JP2010240830A - 保護層を備えたデバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】保護層を備えたデバイスを提供する。
【解決手段】デバイスに、三次元形状を有する構造用の流体不透過性の保護層を備える。三次元形状は駆動素子を含み得る。保護層は、保護層に破断がないように、かつ、保護層が厚過ぎて駆動素子が適切に機能できなくなることのないように付加される。
【選択図】図1
【解決手段】デバイスに、三次元形状を有する構造用の流体不透過性の保護層を備える。三次元形状は駆動素子を含み得る。保護層は、保護層に破断がないように、かつ、保護層が厚過ぎて駆動素子が適切に機能できなくなることのないように付加される。
【選択図】図1
Description
本発明は、微小電子機械(MEMS)デバイスにフォトイメージャブル材料を使用することに関する。
フォトイメージャブル材料は、半導体デバイスなどにおいて、パターニングされた層を形成するための好都合な手段を提供する。フォトイメージャブル材料をパターニングする例示的な方法は、材料を放射線、例えば光に露光し、現像して不要な部分の材料を除去し、所望のパターンを形成することである。ある種のフォトイメージャブル材料は、構成要素又は層を結合する接着剤としても機能することができる。こうした接着性により、幅広い平面性又は粗面性の物体を接合することが可能となる。フォトイメージャブル材料は、構造の加工にも使用することができる。
流体を保持するように設計される流体分配デバイスは、当該流体から保護される必要がある場合がある。これは、デバイスが、電子部品などの精密な構成要素、又はセラミックなどの多孔質材料から形成されることに起因し得る。例えば、電子部品が流体にさらされると、動作中にショートが起こり、デバイスが使用不能となる可能性がある。構成要素を流体から保護する一方法は、構成要素を流体不透過性材料で被覆することである。かかる被覆に好適な材料は、硬化して不透過層を形成することができる形状追随性材料である。そこで、フォトイメージャブル材料などの材料を使用することができる。
不透過層の形成に伴い起こり得る一つの問題は、層が付加される構成要素が、変化がある表面形状を有する、即ち形状が平坦でないアセンブリである場合である。形状追随性層を非平面的な表面、例えば凹凸を有する表面に付加すると、層は薄い部分と厚い部分とを有することになり得る。薄い部分は凸部の角部近傍により多く現れ得る。したがって、下層のいずれの機構の角部も保護するのに十分な厚さがあり、かつ破断を被る可能性の低い層を得るためには、デバイス全体にある程度厚い層を付加することが必要となり得る。しかしながら、連続的な保護層を得ようとすることは、保護層が一部の領域で過剰に厚くなるという望ましくないことと拮抗する。ある種のデバイス、例えば、作動時に動くことが求められる駆動素子を有するMEMSデバイスでは、過度に厚い保護層が駆動素子を被覆すると、その層はデバイスの動作上、不利益であり得る。具体的には、駆動素子上の保護層が過度に厚いと、駆動素子は適切に動いたり収縮又は伸張したりすることができなくなり得る。更に、形状追随性材料のある種の付加では、ある範囲、例えばウエハの中心部において、別の範囲、例えばウエハの縁端より厚い層が形成され易い。スピンコーティングは、かかる不均一な層を形成し得る。したがって、スプレーコーティングなどの、スピンコーティング以外の堆積方法が望ましいことがある。
一態様では、駆動素子を有するデバイスが提供される。このデバイスは、チャンバを備えた本体と、チャンバに隣接する駆動素子と、を有している。保護層が駆動素子を被覆する。保護層は硬化有機材料から形成される。硬化有機材料は、硬化温度が240℃未満のレジストから得られる。
別の態様では、駆動素子を有するデバイスを備えた基板が提供される。この基板は、第1ダイと第2ダイとを備える。第1ダイは基板の中心により近い位置にあり、第2ダイは基板の縁端により近い位置にある。第1ダイ及び第2ダイのそれぞれは、駆動素子を有するデバイスを備える。第1ダイ上の領域及びそれに対応する第2ダイ上の領域であってそれぞれの領域が同じ一組の機構によって取り囲まれる各領域において、第1ダイ上の領域における保護層の厚さは、第2ダイ上の領域における保護層の厚さとの差が約10%以内である。
更に別の態様では、保護層の形成方法が提供される。この方法は、駆動素子を有するデバイス上に硬化性有機材料の層を噴霧する工程を含み、その有機材料は、240℃未満の温度で硬化可能である。駆動素子の中心部を覆う有機材料は、そこから除去される。デバイス上に硬化性有機材料の後続の層が噴霧され、保護層を形成する。保護層は、あらゆる領域において少なくとも1μmの厚さを有する連続層である。
ここで説明されるデバイス及び方法の一つ又は複数の実施形態は、以下の特徴のうちの一つ又は複数を有することができる。保護層は、駆動素子のいかなる部分も露出させない連続層であり得る。駆動素子に直接隣接する領域の保護層の厚さは、5μm未満であり得る。駆動素子の角部に隣接する保護層の厚さは、少なくとも1μmであり得る。保護層はSU−8から形成することができる。保護層の厚さは、駆動素子に隣接するがその上にはない領域において、駆動素子の厚さの約2分の1未満であり得る。保護層は、駆動素子の中心部を覆う厚さxと、駆動素子の縁端を覆う厚さyと、本体の遠心側にある駆動素子の角部に隣接した厚さzと、を有し、x<yかつz>1μmであり得る。厚さxは2μmより大きくてもよい。厚さzは2μmより大きくてもよい。駆動素子は電極を備えることができ、駆動素子上の保護層は電極の厚さより薄くてもよい。第1ダイは、第2ダイと同一の機構配置を有することができる。後続の層の噴霧は、駆動素子のいかなる部分も露出したままにすることのないものであってよい。硬化性有機材料の層の噴霧は、SU−8の層の噴霧を含むことができる。有機材料の除去は、駆動素子の縁端を覆う有機材料の、そこからの除去を含んでも、又は含まなくてもよい。駆動素子を覆う後続の層の一部は、そこから除去することができ、及び後続の層の残り部分と駆動素子との上に追加の層を付加することができる。保護層が上に形成されたダイに、ハウジングを加えることができる。ハウジングとダイとは、共になって空洞を形成する。空洞に流体を充填することができ、それにより流体は保護層と接触するが、流体が駆動素子に接触することは保護層によって防止される。有機材料は樹脂であってもよい。駆動素子を覆う保護層の最大厚さは、その駆動素子の厚さの3分の1であることができる。駆動素子上の保護層の厚さは、駆動素子上以外の保護層の厚さ未満であることができる。
ここで説明されるデバイス及び方法の一つ又は複数の実施形態は、以下の利点のうち一つなどの利点を提供し得る。フォトレジスト、例えばSU−8は、平坦でない形状の表面にわたって薄い被覆として付加することが容易なため、優れた保護層を提供し得る。更に、SU−8は、特にSU−8がデバイス上に噴霧されるとき、均一な厚さの層を形成することができる。材料は基板上に、例えばスピンコーティングではなく、スプレーコーティングされ、かつ単一の基板上に複数のダイを製造することができるため、材料は、基板の縁端にあるダイと比較したとき、基板の中心部にあるダイ上で均一な厚さを有することができる。即ち、中心部に位置するダイの凹部における保護層の厚さは、基板の縁端の近くに位置するダイの、同様の位置にある凹部における保護層の厚さとの差が5%以内であり得る。SU−8はまた、硬化温度が十分に低いため、SU−8の硬化工程がSU−8を付加した層に影響を及ぼすこともなくなり得る。したがって、SU−8の硬化工程が駆動素子を構成するチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)の分極を消失させることはなくなり得る。SU−8など、材料によっては、焼成過程においてそれほど大きく収縮しない傾向がある。全厚の僅か数パーセントなど、材料はそれほど大きく収縮しないため、材料の下側の層又は構造には、材料の焼成、及びそれに続く材料の収縮に起因する応力がほとんど発生しない。SU−8は、最小厚さが0.1μmで破断がなく、かつ最大厚さが、厚い領域において20μm、及び薄い領域において5μmの形状追随性層として付加されてもよい。
本発明の一つ又は複数の実施形態の詳細を、添付図面及び以下の説明において示す。本発明の他の特徴、目的及び利点は、説明及び図面から、かつ特許請求の範囲から明らかとなろう。
それぞれの図面における同様の参照符号は同様の要素を示す。
図1において、機構15を覆う例示的な保護層25が示される。機構15は層10の上にあり、層10の遠心側に角部20を有する。保護層25は、レジストなどの形状追随性材料、例えば、SU−8などのエポキシベースの近紫外線ネガ型レジストで形成される。SU−8の代替例として、240℃未満の温度、例えば220℃未満の温度、例えば約200℃で硬化する別の種類のレジストを使用することもできる。レジストが層10及び機構15上にスピンコーティングされる場合、レジストは、機構の角部20で非常に薄くなり、そのため角部20がレジストを通じて露出する可能性が高くなり得る。更に、層10上にあるが、機構15と近接していない保護層25の領域30は、層の破断を防止できないほど過剰に薄くなり得る。
保護層25は、機構15の角部20が保護層25を通じて露出せず、かつ機構15から離れている領域30が薄過ぎることのないように付加される。更に、保護層25は機構15を覆う領域40において厚過ぎることはない。実施形態によっては、機構15は駆動素子であり、これは作動時、駆動素子の下にある層の撓曲を生じさせることが可能でなければならない。実施形態によっては、層10は、駆動素子に関連する導電層である。好適な駆動素子は圧電材料を備えることができ、参照により本明細書に援用される、米国特許出願公開第2005−0099467号明細書に更に記載されている。駆動素子が収縮又は伸張すると、駆動素子に隣接する層が撓曲する。駆動素子に隣接する層は、通常、駆動素子に隣接する本体12内のチャンバ13の壁を画成する。壁が撓曲すると、チャンバ13のサイズが変化し得る。チャンバ13のサイズの変化によって、チャンバ13内の流体がチャンバ13から押し出され得る。したがって、駆動素子が収縮又は伸張できずに撓曲を生じさせることができない場合、デバイスは適切に機能しないことがあり得る。したがって、領域40、即ち機構15の中心部分を覆って位置する領域における保護層25の最大厚さは、適切なデバイス機能を保証することが求められ得る。
図1に示される保護層25の領域40における厚さは、駆動素子を機能させるのに十分な薄さである。厚さが約5〜25μm、例えば約10〜20μm、例えば約8〜18μm、例えば約16μmの圧電駆動素子では、領域40における保護層25の厚さは駆動素子の厚さ未満、例えば駆動素子の厚さの約1/2未満、例えば駆動素子の圧電層の厚さの約1/4〜1/3、例えば圧電層の厚さの約1/6〜1/4.5である。例えば、領域40における保護層は、約1〜8μmの厚さ、例えば約2〜5μmの厚さであり得る。厚さが約1〜10μm、例えば約2〜4μmの圧電駆動素子では、保護層は、最も薄い領域で約0.5〜2μmの厚さであり得る。
保護層25は、機構15の角部20に近接した領域42において、領域40よりも幾分か薄くなり得る。いずれの場合にも、機構15の角部20は保護層25を貫通して出ることはなく、かつ保護層25に開口はない。保護層25はまた、機構15の遠心側にある領域30、即ち、機構15とそれに隣接する機構との間に形成される凹部において(図3の二つの機構間にある凹部を参照)、機構15上にある領域40より厚い。実施形態によっては、機構15から計測したときの領域42における保護層25の最小厚さは、少なくとも0.1〜0.3μmである。角部における保護層25の厚さは、圧電層の厚さの約1/16〜1/5、例えば約1/16〜1/8であり得る。実施形態によっては、保護層は領域42において、0.9μmより厚く、例えば1μmより厚く、例えば2μmより厚く、例えば3μmより厚い。
実施形態によっては、層10は導電層であり、駆動素子は、層10と反対側の駆動素子面に電極を備える。実施形態によっては、領域30における保護層25は電極より薄い。電極が4μmの厚さの場合、保護層25の厚さは領域40において4μm未満である。実施形態によっては、保護層25は、領域30において機構15の厚さより薄い。実施形態によっては、機構15の遠心側の領域30、即ち機構間の凹部における保護層25の厚さは機構15の中心部を覆う厚さより厚い。保護層の厚さは、約2〜8μm、例えば約4〜5μmであり得る。駆動素子が圧電材料の層を備える場合、領域30における保護層25の厚さは、圧電層の厚さの1/8〜1/2、例えば約1/4〜1/3であり得る。
実施形態によっては、角部20は、約90度の角度22をなす。他の実施形態では、角度22は90度より大きく、例えば90〜120度である。90度の角部上で1μmの厚さの角部の保護層25を形成するプロセスは、120度の角部上では、角部のより厚い層、例えば1.3μmの厚さの層を形成することができる。したがって、機構上の角部の角度によって、機構の角部領域と中心領域との保護層の比がどの程度の厚さとなるかが決定され得る。
図2において、別の実施形態では、保護層25は、機構15の角部20を覆う肩部35を伴って形成される。肩部35は、保護層25の中心領域40より厚い保護層25の範囲である。実施形態によっては、肩部は、機構15を覆う保護層より約0.5〜1μmだけ厚い。実施形態によっては、機構15は駆動素子であり、角部20は駆動素子の動作にそれほど影響を有しない。したがって、機構15の中心部を覆う保護層の厚さは所定の厚さ未満、例えば5μmに維持される。肩部35の近傍にある範囲42における保護層25の厚さは、角部からの保護材料の最小厚さをとるように計測すると、約1〜3μm、例えば約1〜2μmである。
保護層の下にある機構又は層を露出させない保護層の形成方法が、以下の図に関連して説明される。複数の機構15を示すのは図3のみであるが、いずれのデバイスも、複数の機構15、ひいては機構15の間の凹部を有することができる。
図3において、形状追随性を有する材料の第1層50が、導電層10及び機構15に付加される。第1層50は、スプレーコーティングによって付加される。レジスト層を三次元微小構造に付加することが可能な例示的スプレーコータは、アメリカ合衆国バーモント州ウォーターバリーセンターに所在するSuss MicroTec製のGamma Alta Sprayである。層のコーティングに使用されるレジストは、SU−8であり得る。SU−8は、スプレーコーティングに好適な粘度、例えば、室温で約10〜25cP、例えば約12cPの粘度を有することができる。好適なSU−8は、アメリカ合衆国マサチューセッツ州ニュートンに所在するMicroChem社から入手することができる。標準的なタイプのSU−8は、SU−8を薄める材料、例えばシクロペンタノン又はγ−ブトロラクトン(GBL)を添加することによって粘度を低くすることができる。SU−8の付加は、ノズル距離設定を約3とし、0.2ml/秒で噴霧し、ノズルを50mm/秒で動かし、50℃で行なうことができる。次に、レジストを65℃で2分間、その後90℃で2分間、ベークすることができる。
機構15上の領域55におけるレジスト層の厚さは、機構15の間の領域50におけるレジストの厚さとほぼ等しい。機構が駆動素子である場合、レジスト層の厚さは、圧電材料の厚さの1/2未満である。機構15を覆わないが機構15に隣接している層10上の領域では、層は、厚さの中に窪み60を呈する傾向がある。この窪み60、即ち凹部により、層はそこで、機構15から離れた凹部の領域50の層より薄くなる。
図4において、機構上にあるSU−8の部分はマスク材によって被覆し、凹部にあるSU−8は露光させる。例えば、SU−8は、マスクを通じて約1000mJ/cm2まで露光させてもよい。次に、ポストベークが65℃で2分間、その後90℃で2分間、実施される。次に、機構の上面にあるSU−8が現像液で除去される。これにより、機構15に隣接する第1層の部分51を残して、機構15を覆うSU−8が剥がされる。実施形態によっては、マスクは機構の上表面と重ならない開口を有し、上表面からSU−8が完全に剥がされる。
二段階付加法によって、窪み60が生じがちなところである機構の隣接領域における0.9μmより薄いスポットをなくすことができる。薄いスポットをなくすことは、機構15を覆う5μmの最大厚さを維持することと同時に行なうことができる。
図5において、SU−8の第2層65が、機構15の上面と、機構15の上面にない第1層の部分51との上に堆積される。機構15の間の領域における、第2層65と第1層の部分51とを合わせた最大厚さは、機構の高さの1/2未満であるか、又は機構が駆動素子である場合には、圧電材料の厚さの1/2未満である。第2層65の厚さは、機構15を覆う層の全厚である。したがって、機構15の上面にあるSU−8の厚さは、機構15の間の凹部における厚さ未満である。SU−8は、200℃で2時間の最終硬化に供されることができる。
図6において、図3に関連して説明されたのと同様のスプレーコーティング法が実施される。しかしながら、機構15を覆う領域55は、完全には剥がされていない。むしろ、マスクは、機構15の一つ又は複数の縁端に被さるSU−8層を被覆しない。したがって、図7に示されるとおり、第1層50がパターニングされるときに、第1層は、機構15の間及び機構15の一つ又は複数の縁端の上に部分的に残る。露光及び現像工程によって機構の縁端にSU−8の肩部157が置かれる。
実施形態によっては、機構15の形状に応じて、マスクによって保護される機構15の縁端上に形成される保護層の厚さは、露光中にマスクによって保護されない縁端上の厚さより、僅かに薄いだけである。この差は、僅か0.1μm又は0.2μmほどであり得る。しかしながら、たとえ小さい厚さの差であっても、不透過性の保護層を提供することができる。
図8において、SU−8の第2層160が付加される。第2層160は、機構間の凹部で最も厚く機構の中心部分で最も薄い保護層を形成する。層の付加、SU−8の第1層の露光及び現像によって形成された肩部157は、更に高い肩部165を形成する。しかしながら、SU−8の厚さは、機構の縁端から僅か10μm程度、又はデバイスの縁端から僅か5μm未満程度の範囲の、機構の極めて縁端に近い部分においてだけ、機構の中心部における厚さより厚くされる。
図8に示される実施形態は最終保護層であり得るが、図9において、再びパターニングの工程を実施して、機構15の中心部170を覆う任意の第2層160を、そこから除去することができる。これにより、機構15の縁端でより厚い保護材料の層が形成される。パターニングされた第2層162は、機構15の間の凹部を覆って残る。図9の状態から、図10に示すように、SU−8の第3層180が、機構15、機構15並びに層10上のSU−8の肩部、及び機構15の隣並びに機構15の間を覆って付加される。
図11において、流体吐出用デバイスの断面図が示される。デバイスの本体200は、流体チャンバ210及びポンプ室215と内部の流路とを有する。流体流路及びチャンバを膜230が被覆している。膜230の流体チャンバ210及びポンプ室215と反対側の面に、チャンバ内の流体に対する曝露によって影響を受け易い層で形成された駆動素子がある。駆動素子は、下部導電層240即ち下部電極と、圧電材料の層250と、上部導電層260即ち上部電極と、を備えることができる。保護層300が、上部電極と、圧電材料250と、隣接する層によって覆われない駆動素子の任意の他の部分とを被覆する。本体200は、流体への曝露に耐食性を有する材料で形成される。
駆動素子はハウジング270内に収容される。これにより、流体を導入することのできるチャンバ310が形成される。流体は充填孔220を通じて本体200に充填され、この充填孔220は流体チャンバ210及びポンプ室215と流体連通している。有効領域194、即ちポンプ室215上にある領域内の駆動素子にバイアスが印加されると、圧電材料が収縮又は伸張する。この厚さの変化によってポンプ室215を覆う膜230が撓曲する。電圧を一連のパルスとして印加すると、ポンプ室215の容積が変化し、それによってポンプ室215内の流体が強制的にノズル290から押し出される。流体が電子部品を取り囲んだままにしておくと、電子部品が一定温度に維持されるなど、利点を提供することができる。しかしながら、流体は電子部品に損傷を与え得るため、保護層300が電子部品を完全に被覆することで、流体が電子部品と接触せずにショート又は腐食が起きないようにされる。
SU−8は、薄い被覆として駆動素子上に付加することが容易なため、優れた保護層を提供することができる。更に、特にSU−8がデバイス上に、スピンコーティングではなく、噴霧される場合、SU−8は均一な厚さの層を形成することができる。スピンコーティングは、所望の厚さより厚い層、例えば25μm又は30μmより厚い層を形成し得る。材料は基板上に、スピンコーティングではなく、スプレーコーティングされ、かつ複数のダイを単一の基板上に製造することができるため、材料は、基板の縁端におけるダイと比較したとき、基板の中心部におけるダイ上に、又は基板の一方の端部におけるダイと比較して、基板の他方の端部におけるダイ上に、均一な厚さを有する。即ち、一方のダイ、例えば、中心に位置するダイ又は基板の一端部にあるダイの凹部における保護層の厚さは、基板の縁端の近くか、又は基板の他方の端部に位置するダイの同様の位置にある凹部における保護層の厚さとの差が10%以内である。
SU−8はまた、硬化温度が十分に低いため、SU−8の硬化工程がSU−8を付加した層に影響を及ぼすこともない。駆動素子にジルコン酸チタン酸鉛(PZT)が使用される場合、PZTは高温、例えば240℃より高い温度で分極が消失するので、駆動素子は過度に高温になってはならない。したがって、SU−8の硬化温度は200℃前後であることから、最小厚さが0.1μmで破断がなく、かつ最大厚さが、厚い領域において20μm、及び薄い領域において5μmの形状追随性層としてSU−8を付加し、かつデバイスの他の層に悪影響を及ぼすことなく、そのままSU−8を硬化させることを可能とし得る。
本発明の複数の実施形態について説明した。しかしながら、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく様々な変更を行なうことができる、ということが理解されよう。したがって、他の実施形態は以下の特許請求の範囲の内にある。
Claims (21)
- チャンバを備えた本体と、
前記チャンバに隣接する駆動素子と、
前記駆動素子を被覆する保護層であって、前記保護層は硬化有機材料から形成され、前記硬化有機材料は硬化温度が240℃未満のレジストから得られる、保護層と、
を含む、駆動素子を有するデバイス。 - 前記保護層は、前記駆動素子のいかなる部分も露出させない連続層である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記駆動素子に直接隣接する領域の前記保護層の厚さは5μm未満である、請求項1又は2に記載のデバイス。
- 前記駆動素子の角部に隣接する前記保護層の厚さは少なくとも1μmである、請求項1乃至3のいずれかに記載のデバイス。
- 前記保護層はSU−8から形成される、請求項1乃至4のいずれかに記載のデバイス。
- 前記保護層の厚さは、前記駆動素子に隣接するがその上にはない領域において、前記駆動素子の厚さの約2分の1未満である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記保護層は、前記駆動素子の中心部を覆う厚さxと、前記駆動素子の縁端を覆う厚さyと、前記本体の遠心側にある前記駆動素子の角部に隣接した厚さzと、を有し、x<yかつz>1μmである、請求項1乃至6のいずれかに記載のデバイス。
- 前記厚さxが2μmより大きい、請求項7に記載のデバイス。
- 前記厚さzが2μmより大きい、請求項7又は8に記載のデバイス。
- 前記駆動素子が電極を備え、前記駆動素子上の前記保護層の厚さが前記電極の厚さより薄い、請求項1乃至9のいずれかに記載のデバイス。
- 第1ダイと第2ダイとを備える基板であって、
前記第1ダイが前記基板の中心により近い位置にあり、前記第2ダイが前記基板の縁端により近い位置にあり、前記第1ダイ及び前記第2ダイのそれぞれは請求項1乃至10のいずれかに記載のデバイスを備え、
前記第1ダイ上の領域及びそれに対応する前記第2ダイ上の領域であってそれぞれの領域が同じ一組の機構によって取り囲まれる各領域において、前記第1ダイ上の前記領域における前記保護層の厚さは、前記第2ダイ上の前記領域における前記保護層の厚さとの差が約10%以内である、基板。 - 前記第1ダイは前記第2ダイと同一の機構配置を有する、請求項11に記載の基板。
- 駆動素子を有するデバイス上に硬化性有機材料の層を噴霧する工程であって、前記有機材料は240℃未満の温度で硬化可能である、工程と、
前記駆動素子の各々の中心部を覆う前記有機材料をそこから除去する工程と、
前記デバイス上に前記硬化性有機材料の後続の層を噴霧して保護層を形成する工程と、を含み、
前記保護層は、あらゆる領域において少なくとも1μmの厚さを有する連続層である、保護層の形成方法。 - 前記後続の層の噴霧により前記駆動素子のいかなる部分も露出させない、請求項13に記載の方法。
- 前記硬化性有機材料の層の噴霧はSU−8の層の噴霧を含む、請求項13又は14に記載の方法。
- 前記有機材料の除去は、前記駆動素子の縁端を覆う前記有機材料のそこからの除去を含む、請求項13乃至15のいずれかに記載の方法。
- 前記有機材料の除去は、前記駆動素子の縁端を覆う前記有機材料のそこからの除去を含まない、請求項13乃至15のいずれかに記載の方法。
- 前記駆動素子を覆う前記後続の層の一部をそこから除去する工程と、
前記後続の層の残り部分と前記駆動素子との上に追加の層を付加する工程と、
を更に含む、請求項17に記載の方法。 - 前記保護層が上に形成されたダイに、ハウジングを加える工程であって、前記ハウジングと前記ダイとが共になって空洞を形成する、工程と、
前記空洞に流体を充填する工程であって、それにより前記流体は前記保護層と接触するが、前記流体が前記駆動素子に接触することは前記保護層によって防止される、工程と、
を更に含む、請求項13乃至18のいずれかに記載の方法。 - 前記駆動素子を覆う前記保護層の最大厚さは、その駆動素子の厚さの3分の1である、請求項13乃至19のいずれかに記載の方法。
- 前記駆動素子上の前記保護層の厚さは、前記駆動素子上以外の前記保護層の厚さ未満である、請求項13乃至20のいずれかに記載の方法。
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