JP2010250063A - 感活性光線または感放射線樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(C)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する極性変換基を有する繰り返し単位を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する樹脂を含有してなり、化合物(B)として活性光線または放射線の照射により下記一般式(I)で表される酸を発生する化合物を含有する感活性光線または感放射線樹脂組成物。(一般式(I)における各符号は明細書に記載の意味を有する。)
【化1】
【選択図】 なし
Description
(1)(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(C)極性変換基を有する繰り返し単位を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する樹脂を含有してなり、化合物(B)として活性光線または放射線の照射により下記一般式(I)で表される酸を発生する化合物を含有する感活性光線または感放射線樹脂組成物。
Aは環状構造を有する基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
Zka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環、または電子吸引性基を表す。Zka1が複数ある場合は、Zka1同士が連結して環を形成してもよい。
Y1、Y2はそれぞれ独立して電子吸引性基を表す。
R57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又は直鎖もしくは分岐アルキル基を表す。但し、R57〜R61、R62〜R64およびR65〜R68のそれぞれにおいて、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。
R12〜R26は、各々独立に、直鎖もしくは分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
尚、本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明の感活性光線または感放射線樹脂組成物は、極性変換基を少なくとも一つ有する繰り返し単位(c)を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する樹脂(C)を含有する。樹脂(C)は疎水性を有するものであるが、樹脂(C)の添加は、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。
繰り返し単位(c)として、例えば、式(K0)で示される繰り返し単位を挙げることができる。
Y1及びY2は、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。
点線で示されるZ2は、−COO−と共にラクトン環構造を形成する原子団を表す。
なお、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるように、一般式(KA−1)で表される部分構造としての5〜7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。
一般式(KA−1)で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるもの、またはこれに準じたものを挙げることができる。
Y1及びY2は、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。
newは−C(Rew1)(Rew2)−で表される連結基の繰り返し数であり、0または1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。
Rky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、またはアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部(=O)を形成してもよい。
Rky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。
Rky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけると同様のものが挙げられる。
Rky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、またはアリール基を表す。
Rky5〜Rky10は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。
式(KY−2)で表される構造は、下記一般式(KY−3)で示す部分構造であることがより好ましい。
Zka1、nkaは各々前記一般式(KA−1)と同義である。Rky5は前記式(KY−2)と同義である。
Lkyは、アルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。
Lkyのアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは、酸素原子またはメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。
Z1は、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。
Z2は、それぞれ独立に、鎖状もしくは環状アルキレン基を表す。
Ta及びTbは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基または電子求引性基(前記一般式(KB−1)におけるY1及びY2としての電子求引性基と同義である)を表す。Taが複数個ある場合には、Ta同士が結合して、環を形成しても良い。
Tcは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基または電子求引性基(前記一般式(KB−1)におけるY1及びY2としての電子求引性基と同義である)を表す。
Lは、それぞれ独立に、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はエーテル基を表す。
R2は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
R3は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環または多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。
R57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(直鎖もしくは分岐)を表す。但し、R57〜R61の少なくとも1つ、R62〜R64の少なくとも1つ及びR65〜R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
一般式(F3)で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。
W3〜W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。
また、これら以外にも、下記に示すような単位を有する樹脂も適用可能である。
ただし、R4〜R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5もしくはR6とR7は環を形成していてもよい。
W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。
R12〜R26は、各々独立に、直鎖もしくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)またはシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
繰り返し単位(c’)の含有率は、樹脂(C)中の全繰り返し単位に対し、10〜100mol%が好ましく、より好ましくは20〜100mol%、更に好ましくは30〜100mol%、最も好ましくは40〜100mol%である。
繰り返し単位(c”)の含有率は、樹脂(C)中の全繰り返し単位に対し、10〜100mol%が好ましく、より好ましくは20〜100mol%、更に好ましくは30〜100mol%、最も好ましくは40〜100mol%である。
樹脂(C)は、さらに、繰り返し単位(c’)、(c”)とは異なる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(c1)を含有しても良い。
(x)アルカリ可溶性基、
(z)酸の作用により分解する基。
好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホンイミド基、ビス(カルボニル)メチレン基が挙げられる。
アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,またはCF3を表す。
Xa1は、水素原子、メチル基又は−CH2−R9で表わされる基を表す。R9は、1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Rx1〜Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx1〜Rx3の少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
Rx1〜Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Rx1〜Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx1がメチル基またはエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している様態が好ましい。
Rc31は、水素原子、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、シアノ基又は−CH2−O−Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。
シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
Racは水素原子、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、シアノ基又は−CH2−O−Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Racは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
Rc11'及びRc12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Rc13'〜Rc16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基あるいはシクロアルキル基を表す。
R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
樹脂(C)は(cy1)〜(cy4)で表される繰り返し単位を複数有していてもよい。
2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。反応の濃度は、通常5〜50質量%であり、好ましくは30〜50質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは60〜100℃である。
(CP)フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する樹脂
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、上記樹脂(C)とは別に、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する樹脂(CP)を更に含有してもよい。前記樹脂(C)・樹脂(CP)を含有することにより、膜表層に樹脂(C)・樹脂(CP)が偏在化し、液浸媒体が水の場合、膜とした際の水に対するレジスト膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。膜の後退接触角は60°〜90°が好ましく、更に好ましくは70°以上である。その含有率は、膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0.01〜5質量%であり、さらに好ましくは0.01〜4質量%、特に好ましくは0.01〜3質量%である。樹脂(CP)は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。
樹脂(CP)は、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環または多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、前記樹脂(C)における一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。
以下、フッ素原子を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、X1は、水素原子、−CH3、−F、−CF3又は−CNを表す。
X2は、−F又は−CF3を表す。
(x)アルカリ可溶性基、
(z)酸の作用により分解する基。
樹脂(CP)は、更に、前記樹脂(C)における一般式(CIII)で表される繰り返し単位を有していてもよい。
液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー(波長;193nm)である場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。
また、さらに屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により一般式(I)で表される酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」ともいう)を含有する。
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、単結合又は二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状構造を有する基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜10であり、より好ましくは炭素数1〜4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F 5、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。
Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S―、−SO―、―SO2−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基などがあげられる。このなかでも―COO−、−OCO−、−CO−、−O−がこのましく、―COO−、−OCO−がより好ましい。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z-は、一般式(I)で表される酸のアニオン構造を示す。
式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐のアルキル基(炭素数1〜12が好ましい)、シクロアルキル基(炭素数3〜8が好ましい)、直鎖もしくは分岐のアルコキシ基(直鎖の場合炭素数1〜12が好ましく、分岐の場合炭素数3〜8が好ましい)、又はハロゲン原子を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、直鎖もしくは分岐のアルキル基(炭素数1〜12が好ましい)、シクロアルキル基(炭素数3〜8が好ましい)、アリル基又はビニル基を表す。
Zc-は、Z-と同様の一般式(I)で表される酸のアニオン構造を示す。
一般式(ZII)中、R204、R205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204、R205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物(ZI−1)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明した各基と同様である。
Zc-は、Z-と同様の一般式(I)で表される酸のアニオン構造を示す。
化合物(ZI−4)とは、以下の一般式(ZI−4)で表される化合物である。
R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
前記、R13、R14、R15の各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。
以下に、一般式(ZI−4)で表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。
R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Rzは、一般式(I)で表される酸のHが解離した構造を表し、下記一般式(I−s)で表される。
一般式(I)で表される酸を発生する酸発生剤(B)は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
一般式(I)で表される酸を発生する酸発生剤(B)と併用することができる、該酸発生剤(B)以外の酸発生剤(B’)の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI’)、(ZII’)、(ZIII’)で表される化合物を挙げることができる。
R201、R202、R203、R204、R205、は、上述した一般式(ZI’)及び(ZII’)における各々と同義である。
Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸ア
ニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4〜8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
R1c〜R7c、Rx、Ryは、上述した一般式(ZI−3)における各々と同義である。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。 R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール
基を表す。
酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。
酸発生剤のポジ型レジスト組成物中の含有率は、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、 0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)を含有する。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH2−R9で表わされる基を表す。R9は、1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Rx1〜Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx1〜Rx3の少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
Rx1〜Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Rx1〜Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx1がメチル基またはエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
R1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH2−R9で表わされる基を表す。R9は水酸基又は1価の有機基を表す。
R3〜R5は、一般式(2)におけるものと同義である。
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
一般式(AII)で表される単位のうち、Abが単結合である場合に特に好ましいラクトン基を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,またはCF3を表す。最適なラクトン基を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。
Aは、エステル結合(−COO−で表わされる基)またはアミド結合(−CONH−で表わされる基)を表す。
R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組合せを表す。
Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。
R7、A、R0、Z、及びnは、上記一般式(3)と同義である。
R9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。
mは、置換基数であって、0〜5の整数を表す。mは0または1であることが好ましい。
ラクトン基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜60mol%が好ましく、より好ましくは20〜50mol%、更に好ましくは30〜50mol%である。
R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,またはCF3を表す。
Raは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は−CH2−O−Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。
前記各成分を溶解させて本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4〜10)、環を含有しても良いモノケトン化合物(好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
R200 、R201及びR202 は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(炭素数6〜20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203 、R204、R205及びR206 は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜20個のアルキル基を表す。
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、更に界面活性剤を含有することができる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することができる。
本発明における感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有しても良い。カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。アニオン部としては、炭素数1〜30の直鎖、分岐、単環または多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好ましくはこれらのアルキル基の一部または全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。
本発明の組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(以下、「溶解阻止化合物」ともいう)を含有してもよい。溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、(B)成分の樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物(例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物)等を含有させることができる。
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30〜250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30〜200nmで使用されることが好ましい。ポジ型レジスト組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
<樹脂(C)の合成>
合成例1 樹脂(C−8)の合成
窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)6.4gを三口フラスコに入れ、これを80℃に加熱した。これに化合物(1)17.5g、化合物(2)4.0g、重合開始剤V−601(和光純薬製)をモノマーに対し5.0mol%をPGMEA58.0gに溶解させた溶液を4時間掛けて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で4時間反応させた。反応液を放冷後メタノール1300g/蒸留水150gの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥するとポリマー(C−8)が15.2g得られた。
窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)10.1gを三口フラスコに入れ、これを80℃に加熱した。これに化合物(3)36.3g、重合開始剤V−601(和光純薬製)をモノマーに対し2.5mol%をPGMEA96.8gに溶解させた溶液を4時間掛けて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で4時間反応させた。反応液を放冷後メタノール1300g/蒸留水150gの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥するとポリマー(C−94)が25.1g得られた。
合成例1 樹脂(1)の合成
窒素気流下、シクロヘキサノン8.6gを3つ口フラスコに入れ、これを80℃に加熱した。これに2−アダマンチルイソプロピルメタクリレート9.8g、ジヒドロキシアダマンチルメタクリレート4.4g、ノルボルナンラクトンメタクリレート8.9g、重合開始剤V−601(和光純薬製)をモノマーに対し8mol%をシクロヘキサノン79gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン800m/酢酸エチル200mlの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂(1)が19g得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で8800、分散度(Mw/Mn)は1.9であった。
同様にして、以下に示す他の樹脂(A)を合成した。
下記表に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度3質量%の溶液を調製し、これを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト組成物を調製した。調製したポジ型レジスト組成物を下記の方法で評価し、結果を表4に示した。
酸発生剤及び樹脂(C)は先に例示したものに対応する。
N−1:N,N−ジブチルアニリン
N−2:N,N−ジヘキシルアニリン
N−3:2,6−ジイソプロピルアニリン
N−4:トリ−n−オクチルアミン
N−5:N,N−ジヒドロキシエチルアニリン
N−6:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
N−7:トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
N−8:2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミン
〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製、フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製、フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製、シリコン系)
W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
W−5:PF656(OMNOVA社製、フッ素系)
W−6:PF6320(OMNOVA社製、フッ素系)
〔溶剤〕
SL−1: シクロヘキサノン
SL−2: プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
SL−3: 乳酸エチル
SL−4: プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
SL−5: γ−ブチロラクトン
SL−6: プロピレンカーボネート
<画像性能試験>
〔露光条件:ArF液浸露光〕
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、100℃で、60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製 XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向)を用い、55nm1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後100℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
PEB温度100℃において、55nm1:1ラインアンドスペースパターンが55nmとなる露光量において、PEBの温度を100℃に対し、−5℃、−2℃、+2℃、+5℃と変えそのときの線幅を測長SEM((株)日立製作所製S−9380II)により50ポイント測定し、温度に対する線幅をプロットした。このときの傾き、つまり1℃あたりの線幅の変動量を算出した。
被覆率30%と70%の2種の6%ハーフトーンマスクを使用し、上記と同様にパターン形成を行い、被覆率30%における55nm1:1ラインアンドスペースパターンが55nmとなる露光量を最適露光量とした。この同一の最適露光量において、被覆率70%における55nm1:1ラインアンドスペースパターンを測定し、線幅の差を被覆率Δ線幅とした。値(nm)が2.0未満のものを二重丸、2.0以上3.0未満のものを○、3.0以上5.0未満のものを△、5.0以上のものを×とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
〔現像欠陥評価〕
ケー・エル・エー・テンコール社製の欠陥検査装置KLA2360(商品名)を用い、欠陥検査装置のピクセルサイズを0.16μmに、また閾値を20に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出される現像欠陥を検出した。
上記現像欠陥をウエハー上における欠陥分布を検出し、SEMVision(AMAT社製)を用いて、欠陥の形状を観察した。
55nm1:1ラインアンドスペースパターン(ピッチ110nm)のマスクパターンで55nmのレジストパターンが得られる露光量で、ピッチを110nmに固定したまま、マスクサイズを50nmから60nmのサイズに1nmずつ変更したときの、マスクサイズに対する、線幅をプロットした。このときの傾き、つまりMask1nmあたりの線幅の変動量を算出した。
Claims (9)
- (A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、
(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、
(C)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する極性変換基を有する繰り返し単位を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する樹脂を含有してなり、化合物(B)として活性光線または放射線の照射により下記一般式(I)で表される酸を発生する化合物を含有する感活性光線または感放射線樹脂組成物。
R1、R2はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2はそれぞれ、同じであっても異なってもよい。
Lは、2価の連結基を表し、複数存在する場合のLはそれぞれ、同じであっても異なってもよい。
Aは環状構造を有する基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。 - 樹脂(C)が、2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項1に記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
- 樹脂(C)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、極性変換基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
- 一般式(I)において、xが1であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
- 一般式(I)において、xが1であり、2つのXfがフッ素原子であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
- 一般式(I)において、少なくとも1つのLが−COO−基もしくは−OCO−基であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
- 極性変換基が、一般式(KA−1)’または(KB−1)’で示す構造における−COO−で表される部分構造であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の感活性光線又は感放射線樹脂組成物。
Zka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環、または電子吸引性基を表す。Zka1が複数ある場合は、Zka1同士が連結して環を形成してもよい。
nkaは0〜10の整数を表す。
点線で示されるZka2は、−COO−と共にラクトン環構造を形成する原子団を表す。
(KB−1)において、
Y1、Y2は、それぞれ独立して電子吸引性基を表す。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の感活性光線又は感放射線樹脂組成物を用いて膜を形成し、該膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 液浸液を介して塗膜を露光することを特徴とする、請求項8に記載のパターン形成方法。
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---|---|
JP (1) | JP5346660B2 (ja) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011059516A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2011095623A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Jsr Corp | 液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
JP2011246439A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-12-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩及びレジスト組成物 |
WO2012033145A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2012106980A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-06-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US20120219902A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-08-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns |
JP2012226327A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2012226334A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2013041252A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2013092618A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤 |
WO2013129266A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤及び光崩壊性塩基 |
JP2014112216A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-06-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
WO2014141979A1 (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
JP2015113318A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
WO2015141504A1 (ja) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
JP2017044872A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
KR101909881B1 (ko) | 2011-04-13 | 2018-10-23 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 포토레지스트 조성물 |
JP2019104721A (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-27 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2019207296A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤 |
JP2019207408A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤 |
JP2020042108A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
WO2021111996A1 (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US11221557B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-01-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, compound, and acid generator |
US11256169B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-02-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, and method of forming resist pattern |
US11703756B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-07-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
US11709425B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-07-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
KR102666623B1 (ko) | 2019-12-03 | 2024-05-16 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
WO2024106020A1 (ja) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007182488A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007249192A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP2007304545A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-11-22 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2007322660A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2009142181A1 (ja) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Jsr株式会社 | 液浸露光用感放射線性樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法 |
JP2010160463A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | パターン形成方法 |
-
2009
- 2009-04-15 JP JP2009099215A patent/JP5346660B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007304545A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-11-22 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2007182488A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007249192A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP2007322660A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2009142181A1 (ja) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Jsr株式会社 | 液浸露光用感放射線性樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法 |
JP2010160463A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | パターン形成方法 |
Cited By (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011059516A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2011095623A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Jsr Corp | 液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
JP2011246439A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-12-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩及びレジスト組成物 |
JP2012106980A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-06-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JPWO2012033145A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2014-01-20 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
WO2012033145A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5716747B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2015-05-13 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US8889335B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-11-18 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
TWI461447B (zh) * | 2011-02-28 | 2014-11-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 形成光微影圖案的光阻劑組成物及方法 |
US20120219902A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-08-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns |
CN102681348A (zh) * | 2011-02-28 | 2012-09-19 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法 |
JP2012181524A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法 |
CN102681348B (zh) * | 2011-02-28 | 2014-11-12 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 形成光刻图案的方法 |
JP2012226334A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2012226327A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
KR101909881B1 (ko) | 2011-04-13 | 2018-10-23 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 포토레지스트 조성물 |
JP2013041252A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2013092618A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤 |
TWI578100B (zh) * | 2012-02-27 | 2017-04-11 | Jsr Corp | A photoresist composition, a photoresist pattern forming method, a compound, an acid generator, and a light collapsible base |
WO2013129266A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤及び光崩壊性塩基 |
KR20140139511A (ko) * | 2012-02-27 | 2014-12-05 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 포토레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물, 산 발생제 및 광붕괴성 염기 |
US9323146B2 (en) | 2012-02-27 | 2016-04-26 | Jsr Corporation | Photoresist composition, resist pattern-forming method, compound, acid generating agent, and photodegradable base |
JPWO2013129266A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2015-07-30 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤及び光崩壊性塩基 |
KR102077101B1 (ko) * | 2012-02-27 | 2020-02-13 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 포토레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물, 산 발생제 및 광붕괴성 염기 |
JP2014112216A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-06-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JPWO2014141979A1 (ja) * | 2013-03-11 | 2017-02-16 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
WO2014141979A1 (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
JP2015113318A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2015194703A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-11-05 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
WO2015141504A1 (ja) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
JP2017044872A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2019104721A (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-27 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7146586B2 (ja) | 2017-12-08 | 2022-10-04 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US11703756B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-07-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
JP2019207408A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤 |
US11709425B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-07-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
JP2019207296A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤 |
US11221557B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-01-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, compound, and acid generator |
US11256169B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-02-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, and method of forming resist pattern |
JP7094144B2 (ja) | 2018-05-28 | 2022-07-01 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤 |
JP7285695B2 (ja) | 2018-05-28 | 2023-06-02 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤 |
JP7270347B2 (ja) | 2018-09-07 | 2023-05-10 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP2020042108A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP7292194B2 (ja) | 2019-12-03 | 2023-06-16 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2021089346A (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
WO2021111996A1 (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
TWI832023B (zh) * | 2019-12-03 | 2024-02-11 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法 |
KR102666623B1 (ko) | 2019-12-03 | 2024-05-16 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
WO2024106020A1 (ja) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5346660B2 (ja) | 2013-11-20 |
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