JP2010251799A - プラズマ・エッチング中に帯電粒子からウェハを遮蔽する装置および方法 - Google Patents
プラズマ・エッチング中に帯電粒子からウェハを遮蔽する装置および方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。
【選択図】図1
Description
する方法に関する。
。したがって、本発明は、プラズマ・システムの性能の向上やスループットの向上、歩留まりの向上など、数多くの利点を提供する。
ことによりエッチング・プロセスの等方性が向上するように選択される。
チャンバ・シーズニング中の原位置ウェハ保護を実現することである。
は、横方向と縦方向のエッチングを同じ速度で行う。異方性エッチング・ステップと等方性エッチング・ステップとを切り替えることにより、等方性エッチング中の横方向成分を低下させる側壁パッシベーション層を堆積させることができる。
Claims (6)
- プラズマ中の帯電粒子からウェハを遮蔽する方法であって、
a)前記ウェハの上方でプラズマを発生させるステップと、
b)前記ウェハとプラズマの間で直線状の磁場を発生させるステップとを含み、
前記磁場が前記ウェハと平行であり、前記磁場がプラズマからウェハに向かって移動する電子を反射するように、前記磁場の強度がウェハ上方の距離とともに減少し、
ウェハに向かって移動するプラズマから生じた電子の50%超が、前記磁場によってウェハから遠ざかるように反射される、方法。 - 前記プラズマの化学的性質が、前記プラズマがチャンバのシーズニングを行うように選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記磁場が、ウェハに向かってZ方向に移動する10eV以下のエネルギーを有する電子を反射する、請求項1に記載の方法
- 前記磁場が、ウェハに向かってZ方向に移動する4eV以下のエネルギーを有する電
子を反射する、請求項1に記載の方法 - 前記プラズマの化学的性質が、ウェハを帯電粒子から遮蔽することによりエッチング・プロセスの等方性が向上するように選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記磁場が、ウェハに向かってZ方向に移動する2eV以下のエネルギーを有する電子を反射する、請求項5に記載の方法。
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