JP2010235975A - 酸化物膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】大気開放型CVD法により、加熱した基材10の表面に金属酸化物原料5を吹き付けて酸化物膜を成膜する。その際、XRR法によって測定した膜密度が理論密度(TD)の75.0〜98.0%未満の範囲となるように成膜条件を設定する。
【選択図】図1
Description
図1に示す大気開放型CVD装置を使用して、Y2O3膜の出発原料をY(DPM)3(純度99.6%)とし、Y2O3膜の合成条件として、N2キャリアガスのガス流量を10l/min、反応ガス(O2)を1l/min、Y(DPM)3の気化温度を200℃、ノズル−基板間の距離を20mmとした。そして、基板の加熱温度範囲(成膜温度)を300〜700℃に設定し、酸化アルミニウム(Al2O3)焼結体基板へ大気開放型CVD法を用いてY2O3膜を0.5μmの厚さで成膜した。成膜したY2O3膜の膜密度をXRR(マックサイエンス社製 M03XHF MXP3)を用いて測定し、原料の理論密度と対比した。その測定結果を図2に示すとともに、密度比ごとのプラズマ耐性の結果を表1に示す。なお、表1の「備考」欄に○印を付した実施例が本願特許請求の範囲に記載の酸化物膜である。
2 流量計
3a〜3c 配管
4 原料気化部
5 原料
6 酸素ガス供給部
7 ノズル
8 孔
9 加熱装置
9a,H1〜H3 ヒーター
10 基材
11 酸素ガス供給用流量計
Claims (5)
- 周期律表IIIA族およびAl,Zrの酸化物のうち、少なくとも1種以上の元素からなる金属酸化物原料を気化させ、その金属酸化物原料を大気開放型CVD法により、加熱した基材表面に吹き付けて成膜した酸化物膜であって、X線反射率法(XRR法)によって測定した膜密度が理論密度(TD)の75.0〜98.0%未満であることを特徴とする酸化物膜。
- 前記IIIA族はY,Gd,Ybの酸化物から選ばれることを特徴とする請求項1に記載の酸化物膜。
- 前記金属酸化物原料にはジピバロイルメタナト(DPM)またはアセチルアセトナトの有機金属錯体が含まれることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化物膜。
- 前記酸化物膜により、前記基材表面に存在する孔およびクラックといった微細部が埋孔されることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の酸化物膜。
- 前記基材表面に存在する微細部に成膜された酸化物膜は、腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝されてもエッチングされないことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の酸化物膜。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2009
- 2009-03-30 JP JP2009082616A patent/JP2010235975A/ja active Pending
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