2) 接着剤樹脂組成物が、フィラーを含有していないことを特徴とする前記の半導体用接着シート。
(3) 接着剤樹脂組成物が、さらに、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を含有することを特徴とする前記の半導体用接着シート。
(4) 厚さが1μm〜5μmであることを特徴とする前記の半導体用接着シート。
(5) 高分子量成分において、Tgが−10〜60℃、重量平均分子量が2万〜100万であることを特徴とする、前記の半導体用接着シート。
(6) 前記の半導体用接着シートと、ダイシングテープを積層してなるダイシング一体型半導体用接着シート。
The present invention is as follows.
(1) An adhesive sheet comprising an adhesive resin composition containing at least a high molecular weight component, wherein the adhesive strength between the adhesive sheet before curing at 70 ° C. and the silicon wafer is 100 N / m or more, and elasticity at 35 ° C. The rate of elasticity is 1 to 3000 MPa, the storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement after curing is less than 5 MPa at 170 ° C., and the ratio of adhesive force after moisture absorption after curing / die shear strength ratio before moisture absorption is 0. An adhesive sheet for semiconductors, wherein the adhesive sheet is 7 or more.
(2) The adhesive sheet for semiconductor, wherein the adhesive resin composition does not contain a filler.
(3) The adhesive sheet for a semiconductor described above, wherein the adhesive resin composition further contains a silane coupling agent having an isocyanate group.
(4) The said adhesive sheet for semiconductors whose thickness is 1 micrometer-5 micrometers.
(5) The above-mentioned adhesive sheet for semiconductor, characterized in that, in the high molecular weight component, Tg is −10 to 60 ° C. and the weight average molecular weight is 20,000 to 1,000,000.
(6) A dicing integrated semiconductor adhesive sheet obtained by laminating the semiconductor adhesive sheet and a dicing tape.

本発明者らは薄膜(5μm以下)の接着シートとシリコンウエハとの接着性を高め、かつ硬化後の弾性率を制御することで、従来の課題を解決できることを見出した。また、接着シートがフィラーを含有していないため、薄膜(厚み5μm以下)でも良好な外観をえる事が可能となった。本発明の接着シートはフィラーを有さないことでシリコンウエハとの接着力を向上させる事が出来るとともに半導体素子の凹凸の埋め込み性を向上している。更にイソシアネート基を有するシランカップリング剤の添加によってシリコンウエハとの接着力が向上している。   The present inventors have found that conventional problems can be solved by improving the adhesion between a thin film (5 μm or less) adhesive sheet and a silicon wafer and controlling the elastic modulus after curing. Moreover, since the adhesive sheet does not contain a filler, a good appearance can be obtained even with a thin film (thickness of 5 μm or less). Since the adhesive sheet of the present invention does not have a filler, it can improve the adhesive force with the silicon wafer and improve the embedding property of the semiconductor elements. Furthermore, the adhesive force with a silicon wafer is improved by adding a silane coupling agent having an isocyanate group.

本発明は、高分子量成分を少なくとも含有する接着剤樹脂組成物からなる接着シートであって、70℃における硬化前の接着シートとシリコンウエハの接着力が100N/m以上であり、かつ35℃の弾性率が1〜3000MPaであり、硬化後の動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が170℃で5MPa未満であり、硬化後の吸湿処理後の接着力/吸湿処理前のダイシェア強さ比が0.7以上であることを特徴とする。   The present invention is an adhesive sheet comprising an adhesive resin composition containing at least a high molecular weight component, wherein the adhesive strength between the adhesive sheet before curing at 70 ° C. and the silicon wafer is 100 N / m or more, and 35 ° C. The elastic modulus is 1-3000 MPa, the storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement after curing is less than 5 MPa at 170 ° C., and the ratio of the adhesive strength after moisture absorption after curing / die shear strength ratio before moisture absorption is 0. .7 or more.

本発明の半導体用接着シートの70℃における硬化前の接着シートとシリコンウエハの接着力は100N/m以上である。シリコンウエハとの接着力が100N/m未満では、シリコンウエハを個片化するダイシング工程などで接着シートとの間に切削屑が入り込む可能性がある。本発明のシリコンウエハとの接着力は、90゜ピール試験機(テスター産業株式会社製)を使用し、接着シートに補強テープを貼り付けた後に、接着シートの一部をシリコンウエハから剥がし、25℃にて90゜の角度で50mm/secの試験速度で引張った時の引き剥がし力を接着力として測定した。   The adhesive force between the adhesive sheet before curing of the adhesive sheet for semiconductor of the present invention at 70 ° C. and the silicon wafer is 100 N / m or more. If the adhesive force with the silicon wafer is less than 100 N / m, cutting waste may enter between the adhesive sheet and the like in a dicing process for dividing the silicon wafer into pieces. The adhesive strength with the silicon wafer of the present invention was determined by using a 90 ° peel tester (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), attaching a reinforcing tape to the adhesive sheet, and then peeling off a part of the adhesive sheet from the silicon wafer. The peel strength when pulled at a test speed of 50 mm / sec at an angle of 90 ° at 0 ° C. was measured as the adhesive strength.

170℃、3時間後の170℃の貯蔵弾性率は、5MPa未満であることが好ましく、2〜4MPaであることがより好ましい。硬化後の170℃の貯蔵弾性率が1MPa未満では、接着シートのはみ出しが生じる可能性があり、5MPa以上では基板凹凸への埋込性が低下する可能性がある。弾性率測定は、動的粘弾性測定装置(レオロジ社製 DVE−V4)を使用し、接着剤硬化物に引張り荷重をかけて、周波数10Hz、昇温速度3〜10℃/minで−50℃から300℃まで測定する温度依存性測定モードで行った。
温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼りあわせ、その後0.1MPa、5s、120℃の条件で有機基板(ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたFR−4にAUS308を塗布した基板)に圧着し、170℃3時間硬化させた後、吸湿処理(温度85℃、湿度85%雰囲気下、48時間)後の接着シートと基板の接着力を265℃の条件下でダイシェア強度測定(Dage社製、測定温度180℃)により測定を行った。
The storage elastic modulus at 170 ° C. after 3 hours at 170 ° C. is preferably less than 5 MPa, and more preferably 2 to 4 MPa. If the storage elastic modulus at 170 ° C. after curing is less than 1 MPa, the adhesive sheet may protrude, and if it is 5 MPa or more, the embeddability in the substrate irregularities may be lowered. The elastic modulus is measured by using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVE-V4 manufactured by Rheology), applying a tensile load to the cured adhesive, and having a frequency of 10 Hz and a temperature increase rate of 3 to 10 ° C./min to −50 ° C. To 300 ° C. in a temperature dependence measurement mode.
Bonding using a hot roll laminator under conditions of temperature 70 ° C., pressure 0.3 MPa, speed 0.3 m / min, and then organic substrate (containing epoxy resin in glass cloth under conditions of 0.1 MPa, 5 s, 120 ° C. The adhesive strength between the adhesive sheet and the substrate after the moisture absorption treatment (temperature 85 ° C., humidity 85% atmosphere, 48 hours) Was measured by die shear strength measurement (manufactured by Dage, measurement temperature 180 ° C.) under the condition of 265 ° C.

本発明は、高分子量成分(熱可塑性樹脂)の含有量が40質量%未満だと、硬化後の弾性率が高く基板凹凸への埋込性が低下する可能性があり、また硬化後の貯蔵弾性率を制御することが困難になる。また、95質量%超だと、硬化後の弾性率が低く信頼性が低下する可能性があり、また硬化後の貯蔵弾性率を制御することが困難になる。そのため高分子量成分(熱可塑性樹脂)の含有量は、40〜95質量%が好ましく、45〜70質量%がより好ましい。高分子量成分の重量平均分子量は、2万〜100万であることが好ましく、10万〜90万であることがより好ましく、20万〜80万であることが最も好ましい。重量平均分子量が2万未満だと、シート状、フィルム状での強度や可とう性の低下やタック性が増大する可能性があり、100万を超えると、溶剤への溶解性が低下し作業性が悪くなる。   In the present invention, when the content of the high molecular weight component (thermoplastic resin) is less than 40% by mass, the elastic modulus after curing may be high and the embedding property to the substrate unevenness may be lowered, and storage after curing is also possible. It becomes difficult to control the elastic modulus. On the other hand, if it exceeds 95% by mass, the elastic modulus after curing is low and the reliability may be lowered, and it becomes difficult to control the storage elastic modulus after curing. Therefore, the content of the high molecular weight component (thermoplastic resin) is preferably 40 to 95% by mass, and more preferably 45 to 70% by mass. The weight average molecular weight of the high molecular weight component is preferably 20,000 to 1,000,000, more preferably 100,000 to 900,000, and most preferably 200,000 to 800,000. If the weight average molecular weight is less than 20,000, there is a possibility that the strength and flexibility in sheet form and film form will be lowered and tackiness will be increased. Sexuality gets worse.

本発明の接着シートは、硬化後の貯蔵弾性率が150℃では6MPa以上、170℃では5MPa未満であるためには、フィラー含有量が接着剤樹脂組成物に対して、5質量%以下であることが好ましく、さらに、フィラーを含有しないことがより好ましい。   In the adhesive sheet of the present invention, since the storage elastic modulus after curing is 6 MPa or more at 150 ° C. and less than 5 MPa at 170 ° C., the filler content is 5% by mass or less with respect to the adhesive resin composition. It is more preferable that the filler is not contained.

高分子量成分としては、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が挙げられるが、エポキシ樹脂と非相溶であるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート0.5〜6質量%を含む重量平均分子量が50万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体であることが好ましい。   Examples of the high molecular weight component include a polyamide resin, a polyimide resin, and a polyamideimide resin. The weight average molecular weight including 0.5 to 6% by mass of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate which is incompatible with the epoxy resin is 500,000 or more. A certain epoxy group-containing acrylic copolymer is preferred.

グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート0.5〜6質量%を含む重量平均分子量が50万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体としては、特に制限が無く、ナガセケムテック株式会社製 HTR―860P−3DR等を用いることができる。官能基モノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸や、水酸基タイプのヒドロキシメチル(メタ)アクリレートを用いると、橋架け反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、硬化前状態での硬化度の上昇による接着力の低下等の問題があるため好ましくない。また、官能基モノマーとして用いるグリシジル(メタ)アクリレートの量は、2〜6質量%の共重合体比とする。2質量%以下だと接着力が低下する可能性があり、6質量%以上だとゲル化する可能性がある。残部はエチル(メタ)アクリレートやブチル(メタ)アクリレートまたは両者の混合物を用いることができるが、混合比率は、共重合体のガラス転移温度(以下Tgと略す)を考慮して決定し、Tgは−10℃以上60℃以下であることが好ましい。Tgが−10℃未満であると硬化前状態での接着シートのタック性が大きくなり取り扱い性が悪化する可能性がある。重合方法は特に制限が無く、パール重合、溶液重合等を使用することができる。   The epoxy group-containing acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 0.5 to 6% by mass including glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is not particularly limited, and HTR-860P-3DR manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd. Can be used. When the functional group monomer is carboxylic acid type acrylic acid or hydroxyl group type hydroxymethyl (meth) acrylate, the crosslinking reaction is likely to proceed, gelling in the varnish state, and increasing the degree of curing in the pre-curing state This is not preferable because there is a problem such as a decrease in adhesive strength due to. Moreover, the quantity of the glycidyl (meth) acrylate used as a functional group monomer shall be 2-6 mass% copolymer ratio. If it is 2% by mass or less, the adhesive force may be reduced, and if it is 6% by mass or more, gelation may occur. The balance can be ethyl (meth) acrylate or butyl (meth) acrylate or a mixture of both, but the mixing ratio is determined in consideration of the glass transition temperature of the copolymer (hereinafter abbreviated as Tg), and Tg is It is preferable that it is -10 degreeC or more and 60 degrees C or less. If Tg is less than −10 ° C., the tackiness of the adhesive sheet in the pre-curing state increases, and the handleability may deteriorate. The polymerization method is not particularly limited, and pearl polymerization, solution polymerization and the like can be used.

本発明で使用する接着剤樹脂組成物は、硬化後に良好な接着力を得るために、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。このような化合物としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリールフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリールシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリールトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等が挙げられる。中でも、高温において優れた接着力を持たせることができる点で、エポキシ樹脂、シアネート樹脂及びビスマレイミド樹脂が好ましく、エポキシ樹脂がより好ましい。なお、これら熱硬化性樹脂は単独又は二種類以上を組み合わせて用いることができる。   The adhesive resin composition used in the present invention preferably contains a thermosetting resin in order to obtain a good adhesive force after curing. Examples of such compounds include epoxy resins, cyanate resins, bismaleimide resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, alkyd resins, acrylic resins, unsaturated polyester resins, diaryl phthalate resins, silicone resins, resorcinol formaldehyde resins, From xylene resin, furan resin, polyurethane resin, ketone resin, triaryl cyanurate resin, polyisocyanate resin, resin containing tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate, resin containing triaryl trimellitate, cyclopentadiene Examples include synthesized resins and thermosetting resins by trimerization of aromatic dicyanamide. Among these, an epoxy resin, a cyanate resin, and a bismaleimide resin are preferable, and an epoxy resin is more preferable in that an excellent adhesive force can be given at a high temperature. In addition, these thermosetting resins can be used individually or in combination of 2 or more types.

熱硬化性樹脂としては、環球式で測定した軟化点が50℃以上であれば特に制限はなく、例えば、油化シェルエポキシ株式会社製 エピコート1001、1002、1003、1055、1004、1004AF、1007、1009、1003F、1004F、ダウケミカル日本株式会社製 D.E.R.661、662、663U、664、664U、667、642U、672U、673MF、668、669等のビスフェノールA型エポキシ樹脂、東都化成株式会社製 YDF−2004等のビスフェノールF型エポキシ樹脂、日本化薬株式会社製 EPPN−201等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ株式会社製 エピコート 180S65、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイト ECN1273、1280、1299、東都化成株式会社製 YDCN−701、702、703、704、日本化薬株式会社製 EOCN−1020、102S、103S、104S、住友化学工業株式会社製 ESCN−195X、200L、220等のクレゾールノボラックエポキシ樹脂、油化シェルエポキシ株式会社製 Epon 1031S、エピコート 1032H60、157S70、日本化薬株式会社製 EPPN 501H、502H等の多官能エポキシ樹脂、チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイトPT810等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   The thermosetting resin is not particularly limited as long as the softening point measured by a ring and ball method is 50 ° C. or higher. For example, Epicoat 1001, 1002, 1003, 1055, 1004, 1004AF, 1007, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. 1009, 1003F, 1004F, manufactured by Dow Chemical Japan Co., Ltd. E. R. Bisphenol A type epoxy resins such as 661, 662, 663U, 664, 664U, 667, 642U, 672U, 673MF, 668, 669, etc., bisphenol F type epoxy resins such as YDF-2004 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., Nippon Kayaku Co., Ltd. Phenol novolac type epoxy resin such as EPPN-201 manufactured by Epikap 180S65 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., Araldite ECN1273, 1280, 1299 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, YDCN-701, 702, 703, 704 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. Nippon Kayaku Co., Ltd. EOCN-1020, 102S, 103S, 104S, Sumitomo Chemical Co., Ltd. ESCN-195X, 200L, 220, etc. Cresol novolac epoxy resin, oily shell epoxy Epon 1031S, Epicoat 1032H60, 157S70, Nippon Kayaku Co., Ltd., EPPN 501H, 502H, etc., polyfunctional epoxy resins, Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Araldite PT810, etc. It is not limited to.

本発明で使用するシランカップリング剤は、シリコンウエハとの接着力を更に向上させるために有効であり、特にイソシアネート基を有するシランカップリング剤が好ましい。イソシアネート基を有するシランカップリング剤としては、アルキル基等の両末端にそれぞれイソシアネート基とアルコキシシリル基を持つ化合物が挙げられ、例えば、γ−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルメチルジメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられ、単独で又は2種類以上の組み合わせで用いる事が出来る。他のシランカップリング剤との組み合わせで用いる事も出来、種類は制限されるものではなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン類、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、メチルトリ(メタクリロイルオキエトキシ)シラン等のメタクリロイルシラン類、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、メチルトリ(グリシジルオキシ)シラン等のエポキシ基含有シラン類、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、3−4,5−ジヒドロイミダゾール−1−イル−プロピルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン等のアミノシラン類、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン等のメルカプトシラン類、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン等の尿素結合含有シラン類、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネート等のイソシアネート基含有シラン類、3−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、3−クロロプロピル−ジメトキシシラン、3−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、N,o−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、N−β(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔3−(トリメトキシシリル)プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシランなどを使用することがでる。   The silane coupling agent used in the present invention is effective for further improving the adhesive force with a silicon wafer, and a silane coupling agent having an isocyanate group is particularly preferable. Examples of the silane coupling agent having an isocyanate group include compounds having an isocyanate group and an alkoxysilyl group at both ends of an alkyl group, for example, γ-isocyanatepropyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, Examples include γ-isocyanatopropylmethyldimethoxysilane, γ-isocyanatopropylmethyldiethoxysilane, and the like can be used alone or in combination of two or more. It can also be used in combination with other silane coupling agents, and the type is not limited. For example, vinyltrichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, etc. Methacryloylsilanes such as vinylsilanes, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl-trimethoxysilane, methyltri (methacryloyloxyethoxy) silane, β- (3,4 -Epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, methyltri Epoxy group-containing silanes such as (zyloxy) silane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N -Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-methyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, triaminopropyl-trimethoxysilane, 3- Aminosilanes such as 4,5-dihydroimidazol-1-yl-propyltrimethoxysilane, amyltrichlorosilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyl-methyldimethoxysilane Mercaptosilanes such as ethylene, urea bond-containing silanes such as 3-ureidopropyltriethoxysilane and 3-ureidopropyltrimethoxysilane, trimethylsilyl isocyanate, dimethylsilyl isocyanate, methylsilyl triisocyanate, vinylsilyl triisocyanate, phenylsilyltri Isocyanate group-containing silanes such as isocyanate, tetraisocyanate silane, ethoxysilane isocyanate, 3-chloropropyl-methyldimethoxysilane, 3-chloropropyl-dimethoxysilane, 3-cyanopropyl-triethoxysilane, hexamethyldisilazane, N, o-bis (trimethylsilyl) acetamide, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrichlorosilane, n-propyltrimethyl Toxisilane, isobutyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, N-β (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, octadecyldimethyl [3- (trimethoxy Silyl) propyl] ammonium chloride, γ-chloropropylmethyldichlorosilane, γ-chloropropylmethyldimethoxysilane, γ-chloropropylmethyldiethoxysilane, and the like can be used.

シランカップリング剤の添加量は、接着剤樹脂組成物の総量100質量%に対して、0.005〜5質量%が好ましく、0.01〜3質量%がより好ましい。添加量が0.005質量%未満だと接着力の向上効果が得られない傾向があり、5質量%を超えるとコストパフォーマンスが低下する傾向がある。   0.005-5 mass% is preferable with respect to 100 mass% of total amounts of an adhesive resin composition, and, as for the addition amount of a silane coupling agent, 0.01-3 mass% is more preferable. If the addition amount is less than 0.005% by mass, the effect of improving the adhesive force tends to be not obtained, and if it exceeds 5% by mass, the cost performance tends to decrease.

接着剤樹脂組成物には、熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤を含んでも良い。このような硬化剤としては、例えばフェノール樹脂が挙げられる。フェノール樹脂は、特に制限は無く、85℃、85%RHの恒温恒湿槽に48時間投入後の吸水率が2質量%以下で、熱重量分析計(TGA)で測定した350℃での加熱質量減少率(昇温速度:5℃/min,雰囲気:窒素)が5質量%未満のものを使用することができる。このようなフェノール樹脂は、通常、フェノール化合物と2価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒または酸触媒の存在下に反応させて得られる。この様にして製造されているフェノール樹脂として代表的なものに、三井化学株式会社製ミレックスXLC−シリーズ、XLシリーズなどがある。   The adhesive resin composition may include a curing agent that cures the thermosetting resin. An example of such a curing agent is a phenol resin. The phenolic resin is not particularly limited, and has a water absorption of 2% by mass or less after being put into a constant temperature and humidity chamber of 85 ° C. and 85% RH for 48%, and heated at 350 ° C. measured with a thermogravimetric analyzer (TGA). A material having a mass reduction rate (temperature increase rate: 5 ° C./min, atmosphere: nitrogen) of less than 5% by mass can be used. Such a phenol resin is usually obtained by reacting a phenol compound and a xylylene compound which is a divalent linking group in the presence of no catalyst or an acid catalyst. Representative examples of the phenol resin produced in this way include the Mirex XLC-series and XL series manufactured by Mitsui Chemicals.

また、接着剤樹脂組成物には、硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤には、特に制限が無く、各種イミダゾール類を用いることができる。イミダゾール類としては、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは1種又は2種以上を併用することもできる。   A curing accelerator can also be added to the adhesive resin composition. There is no restriction | limiting in particular in a hardening accelerator, Various imidazoles can be used. Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. Two or more kinds can be used in combination.

硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂との総量100質量部に対して0.003〜5質量部が好ましく、0.005〜3質量部がより好ましい。添加量が0.003質量部未満だと硬化性が劣る傾向があり、5質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。   0.003-5 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of total amounts with an epoxy resin and a phenol resin, and, as for the addition amount of a hardening accelerator, 0.005-3 mass parts is more preferable. When the addition amount is less than 0.003 parts by mass, the curability tends to be inferior, and when it exceeds 5 parts by mass, the storage stability tends to decrease.

さらに接着剤樹脂組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を添加することもできる。イオン捕捉剤としては、特に制限が無く、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤などを使用することができ、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤を使用することもできる。イオン捕捉剤の添加量は、添加による効果や耐熱性、コストなどから、1〜10質量%とするのが好ましい。   Furthermore, an ion scavenger can be added to the adhesive resin composition in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption. As the ion scavenger, there is no particular limitation, and a compound known as a copper damage preventive agent to prevent copper from ionizing and dissolving, for example, a triazine thiol compound, a bisphenol-based reducing agent, etc. can be used. Inorganic ion adsorbents such as zirconium-based and antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds can also be used. The addition amount of the ion scavenger is preferably 1 to 10% by mass from the effect of addition, heat resistance and cost.

熱硬化性樹脂の重量平均分子量は、特に限定するものではないが、0.1万未満だと低粘度の液状である場合が多く、接着シートの破断性を低下させる可能性がある。また、10万を超える場合、高分子量化に伴い、樹脂間での分子の絡み合いにより、接着シートの破断性を低下させる可能性がある。そのため熱硬化性樹脂の重量平均分子量は、0.1万〜10万であることが好ましく、0.2万〜1万であることがより好ましく、0.3万〜0.5万であることが最も好ましい。   The weight average molecular weight of the thermosetting resin is not particularly limited, but if it is less than 10,000, it is often a low-viscosity liquid and may reduce the breakability of the adhesive sheet. Moreover, when it exceeds 100,000, there is a possibility that the breakability of the adhesive sheet is lowered due to the entanglement of molecules between the resins as the molecular weight increases. Therefore, the weight average molecular weight of the thermosetting resin is preferably from 10,000 to 100,000, more preferably from 20,000 to 10,000, and from 30,000 to 5,000. Is most preferred.

本発明の半導体用接着シートは、接着剤樹脂組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、支持体フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって得ることができる。
前記支持体フィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用しることもできる。支持体フィルムは、使用時に剥離して接着シートのみを使用することもできるし、支持体フィルムとともに使用し、後で除去することもできる。
The adhesive sheet for semiconductors of the present invention can be obtained by dissolving or dispersing the adhesive resin composition in a solvent to form a varnish, applying the solution on a support film and heating to remove the solvent.
As the support film, a plastic film such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, or a polyimide film can be used. It can also be processed and used. The support film can be peeled off at the time of use, and only the adhesive sheet can be used, or it can be used together with the support film and removed later.

前記ワニス化の溶剤としては、特に制限は無いが、塗布、加熱時の揮発性等を考慮し、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノールなど比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなど比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。
支持体フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
The varnishing solvent is not particularly limited, but in consideration of volatility during coating and heating, methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene, xylene, butyl cellosolve, methanol, ethanol It is preferable to use a solvent having a relatively low boiling point such as 2-methoxyethanol. For the purpose of improving the coating properties, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone can be added.
As a method for applying the varnish to the support film, a known method can be used, and examples thereof include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method. .

接着シートの厚みは、1〜5μmが好ましい。1μmより薄いと成膜性が困難であり、5μmより厚いと近年の顧客要求に合致しなくなる。一方、本発明の接着部材における接着シートは、所望の厚さを得るために、2枚以上を貼り合わせることもできる。この場合には、接着シート同士の剥離が発生しない、貼り合わせ条件が必要である。   The thickness of the adhesive sheet is preferably 1 to 5 μm. If it is thinner than 1 μm, film forming properties are difficult, and if it is thicker than 5 μm, it does not meet the recent customer requirements. On the other hand, two or more adhesive sheets in the adhesive member of the present invention can be bonded together in order to obtain a desired thickness. In this case, it is necessary to have a bonding condition in which peeling between the adhesive sheets does not occur.

また、上記の接着シートはダイシングテープと予め貼り合わせたダイシングテープ一体型接着シートとしても使用される。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。これらは他材料との多層構造にして用いることも出来る。また、必要に応じてプライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが好ましく、ダイシングテープの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、粘着剤層の樹脂組成物において、特に液状成分の比率、高分子量成分のTgを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。   Moreover, said adhesive sheet is used also as a dicing tape integrated adhesive sheet previously bonded with the dicing tape. In this case, the efficiency of the operation can be improved in that the laminating process on the wafer is performed only once. Examples of the dicing tape used in the present invention include plastic films such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, and a polyimide film. These can be used in a multilayer structure with other materials. Further, surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment and etching treatment may be performed as necessary. The dicing tape preferably has adhesiveness, and an adhesive layer may be provided on one side of the dicing tape. This can be formed by applying and drying a resin composition having an appropriate tack strength obtained by adjusting the ratio of the liquid component and the Tg of the high molecular weight component in the resin composition of the pressure-sensitive adhesive layer.

また、半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない接着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから剥離することが必要である。例えば、接着シートやダイシングテープの粘着性が高すぎて両者を張り合わせたときのピール強度が150N/m以上の場合、分離が困難になることがある。そのため、適宜、接着シートのタック強度を調節することが好ましく、その方法としては、接着シートの室温(25℃)における流動性を上昇させることにより、接着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、流動性を低下させれば接着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、流動性を上昇させる場合には、可塑剤の含有量の増加、粘着付与材含有量の増加等の方法がある。逆に流動性を低下させる場合には、前記化合物の含有量を減らせばよい。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。   Further, when used in manufacturing a semiconductor device, it has an adhesive force that prevents the semiconductor element from scattering during dicing, and after that, it must be peeled off from the dicing tape during pick-up. For example, separation may be difficult when the adhesive strength of the adhesive sheet or dicing tape is too high and the peel strength when they are laminated is 150 N / m or more. Therefore, it is preferable to appropriately adjust the tack strength of the adhesive sheet, and as a method thereof, the adhesive strength and tack strength tend to increase by increasing the fluidity of the adhesive sheet at room temperature (25 ° C.). What is necessary is just to utilize that there exists a tendency for adhesive strength and tack strength to fall, if fluidity | liquidity is reduced. For example, in order to increase fluidity, there are methods such as increasing the plasticizer content and increasing the tackifier content. Conversely, when the fluidity is lowered, the content of the compound may be reduced. Examples of the plasticizer include monofunctional acrylic monomers, monofunctional epoxy resins, liquid epoxy resins, acrylic resins, and epoxy-based so-called diluents.

本発明の接着シートは、それ自体で用いても構わないが、本発明の接着シートを従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングテープ一体型接着シートとして用いることもできる。接着シートとダイシングテープを積層したダイシングテープ一体型接着シートの、ダイシングの際のピール強度は、150N/m以下が好ましく、より好ましくは50N/m以下である。ダイシングテープ上に接着シートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作成した接着シートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネート方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネート方法が好ましい。尚、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で60〜200μm、好ましくは70〜170μmである。   The adhesive sheet of the present invention may be used by itself, but can also be used as a dicing tape-integrated adhesive sheet in which the adhesive sheet of the present invention is laminated on a conventionally known dicing tape. The peel strength of the dicing tape integrated adhesive sheet obtained by laminating the adhesive sheet and the dicing tape is preferably 150 N / m or less, and more preferably 50 N / m or less. As a method of laminating the adhesive sheet on the dicing tape, in addition to printing, a pre-made adhesive sheet can be pressed on the dicing tape and a hot roll laminating method. However, it can be continuously manufactured and is hot in terms of efficiency. A roll laminating method is preferred. In addition, the film thickness of the dicing tape is not particularly limited, and is appropriately determined based on the knowledge of a person skilled in the art depending on the film thickness of the adhesive sheet and the application of the dicing tape-integrated adhesive sheet. The film has a handleability of 60 to 200 μm, preferably 70 to 170 μm in terms of good handleability.

本発明の接着シートは、半導体装置を製造する際に、好適に使用される。半導体装置を製造する際に、半導体搭載用支持部材としては、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたFR−4基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたBT基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。また、半導体搭載用支持部材としては、配線を形成してもよい。   The adhesive sheet of the present invention is suitably used when manufacturing a semiconductor device. When a semiconductor device is manufactured, the semiconductor mounting support member can be used without being limited to a substrate material such as a lead frame having a die pad, a ceramic substrate, or an organic substrate. As the ceramic substrate, an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, or the like can be used. As an organic substrate, an FR-4 substrate in which an epoxy resin is impregnated in a glass cloth, a BT substrate in which a bismaleimide-triazine resin is impregnated, a polyimide film substrate using a polyimide film as a base material, or the like is used. Can do. Further, as the semiconductor mounting support member, a wiring may be formed.

配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。接着部材を支持部材へ張り付ける方法としては、接着部材を所定の形状に切断し、その切断された接着部材を支持部材の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これを限定するものではない。   The shape of the wiring may be any of single-sided wiring, double-sided wiring, and multilayer wiring, and may be provided with through-holes and non-through-holes that are electrically connected as necessary. Further, when the wiring appears on the outer surface of the semiconductor device, it is preferable to provide a protective resin layer. As a method of attaching the adhesive member to the support member, a method of cutting the adhesive member into a predetermined shape and thermocompression bonding the cut adhesive member to a desired position of the support member is generally limited. Not what you want.

半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と支持部材とがテープオートメーテッドボンディング(TAB)のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに限定されるものではなく、何れの場合でも効果がある。半導体素子としては、IC、LSI、VLSI等一般の半導体素子を使用することができる。   As the structure of the semiconductor device, the electrode of the semiconductor element and the support member are connected by wire bonding, and the electrode of the semiconductor element and the support member are connected by inner lead bonding of tape automated bonding (TAB). Although there are structures, etc., the present invention is not limited to these and is effective in any case. As the semiconductor element, a general semiconductor element such as an IC, LSI, VLSI can be used.

半導体素子と支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、半導体装置は低弾性率の接着部材を用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、支持部材の面積の70%以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。また、接着部材の特性として、前記接着部材を支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、接着シートからの揮発分を抑制できる。   The thermal stress generated between the semiconductor element and the supporting member is significant when the area difference between the semiconductor element and the supporting member is small. However, the semiconductor device uses a low elastic modulus adhesive member to relieve the thermal stress and increase reliability. Ensure sex. These effects appear very effectively when the area of the semiconductor element is 70% or more of the area of the support member. In such a semiconductor device having a small area difference between the semiconductor element and the support member, the external connection terminals are often provided in an area. Further, as a characteristic of the adhesive member, volatile matter from the adhesive sheet can be suppressed in a heated process such as a process of thermocompression bonding the adhesive member to a desired position of the support member or a process of connecting by wire bonding.

半導体搭載基板用配線基板に用いる配線基板としては、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたFR−4基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたBT基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。   The wiring substrate used for the semiconductor mounting substrate wiring substrate can be used without being limited to the substrate material such as a ceramic substrate or an organic substrate. As the ceramic substrate, an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, or the like can be used. As an organic substrate, an FR-4 substrate in which an epoxy resin is impregnated in a glass cloth, a BT substrate in which a bismaleimide-triazine resin is impregnated, a polyimide film substrate using a polyimide film as a base material, or the like is used. Can do.

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<実施例、及び比較例の接着シートの作製方法>
エポキシ樹脂としてYDCN−703(東都化成株式会社製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210)、フェノール樹脂(硬化剤)としてミレックスXLC−LL(三井化学株式会社製商品名、フェノール樹脂、水酸基当量175、吸水率1.8%、350℃における加熱質量減少率4%)、これら熱硬化性樹脂200質量部に対して、シランカップリング剤として、KBE9007(信越化学社製)および、A−189(日本ユニカー株式会社製)、無機フィラーとして、アエロジルR972(日本アエロジル株式会社製商品名、シリカ、平均粒径0.016μm)からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて90分混練した。これに高分子量成分としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート2〜6質量%を含むアクリルゴムHTR−860P−3(ナガセケムテック株式会社製商品名、重量平均分子量100万)、硬化促進剤としてキュアゾール2PZ−CN(四国化成工業株式会社製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)を混合攪拌し、真空脱気した。作製した接着剤樹脂組成物ワニスを厚さ38μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が5μmのBステージ状態(硬化前)の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着シートを作製した。以下同様に表1の各接着シートを作製した。表1に実施例1〜4、比較例1〜5の配合質量部を示した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.
<Methods for producing adhesive sheets of Examples and Comparative Examples>
YDCN-703 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210) as an epoxy resin, and Millex XLC-LL (trade name, phenol resin, hydroxyl group manufactured by Mitsui Chemicals) as a phenol resin (curing agent) Equivalent 175, water absorption rate 1.8%, heating mass reduction rate at 350 ° C. 4%), KBE9007 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and A− as a silane coupling agent with respect to 200 parts by mass of these thermosetting resins 189 (manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd.), as an inorganic filler, cyclohexanone is added to a composition comprising Aerosil R972 (trade name, silica, average particle size 0.016 μm, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.), and stirred and mixed. And kneaded for 90 minutes. Acrylic rubber HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd., weight average molecular weight 1 million) containing glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate 2 to 6% by mass as a high molecular weight component, and Curazole 2PZ-CN as a curing accelerator (Product name, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) was mixed and stirred and vacuum degassed. The prepared adhesive resin composition varnish was applied to a 38 μm thick release-treated polyethylene terephthalate film, dried by heating at 140 ° C. for 5 minutes, and a B-stage state (before curing) with a film thickness of 5 μm. And an adhesive sheet provided with a carrier film was produced. Similarly, each adhesive sheet shown in Table 1 was prepared. Table 1 shows the parts by mass of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5.

Figure 2010258086
Figure 2010258086

(ウエハ接着力)
シリコンウエハとの接着性に関しては、ホットラミネーターを用いて、温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件で接着シートとシリコンウエハを貼り付けた後に、接着シートに補強テープを貼り付け、テスター産業株式会社製の90゜ピール試験機により、25℃雰囲気で、50mm/secの速度で測定を行った。
(Wafer adhesion)
For adhesion to the silicon wafer, use a hot laminator to attach the adhesive sheet and the silicon wafer at a temperature of 70 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a speed of 0.3 m / min. The measurement was performed at a speed of 50 mm / sec in a 25 ° C. atmosphere using a 90 ° peel tester manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.

(切削屑入り込み)
シリコンウエハを個片化する際の切削屑の入り込みについては、DISCO製のダイサーによるダイシング後の試料を裏面からに観察することにより行った。切削屑が入り込まなかった場合を○、入り込んだ場合を×とした。
(Including cutting waste)
The entering of the cutting waste when the silicon wafer was separated into pieces was performed by observing a sample after dicing by a DISCO dicer from the back side. The case where the cutting waste did not enter was indicated as ◯, and the case where the cutting waste entered was indicated as ×.

(貯蔵弾性率)
動的粘弾性測定装置(レオロジ社製 DVE−V4)を使用し、接着シートを170℃、3時間の条件で熱硬化させ、引張り荷重をかけて、周波数10Hz、昇温速度3〜10℃/minで25℃から300℃まで測定する温度依存性測定モードで行った。170℃の貯蔵弾性率の測定の結果、5MPa未満を○とし、5MPa以上を×とした。また、35℃の弾性率の測定の結果、1〜3000MPaの場合を○とし、それ以外を×とした。
(Storage modulus)
Using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVE-V4 manufactured by Rheology), the adhesive sheet was thermally cured at 170 ° C. for 3 hours, a tensile load was applied, a frequency of 10 Hz, and a temperature increase rate of 3 to 10 ° C. / The measurement was performed in a temperature dependence measurement mode in which measurement was performed from 25 ° C. to 300 ° C. in min. As a result of the measurement of the storage elastic modulus at 170 ° C., a value of less than 5 MPa was evaluated as ◯, and a value of 5 MPa or more was evaluated as x. Moreover, as a result of the measurement of the elastic modulus at 35 ° C., the case of 1 to 3000 MPa was rated as ◯, and the others were marked as x.

(基板との濡れ性)
基板との濡れ性については、シリコンウエハと接着シートを貼り合わせのち、10×10mm□に個片化した試験片を、0.1MPa、5s、120℃の条件で有機基板(ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたFR−4にAUS308を塗布した基板)に圧着した後、基板と接着シートが接している面積比(%)にて評価した。
(Wettability with substrate)
Regarding the wettability with the substrate, a test piece that was separated into 10 × 10 mm □ after bonding a silicon wafer and an adhesive sheet was placed on an organic substrate (epoxy resin on glass cloth) under the conditions of 0.1 MPa, 5 s, and 120 ° C. Was bonded to a substrate coated with AUS308 on FR-4 impregnated with FR-4, and then the area ratio (%) at which the substrate and the adhesive sheet were in contact with each other was evaluated.

(接着性:接着シートと基板の接着力)
接着性については、大きさ5×5mm口の接着シートを半導体チップ(5×5mm口)に温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼りあわせ、その後0.1MPa、5s、120℃の条件で有機基板(ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたFR−4にAUS308を塗布した基板)に圧着し、170℃3h硬化させた後、吸湿処理(温度85℃、湿度85%雰囲気下、48時間)後の接着シートと基板の接着力を265℃の条件下でダイシェア強度測定(Dage社製)により測定を行った。吸湿処理後の接着力/吸湿処理前の接着力が0.7以上を○、0.7未満を×とした。
(Adhesiveness: Adhesive strength between adhesive sheet and substrate)
For adhesion, a 5 × 5 mm size adhesive sheet is bonded to a semiconductor chip (5 × 5 mm size) using a hot roll laminator at a temperature of 70 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a speed of 0.3 m / min. Then, pressure-bonded to an organic substrate (a substrate coated with AUS308 on FR-4 in which an epoxy resin is impregnated in a glass cloth) under conditions of 0.1 MPa, 5 s, and 120 ° C., cured at 170 ° C. for 3 hours, and then subjected to moisture absorption treatment. The adhesive strength between the adhesive sheet and the substrate after (temperature 85 ° C., humidity 85% atmosphere for 48 hours) was measured by die shear strength measurement (manufactured by Dage) under the condition of 265 ° C. The adhesion strength after moisture absorption treatment / adhesion strength before moisture absorption treatment was 0.7 or more, and less than 0.7 was x.

(充填性)
充填性については、大きさ10×10mm口の接着シートに、温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いてシリコンウエハに貼りあわせ、その後0.2MPa、120℃、2sの条件で2μmの凹凸を有する基板に貼り付けた後、170℃で30分硬化。その後、樹脂封止を行い評価用パッケージを作製した。初期の充填性を観察した。埋込が充分なら○、埋込が不十分なら×とした。
(Fillability)
As for the filling property, an adhesive sheet having a size of 10 × 10 mm was bonded to a silicon wafer using a hot roll laminator at a temperature of 70 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a speed of 0.3 m / min, and then 0.2 MPa. After being attached to a substrate having unevenness of 2 μm at 120 ° C. for 2 s, it was cured at 170 ° C. for 30 minutes. Thereafter, resin sealing was performed to produce an evaluation package. Initial fillability was observed. If the embedding was sufficient, it was marked as ◯, and if embedding was insufficient, it was marked as x.

(1μmシート作製)
厚みが1μmの接着シートの作製可能を○、不可能を×とした。
下記表2に実施例1〜4、比較例1〜5の接着シートの特性評価結果を示した。
(1 μm sheet production)
The possibility of producing an adhesive sheet having a thickness of 1 μm was indicated as “◯” and the impossibility as “impossible”.
Table 2 below shows the property evaluation results of the adhesive sheets of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5.

Figure 2010258086
Figure 2010258086

実施例1〜4は、シリコンウエハとの接着性(接着力)、切削屑の入り込み、硬化後の貯蔵弾性率、埋め込み性(充填性)などすべての項目で目標とする特性を満足しており、厚み1μmの接着シートも作製可能である。また、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を添加した実施例2〜4は、シリコンウエハとの接着が向上するとともに有機基板との濡れ性が向上するため、接着面積が非常に大きくなり、基板凹凸への埋め込み性により優れる効果が確認できた。   Examples 1-4 satisfy the target characteristics in all items such as adhesion to silicon wafer (adhesive force), penetration of cutting waste, storage elastic modulus after curing, and embedding property (fillability). An adhesive sheet having a thickness of 1 μm can also be produced. In addition, in Examples 2 to 4 to which a silane coupling agent having an isocyanate group was added, adhesion with a silicon wafer was improved and wettability with an organic substrate was improved. An excellent effect was confirmed by the embedding property.

比較例1〜5は、フィラーを含有しているため、シリコンウエハとの接着力が低く、接着シートとの間に切削屑が入り込む結果となった。また、1μmの接着シートに関しても作製は困難であった。比較例3はゴム量が多いため、弾性率、充填性は目標とする特性を満たすが、接着力が低い結果となった。また、フィラーを含有しているため厚み1μmの接着シートの作製が困難である。   Since the comparative examples 1-5 contain the filler, the adhesive force with a silicon wafer was low, and it resulted in a cutting waste entering between adhesive sheets. Further, it was difficult to produce a 1 μm adhesive sheet. Since Comparative Example 3 has a large amount of rubber, the elastic modulus and filling property satisfy the target characteristics, but the adhesive force is low. Moreover, since it contains a filler, it is difficult to produce an adhesive sheet having a thickness of 1 μm.

比較例4は、硬化剤に対するゴム成分が少ないために硬化後の170℃の貯蔵弾性率が目標値よりも高く、充填性に劣る結果となった。比較例5は、ゴム量が少ないため硬化後の170℃の貯蔵弾性率が高くなるとともに、充填性が悪い結果となった。   Since the comparative example 4 had few rubber components with respect to a hardening | curing agent, the storage elastic modulus of 170 degreeC after hardening was higher than a target value, and resulted in inferior filling property. In Comparative Example 5, since the amount of rubber was small, the storage elastic modulus at 170 ° C. after curing was high, and the filling property was poor.

以上、本発明について実施例を用いて説明してきたが、以下の作用効果を奏することが分かった。本発明の接着剤樹脂組成物はフィラーを有さないことでシリコンウエハとの接着力を向上させる事が出来るとともに半導体素子の凹凸の埋め込み性が向上している。更にイソシアネート基を有するシランカップリング剤の添加によってシリコンウエハとの接着力が向上する。   As mentioned above, although this invention has been demonstrated using the Example, it turned out that there exist the following effects. Since the adhesive resin composition of the present invention does not have a filler, it can improve the adhesive force with the silicon wafer and improve the embedding property of the unevenness of the semiconductor element. Furthermore, the addition of a silane coupling agent having an isocyanate group improves the adhesion with the silicon wafer.

Claims (6)

高分子量成分を少なくとも含有する接着剤樹脂組成物からなる接着シートであって、70℃における硬化前の接着シートとシリコンウエハの接着力が100N/m以上であり、かつ35℃の弾性率が1〜3000MPaであり、硬化後の動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が170℃で5MPa未満であり、硬化後の吸湿処理後の接着力/吸湿処理前のダイシェア強さ比が0.7以上であることを特徴とする半導体用接着シート。   An adhesive sheet comprising an adhesive resin composition containing at least a high molecular weight component, wherein the adhesive strength between the adhesive sheet before curing at 70 ° C. and the silicon wafer is 100 N / m or more, and the elastic modulus at 35 ° C. is 1 ˜3000 MPa, storage elastic modulus after curing by dynamic viscoelasticity measurement is less than 5 MPa at 170 ° C., and adhesive strength after moisture absorption treatment after curing / die shear strength ratio before moisture absorption treatment is 0.7 or more An adhesive sheet for semiconductors, characterized in that it exists. 接着剤樹脂組成物が、フィラーを含有していないことを特徴とする請求項1記載の半導体用接着シート。   The adhesive resin composition for semiconductor according to claim 1, wherein the adhesive resin composition does not contain a filler. 接着剤樹脂組成物が、さらに、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を含有することを特徴とする請求項1または2記載の半導体用接着シート。   The adhesive resin composition for semiconductor according to claim 1 or 2, wherein the adhesive resin composition further contains a silane coupling agent having an isocyanate group. 厚さが1μm〜5μmであることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の半導体用接着シート。   The adhesive sheet for a semiconductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the thickness is 1 µm to 5 µm. 高分子量成分において、Tgが−10〜60℃、重量平均分子量が2万〜100万であることを特徴とする、請求項1〜4いずれかに記載の半導体用接着シート。   5. The adhesive sheet for semiconductor according to claim 1, wherein the high molecular weight component has a Tg of −10 to 60 ° C. and a weight average molecular weight of 20,000 to 1,000,000. 請求項1〜5いずれかに記載の半導体用接着シートと、ダイシングテープを積層してなるダイシング一体型半導体用接着シート。   6. A dicing integrated semiconductor adhesive sheet obtained by laminating the semiconductor adhesive sheet according to claim 1 and a dicing tape.
JP2009104124A 2009-04-22 2009-04-22 Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated type adhesive sheet for semiconductor Pending JP2010258086A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009104124A JP2010258086A (en) 2009-04-22 2009-04-22 Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated type adhesive sheet for semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009104124A JP2010258086A (en) 2009-04-22 2009-04-22 Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated type adhesive sheet for semiconductor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010258086A true JP2010258086A (en) 2010-11-11

Family

ID=43318692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009104124A Pending JP2010258086A (en) 2009-04-22 2009-04-22 Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated type adhesive sheet for semiconductor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010258086A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228642A (en) * 2010-03-31 2011-11-10 Furukawa Electric Co Ltd:The Wafer processing tape
CN102676093A (en) * 2011-03-11 2012-09-19 日东电工株式会社 Die-bonding film and use thereof
JP2013006899A (en) * 2011-06-22 2013-01-10 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive film and semiconductor device using the same
WO2013157567A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-24 リンテック株式会社 Adhesive composition, adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228642A (en) * 2010-03-31 2011-11-10 Furukawa Electric Co Ltd:The Wafer processing tape
CN102676093A (en) * 2011-03-11 2012-09-19 日东电工株式会社 Die-bonding film and use thereof
KR20120104109A (en) * 2011-03-11 2012-09-20 닛토덴코 가부시키가이샤 Die-bonding film and use thereof
JP2012191046A (en) * 2011-03-11 2012-10-04 Nitto Denko Corp Die-bonding film and use thereof
TWI503395B (en) * 2011-03-11 2015-10-11 Nitto Denko Corp Die-bonding film, dicing. die-bonding film and fabricating method of semicomductor device
KR101884024B1 (en) * 2011-03-11 2018-07-31 닛토덴코 가부시키가이샤 Die-bonding film and use thereof
JP2013006899A (en) * 2011-06-22 2013-01-10 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive film and semiconductor device using the same
WO2013157567A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-24 リンテック株式会社 Adhesive composition, adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
JPWO2013157567A1 (en) * 2012-04-17 2015-12-21 リンテック株式会社 Adhesive composition, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101557171B1 (en) Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated adhesive sheet for semiconductor
KR20020075426A (en) Adhesive Composition, Process for Producing the Same, Adhesive Film Made with the Same, Substrate for Semiconductor Mounting, and Semiconductor Device
EP2136393A1 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device made with the same
JP5428758B2 (en) Semiconductor adhesive sheet, dicing tape integrated semiconductor adhesive sheet, and semiconductor device
JP2010129816A (en) Semiconductor chip laminated body and adhesive agent composition for laminating semiconductor chip
WO2021002248A1 (en) Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, dicing/die-bonding integrated adhesive sheet, semiconductor apparatus, and method for manufacturing same
WO2010131575A1 (en) Adhesive composition, adhesive sheet for connecting circuit member, and method for manufacturing semiconductor device
WO2019098329A1 (en) Thermosetting resin film, and first protective film-forming sheet
JP4228582B2 (en) Adhesive sheet, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2002060716A (en) Low-elastic adhesive, low-elastic adhesive member, substrate for loading semiconductor having low-elastic adhesive member and semiconductor device using the same
JP2010103154A (en) Semiconductor adhesive sheet, dicing integrated semiconductor adhesive sheet using the same
JP5340580B2 (en) Semiconductor adhesive sheet and dicing integrated semiconductor adhesive sheet
JP2010258086A (en) Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated type adhesive sheet for semiconductor
JP5236134B2 (en) Adhesive composition, adhesive member, semiconductor mounting support member, semiconductor device, etc.
JP5754072B2 (en) Adhesive composition, adhesive member sheet for connecting circuit members, and method for manufacturing semiconductor device
JP2009120822A (en) Adhesive composition, adhesive member using the same, dicing/die bonding-integrated type film, semiconductor mounting support member and semiconductor device
US20120114934A1 (en) Bonding sheet
JP4400609B2 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device
JP2018203973A (en) Tape for semiconductor processing
JP4719992B2 (en) Adhesive composition and use thereof
JP2007288174A (en) Adhesive sheet for semiconductor, and adhesive sheet for semiconductor integrated with dicing tape
JP4319108B2 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device
JP5564782B2 (en) Adhesive composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device
JP2009124133A (en) Bonding member, support member for mounting semiconductor device and semiconductor device
JP5549106B2 (en) Semiconductor adhesive sheet and dicing integrated semiconductor adhesive sheet