JP2010243646A - ディスプレイ装置及びこれを備える電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】紫外線検出機能を実装しながら製造コストの削減及び設計スペースの節約を実現するディスプレイ装置等を提供する。
【解決手段】画像を表示する表示パネル100を有するディスプレイ装置10で、表示パネル100は、外光200を受ける面に、可視光を透過する偏光板L1を設けられている。ディスプレイ装置10は、偏光板L1に覆われていない表示パネル100の基板L4上の領域に設けられ、外光200を検出し、その波長成分に対応する信号を出力する第1の光センサ310と、偏光板L1に覆われている表示パネルの基板L4上の領域に設けられ、偏光板L1を透過した可視光を検出し、その波長成分に対応する信号を出力する第2の光センサ320と、第1及び第2の光センサ310、320の夫々から出力される信号に基づいて、外光200に含まれる紫外線光の強さを求めるセンサ出力演算部42とを有する。
【選択図】図9

Description

本発明は、画像を表示する表示パネルを有し、該表示パネルは外光を受ける面に可視光を透過する偏光板を設けられているディスプレイ装置及びこれを備える電子機器に関する。
従来、例えば、腕時計及び携帯電話等の電子機器に紫外線検出機能を実装する場合は、窒化ガリウム(GaN)等の化合物半導体を形成する特別のプロセスにより実現される市販の紫外線センサがそのような電子機器に組み込まれる(例えば、特開2005−69843号公報(特許文献1)参照。)。
特開2005−69843号公報
しかし、別個の紫外線センサを電子機器に組み込む場合に、電子機器の製造コストは、紫外線センサの価格が直接に反映されることで上昇する。更に、電子機器の設計上の制限は、紫外線センサを組み込むスペースを確保するためにより厳しいものとなる。
本発明は、これらを鑑みなされたものであり、紫外線検出機能を実装しながら製造コストの削減及び設計スペースの節約を実現するディスプレイ装置及びこれを備える電子機器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のディスプレイ装置は、画像を表示する表示パネルを有し、該表示パネルは外光を受ける面に可視光を透過する偏光板を設けられているディスプレイ装置であって、
前記偏光板に覆われていない前記表示パネルの基板上の領域に設けられ、前記外光を検出し、検出した前記外光の波長成分に対応する信号を出力する少なくとも1つの第1の光センサと、
前記偏光板に覆われている前記表示パネルの基板上の領域に設けられ、前記偏光板を透過した可視光を検出し、検出した前記可視光の波長成分に対応する信号を出力する少なくとも1つの第2の光センサと、
前記第1の光センサ及び前記第2の光センサの夫々から出力される信号に基づいて、前記外光に含まれる紫外線光の強さを求めるセンサ出力演算部と
を有する。
このようなディスプレイ装置によれば、紫外線検出に必要とされるセンサモジュールを、複雑なプロセスを必要とせずに簡単な構成で表示パネルに実装することができる。これにより、紫外線検出機能を実装しながら製造コストの削減及び設計スペースの節約を実現するディスプレイ装置及びこれを備える電子機器を提供することが可能となる。
本発明の一実施例に従うディスプレイ装置において、前記センサ出力演算部は、前記少なくとも1つの第1の光センサから出力される信号から、前記偏光板の可視光の透過率の逆数を乗じた前記第2の光センサから出力される信号を減ずることによって、前記外光に含まれる紫外線光の強さを求めることができる。
本発明の一実施例に従うディスプレイ装置は、前記表示パネルの前記基板上で前記外光を受けない領域に設けられ、当該ディスプレイ装置がバックライト光源を有する場合は該バックライト光源から放射されるバックライト光を検出する少なくとも1つの第3の光センサを更に有し、前記センサ出力演算部は、前記第3の光センサから出力される信号に基づいて、前記バックライト光及び/又は温度による前記第1の光センサ及び前記第2の光センサの各出力信号への影響を補償することができる。
本発明の一実施例に従うディスプレイ装置は、前記センサ出力演算部の前に配置され、該センサ出力演算部に入力される信号の形式をアナログからデジタルに変換して該センサ出力演算部に供給する信号変換部を更に有する。代替的に、前記センサ出力演算部が直接にアナログ信号を処理することができるならば、当該ディスプレイ装置は、前記センサ出力演算部から出力される前記紫外線光の強さを表す信号の形式をアナログからデジタルに変換する信号変換部を更に有する。
本発明の一実施例に従うディスプレイ装置において、前記第1、第2及び第3の光センサは、低温ポリシリコン・ラテラル型PINフォトダイオード又はアモルファスシリコンダイオードであって、同一の特性及び構造を有する。
本発明の一実施例に従うディスプレイ装置において、前記表示パネルはLCDパネル又はOLEDパネルである。
本発明の一実施例に従うディスプレイ装置は、携帯電話、腕時計、携帯情報端末(PDA)、ラップトップ型パーソナルコンピュータ(PC)、カーナビゲーション装置、ポータブルゲーム機、又は屋外設置のオーロラビジョン等の電子機器に組み込まれて使用され得る。
本開示のディスプレイ装置は、紫外線検出機能を実装しながら製造コストの削減及び設計スペースの節約を実現することができる。
一実施形態に従うディスプレイ装置を備えた電子機器である。 電子機器における紫外線検出結果の表示の例である。 電子機器における紫外線検出結果の表示の他の例である。 実施例1に従う表示パネルの断面図である。 第1の光センサの波長応答特性を表す。 偏光板の透過スペクトルを表す。 第2の光センサの波長応答特性を表す。 実施例1に従う光検出モジュールによって最終的に求められる波長スペクトルを表す。 実施例1に従う光検出モジュールの機能構成の例を表すブロック図である。 実施例1に従う光検出モジュールの機能構成の他の例を表すブロック図である。 実施例1に従う光検出モジュールで用いられるセンサ出力演算部の構成の一例を表す。 実施例2に従う表示パネルの断面図である。 バックライト光源から放射されるバックライト光の偏光板透過後の波長スペクトルを表す。 バックライト光源から放射されるバックライト光の波長スペクトルを表す。 実施例2に従う光検出モジュールの機能構成の例を表すブロック図である。 実施例2に従う光検出モジュールの機能構成の他の例を表すブロック図である。 実施例2に従う光検出モジュールで用いられるセンサ出力演算部の構成の一例を表す。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、添付の図面を参照して説明する。
図1は、一実施形態に従うディスプレイ装置を備えた電子機器である。図1の電子機器1は、携帯電話として現されているが、例えば、腕時計、携帯情報端末(PDA)、ラップトップ型パーソナルコンピュータ(PC)、カーナビゲーション装置、ポータブルゲーム機、又は屋外設置のオーロラビジョン等の他の電子機器であっても良い。
電子機器1は、画像を表示可能な表示パネル100を備えたディスプレイ装置10を有する。ディスプレイ装置10は、波長が400ナノメートル(nm)未満である紫外線光(主として、UV−A及びUV−B。)を検出可能な紫外線光検出モジュール110を有する。表示パネル100は、電子機器1で発揮されている機能に対応する画像を表示する画像表示領域120と、例えば、携帯電話の場合に電波状態、電子メールの受信有無、電池残量及び現在時刻等の情報を表示する情報表示領域130とを有する。表示パネル100は、更に、画像表示領域120及び情報表示領域130の外側に非表示領域を有する。表示パネル100の非表示領域のいずれかの場所には、紫外線光検出モジュール110が組み込まれている。
紫外線光検出モジュール110による紫外線検出の結果は、例えば、情報表示領域130内の所定の位置にある紫外線検出表示領域140に表示される。図2及び図3には、この紫外線検出表示領域140における紫外線検出結果の表示例が表されている。
図2では、紫外線検出結果はイラスト21及び22を用いて表される。例えば、紫外線光が弱く何ら保護が必要でない場合は、紫外線検出表示領域140には何も表示されない。しかし、保護が必要であるほど紫外線光が強い場合は、紫外線光の強さに応じて段階的に、21又は22のいずれか一方のイラストが領域140に表示される。本例では、イラスト22の方がイラスト21が表示される場合よりも紫外線光が強いことを表しており、ユーザは、イラスト22が領域140に表示されることで、特に紫外線からの保護が必要であることを知ることができる。なお、イラスト21及び22は、WHO “Global Solar UV Index”(http://www.who.int/uv/publications/en/GlobalUVI.pdf)から引用するものである。
図3では、紫外線検出結果はカラーバー23を用いて表される。例えば、紫外線光が強くなるほど、カラーバー23の表示色は濃くなる。あるいは、紫外線光が強くなるにつれて、カラーバー23の表示色は寒色系から暖色系へと変化する。
代替的に、紫外線検出結果は、紫外線検出表示領域140において、例えば「UV:1/15」のように、ユーザが理解可能な文字列により表されても良い。この場合に、紫外線の強さは15段階で表現され、15を分母として、紫外線光が強くなるほど、分子の数は大きく又は小さくなる。
以下、このような紫外線検出表示を可能にする本発明の具体的な実施例について記載する。
図4には、実施例1に従う表示パネルの構造が断面図で表されている。
図4の表示パネル100aは、透過型又は半透過型の液晶ディスプレイ(LCD)パネルであって、上から順に第1の偏光板L1、第1のガラス基板L2、液晶層L3、第2のガラス基板L4、第2の偏光板L5及びバックライト光源BLが積層されて構成される。更に、表示パネル100aは、第1のガラス基板L2の液晶層L3に接する面に形成されたブラックマトリックス(BM)を有する。
表示パネル100aは、更に、紫外線光検出モジュール110a(後に図6を参照して詳述する。)の一部である第1及び第2の光センサ310、320を有する。第1及び第2の光センサ310及び320は、表示パネル100aの第2のガラス基板L4上に設けられている。第1及び第2の光センサ310、320は、理想的には全く同一の特性及び構造を有する。第1及び第2の光センサ310、320は、例えば、三端子低温ポリシリコン(LTPS)ラテラル型PINフォトダイオード(以下、「LTPSフォトダイオード」と称する。)又は二端子アモルファスシリコンダイオード等の半導体素子である。
第1の光センサ310は、第1の偏光板L1に覆われていない第2のガラス基板L4上の領域に設けられ、第1のガラス基板L2を透過した外光200を検出し、検出した外光200の波長成分に対応する信号を出力することができる。例えば、第1の光センサ310の波長応答特性は、図5Aに示されるようなグラフで表され得る。図5Aのグラフで、横軸は単位ナノメートル(nm)で波長を表し、縦軸は単位パーセンテージ(%)で相対的な応答特性を表す。図5Aから明らかなように、第1の光センサ310は、波長が400nm以上である可視光とともに、波長が400nm未満である紫外線光にも応答性を有し、これらの光に励起された光電流を出力することができる。
第2の光センサ320は、第1の偏光板L1に覆われている第2のガラス基板L4上の領域に設けられ、第1の偏光板L1及び第1のガラス基板L2を透過した可視光を検出し、検出した可視光の波長成分に対応する信号を出力することできる。ここで、第1及び第2の偏光板L1、L5は可視光のみを通す性質を有し、従って、第1の偏光板L1は、外光に含まれる紫外線成分を遮断する。例えば、第1及び第2の偏光板L1、L5の透過スペクトルは、図5Bに示されるようなグラフで表され得る。図5Bのグラフで、横軸は単位ナノメートル(nm)で波長を表し、縦軸は単位パーセンテージ(%)で光の透過率を表す。これより、例えば、第2の光センサ320の波長応答特性は、図5Cに示されるようなグラフで表され得る。図5Cのグラフでも、図5Aのグラフと同じく、横軸は単位ナノメートル(nm)で波長を表し、縦軸は単位パーセンテージ(%)で相対的な応答特性を表す。図5Cから明らかなように、第2の光センサ320は、ほぼ、波長が400nm以上である可視光に対してのみ応答性を有し、この光に励起された光電流を出力することができる。また、第1の偏光板L1の可視光の透過率は図5Bに示されるように100%ではないので、第2の光センサ320によって検出される可視光の強さは、外光200に含まれる可視光の強さと比べて減衰している。
従って、紫外線光検出モジュール110aは、第1の光センサ310によって検出される波長成分から、第2の光センサ320によって検出される波長成分に第1の偏光板L1の可視光の透過率の逆数を乗じたものを減ずることによって、外光200に含まれる紫外線光の強さを求めることができる。例えば、紫外線光検出モジュール110aによって最終的に求められる波長成分は、図5Dに示されるようなグラフで表され得る。図5Dのグラフでも、横軸は単位ナノメートル(nm)で波長を表し、縦軸は単位パーセンテージ(%)で相対的な応答特性を表す。図5Dから明らかなように、紫外線光検出モジュール110aは、ほぼ、波長が400nm未満である紫外線成分のみを取り出すことができる。
次に、上述したような第1及び第2の光センサ310、320を用いる光検出モジュール110aの機能構成について記載する。図6は、実施例1に従う光検出モジュールの機能構成の一例を表すブロック図である。
図6の光検出モジュール110aは、第1及び第2の光センサ310、320と、信号変換部40aと、センサ出力演算部42aとを有する。図5A〜Cを参照して説明されたように、第1の光センサ310は、可視光成分及び紫外線成分を含む外光200を検出することができ、第2の光センサ320は、外光200から紫外線成分を除いた可視光成分のみを検出することができる。信号変換部40aは、各光センサから光電流の形で出力される信号を、例えばデジタル又はパルス等の、センサ出力演算部42aが扱うことのできる形式に変換することができる。本例では、信号変換部40aは、第1及び第2の光センサ310、320の夫々について設けられる第1及び第2のアナログ−デジタル(A/D)変換器410、420を有する。センサ出力演算部42aは、第1及び第2のA/D変換器410、420の夫々によってデジタル形式に変換された第1及び第2の光センサ310、320の各出力信号に基づいて、外光200に含まれる紫外線光の強さを求めることができる。センサ出力演算部42aによって求められた紫外線光の強さは、ディスプレイ装置10の各部を制御するコントローラ(CPU)50に入力される。CPU50は、紫外線光の強さを、例えば、図2に表されるイラスト21及び22又は図3に表されるカラーバー23を用いて、図1の表示パネル100に表示する。更に、センサ出力演算部42aによって求められた紫外線光の強さは、後の使用のために、ランダムアクセスメモリ(RAM)又はフラッシュメモリ等の記憶デバイス(図示せず。)に格納されても良い。
代替的に、光検出モジュール110aに代えて、図7に示されるような機能構成を有する光検出モジュール110bが用いられても、同様に紫外線光の強さを検出することが可能である。図7は、光検出モジュールの機能構成の他の例を表すブロック図である。
図7の光検出モジュール110bは、第1及び第2の光センサ310、320と、センサ出力演算部42bと、信号変換部40bとを有する。図7の光検出モジュール110bは、センサ出力演算部42bが第1及び第2の光センサ310、320から出力される光電流から直接的に紫外線光の強さを求め、このようにして求められた紫外線光の強さが信号変換部40bによってデジタル又はパルス形式の信号に変換される点で、図6の光検出モジュール110aと相違する。
より具体的に、図8には、図6及び図7に表される実施例1に従う光検出モジュールで用いられるセンサ出力演算部の構成の一例が表されている。
図8のセンサ出力演算部42は、乗算器500及び減算器510を有する。乗算器500は、第2の入力端子IN2を介して入力されるアナログ又はデジタル形式の第2の光センサ320の出力信号に、補正係数Bを乗じることができる。減算器510は、乗算器500によって補正された第2の光センサ320の出力信号を、第1の入力端子IN1を介して入力されるアナログ又はデジタル形式の第1の光センサ310の出力信号から減ずることができる。結果として、センサ出力演算部42は、例えば図5Dに示されるような波長成分に対応する信号を、出力端子OUTから出力することができる。
このセンサ出力演算部42による演算動作は、下記の式によって表され得る:
Ia(Vis,UV)−B・Ib(Vis)=Ia(UV)+Ia(Vis)−B・Ib(Vis)=Ia(UV)
上記式中、Ia(Vis,UV)は、第1の光センサ310において外光(可視光+紫外線光)によって励起される光電流を表し、Ib(Vis)は、第2の光センサ320において可視光によって励起される光電流を表す。また、Visは可視光の強さを表し、UVは紫外線光の強さを表す。ここで、補正係数Bは、表示パネル100aの第1の偏光板L1の透過率の逆数であり、この透過率(1/B)は、第1及び第2の光センサ310、320の夫々によって検出される可視光の強さの比、すなわち、Ib(Vis)/Ia(Vis)で表されるから、Ia(Vis)−B・Ib(Vis)は“0”である。
このように、実施例1によれば、紫外線検出に必要とされるセンサモジュールを、複雑なプロセスを必要とせずに簡単な構成で表示パネルに実装することができる。よって、紫外線検出機能を実装しながら製造コストの削減及び設計スペースの節約を実現するディスプレイ装置及びこれを備える電子機器を提供するという本発明の目的を達成することが可能となる。
しかし、図4に表されるようなバックライト光源BLを備えた表示パネル100aでは、第1及び第2のセンサ310、320はいずれも、バックライト光源BLから放射されるバックライト光の影響を受ける。また、例えば液晶表示素子に代えて有機発光ダイオード(OLED)を用いるOLEDパネルのように、表示パネルがバックライト光源BLを必要としない構成をとるとしても、第1及び第2の光センサ320は、受光する光の強さとは無関係に温度等の外的要因に依存して暗電流を出力することがある。場合によっては、このようなバックライト光の影響及び/又は暗電流に起因して、紫外線検出に対して望まれている測定精度が達成され得ないことがある。
図9には、バックライト光の影響及び/又は暗電流を補償可能な紫外線光検出モジュールを組み込む表示パネルの構造が断面図で表されている。
図9の表示パネル100bは、第1及び第2の光センサ310、320に加えて第3の光センサ330が第2の基板L4上に設けられている点を除いて、図4の表示パネル100aと同じ構造を有する。第3の光センサ330は、理想的には第1及び第2の光センサ310、320と全く同一の特性及び構造を有し、例えばLTPSフォトダイオード又はアモルファスシリコンダイオード等の半導体素子である。
具体的に、第3の光センサ330は、ブラックマトリックスBMに覆われている第2のガラス基板L4上の領域に設けられ、バックライト光源BLから放射されるバックライト光を検出し、検出したバックライト光に対応する信号を出力することができる。外光200はブラックマトリックスBMにより完全に遮られるので、第3の光センサ330には達しない。
ここで、バックライト光源から放射されるバックライト光の偏光板透過後の波長スペクトルを図10Aに表す。一方、バックライト光源BLから放射される実際のバックライト光は、図10Bに示されるような波長スペクトル特性を有する。バックライト光源から放射される光は、第2の偏光板L5を通って第3の光センサ330に達する。従って、第3の光センサ330によって検出されるバックライト光には、図10Aのグラフによって示されるように、波長が400nm未満である紫外線光が含まれず、更に、第2の偏光板L5の可視光の透過率が100%でないために、その光度が実際のバックライト光と比べて全体的に減衰している。
更に、第3の光センサ330は、光の照射とは無関係に温度等の外的要因に起因して第1及び第2の光センサ310、320に流れる暗電流を検出することができる。理想的に全ての光センサ310、320及び330は同じ特性及び構造を有するので、ある環境下でそれらに流れる暗電流の大きさは等しいと考えられる。例えば、説明を簡単にするためにバックライト光源BLが設けられていないか又はオフされている場合を考えると、ブラックマトリックスBMによって外光200が遮断されるために、第3の光センサ330には、光を受けることにより生じる光電流が流れることはない。従って、この場合に第3の光センサ330を流れる電流は、第1及び第2の光センサ310、320の夫々で生じた暗電流として考えることができる。
次に、第1及び第2の光センサ310、320に加えて、上述したような第3の光センサ330を更に用いる光検出モジュール110cの機能構成について記載する。図11は、実施例2に従う光検出モジュールの機能構成の一例を表すブロック図である。
図11の光検出モジュール110cは、第1、第2及び第3の光センサ310、320、330と、信号変換部40cと、センサ出力演算部42cとを有する。図5A〜Cを参照して説明されたように、第1の光センサ310は、可視光成分及び紫外線成分を含む外光200を検出することができ、第2の光センサ320は、外光200から紫外線成分を除いた可視光のみを検出することができる。また、図10A及びBを参照して説明されたように、第3の光センサ330は、バックライト光源BLから第2の偏光板L5を通って第3の光センサ330に達するバックライト光、及び/又は温度等の外的要因に起因して生ずる暗電流を検出することができる。信号変換部40cは、各光センサから電流の形で出力される信号を、例えばデジタル又はパルス等のセンサ出力演算部42cが扱うことのできる形式に変換することができる。本実施例では、信号変換部40cは、第1、第2及び第3の光センサ310、320、330の夫々について設けられる第1、第2及び第3のA/D変換器410、420、430を有する。センサ出力演算部42cは、第1、第2及び第3のA/D変換器410、420、430の夫々によってデジタル形式に変換された第1、第2及び第3の光センサ310、320、330の各出力信号に基づいて、外光200に含まれる紫外線光の強さを求めることができる。センサ出力演算部42cによって求められた紫外線光の強さは、ディスプレイ装置10の各部を制御するCPU50に入力される。CPU50は、紫外線光の強さを、例えば、図2に表されるイラスト又は図3に表されるカラーバーを用いて、図1の表示パネル100に表示する。更に、センサ出力演算部42cによって求められた紫外線光の強さは、後の使用のために、RAM又はフラッシュメモリ等の記憶デバイス(図示せず。)に格納されても良い。
代替的に、光検出モジュール110cに代えて、図12に示されるような機能構成を有する光検出モジュール110dが用いられても、同様に紫外線光の強さを検出することが可能である。図12は、光検出モジュールの機能構成の他の例を表すブロック図である。
図12の光検出モジュール110dは、第1、第2及び第3の光センサ310、320、330と、センサ出力演算部42dと、信号変換部40dとを有する。図12の光検出モジュール110dは、センサ出力演算部42dが第1、第2及び第3の光センサ310、320、330から出力される電流から直接的に紫外線光の強さを求め、このようにして求められた紫外線光の強さが信号変換部40dによってデジタル又はパルス形式の信号に変換される点で、図11の光検出モジュール110cと相違する。
より具体的に、図13には、図11及び図12に表される実施例2に従う光検出モジュールで用いられるセンサ出力演算部の構成の一例が表されている。
図13のセンサ出力演算部42´は、乗算器500及び減算器510に加えて更なる乗算器520及び加算器530を有する点を除いて、図8のセンサ出力演算部42と同じ構成を有する。乗算器520は、第3の入力端子IN3を介して入力されるアナログ又はデジタル形式の第3の光センサ330の出力信号に補正係数Cを乗じることができる。加算器530は、乗算器520によって補正された第3の光センサ330の出力信号を、第1及び第2の光センサ310、320の出力信号に基づく減算器510による演算結果に加えることができる。結果として、センサ出力演算部42´は、バックライト光の影響及び/又は暗電流を補償された、例えば図5Dに示されるような波長成分に対応する信号を、出力端子OUTから出力することができる。
このセンサ出力演算部42´による演算動作は、下記の式によって表され得る:
Ia(T,BL,Vis,UV)−B・Ib(T,BL,Vis)+C・Ic(T,BL)
=Ia(UV)+Ia(Vis)−B・Ib(Vis)+Ia(T,BL)−B・Ib(T,BL)+C・Ic(T,BL)
=Ia(UV)
上記式中、Ia(T,BL,Vis,UV)は、第1の光センサ310において外光(可視光+紫外線光)、バックライト光及び温度によって励起された電流を表し、Ib(T,BL,Vis)は、第2の光センサ320において可視光、バックライト光及び温度によって励起された電流を表し、Ic(T,BL)は、第3の光センサ330においてバックライト光及び温度によって励起された電流を表す。また、Tは温度を表し、BL、Vis及びUVは、夫々、バックライト光、可視光及び紫外線光の強さを表す。ここで、補正係数Bは、表示パネル100bの第1の偏光板L1の透過率の逆数であり、この透過率(1/B)は、第1及び第2の光センサ310、320の夫々によって検出される可視光の強さの比、すなわち、Ib(Vis)/Ia(Vis)で表されるから、Ia(Vis)−B・Ib(Vis)は“0”である。また、補正係数Cは、第1、第2及び第3の光センサ310、320、330がバックライト光及び温度に関して同じ特性を有することから(すなわち、Ia(T,BL)=Ib(T,BL)=Ic(T,BL))、B−1であり、従って、Ia(T,BL)−B・Ib(T,BL)+C・Ic(T,BL)は“0”である。
最終的に得られる紫外線光の強さは、下記の式によって表され得る:
UV=A・[Ia(T,BL,Vis,UV)−B・Ib(T,BL,Vis)+C・Ic(T,BL)]
上記式中、Aは比例係数(単位mW/cm/A)である。
このように、実施例2によれば、バックライト光源BLから放射されるバックライト光の影響、及び/又は温度等の外的要因に依存する暗電流を補償して、より精度の高い紫外線検出を実現することができる。
以上、発明を実施するための最良の形態について説明を行ったが、本発明は、この最良の形態で述べた実施の形態に限定されるものではない。本発明の主旨を損なわない範囲で変更することが可能である。
例えば、上記実施例では、第1、第2及び第3の光センサ310、320、330は各1つずつしか表されていないが、例えば、光検出の精度を高めること等の目的及び用途に応じて、夫々、2以上のセンサによって構成されても良い。
また、例えば、上記実施例は、表示パネルがLCDパネルである場合を例として説明されたが、表示パネルとしてOLEDが用いられても良い。
1 電子機器
10 ディスプレイ装置
100,100a〜b 表示パネル
110,110a〜d 紫外線光検出モジュール
120 画像表示領域
130 情報表示領域
200 外光
310〜330 光センサ
40a〜d 信号変換部
42,42´,42a〜d センサ出力演算部
L1,L5 偏光板
L2,L4 ガラス基板
L3 液晶層
BL バックライト光源
BM ブラックマトリックス

Claims (8)

  1. 画像を表示する表示パネルを有し、該表示パネルは外光を受ける面に可視光を透過する偏光板を設けられているディスプレイ装置であって、
    前記偏光板に覆われていない前記表示パネルの基板上の領域に設けられ、前記外光を検出し、検出した前記外光の波長成分に対応する信号を出力する少なくとも1つの第1の光センサと、
    前記偏光板に覆われている前記表示パネルの基板上の領域に設けられ、前記偏光板を透過した可視光を検出し、検出した前記可視光の波長成分に対応する信号を出力する少なくとも1つの第2の光センサと、
    前記第1の光センサ及び前記第2の光センサの夫々から出力される信号に基づいて、前記外光に含まれる紫外線光の強さを求めるセンサ出力演算部と
    を有するディスプレイ装置。
  2. 前記センサ出力演算部は、前記少なくとも1つの第1の光センサから出力される信号から、前記偏光板の可視光の透過率の逆数を乗じた前記第2の光センサから出力される信号を減ずることによって、前記外光に含まれる紫外線光の強さを求める、請求項1記載のディスプレイ装置。
  3. 前記表示パネルの前記基板上で前記外光を受けない領域に設けられ、当該ディスプレイ装置がバックライト光源を有する場合は該バックライト光源から放射されるバックライト光を検出する少なくとも1つの第3の光センサを更に有し、
    前記センサ出力演算部は、前記第3の光センサから出力される信号に基づいて、前記バックライト光及び/又は温度による前記第1の光センサ及び前記第2の光センサの各出力信号への影響を補償する、請求項1又は2記載のディスプレイ装置。
  4. 前記センサ出力演算部の前に配置され、該センサ出力演算部に入力される信号の形式をアナログからデジタルに変換して該センサ出力演算部に供給する信号変換部を更に有する、請求項1乃至3のうちいずれか一項記載のディスプレイ装置。
  5. 前記センサ出力演算部から出力される前記紫外線光の強さを表す信号の形式をアナログからデジタルに変換する信号変換部を更に有する、請求項1乃至3のうちいずれか一項記載のディスプレイ装置。
  6. 前記光センサは、低温ポリシリコン・ラテラル型PINフォトダイオード又はアモルファスシリコンダイオードである、請求項1乃至5のうちいずれか一項記載のディスプレイ装置。
  7. 前記表示パネルはLCDパネル又はOLEDパネルである、請求項1乃至6のうちいずれか一項記載のディスプレイ装置。
  8. 請求項1乃至7のうちいずれか一項記載のディスプレイ装置を備える電子機器。
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