JP2010231700A - 表示装置及び表示装置の駆動制御方法並びに表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチパネル機能を備えた場合であっても、コントラストの低下を抑制して良好な表示画質を実現することができるとともに、製造コストの低減及び装置の小型薄型化を図ることができる表示装置及び表示装置の駆動制御方法並びに表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 表示装置は、表示パネルモジュール１００の表示パネル１１０の視野側に、位置検出モジュール２００の平面座標回路２１０を、所定の間隙を有して対向するように配置した構成を有している。また、表示パネル１１０を構成する対向電極が、位置検出モジュール２００の電圧検出電極として兼用された構成を有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動制御方法並びに表示装置の製造方法に関し、特に、タッチパネル機能を備えた表示装置及び表示装置の駆動制御方法並びに表示装置の製造方法に関する。

従来、カーナビゲーションシステムや現金自動預け払い機（ＡＴＭ）、一部のパーソナルコンピュータ等において、使用者が表示画面に直接触れることにより、動作の選択や情報の入力を行うタッチパネル機能を備えた表示装置が採用されている。近年では、携帯電話機や携帯音楽プレーヤー、デジタルカメラ、電子辞書等においても、タッチパネル機能を備えたものが商品化されている。

一方、このような機能を備えた表示装置に適用される表示パネルとしては、従来、液晶表示（ＬＣＤ）パネルが採用されてきたが、近年、より薄型化が可能で、かつ、高彩度、高速応答に基づく高品位動画表示が可能な有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と略記する）表示パネルが注目されている。

有機ＥＬ表示パネルは、周知のように、例えばガラス基板等の一面側に複数の有機ＥＬ素子が２次元配列されたパネル構造を有している。有機ＥＬ素子は、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有している。そして、有機ＥＬ層に発光しきい値を越えるようにアノード電極とカソード電極との間に電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射される。

ここで、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルに、タッチパネル機能を備えた表示装置については、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１には、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルの視野側に、透明なタッチパネルを配置した構成が記載されている。また、タッチパネル機能としては、抵抗膜方式や静電容量方式等の種々の方法が知られている。

特開２００８−１５８９１１号公報

上述した特許文献１等に示されたタッチパネル機能を備えた表示装置においては、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルの視野側に、該表示パネルとは別個の構成である抵抗膜方式のタッチパネルを配置した構成を有している。
このような構成においては、表示パネルに表示される画像情報が、タッチパネルを構成する透明部材を介して使用者に視認されることになるため、外光の反射や透過光の減衰等によりコントラストが低下して表示画質の劣化を招くという問題を有していた。

また、個別に製造された、別部品である表示パネルとタッチパネルを組み付ける必要があるため、部品コストの上昇や製造プロセスの増加を招くとともに、表示装置の実装面積や厚みの増加を招くという問題を有していた。
なお、従来技術に係るタッチパネル機能を備えた表示装置の構成例については、後述する実施形態において詳しく説明する。

そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、タッチパネル機能を備えた場合であっても、コントラストの低下を抑制して良好な表示画質を実現することができるとともに、製造コストの低減及び装置の小型薄型化を図ることができる表示装置及び表示装置の駆動制御方法並びに表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

請求項１記載の発明に係る表示装置は、第１の基板の一面側に設けられた複数の第１の電極と、前記各第１の電極上に設けられた表示機能層と、一面側が前記表示機能層を介して前記複数の第１の電極に共通して対向するように配置された第２の電極と、からなる複数の表示画素を有する表示パネルと、予め設定された抵抗率を有して、一面側が所定の間隙を介して前記第２の電極の他面側に対向するように支持されるとともに、外部から印加される押圧力により前記第２の電極の他面側に導通可能に配置された抵抗膜と、前記抵抗膜の所定の方向に電圧勾配を形成する電圧印加部と、前記押圧力により前記第２の電極と前記抵抗膜が導通したときに前記第２の電極から検出される電圧の電圧値に基づいて、前記抵抗膜が前記第２の電極に導通した位置を検出する位置検出部と、を有することを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記第２の電極に接続された切換部を有し、該切換部は、前記押圧力が印加された位置を検出するときに、前記第２の電極を前記位置検出部に接続し、前記表示パネルによる画像表示を行うときに、前記第２の電極を、前記各表示画素を駆動するための電圧を印加する電圧源に接続することを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の表示装置において、前記表示パネルは、前記複数の表示画素の各々の形成領域を画定する隔壁層を有し、前記第２の電極は前記隔壁層の上面を含んで前記複数の第１の電極に対向して配置され、当該隔壁層の上面部分において、前記第２の電極と前記抵抗膜が前記所定の間隙を介して対向するように配置されていることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置において、一面側に前記抵抗膜が設けられた第２の基板を有し、前記第２の基板及び前記抵抗膜は可撓性を有する部材からなり、前記押圧力は前記第２の基板の他面側に印加され、該押圧力により、少なくとも前記第２の基板及び前記抵抗膜が撓んで前記第２の電極と電気的に接触することを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置において、前記表示パネルは可撓性を有する部材からなり、前記押圧力は前記第１の基板の他面側に印加され、該押圧力により、少なくとも前記表示パネルが撓んで前記抵抗膜と電気的に接触することを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置において、前記第２の電極と前記抵抗膜との間には、前記所定の間隙を保持するためのスペーサが設けられていることを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置において、前記第２の電極と前記抵抗膜との間には、前記第２の電極又は前記抵抗膜のいずれか一方から突出し、かつ、高さが前記所定の間隙よりも低い導電性の突部が設けられていることを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置において、前記第２の電極と前記抵抗膜との間には、前記所定の間隙よりも小さい粒径を有する導電性粒子が設けられていることを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項１乃至８記載の表示装置において、前記表示画素は、発光素子を有し、前記表示機能層は、発光機能層であることを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の表示装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。

請求項１１記載の発明に係る表示装置は、第１の基板の一面側に設けられた複数の第１の電極と、前記各第１の電極上に設けられた表示機能層と、一面側が前記表示機能層を介して前記複数の第１の電極に共通して対向するように配置された第２の電極と、からなる複数の表示画素を有する表示パネルと、予め設定された抵抗率を有して、一面側が所定の間隙を介して前記第２の電極の他面側に対向するように支持されるとともに、外部から印加される押圧力により前記第２の電極の他面側に導通可能に配置された抵抗膜と、前記抵抗膜の所定の方向に電圧勾配を形成する電圧印加部と、前記抵抗膜が前記第２の電極に導通した位置を検出する位置検出部と、前記押圧力が印加された位置を検出するとき、前記第２の電極を前記位置検出部に接続し、前記複数の表示画素による画像表示を行うとき、前記第２の電極を、前記各表示画素を駆動するための所定の電圧を印加する電圧源に接続する切換部と、を備えることを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項１１記載の表示装置において、一面側に前記抵抗膜が設けられた第２の基板を有し、前記押圧力は前記第２の基板の他面側に印加され、前記押圧力により前記第２の基板及び前記抵抗膜が撓んで前記第２の電極と導通することを特徴とする。

請求項１３記載の発明は、表示装置の駆動制御方法であって、前記表示装置は、第１の基板の一面側に設けられた複数の第１の電極と、前記各第１の電極上に設けられた表示機能層と、一面側が前記表示機能層を介して前記複数の第１の電極に共通して対向するように配置された第２の電極と、からなる複数の表示画素を有する表示パネルと、予め設定された抵抗率を有して、一面側が所定の間隙を介して前記第２の電極の他面側に対向するように支持されるとともに、外部から印加される押圧力により前記第２の電極の他面側に導通可能に配置された抵抗膜と、前記抵抗膜が前記第２の電極に導通した位置を検出する位置検出部と、を有し、一定の動作期間毎に、前記第２の電極を前記複数の表示画素を駆動するための電圧を印加する電圧源に接続して、前記表示パネルの前記複数の表示画素に表示データを書き込んで、該表示データに応じた画像表示を行うステップと、前記動作期間における、前記複数の表示画素への前記表示データの書き込みを行っていない一部の期間において、前記第２の電極を前記位置検出部に接続し、前記抵抗膜に電圧を印加して所定の方向に電圧勾配を形成して、前記押圧力が印加された位置を検出するステップと、を含むことを特徴とする。

請求項１４記載の発明に係る表示装置の製造方法は、複数の第１の電極を第１の基板の一面側に形成する工程と、前記各第１の電極上に表示機能層を形成する工程と、第２の電極を、前記表示機能層を介して一面側が前記複数の第１の電極に共通して対向するように形成して、前記各第１の電極と前記表示機能層と前記第２の電極とからなる複数の表示画素を有する表示パネルを形成する工程と、予め設定された抵抗率を有する抵抗膜を、前記表示パネルの前記第２の電極の他面側に前記抵抗膜の一面側が所定の間隙を介して対向し、外部から印加される押圧力により前記抵抗膜の一面側を前記第２の電極の他面側に導通可能に貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする。
請求項１５記載の発明は、請求項１４記載の表示装置の製造方法において、前記表示パネルを形成する工程は、前記複数の表示画素の各々の形成領域を画定する隔壁層を形成する工程と、前記第２の電極を前記隔壁層の上面を含んで前記複数の第１の電極に対向するように形成する工程と、を含み、前記第２の電極と前記抵抗膜を貼り合わせる工程は、前記隔壁層の上面部分において、前記第２の電極の他面側と前記抵抗膜の一面側が前記所定の間隙を介して対向するように貼り合わせることを特徴とする。

本発明に係る表示装置及び表示装置の駆動制御方法並びに表示装置の製造方法によれば、タッチパネル機能を備えた場合であっても、コントラストの低下を抑制して良好な表示画質を実現することができるとともに、製造コストの低減及び装置の小型薄型化を図ることができる。

本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。 本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルモジュールの一例を示す要部構成図である。 本実施形態に係る表示パネルに２次元配列される表示画素の回路構成例を示す等価回路図である。 本実施形態に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。 本実施形態に係る表示装置の要部断面図である。 本実施形態に係る表示装置に適用される位置検出モジュールの一例を示す要部構成図である。 本実施形態に係る位置検出モジュールの位置検出動作を説明するための概念図である。 本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法を示すタイミングチャートである。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 比較対象に係る表示装置を模式的に示した概略構成図である。 本実施形態に係る表示装置の作用効果を説明するための模式図である。 第１の実施形態に係る表示装置の他の構成例を示す要部概略断面図（その１）である。 第１の実施形態に係る表示装置の他の構成例を示す要部概略断面図（その２）である。 本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示す概略構成図である。 本実施形態に係る表示装置の要部断面図である。

以下、本発明に係る表示装置及び表示装置の駆動制御方法並びに表示装置の製造方法について、実施形態を示して詳しく説明する。なお、以下に示す実施形態においては、表示パネルとして、有機ＥＬ素子（発光素子）を有する複数の表示画素を２次元配列した構成を有し、各表示画素が表示データ（映像データ）に応じた輝度階調で発光動作することにより画像情報を表示する有機ＥＬ表示パネルに、本発明の技術思想を適用した場合について説明するが、他の表示方法により画像情報を表示する表示パネルに適用するものであってもよい。
＜第１の実施形態＞
（表示装置）
まず、本発明に係る表示装置について説明する。

図１は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。図１においては、表示パネルモジュールと位置検出モジュール（タッチパネルモジュール）との配置関係を明確にするために、便宜的にハッチングを施して示した。図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルモジュールの一例を示す要部構成図である。

本実施形態に係る表示装置は、図１に示すように、表示パネルモジュール１００と、位置検出モジュール２００と、を有している。表示パネルモジュール１００は、図１、図２に示すように、概略、表示パネル１１０と、選択ドライバ１２０と、電源ドライバ１３０と、データドライバ１４０と、表示パネルコントローラ１５０と、表示信号生成回路１６０と、電極接続切換スイッチ１７０と、を備えている。位置検出モジュール２００は、概略、平面座標回路２１０と、位置検出コントローラ２２０と、を備えている。

そして、本実施形態においては、表示パネルモジュール１００の表示パネル１１０の視野側（図面手前側）に、位置検出モジュール２００の平面座標回路２１０を、所定の間隙を有して対向するように配置した構成を有している。また、詳しくは後述するが、表示パネル１１０を構成する対向電極が、位置検出モジュール２００の電圧検出電極として兼用された構成を有している。

（表示パネルモジュール）
表示パネル１１０は、図２に示すように、絶縁性基板上に設定された表示領域において、行方向及び列方向に相互に直交するように配設された複数の選択ラインＬｓと複数のデータラインＬｄとの各交点近傍に、複数の表示画素ＰＩＸが配列された画素アレイが設けられている。

選択ドライバ１２０は、表示パネル１１０の行方向（図２の左右方向）に配設された各選択ラインＬｓに接続され、各選択ラインＬｓに所定のタイミングで選択レベル（例えばハイレベル）の選択信号Ｖselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＰＩＸを選択状態に設定する。

電源ドライバ１３０は、各行の選択ラインＬｓに並行に配設された複数の電源電圧ラインＬａに接続され、各電源電圧ラインＬａに所定のタイミングで電源電圧Ｖscを印加する。ここで、電源ドライバ１３０は、各行の表示画素ＰＩＸの発光動作時にハイレベルの電源電圧Ｖscを電源電圧ラインＬａに印加し、書込動作時（非発光動作時）にはローレベルの電源電圧Ｖscを印加する。

データドライバ１４０は、表示パネル１１０の列方向（図２の上下方向）に配設された各データラインＬｄに接続され、表示データに応じた階調信号（例えば階調電流Ｉdata）を、各データラインＬｄを供給することにより、選択状態に設定された表示画素ＰＩＸに当該階調信号を書き込む。

表示パネルコントローラ１５０は、後述する表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、少なくとも上記選択ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、データドライバ１４０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の表示駆動動作を実行するための選択制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力する。また、表示パネルコントローラ１５０は、後述する位置検出モジュール２００の位置検出コントローラ２２０に対して所定のタイミングで位置検出制御信号を送出するとともに、位置検出コントローラ２２０から送出される位置座標データに基づいて、表示パネル１１０において特定の表示動作を実行する制御を行う。

表示信号生成回路１６０は、例えば、表示パネルモジュール１００の外部から供給される映像信号に基づいて、表示データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１４０に供給するとともに、該表示データに基づいて表示パネル１１０に所定の画像情報を表示するためのタイミング信号（システムクロック等）を抽出、又は、生成して表示パネルコントローラ１５０に供給する。

電極接続切換スイッチ１７０は、表示パネルコントローラ１５０からの切換制御信号に基づいて、各表示画素ＰＩＸの発光素子に共通する対向電極（後述する有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極）を、所定の基準電圧源（図示を省略）、又は、位置検出コントローラ２２０のいずれかに選択的に接続するように切り換える。ここで、電極接続切換スイッチ１７０は、表示パネルモジュール１００における画像表示動作時には、上記対向電極を基準電圧源に接続して、対向電極を基準電圧Ｖss（例えば接地電圧０Ｖ）に設定する。一方、位置検出モジュール２００における位置検出動作時には、上記対向電極を位置検出コントローラ２２０に接続して、対向電極の電圧を検出電圧Ｖx1、Ｖy1として送出する。

（表示画素）
ここで、本実施形態に係る表示パネルモジュールに適用可能な表示画素の具体例について説明する。
図３は、本実施形態に係る表示パネルに２次元配列される表示画素の回路構成例を示す等価回路図である。ここでは、３個のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）と１個のキャパシタからなる画素駆動回路を有する表示画素の回路構成例を示す。

表示画素ＰＩＸは、図３に示すように、画素駆動回路ＤＣと、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を有している。画素駆動回路ＤＣは、具体的には、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ１３と、キャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され（接点Ｎ１１）、また、ドレイン端子が電源電圧ラインＬａに接続され、また、ソース端子が接点Ｎ１３に接続されている。トランジスタＴｒ１２は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され（接点Ｎ１１）、ソース端子がデータラインＬｄに接続され（接点Ｎ１２）、ドレイン端子が接点Ｎ１４に接続されている。トランジスタＴｒ１３は、ゲート端子が接点Ｎ１３に接続され、ドレイン端子が電源電圧ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ１４に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１３）及びソース端子（接点Ｎ１４）間に接続されている。

また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子（アノード電極）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１４に接続され、カソード端子（カソード電極）が上述した電極接続切換スイッチ１７０を介して、所定の低電位の基準電圧Ｖssを生成する基準電圧源（図示を省略）、又は、位置検出モジュール２００の位置検出コントローラ２２０のいずれかに選択的に接続される。
なお、基準電圧Ｖssは、電源電圧ラインＬａに印加される電源電圧Ｖscに基づいて電位が設定される。すなわち、基準電圧Ｖssは、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を表示画素ＰＩＸに供給する書込動作期間においては、ローレベルに設定される電源電圧Ｖscと等電位であるか、あるいは、当該電源電圧Ｖscよりも高い電位であって、かつ、表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）が所定の輝度階調で発光動作する発光動作期間においては、ハイレベルに設定される電源電圧Ｖscよりも低電位となる、任意の電位（例えば、接地電位０Ｖ）に設定されている。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード端子（カソード電極）は、各表示画素ＰＩＸに共通する単一の電極層（後述する対向電極）により構成され、基準電圧Ｖssが、表示パネル１１０に２次元配列された複数の表示画素ＰＩＸに対して共通に印加される。

（表示画素の駆動制御）
そして、このような回路構成を有する表示画素ＰＩＸにおける駆動制御動作は、所定の処理サイクル期間内に、表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作（選択期間）と、有機ＥＬ素子ＯＥＬを表示データに応じた輝度階調で発光動作させる発光動作（非選択期間）と、を実行するように設定されている。

まず、表示画素ＰＩＸへの書込動作（選択期間）においては、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加する。また、この書込動作（選択期間）においては、電源ドライバ１３０から電源電圧ラインＬａに対して、ローレベルの電源電圧Ｖscを印加する。また、表示パネルコントローラ１５０から供給される切換制御信号に基づいて、電極接続切換スイッチ１７０を基準電圧源側の接点Ｎａに切り換え設定して、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード端子（後述する対向電極）に基準電圧源Ｖssを印加する。そして、この動作期間にデータドライバ１４０からデータラインＬｄに対して、表示データに応じた電流値に設定された階調電流Ｉdataを供給する。

これにより、表示画素ＰＩＸが選択状態に設定され、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオン動作して、ローレベルの電源電圧ＶscがトランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１３）に印加されるとともに、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１４）がデータラインＬｄに電気的に接続される。

ここで、データラインＬｄに供給される階調電流Ｉdataは、表示画素ＰＩＸに書き込まれる表示データに含まれる輝度階調値に応じて、例えば負極性を有する電流値に設定される。この場合、表示画素ＰＩＸからデータラインＬｄ方向に階調電流Ｉdataが引き抜かれるように流れる。これにより、ローレベルの電源電圧Ｖscよりもさらに低電位の電圧レベルがトランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１４）に印加される。

したがって、接点Ｎ１３及びＮ１４間（すなわち、トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に電位差が生じることによりトランジスタＴｒ１３がオン動作して、電源電圧ラインＬａからトランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１４、トランジスタＴｒ１２、データラインＬｄを介してデータドライバ１４０方向に、階調電流Ｉdataに対応した書込電流Ｉａが流れる。

このとき、キャパシタＣｓには、接点Ｎ１３及びＮ１４間に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される。また、電源電圧ラインＬａには、基準電圧Ｖss（接地電位０Ｖ）以下の電圧レベルを有する電源電圧Ｖscが印加され、さらに、書込電流Ｉａが表示画素ＰＩＸからデータラインＬｄ方向に引き抜くように設定されている。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１４）に印加される電位はカソード端子の電位（基準電圧Ｖss）よりも低くなるため、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず発光動作は行われない（非発光動作）。

次いで、書込動作終了後の発光動作（非選択期間）においては、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加する。そして、このタイミングに同期して、又は、所定のタイミングで、電源ドライバ１３０から電源電圧ラインＬａに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖscを印加する。

これにより、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がオフ動作して、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１３）への電源電圧Ｖscの印加が遮断されるとともに、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１４）への階調電流Ｉdataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断される。このとき、キャパシタＣｓには、上述した書込動作において蓄積された電荷が保持されるので、トランジスタＴｒ１３はオン状態を維持する。また、電源電圧ラインＬａには、基準電圧Ｖssよりも高電位の電源電圧Ｖscが印加されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１４）に印加される電位はカソード端子の電位（基準電圧Ｖss）よりも高くなる。

したがって、電源電圧ラインＬａからトランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１４を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に所定の発光駆動電流Ｉｂが流れるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬが発光動作する。このとき、キャパシタＣｓにより保持される電圧成分は、トランジスタＴｒ１３において階調電流Ｉdataに対応する書込電流Ｉａを流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流Ｉｂは、上記書込電流Ｉａと略同等の電流値（Ｉｂ≒Ｉａ）を有している。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、表示データに応じた輝度階調で発光する。

なお、本実施形態においては、表示データに応じて表示画素ＰＩＸに書き込む電流値を調整（指定）し、画素駆動回路ＤＣにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電流指定型の階調制御方式の回路構成を示した。本発明は、これに限定されるものではなく、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸに書き込む階調電圧Ｖdataの電圧値を調整（指定）し、画素駆動回路ＤＣにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型の階調制御方式の回路構成を有するものであってもよい。

また、上述した構成例においては、画素駆動回路ＤＣとして３個のトランジスタを備えた回路構成を示したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、２個以上のトランジスタを備えた他の回路構成を有するものであってもよい。また、画素駆動回路ＤＣにより発光駆動される発光素子として有機ＥＬ素子ＯＥＬを適用した場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電流制御型の発光素子であれば、例えば、発光ダイオード等の他の発光素子であってもよい。

（表示装置のパネル構造）
次に、上述したような回路構成を有する表示画素（画素駆動回路及び有機ＥＬ素子）を有する表示装置の具体的なパネル構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、表示パネルモジュール１００の有機ＥＬ素子ＯＥＬにおいて発光した光が、位置検出モジュール２００の平面座標回路２１０を介して視野側（図１の手前側）に出射するトップエミッション型の発光構造を有する有機ＥＬ表示パネルを適用した場合について示す。

図４は、本実施形態に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。なお、図４においては、図３に示した画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線（選択ラインＬｓ、電源電圧ラインＬａ、データラインＬｄ等）が形成された層を中心に示し、各トランジスタの電極及び各配線層、画素電極の平面形状を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。

また、図５は、本実施形態に係る表示装置の要部断面図である。ここで、図５は、図４に示した平面レイアウトを有する表示画素におけるＶＡ−ＶＡ線（本明細書においては図４中に示したローマ数字の「５」に対応する記号として便宜的に「Ｖ」を用いる。以下同じ）に沿った断面を示す概略断面図である。

図３に示した回路構成を有する表示画素ＰＩＸは、具体的には、図４、図５に示すように、絶縁性基板１１の一面側（視野側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに設けられている。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域と、が設定されている。

図４に示すように、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面右方の縁辺領域には、上記の選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａに直交するように、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。

また、上記画素形成領域Ｒpxの周囲の縁辺領域に設定される境界領域には、上下及び左右方向に隣接して配列される表示画素ＰＩＸにまたがって、例えば図４、図５に示すように、絶縁性基板１１の表面から突出し、行方向及び列方向（すなわち格子状）に延在するように隔壁層１６が配設されている。そして、隔壁層１６の側壁１６ｅにより囲まれ、画素電極１４が露出した領域（図４中、ハッチングで表記）が、ＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。

ここで、データラインＬｄは、例えば図４、図５に示すように、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって、当該ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇと同じ工程で形成される。データラインＬｄは、図５に示すように、その上に被覆成膜されたゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ１２（図３に示した接点Ｎ１２に相当する）を介して、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに接続されている。このように、データラインＬｄを絶縁性基板１１上に配設することにより、後述する対向電極１８との間に、ゲート絶縁膜１３、絶縁膜１５及び隔壁層１６が介在しているので、寄生容量を低減して、データラインＬｄに供給される信号の遅延を抑制することができる。

また、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａは、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって、当該ソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄと同じ工程で形成される。選択ラインＬｓは、図４に示すように、下層のゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ１１（図３に示した接点Ｎ１１に相当する）を介して、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに接続されている。また、電源電圧ラインＬａは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１３のドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１３ｄと一体的に形成されている。

ここで、データラインＬｄ、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａは、例えば下層配線と上層配線からなる積層構造を有するものであってもよい。データラインＬｄの下層配線は、図５に示すように、上述したようにゲートメタル層をパターニングすることにより形成され、例えばアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための金属材料からなる低抵抗金属層を適用することができる。また、データラインＬｄの上層配線は、図５に示すように、例えばソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成され、例えばアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属の単層や、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層上に、上記の低抵抗金属層を設けた積層構造を適用することができる。

なお、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａについても、データラインＬｄと同様に、例えばクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層上に、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層を設けた積層構造を有する下層配線と、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属の単層や、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層上に上記低抵抗金属層を設けた積層構造を有する上層配線と、を適用することができる。

また、図３に示した画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２は、具体的には、図４に示すように、データラインＬｄに沿って列方向に延在するように配置されている。すなわち、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のチャネルの幅方向が、データラインＬｄに並行に配置されている。また、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１３は、図４に示すように、電源電圧ラインＬａに沿って行方向に延在するように配置されている。すなわち、トランジスタＴｒ１３のチャネルの幅方向が、電源電圧ラインＬａに並行に配置されている。

ここで、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３は、周知の電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有している。すなわち、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３は、図４、図５に示すように、各々、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇと、ゲート絶縁膜１３を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄと、を有している。

なお、図５において、チャネル保護層ＢＬは、酸化シリコン又は窒化シリコン等により形成され、半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止する機能を有している。また、不純物層ＯＨＭは、ｎ型の不純物を含むアモルファスシリコンからなるｎ^＋シリコン層等により形成され、半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄとのオーミック接続を実現する機能を有している。

そして、図３に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ１１を介して選択ラインＬｓに接続されている。トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、電源電圧ラインＬａと一体的に形成されている。また、トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓは、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ１３を介してトランジスタＴｒ１３のゲート電極Ｔｒ１３ｇ、及び、キャパシタＣｓの下部電極Ｅcaを兼用する、反射金属層１２に接続されている。

図４、図５に示すように、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼用する、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１４に接続されている。また、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓは、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ１２を介してデータラインＬｄに接続されている。

また、トランジスタＴｒ１３は、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１３ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ１３を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続されているとともに、上記反射金属層１２に接続されている。また、トランジスタＴｒ１３のドレイン電極Ｔｒ１３ｄは、電源電圧ラインＬａと一体的に形成されている。トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓは、上記画素電極１４に接続されている。

キャパシタＣｓは、図４、図５に示すように、下部電極Ｅcaと、該下部電極Ｅcaに対向する上部電極Ｅcbと、下部電極Ｅca及び上部電極Ｅcb間に介在するゲート絶縁膜１３と、を有している。ここで、ゲート絶縁膜１３は、キャパシタＣｓの誘電体層として兼用されている。また、上部電極Ｅcbは、後述する有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１４として兼用され、下部電極Ｅcaは、反射金属層１２として兼用されている。すなわち、キャパシタＣｓは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの下層側（絶縁性基板１１側）に設けられている。ここで、下部電極Ｅcaとして兼用される反射金属層１２は、上述したデータラインＬｄと同様に、ゲートメタル層をパターニングすることによって、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇと同じ工程で形成されるものであってもよい。

有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図５に示すように、画素電極（例えばアノード電極）１４と、有機ＥＬ層（発光機能層）１７と、対向電極（例えばカソード電極）１８と、を順次積層した素子構造を有している。画素電極１４は、上記トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート絶縁膜１３上に設けられ、上述したように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbとして兼用されている。また、画素電極１４は、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄ及びトランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓに直接接続されて、画素駆動回路ＤＣから所定の発光駆動電流が供給される。

有機ＥＬ層１７は、絶縁性基板１１上に形成された隔壁層１６の側壁１６ｅにより画定されたＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１４上に形成される。有機ＥＬ層１５は、例えば正孔注入層（又は、正孔注入層を含む正孔輸送層；担体輸送層）１７ａ及び電子輸送性発光層１７ｂ（担体輸送層）から形成され、これら担体輸送層のうち、発光層として機能する層が有機材料で形成されている。

対向電極１８は、絶縁性基板１１上に２次元配列された複数の表示画素ＰＩＸの各画素電極１４に対して、共通に対向する電極層（べた電極）により形成されている。対向電極１８は、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁層１６上にも延在するように設けられている。これにより、表示パネルモジュー１００における画像表示動作時には、図２、図３に示した電極接続切換スイッチ１７０を介して、対向電極１８に所定の基準電圧Ｖss（カソード電圧；例えば接地電位０Ｖ）が印加される。また、位置検出モジュール２００における位置検出動作時には、電極接続切換スイッチ１７０を介して、対向電極１８の電位が検出電圧として位置検出コントローラ２２０に送出される。

ここで、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、トップエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極１４及び対向電極１８は、錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide）等の光透過特性を有する（透明な）電極材料により形成されている。一方、画素電極１４の下層に設けられる反射金属層１２は、アルミニウム（Ａｌ）単体やアルミニウム合金等の光反射特性を有する金属材料を含んでいる。

絶縁膜１５は、図５に示すように、上記トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３及び配線層を被覆するように、絶縁性基板１１上の表示画素ＰＩＸ相互の境界領域（各ＥＬ素子形成領域Ｒelの周辺領域）に設けられる。また、隔壁層１６は、図４、図５に示すように、表示画素ＰＩＸ相互の境界領域に設けられた上記絶縁膜１５上に、所定の厚さ（高さ）を有するように形成されている。ここで、隔壁層１６は、例えば感光性の樹脂材料により形成されている。このように、表示画素ＰＩＸ相互の境界領域に設けられた隔壁層１６の側壁１６ｅに囲まれて画素電極１４が露出した領域が、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定される。

このように、本実施形態に係る表示装置（表示パネル１１０）においては、画素電極１４及び対向電極１８が光透過特性を有し、画素電極１４の下層の反射金属層１２が光反射特性を有している。これにより、上述した表示画素ＰＩＸの駆動制御動作に基づいて、有機ＥＬ素子ＯＥＬの有機ＥＬ層１７において発光した光は、図５に示すように、直接、又は、下層の反射金属層１２で反射して、対向電極１８を介して視野側（図面上方）に出射される（矢印Ｌem）。すなわち、本実施形態に係る表示装置は、トップエミッション型の発光構造を有している。

なお、図５に示した表示パネル１１０のパネル構造においては、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１４の下層に、有機ＥＬ層１７で発光した光を反射して図面上方の視野側へ出射する反射金属層１２を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１４を、光反射特性を有する金属材料により形成するものであってもよい。この場合、ＥＬ素子形成領域Ｒelに対応する領域のゲート絶縁膜１３除去して、絶縁性基板１１上に直接画素電極１４を設けたパネル構造を適用することもできる。

（位置検出モジュール）
図６は、本実施形態に係る表示装置に適用される位置検出モジュール（タッチパネルモジュール）の一例を示す要部構成図である。ここでは、上述した表示パネル１１０の構成（図１、図４、図５）を適宜参照しながら説明する。

位置検出モジュール２００は、図６に示すように、平面座標回路２１０と、位置検出コントローラ２２０と、上述した表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の対向電極１８により兼用される電圧検出電極と、を有している。ここで、本実施形態においては、平面座標回路２１０と電圧検出電極である対向電極１８とにより、抵抗膜方式のタッチパネルが構成される。すなわち、本実施形態においては、表示パネルモジュール１００と位置検出モジュール２００の一部が兼用されて、一体的に形成された構成を有している。

平面座標回路２１０は、図５、図６に示すように、可撓性を有するフィルムやガラス等の透明な絶縁性基板２１の一面側（反視野側）に、予め設定された抵抗率を有して抵抗膜として機能する透明な導電膜（以下、「透明抵抗膜」と記す）２２と、一対のＸ座標電極２３ａ、２３ｂと、一対のＹ座標電極２４ａ、２４ｂと、を有している。ここで、平面座標回路２１０は、外部からの押圧力に対して可撓性を有している。

透明抵抗膜２２は、少なくとも、上述した表示パネル１１０の表示領域（画素アレイ）と同等又はそれ以上の拡がりを有するとともに、該表示領域に対応するように矩形状の平面形状を有している。また、透明抵抗膜２２は、図５に示すように、電圧検出電極である対向電極１８に対して、微小な間隙を有して対向するように配置されている。ここで、透明抵抗膜２２は、例えばＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜が適用される。

また、Ｘ座標電極２３ａ、２３ｂは、上記透明抵抗膜２２のＸ方向（図１、図６の左右方向；行方向）の対向する一対の各辺に沿って、当該透明抵抗膜２２に電気的に接続されている。Ｙ座標電極２４ａ、２４ｂは、上記透明抵抗膜２２のＹ方向（図１、図６の上下方向；列方向）の対向する一対の各辺に沿って、当該透明抵抗膜２２に電気的に接続されている。ここで、Ｘ座標電極２３ａ、２３ｂ及びＹ座標電極２４ａ、２４ｂは、例えばアルミニウムやチタン等の低抵抗の電極材料が適用される。

そして、一対のＸ座標電極２３ａ、２３ｂは、位置検出コントローラ２２０から所定のタイミングで一方の電極に所定の高電圧が印加されるとともに、他方の電極に所定の低電圧が印加されて、透明抵抗膜２２のＸ方向に電圧勾配が形成される。また、Ｘ座標電極２３ａ、２３ｂへの電圧印加タイミングとは異なるタイミングで、一対のＹ座標電極２４ａ、２４ｂにも、一方の電極に所定の高電圧が印加されるとともに、他方の電極に所定の低電圧が印加されて、透明抵抗膜２２のＹ方向に電圧勾配が形成される。

電圧検出電極として兼用される対向電極１８は、上述したように、表示パネル１１０に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）に対して、共通する電極層により構成されている。また、電圧検出電極（対向電極１８）は、位置検出動作を行う際には、電極接続切換スイッチ１７０を介して、後述する位置検出コントローラ２２０に接続され、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２と電圧検出電極（対向電極１８）が接触することにより生じる電圧を検出電圧として送出する。

そして、このような構成を有する平面座標回路２１０は、図５に示すように、絶縁性基板２１上の透明抵抗膜２２が、所定の厚み（高さ）の絶縁性のスペーサ３２を介して、表示パネル１１０の表示領域に設けられた対向電極１８に対向するように配置される。平面座標回路２１０（透明抵抗膜２２）と表示パネル１１０（対向電極１８）は、絶縁性の接着剤３１により接着固定される。これにより、表示装置の使用者は、視野側から平面座標回路２１０（絶縁性基板２１及び透明抵抗膜２２）を介して、上述した表示パネル１１０に表示された画像情報を視認することができる。

ここで、表示パネル１１０は、上述したように、絶縁性基板１１の表面から隔壁層１６が格子状に連続的に突出したパネル構造を有しているので、図５に示すように、平面座標回路２１０（透明抵抗膜２２）は、隔壁層１６上面に形成された対向電極１８とのみ、スペーサ３２の厚み分の微小な間隙を有して対向するとともに、接着剤３１により接着固定される。

なお、接着剤３１及びスペーサ３２は、図５においては、表示パネル１１０側の凹凸形状に関わらず、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２上に一様に設けた構成を示したが、表示パネル１１０（対向電極１８）との間隙を保持し、かつ、接着固定される領域は、表示パネル１１０の隔壁層１６の上面部分（すなわち、図４に示した格子状の領域）に限られる。したがって、例えばＥＬ素子形成領域Ｒelに対応する領域の透明抵抗膜２２上には、接着剤３１及びスペーサ３２を設けない構成としてもよい。

また、上述した接着剤３１は、接着機能を有する部材や液剤に限定されるものではなく、例えば乾燥剤やスペーサとしての機能を併せ持つものであってもよい。スペーサ３２も同様に、スペーサとしての機能を有する部材に限定されるものではなく、例えば乾燥剤や接着剤としての機能を併せ持つものであってもよい。このように、接着剤３１及びスペーサ３２のいずれかに乾燥剤としての機能を持たせることにより、表示パネル１１０と平面座標回路２１０を貼り合わせることにより形成される封止空間内の水分を除去又は低減することができるので、水分による有機ＥＬ素子ＯＥＬの特性劣化を抑制することができる。さらに、接着剤３１やスペーサ３２は、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２と表示パネル１１０の対向電極１８との間隙を良好に保持できるものであれば、可撓性の高い部材により構成されているものであってもよい。

位置検出コントローラ２２０は、位置検出動作時に平面座標回路２１０のＸ座標電極２３ａ、２３ｂ及びＹ座標電極２４ａ、２４ｂに電圧を印加して、透明抵抗膜２２の所定の方向に電圧勾配を形成するとともに、電極接続切換スイッチ１７０を介して読み込まれる電圧検出電極（対向電極１８）からの検出電圧に基づいて、透明抵抗膜２２と電圧検出電極（対向電極１８）との接触点Ｐｆ、すなわち、使用者による押圧位置を算出する。また、位置検出コントローラ２２０は、上記の位置検出動作により算出された押圧位置（接触点Ｐｆ）に関する座標データ（位置座標データ）を表示パネルコントローラ１５０に送出する。これにより、当該位置座標データに基づいて、表示パネル１１０において特定の表示動作が実行される。なお、位置検出コントローラ２２０は、例えば表示パネルモジュール１００の表示パネルコントローラ１５０から送出される位置検出制御信号に基づいて、上述した一連の位置検出動作を実行する。なお、位置検出コントローラ２２０は、位置検出動作時以外は平面座標回路２１０のＸ座標電極２３ａ、２３ｂ及びＹ座標電極２４ａ、２４ｂへの電圧の印加を遮断し、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２をフローティング状態とすることが好ましい。

（位置検出モジュールの位置検出制御）
次に、本実施形態に適用される位置検出モジュールにおける位置検出動作について説明する。
図７は、本実施形態に係る位置検出モジュールの位置検出動作を説明するための概念図である。ここでは、図６に示した位置検出モジュール２００の構成を適宜参照しながら説明する。

本実施形態に係る位置検出モジュールにおける位置検出動作は、まず、表示パネルモジュール１００の表示パネルコントローラ１５０からの位置検出制御信号に基づいて、位置検出コントローラ２２０から平面座標回路２１０の一対のＸ座標電極２３ａ、２３ｂの一方に電圧Ｖcc（例えば−５Ｖ）を印加するとともに、他方に基準電圧（例えば接地電圧０Ｖ）を印加する。これにより、透明抵抗膜２２のＸ方向に電圧勾配が形成される。

この状態で、図５に示すように、使用者が位置検出モジュール２００の絶縁性基板２１の他面側（図面上方側）から図中矢印Ｆのように任意の位置を押圧すると、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２と電圧検出電極である対向電極１８が接触する。これにより、図７（ａ）に示すように、当該押圧位置に対応する接触点Ｐｆにおける、Ｘ方向の座標Ｘ１に対応する電圧が、電極抵抗の分圧により電圧検出電極である対向電極１８から電極接続切換スイッチ１７０を介して、位置検出コントローラ２２０により検出電圧Ｖx1として検出される。ここで、Ｘ方向の検出電圧Ｖx1は、図７（ｂ）に示す等価回路に基づいて、次式により表される。
Ｖx1＝Ｖcc×Ｒｂ／（Ｒａ＋Ｒｂ）

ここで、Ｒａ、Ｒｂは、透明抵抗膜２２と電圧検出電極である対向電極１８が接触することにより接触点Ｐｆで分圧される透明抵抗膜２２の抵抗値である。Ｒａは、当該接触点Ｐｆと電圧Ｖcc（例えば−５Ｖ）が印加される電極（例えばＸ座標電極２３ｂ）間の分圧抵抗であり、Ｒｂは、当該接触点Ｐｆと基準電圧（０Ｖ）が印加される電極（例えばＸ座標電極２３ａ）間の分圧抵抗である。したがって、対向電極１８から検出される検出電圧Ｖx1は、電圧Ｖccが印加されるＸ座標電極２３ｂ方向に上記接触点Ｐｆが近いほど、電圧Ｖccに近い電圧が検出され、一方、基準電圧（０Ｖ）が印加されるＸ座標電極２３ａ方向に上記接触点Ｐｆが近いほど、０Ｖに近い電圧が検出される。

そして、図７（ｂ）に示すように、位置検出コントローラ２２０において、この検出電圧Ｖx1をアナログ−デジタル変換（Ａ／Ｄ変換）し、所定の演算式（Ｘ１＝ｆ(Ｖx1)）に基づいて座標変換処理を行うことにより、上記接触点ＰｆのＸ方向の位置座標データＸ１が算出される。

次いで、上記と同様に、位置検出コントローラ２２０から平面座標回路２１０の一対のＹ座標電極２４ａ、２４ｂの一方に電圧Ｖcc（例えば−５Ｖ）を印加するとともに、他方に基準電圧（例えば接地電圧０Ｖ）を印加して、透明抵抗膜２２のＹ方向に電圧勾配を形成する。これにより、図７（ａ）に示すように、使用者が位置検出モジュール２００の任意の位置を押圧した際の平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２と電圧検出電極である対向電極１８との接触点Ｐｆにおける、Ｙ方向の座標Ｙ１に対応する電圧が、図７（ｂ）に基づいて、次式のように、電圧検出電極である対向電極１８から検出電圧Ｖx1として検出される。
Ｖy1＝Ｖcc×Ｒｂ／（Ｒａ＋Ｒｂ）

そして、この検出電圧Ｖy1をＡ／Ｄ変換し、所定の演算式（Ｙ１＝ｆ(Ｖy1)）に基づいて座標変換処理を行うことにより、上記接触点ＰｆのＹ方向の位置座標データＹ１が算出される。このような位置検出モジュール２００における接触点Ｐｆ（押圧位置）のＸ方向及びＹ方向の位置検出動作を交互に繰り返すことにより、接触点Ｐｆ（押圧位置）のＸ、Ｙ座標値（位置座標データ）を決定する。

なお、本実施形態に係る表示装置において、使用者が位置検出モジュール２００の平面座標回路２１０側の絶縁性基板２１を押圧することにより、透明抵抗膜２２と表示パネルの対向電極１８とが接触する接触点Ｐｆは、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelを画定するための隔壁層１６の上面領域に限定される。したがって、表示パネルモジュール１００と位置検出モジュール２００が一体的に形成された構成において、使用者が平面座標回路２１０の絶縁性基板２１の任意の位置を押圧した場合であっても、有機ＥＬ素子ＯＥＬや画素駆動回路ＤＣに直接圧力が印加されることはなく、表示装置の品質への影響を抑制することができる。

（表示装置の駆動制御方法）
次に、本実施形態に係る表示装置における駆動制御方法（表示駆動動作及び位置検出動作）について、図面を参照して説明する。
図８は、本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法を示すタイミングチャートである。

本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法は、図８に示すように、所定の１処理サイクル期間Ｔcycに、少なくとも書込動作期間Ｔwrtと、発光動作期間Ｔemと、位置検出動作期間Ｔdetと、を含むように設定されている。ここで、書込動作期間Ｔwrt及び発光動作期間Ｔemにおける駆動制御は、上述した表示画素における駆動制御方法と同等であるので、本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法に特有の動作を中心に説明する。

書込動作期間Ｔwrtにおいては、表示データに応じた階調信号を表示パネル１１０に二次元配列された各表示画素ＰＩＸに書き込む動作を実行する。具体的には、図８に示すように、まず、表示パネルモジュール１００の表示パネルコントローラ１５０から送出される切換制御信号に基づいて、電極接続切換スイッチ１７０が接点Ｎａ側に設定されることにより、対向電極１８に基準電圧Ｖss（接地電位０Ｖ）が印加される。また、位置検出モジュール２００の位置検出コントローラ２２０から平面座標回路２１０のＸ座標電極２３ａ、２３ｂ及びＹ座標電極２４ａ、２４ｂに、基準電圧（接地電圧０Ｖ）が印加される。これにより、位置検出モジュール２００（平面座標回路２１０）の機能が停止する。

次いで、表示パネルコントローラ１５０から送出される選択制御信号に基づいて、選択ドライバ１２０から選択レベル（ハイレベル）の選択信号Ｖselが各行の表示画素ＰＩＸに順次印加されて選択状態に設定される。また、このタイミングに同期して、表示パネルコントローラ１５０から送出される電源制御信号に基づいて、電源ドライバ１３０から選択状態に設定された行の表示画素ＰＩＸにローレベルの電源電圧Ｖscが順次印加される。

そして、表示信号生成回路１６０から送出される表示データが、表示パネルコントローラ１５０から送出されるデータ制御信号に基づいて、データドライバ１４０において階調信号（階調電流Ｉdata）に変換されて、上記選択状態に設定された表示画素ＰＩＸに供給されることにより、表示データの書込みが行われる。この書込動作においては、上述したように、電源電圧Ｖscがローレベルに設定されることにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに電流が流れないため、非発光状態に設定される。

発光動作期間Ｔemにおいては、書き込まれた表示データに基づいて、各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）が発光することにより、表示パネル１１０に画像情報を表示する動作を実行する。具体的には、図８に示すように、上記の書込動作期間Ｔwrtと同様に、電極接続切換スイッチ１７０を接点Ｎａ側に設定するとともに、平面座標回路２１０に基準電圧（接地電圧０Ｖ）を印加した状態で、表示パネルコントローラ１５０から送出される選択制御信号に基づいて、上記の書込動作が終了した行の表示画素ＰＩＸに対して、選択ドライバから非選択レベル（ローレベル）の選択信号Ｖselが印加されて非選択状態に設定される。

また、このタイミングに同期して、表示パネルコントローラ１５０から送出される電源制御信号に基づいて、電源ドライバ１３０から非選択状態に設定された行の表示画素ＰＩＸにハイレベルの電源電圧Ｖscが印加される。これにより、各表示画素ＰＩＸに書き込まれた表示データに応じた発光駆動電流が有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れて、当該表示データに応じた輝度階調で有機ＥＬ素子ＯＥＬが発光する。このような発光動作を表示パネル１１０に配列された各行の表示画素ＰＩＸについて順次実行することにより、映像信号に基づく画像情報が表示される。

位置検出動作期間Ｔdetにおいては、使用者が当該画像情報を視認して、所望の入力操作を行うために、表示パネル１１０の前面（視野側）に配置された位置検出モジュール２００（平面座標回路２１０）を押圧した位置を検出する動作を実行する。具体的には、図８に示すように、まず、表示パネルコントローラ１５０から送出される選択制御信号、電源制御信号、データ制御信号に基づいて、選択ドライバ１２０、電源ドライバ１３０、データドライバ１４０を表示パネル１１０から電気的に切り離して、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａをハイインピーダンス状態（図中「ＨＺ」で表記）に設定する。これにより、表示パネル１１０の対向電極１８が、表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬや画素駆動回路ＤＣ）から電気的に独立した電圧検出電極として機能する。また、表示パネルコントローラ１５０から送出される切換制御信号に基づいて、電極接続切換スイッチ１７０が接点Ｎｂ側に設定されることにより、電圧検出電極として兼用される対向電極１８が位置検出モジュール２００の位置検出コントローラ２２０に接続され、電圧出力状態に設定される。

次いで、上述したように、位置検出コントローラ２２０から平面座標回路２１０の一対のＸ座標電極２３ａ、２３ｂの各々に所定の電圧Ｖcc（−５Ｖ）及び基準電圧（接地電位０Ｖ）を印加して透明抵抗膜２２に電圧勾配を形成する。そして、上記の発光動作に伴って表示パネル１１０に表示された画像情報を使用者が視認して、所望の機能の選択や情報の入力を行うために、平面座標回路２１０の絶縁性基板２１の所望の位置を押圧する。これにより、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２と電圧検出電極として機能する対向電極１８との接触点Ｐｆ（押圧位置）に対応する対向電極１８の電圧（検出電圧Ｖx1）を、位置検出コントローラ２２０により検出して、Ｘ方向の位置座標データＸ１を算出する。次いで、平面座標回路２１０において、上記のＸ方向とは直交するＹ方向に電圧勾配を形成し、上記接触点Ｐｆ（押圧位置）に対応する対向電極１８の電圧（検出電圧Ｖy1）を位置検出コントローラ２２０により検出して、Ｙ方向の位置座標データＹ１を算出する。このような対向電極１８におけるＸ、Ｙ方向の電圧検出により、押圧位置（Ｘ、Ｙ座標）が決定される。

なお、使用者により入力され、位置検出モジュール２００により算出、決定された押圧位置の位置座標データ（Ｘ１、Ｙ１）は、位置検出コントローラ２２０から表示パネルモジュール１００の表示パネルコントローラ１５０に送出される。そして、次の処理サイクル期間Ｔcycにおける画像表示動作（書込動作及び発光動作）において、例えば当該押圧位置に対応する画像を強調表示することにより、使用者に押圧位置（入力位置）を認識させることができる。

（表示装置の製造方法）
次に、上述した表示装置の製造方法について説明する。
図９、図１０は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を示す工程断面図である。ここでは、図１〜図７に示した表示パネルモジュール１００及び位置検出モジュール２００の構成を適宜参照しながら説明する。

上述した表示装置の製造方法は、まず、表示パネルモジュール１００と位置検出モジュール２００の半完成品を個別に製造する。表示パネルモジュール１００の製造方法は、まず、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばガラスや石英、透明な樹脂等からなる絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）の表示領域に、上述した画素駆動回路ＤＣ（図３、図４参照）を構成するトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３、キャパシタＣｓ等の機能素子や、選択ラインＬｓ、電源電圧ラインＬａ、データラインＬｄ等の各種配線層、絶縁膜１５及び隔壁層１６、並びに、有機ＥＬ素子ＯＥＬを備えた複数の表示画素ＰＩＸを２次元配列して画素アレイを形成する。

具体的には、まず、図９（ａ）に示すように、透明な絶縁性基板１１の一面側にゲートメタル層を形成し、該ゲートメタル層を、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpx（図４、図５参照）内に、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇ、データラインＬｄ及びキャパシタＣｓの下部電極Ｅcaを兼用する反射金属層１２を同時に形成する。ここで、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇ及びデータラインＬｄは、ＥＬ素子形成領域Ｒel以外の領域（すなわち境界領域）に形成される。また、反射金属層１２は、少なくともＥＬ素子形成領域Ｒelに延在するように形成される。さらに、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇは一体的に形成され、ゲート電極Ｔｒ１３ｇと反射金属層１２は一体的に形成される。なお、ゲートメタル層は、例えばアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するとともに、光反射特性を有する金属材料を含んでいる。

次いで、図９（ｂ）に示すように、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１３を形成した後、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のゲート電極Ｔｒ１１ｇ〜Ｔｒ１３ｇに対応するゲート絶縁膜１３上に、真性アモルファスシリコン等からなる半導体層ＳＭＣ、窒化シリコン等からなるチャネル保護層ＢＬ、オーミック接続のための不純物層ＯＨＭを形成する。

次いで、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelのゲート絶縁膜１３上に、ＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc
Oxide）等の透明な（光透過特性を有する）電極材料からなり、例えば矩形状の平面パターンを有する画素電極１４を形成する（画素電極形成工程）。これにより、画素電極１４は、図４、図５に示したように、誘電体層として兼用されるゲート絶縁膜１３を介して、下部電極Ｅcaを兼用する反射金属層１２と対向し、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbとして兼用される（キャパシタ形成工程）。

次いで、図９（ｂ）に示すように、絶縁性基板１１の一面側にソース、ドレインメタル層を形成し、該ソース、ドレインメタル層を、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３の半導体層ＳＭＣの両端部に、上記不純物層ＯＨＭを介して延在するように、ソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄを形成するとともに、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａを同時に形成する。

このとき、図４に示すように、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、電源電圧ラインＬａと一体的に形成される。また、トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓは、ゲート絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ１３を介して、下層のトランジスタＴｒ１３のゲート電極Ｔｒ１３ｇ及び下部電極Ｅcaを兼用する反射金属層１２に電気的に接続される。

また、図４に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓは、ゲート絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ１２を介して、下層のデータラインＬｄに電気的に接続される。また、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄは、図４、図９（ｂ）に示すように、その一端がゲート絶縁膜１３上に形成された画素電極１４上に延在するように形成されて、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄと画素電極１４が電気的に接続される。

また、図４に示すように、トランジスタＴｒ１３のドレイン電極Ｔｒ１３ｄは、電源電圧ラインＬａと一体的に形成される。また、トランジスタＴｒ１３のソース電極Ｔｒ１３ｓは、その一端が画素電極１４上に延在するように形成されて、ソース電極Ｔｒ１３ｓと画素電極１４が電気的に接続される。
また、図４に示すように、選択ラインＬｓは、ゲート絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ１１を介して、下層のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに電気的に接続される。

なお、データラインＬｄは、図９（ｂ）に示すように、ソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成される上層配線が、ゲート絶縁膜１３に形成された開口部を介して接続された積層構造を有するものであってもよい。
また、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３のソース電極Ｔｒ１１ｓ〜Ｔｒ１３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ〜Ｔｒ１３ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層は、図９（ｂ）に示すように、例えばクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層上に、例えばアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属を設けた積層構造を適用することができる。

次いで、図９（ｃ）に示すように、各表示画素ＰＩＸの境界領域に形成されたトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３、選択ラインＬｓ及び電源電圧ラインＬａを被覆するように、窒化シリコンや酸化シリコン等の無機の絶縁性材料からなり、層間絶縁膜又は保護絶縁膜として機能する絶縁膜１５を形成する。

次いで、図４、図９（ｃ）に示すように、絶縁性基板１１の境界領域に連続的に突出するとともに、格子状の平面形状を有する隔壁層１６を形成する（隔壁層形成工程）。ここで、隔壁層１６は、例えば感光性の樹脂材料からなり、少なくとも各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelの画素電極１４を露出させる開口部を有している。すなわち、各画素形成領域Ｒpxにおいて、隔壁層１６の側壁１６ｅにより囲まれ、画素電極１４が露出する領域がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定される。

次いで、図１０（ａ）に示すように、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１４上に、例えばノズルプリンティング（又はノズルコート）法やインクジェット法等を用いて、正孔輸送層１７ａ及び電子輸送性発光層１７ｂを順次形成して、有機ＥＬ層１７を形成する（担体輸送層形成工程）。

その後、絶縁性基板１１上の表示画素ＰＩＸが配列された表示領域に、光透過性を有し、かつ、上記有機ＥＬ層１７（正孔輸送層１７ａ及び電子輸送性発光層１７ｂ）を介して各表示画素ＰＩＸの画素電極１４に共通して対向する対向電極（例えばカソード電極）１８を形成する。ここで、対向電極１８は、上記画素電極１４に対向する領域（ＥＬ素子形成領域Ｒel）のみならず、表示画素ＰＩＸの境界領域に形成された隔壁層１６上にまで延在する共通の電極層（べた電極）として形成される。なお、対向電極１８は、例えば蒸着法等により電子注入層となるバリウム、マグネシウム、リチウム等の金属材料からなる薄膜を形成した後、その上層にスパッタ法等によりＩＴＯ等の透明電極層を積層形成した、厚さ方向に透明な膜構造を適用することができる。

一方、位置検出モジュール２００の平面座標回路２１０の製造方法は、図１０（ｂ）に示すように、例えばガラスや石英、透明な樹脂等からなる可撓性を有する絶縁性基板２１の一面側（図面下面側）に透明抵抗膜２２を形成する。ここで、透明抵抗膜２２は、例えばＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜が適用され、少なくとも上述した表示パネル１１０の表示領域に対応する拡がりを有するように形成される。

次いで、図６に示したように、絶縁性基板２１の一面側に、上記透明抵抗膜２２のＸ方向の対向する一対の各辺に沿ってＸ座標電極２３ａ、２３ｂを形成するとともに、透明抵抗膜２２のＹ方向の対向する一対の各辺に沿ってＹ座標電極２４ａ、２４ｂを形成する。ここで、Ｘ座標電極２３ａ、２３ｂ及びＹ座標電極２４ａ、２４ｂは、例えばアルミニウムやチタン等の低抵抗の電極材料が適用される。

次いで、透明抵抗膜２２上に絶縁性の接着剤３１及びスペーサ３２を印刷形成する。ここで、接着剤３１及びスペーサ３２は、図５に示すように、使用者が所望の動作の選択や情報の入力を行うために、絶縁性基板２１の他面側（図面上面側）を押圧した際に、接着剤３１及びスペーサ３２が形成されていない領域の透明抵抗膜２２と、上述した表示パネル１１０側の対向電極１８が電気的に接触するように、その配置間隔や平面形状、部材の堅さ等が設定されている。

そして、図１０（ｂ）に示すように、大気圧程度の気圧に設定された、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で、表示パネル１１０と平面座標回路２１０を対向するように貼り合わせて封止する。これにより、隔壁層１６の上面に形成された対向電極１８と、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２は、所定の高さのスペーサ３２が介在することにより、両者の間隙が保持された状態で、接着剤３１を介して接着固定される。

（作用効果の検証）
次に、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法に特有の作用効果について詳しく説明する。
図１１は、本実施形態に係る表示装置の作用効果を検証するために、従来技術に係る表示装置を模式的に示した概略構成図である（以下、図１１に示す表示装置を「比較対象」と記す）。ここで、図１１においては、図５に示した本実施形態に係る表示装置と比較するために、比較対象に係る表示装置の要部断面を示す。図１２は、本実施形態に係る表示装置の作用効果を説明するための模式図である。なお、本実施形態と同等の構成については、同等の符号を付して説明を簡略化又は省略する。

図１１に示すように、比較対象に係る表示装置は、個別に製造された表示パネルモジュール側の表示パネル４１０と、タッチパネルモジュール側のタッチパネル４２０とを、接着剤４６を介して、貼り合わせた構成を有している。

比較対象に係る表示パネルモジュールは、図１１に示すように、図５に示した本実施形態の表示パネル１１０と同様に、絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、画素駆動回路ＤＣを構成するトランジスタＴｒ１０２と、選択ラインやデータラインＬｄ等を含む配線層と、ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定するための隔壁層１６と、を備えた複数の表示画素が２次元配列された表示パネル４１０を有している。そして、絶縁性基板１１の一面側に、表示画素を封止するための透明な封止基板１９が接着剤３３を介して封着されている。

一方、比較対象に係るタッチパネルモジュールは、図１１に示すように、透明な絶縁性基板４１の一面側（図面下面側）に設けられた、透明抵抗膜４２や座標電極等からなる平面座標回路と、別の透明な絶縁性基板４３の一面側（図面上面側）に設けられた、透明電極材料からなる電圧検出電極４４とを、絶縁性のスペーサ４５を介して所定の間隔を有して対向するように配置したタッチパネル４２０を有している。

そして、比較対象に係る表示装置は、このような表示パネル４１０の封止基板１９と、タッチパネル４２０の絶縁性基板４３を、透明な接着剤４６を介して貼り合わせたパネル構造を有している。すなわち、比較対象に係る表示装置は、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル４１０の視野側に、透明なタッチパネル４２０が配置され、表示パネル４１０に表示された画像情報が、タッチパネル４２０を介して視認されるように構成されている。

そのため、比較対象に係る（従来技術における）表示装置においては、屈折率の異なる界面が多数存在している。これにより、図１２（ａ）に示すように、タッチパネル４２０の絶縁性基板４１の表面や電圧検出電極４４の表面、接着剤４６と表示パネル４１０の封止基板１９の界面、対向電極１８の表面（封止基板１９による封止空間と対向電極１８の界面）等において、屈折率が大きく変化するため、表示装置の外部から入射した光Ｒ０が視野方向に反射する。具体的には、例えば、外気と絶縁性基板４１の界面である絶縁性基板４１の表面において反射光Ｒ１が生じ、また、スペーサ４５による間隙と電圧検出電極４４の界面である電圧検出電極４４の表面において反射光Ｒ２が生じ、また、接着剤４６と表示パネル４１０の封止基板１９の界面において反射光Ｒ３が生じ、また、封止基板１９による封止空間と対向電極１８の界面である対向電極１８の表面において反射光Ｒ４が生じる。これらの反射光Ｒ１〜Ｒ４は、表示パネル４１０の有機ＥＬ素子ＯＥＬにおいて発光した光Ｌemとともに、使用者に視認される。

加えて、比較対象に係る表示装置においては、有機ＥＬ素子ＯＥＬにおいて発光した光Ｌemが使用者に視認されるまでに、透過する層が多数存在している。これにより、図１２（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの光Ｌemは、表示パネル４１０の対向電極１８、封止基板１９、接着剤４６、タッチパネル４２０の絶縁性基板４３、４１や電圧検出電極４４、透明抵抗膜４２等を透過することにより光の強度が減衰する。

そのため、比較対象に係る表示装置においては、表示パネル４１０に表示された画像情報のコントラストが低下して、表示品質の低下を招くという問題を有していた。また、比較対象に係る表示装置においては、別個の完成品である表示パネル４１０とタッチパネル４２０とを貼り合わせた構成を有していたため、部品コストの上昇や製造プロセスの増加を招くという問題を有していた。また、表示パネルモジュールとタッチパネルモジュールを相互に接続するために、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）等の引き出し配線を設ける必要があるため、表示装置の実装面積や厚みが増加するという問題を有していた。

これに対して、本実施形態に係る表示装置においては、上述したように、位置検出モジュール２００の電圧検出電極として、表示パネルモジュール１００の有機ＥＬ素子ＯＥＬを構成する対向電極１８を兼用した構成を有している。加えて、本実施形態に係る表示装置においては、位置検出モジュール２００による位置検出動作を行う際には、位置検出コントローラ２２０により電圧検出電極である対向電極１８の電圧を検出し、また、表示パネル１１０により画像情報を表示する（有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光動作を行う）際には、所定の基準電圧（例えば接地電位）を供給する制御を、選択的に行うための電極接続切換スイッチ１７０を備えた構成を有している。

これにより、本実施形態においては、視野側から表示パネル１１０に表示された画像情報を見た場合の界面や透過層の数を大幅に削減することができる。すなわち、図１２（ｂ）に示すように、外部からの入射光の反射が顕著な界面は、実質的に、外気との界面である平面座標回路２１０の絶縁性基板２１の表面と、封止基板１９による封止空間との界面である対向電極１８の表面のみとなり、視野側への反射光を大幅に抑制することができる。また、図１２（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬから発光した光Ｌemが透過する層は、実質的に、対向電極１８と透明抵抗膜２２と絶縁性基板２１のみとなり、光Ｌemの強度の減衰を大幅に抑制することができる。

したがって、本実施形態に係る表示装置によれば、表示パネル１１０に表示された画像情報のコントラストを良好に維持して、表示品質に優れた表示装置を実現することができる。また、本実施形態に係る表示装置によれば、表示パネル１１０の対向電極１８と電圧検出電極とを同一の電極層により構成し、表示パネルとタッチパネルを一体化した構成を有しているので、製造コストを低減することができる。また、上述した比較対象に示したように、相互のモジュールをＦＰＣ等により接続する必要がないので、表示装置の実装面積や厚みを削減することができる。

なお、本実施形態においては、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２の表面の略全域にわたって、絶縁性の接着剤３１やスペーサ３２を所定のパターンで形成した構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本実施形態においては、表示パネル１１０の最も突出する部位である隔壁層１６の上面部分においてのみ、表示パネル１１０の対向電極１８と平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２を、所定の間隙を有して貼り合わせた構成を有しているので、接着剤３１やスペーサ３２は、少なくとも表示パネル１１０の隔壁層１６が延在する領域（すなわち、各表示画素ＰＩＸの境界領域）に対応する領域にのみ形成されているものであってもよい。また、表示パネル１１０と平面座標回路２１０を接着固定する構成としては、以下に示すような各種の構成例を適用することができる。

（他の構成例）
図１３、図１４は、第１の実施形態に係る表示装置の他の構成例を示す要部概略断面図である。ここでは、表示パネル１１０の対向電極１８と平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２とを接着固定する際の構成例を示す。なお、上述した第１の実施形態と同等の構成については同一の符号を付してその説明を簡略化又は省略する。

図１３（ａ）に示す表示装置の構成例においては、表示パネル１１０の隔壁層１６の上面部分の端部に沿って、突出して延在する絶縁膜３６が設けられている。そして、当該絶縁膜３６に囲まれた隔壁層１６の上面部分において、粒径が異なる導電性粒子３４と絶縁性粒子３５を介して、表示パネル１１０の対向電極１８と平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２が、所定の間隙を有して対向するように配置されている。ここで、絶縁性粒子３５は、導電性粒子３４よりも粒径が大きいものが適用され、対向電極１８と透明抵抗膜２２間の間隙を保持するためのスペーサとしての機能を果たす。また、導電性粒子３４は、使用者が位置検出モジュール２００（平面座標回路２１０）の絶縁性基板２１を押圧することにより、透明抵抗膜２２が撓んで絶縁性粒子３５により保持されている間隙を押しつぶすことにより、当該透明抵抗膜２２と接触する程度の粒径を有するものが適用される。

本構成例における絶縁膜３６は、例えば対向電極１８が形成された表示パネル１１０上に所定の膜厚の絶縁膜を成膜し、隔壁層１６の上面部分の端部に沿って残留するようにパターニングすることにより形成される。また、導電性粒子３４及び絶縁性粒子３５は、例えばマスクを用いた散布法により、絶縁膜３６に囲まれた隔壁層１６の上面部分に局所的に配置又は付着させることができる。なお、導電性粒子３４及び絶縁性粒子３５を粗く配置し、有機ＥＬ層１７から発光される光Ｌemへの影響を略無視することができる場合には、表示パネル１１０の全域に散布するものであってもよい。

図１３（ｂ）に示す表示装置の構成例においては、表示パネル１１０の隔壁層１６の上面部分に、例えばＵＶ硬化樹脂等の粒子保持層３７が設けられている。そして、隔壁層１６の上面部分において、当該粒子保持層３７に保持された、粒径が異なる導電性粒子３４と絶縁性粒子３５を介して、表示パネル１１０の対向電極１８と平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２が、所定の間隙を有して対向するように配置されている。

本構成例における粒子保持層３７は、例えば対向電極１８が形成された表示パネル１１０において、隔壁層１６の上面部分に対して、ディスペンサによる塗布法やノズルプリンタ等による印刷法を用いてＵＶ硬化樹脂を所定の厚みで塗膜することにより形成される。そして、隔壁層１６の上面部分に塗膜されたＵＶ硬化樹脂に対して、導電性粒子３４及び絶縁性粒子３５を散布した後、紫外線を照射して硬化させることにより隔壁層１６の上面部分に導電性粒子３４及び絶縁性粒子３５が保持される。

なお、本構成例においては、隔壁層１６の上面部分にＵＶ硬化樹脂を塗膜して、導電性粒子３４及び絶縁性粒子３５を保持する構成を示したが、これに限定されるものではなく、例えば図１３（ｃ）に示すように、平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２において、隔壁層１６に対応する領域にＵＶ硬化樹脂を塗膜して、導電性粒子３４及び絶縁性粒子３５を保持する構成を有するものであってもよい。

図１３（ｄ）に示す表示装置の構成例においては、表示パネル１１０の隔壁層１６の上面部分の端部に沿って、対向電極１８と透明抵抗膜２２間の間隙を保持するためのスペーサとしての機能を果たす絶縁膜３８が設けられている。そして、透明抵抗膜２２の当該絶縁膜３８に囲まれた領域には、導電性粒子３４が保持された、導電ペーストからなる導電層３９が設けられている。ここで、絶縁膜３８の膜厚は、導電性粒子３４の粒径よりも大きく設定されている。

本構成例における絶縁膜３８は、例えば平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２上に所定の膜厚の絶縁膜を成膜し、隔壁層１６の上面部分の端部に対応する領域の絶縁膜が残留するようにパターニングすることにより形成される。また、導電層３９は、透明抵抗膜２２の絶縁膜３８に囲まれた領域に対して、ディスペンサによる塗布法やノズルプリンタ等による印刷法を用いて導電ペーストを所定の厚みで塗膜することにより形成される。
そして、透明抵抗膜２２上に塗膜された導電ペーストに対して、導電性粒子３４を散布した後、乾燥固化させることにより、隔壁層１６の上面部分に対応する導電層３９に導電性粒子３４が保持される。

なお、本構成例においては、隔壁層１６の上面部分の端部に沿って、スペーサとしての機能を果たす絶縁膜３８を設け、その内部に導電層３９に保持された導電性粒子３４を配置した構成を示したが、これに限定されるものではなく、例えば図１４（ａ）に示すように、隔壁層１６の上面部分の端部に沿って絶縁膜３８のみを設け、当該絶縁膜３８の膜厚により規定される所定の間隙を有して、表示パネル１１０の対向電極１８と平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２が対向するように配置した構成を有するものであってもよい。

また、例えば図１４（ｂ）に示すように、図１４（ａ）に示した構成例において、隔壁層１６の上面部分の端部に沿って設けられた絶縁膜３８に囲まれた領域の透明抵抗膜２２の表面に、選択的にエッチング可能な導電層４０を設けた構成や、あるいは、導電層４０を局所的に印刷形成した構成を有するものであってもよい。また、透明抵抗膜２２の表面を直接パターニングして、あるいは、絶縁性基板２１の表面に凹凸のパターンを形成した後、透明抵抗膜２２を形成することにより、突出する部位を設けた構成を有するものであってもよい。

また、例えば図１４（ｃ）に示すように、図１４（ａ）に示した構成例において、隔壁層１６の上面部分の端部に沿って設けられた絶縁膜３８に囲まれた領域の隔壁層１６の上面部分にドライエッチング法を用いて所定の膜厚の導電層４０を設けた構成を有するものであってもよい。ここで、導電層４０の膜厚は、上述した導電性粒子３４の粒径と同様に、使用者が位置検出モジュール２００（平面座標回路２１０）の絶縁性基板２１を押圧することにより、透明抵抗膜２２が撓んで絶縁膜３９により保持されている間隙を押しつぶすことにより、導電層４０が対向電極１８、又は、透明抵抗膜２２と接触する程度の厚みを有するように形成される。

なお、上述した第１の実施形態においては、図５に示したように、接着剤３１及びスペーサ３２を介して、対向電極１８と透明抵抗膜２２とを対向するように配置した構成を示したが、これに限定されるものではなく、例えば図１４（ｄ）に示すように、スペーサ３２により保持される対向電極１８と透明抵抗膜２２との間隙に、透明抵抗膜２２又は対向電極１８の表面から突出する所定の膜厚の導電層４０を設けた構成を有するものであってもよい。

＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置の第２の実施形態について説明する。
図１５は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示す概略構成図である。図１５においては、表示パネルモジュールと位置検出モジュールとの配置関係を明確にするために、便宜的にハッチングを施して示した。図１６は、本実施形態に係る表示装置の要部断面図である。ここで、上述した第１の示威し形態と同等の構成については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。

上述した第１の実施形態においては、図１、図５に示したように、表示パネル１１０の視野側に位置検出モジュール２００の平面座標回路２１０を配置し、表示パネル１１０の各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）において発光した光が、平面座標回路２１０を介して視野側に出射されるトップエミッション型の発光構造を有する場合について説明した。

第２の実施形態においては、図１５、図１６に示すように、表示パネル１１０の背面側（反視野側）に位置検出モジュール２００の平面座標回路２１０を配置し、表示パネル１１０の各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）において発光した光が、平面座標回路２１０を透過することなく、表示パネル１１０の絶縁性基板１１を介して視野側に出射されるボトムエミッション型の発光構造を有している。

すなわち、本実施形態においては、有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極１８が光反射特性を有する金属材料を含んでいる。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極１４の下層（絶縁性基板１１側）に、第１の実施形態おいて設けた反射金属層１２が形成されていない。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬの有機ＥＬ層１７において発光した光は、図１６に示すように、直接、又は、上層の対向電極１８で反射して、画素電極１４、ゲート絶縁膜１３及び絶縁性基板１１を介して視野側（図面下方）に出射される（矢印Ｌem）。なお、表示パネル１１０は、例えば薄膜構造を有し、外部からの押圧力に対して可撓性を有するように構成されている。

このような構成を有する表示装置においては、使用者が表示パネル１１０に表示された画像情報を視認して、所望の入力操作を行う際には、図１６に示すように、表示パネル１１０の絶縁性基板１１の他面側（図面下面側）から図中矢印Ｆのように任意の位置を押圧する。これにより、表示パネル１１０が撓んで、スペーサ３２により保持されている間隙が押しつぶされて、対向電極１８が平面座標回路２１０の透明抵抗膜２２に接触する。このときの対向電極１８の電圧を検出することにより、使用者による押圧位置を算出する。そして、当該押圧位置に対応する画像を例えば強調表示等することにより表示状態に反映させ、使用者に押圧位置を認識させることができる。

したがって、本実施形態に係る表示装置においても、上述した第１の実施形態と同様に、表示パネル１１０の対向電極１８と電圧検出電極とを兼用して、表示パネルとタッチパネルを一体化した構成を有しているので、製造コストを低減することができるとともに、表示装置の実装面積や厚みを削減することができる。特に、本実施形態においては、ボトムエミッション型の発光構造を有しているので、対向電極１８や透明抵抗膜２２をＩＴＯ等の比較的高価な透明電極材料を用いる必要がなく、安価な金属材料を用いることができる。

なお、本実施形態に係る表示装置においては、表示パネル１１０の背面側に、位置検出モジュール２００の平面座標回路２１０を配置した構成を有しているため、表示パネル１１０が外部からの押圧力に対して十分な可撓性を有していない場合には、押圧位置の検出精度が低下する可能性がある。このような場合には、図１３及び図１４（ｂ）〜（ｄ）に示したように、対向電極１８と透明抵抗膜２２との間隙に、導電性粒子を配置した構成や、当該間隙に突出する導電層や電極層を設けた構成を適用することにより、押圧位置の検出精度を向上させることができる。

また、本実施形態に係る表示装置は、ボトムエミッション型の発光構造を有しているので、図１６に示すように、表示装置の外部から入射した光Ｒ０が視野方向に反射する界面は、実質的に、表示パネル１１０の絶縁性基板１１の表面のみとなる。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬにおいて発光した光Ｌemが使用者に視認されるまでに、透過する層が少ない。したがって、本実施形態においては、反射光Ｒ１１や光Ｌemの減衰に起因するコントラストの低下の問題は、トップエミッション型の発光構造に比較して顕著ではない。

１１、２１ 絶縁性基板
１６ 隔壁層
１８ 対向電極
２２ 透明抵抗膜
２３ａ、２３ｂ Ｘ座標電極
２４ａ、２４ｂ Ｙ座標電極
３１ 接着剤
３２ スペーサ
１００ 表示パネルモジュール
１１０ 表示パネル
１５０ 表示パネルコントローラ
１７０ 電極接続切換スイッチ
２００ 位置検出モジュール
２１０ 平面座標回路
２２０ 位置検出コントローラ
ＰＩＸ 表示画素
ＤＣ 画素駆動回路
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子

Claims (15)

1. 第１の基板の一面側に設けられた複数の第１の電極と、前記各第１の電極上に設けられた表示機能層と、一面側が前記表示機能層を介して前記複数の第１の電極に共通して対向するように配置された第２の電極と、からなる複数の表示画素を有する表示パネルと、
   予め設定された抵抗率を有して、一面側が所定の間隙を介して前記第２の電極の他面側に対向するように支持されるとともに、外部から印加される押圧力により前記第２の電極の他面側に導通可能に配置された抵抗膜と、
   前記抵抗膜の所定の方向に電圧勾配を形成する電圧印加部と、
   前記押圧力により前記第２の電極と前記抵抗膜が導通したときに前記第２の電極から検出される電圧の電圧値に基づいて、前記抵抗膜が前記第２の電極に導通した位置を検出する位置検出部と、
   を有することを特徴とする表示装置。
2. 前記第２の電極に接続された切換部を有し、該切換部は、前記押圧力が印加された位置を検出するときに、前記第２の電極を前記位置検出部に接続し、前記表示パネルによる画像表示を行うときに、前記第２の電極を、前記各表示画素を駆動するための電圧を印加する電圧源に接続することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 前記表示パネルは、前記複数の表示画素の各々の形成領域を画定する隔壁層を有し、前記第２の電極は前記隔壁層の上面を含んで前記複数の第１の電極に対向して配置され、当該隔壁層の上面部分において、前記第２の電極と前記抵抗膜が前記所定の間隙を介して対向するように配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
4. 一面側に前記抵抗膜が設けられた第２の基板を有し、前記第２の基板及び前記抵抗膜は可撓性を有する部材からなり、前記押圧力は前記第２の基板の他面側に印加され、該押圧力により、少なくとも前記第２の基板及び前記抵抗膜が撓んで前記第２の電極と電気的に接触することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記表示パネルは可撓性を有する部材からなり、前記押圧力は前記第１の基板の他面側に印加され、該押圧力により、少なくとも前記表示パネルが撓んで前記抵抗膜と電気的に接触することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
6. 前記第２の電極と前記抵抗膜との間には、前記所定の間隙を保持するためのスペーサが設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
7. 前記第２の電極と前記抵抗膜との間には、前記第２の電極又は前記抵抗膜のいずれか一方から突出し、かつ、高さが前記所定の間隙よりも低い導電性の突部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置。
8. 前記第２の電極と前記抵抗膜との間には、前記所定の間隙よりも小さい粒径を有する導電性粒子が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置。
9. 前記表示画素は、発光素子を有し、前記表示機能層は、発光機能層であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の表示装置。
10. 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
11. 第１の基板の一面側に設けられた複数の第１の電極と、前記各第１の電極上に設けられた表示機能層と、一面側が前記表示機能層を介して前記複数の第１の電極に共通して対向するように配置された第２の電極と、からなる複数の表示画素を有する表示パネルと、
    予め設定された抵抗率を有して、一面側が所定の間隙を介して前記第２の電極の他面側に対向するように支持されるとともに、外部から印加される押圧力により前記第２の電極の他面側に導通可能に配置された抵抗膜と、
    前記抵抗膜の所定の方向に電圧勾配を形成する電圧印加部と、
    前記抵抗膜が前記第２の電極に導通した位置を検出する位置検出部と、
    前記押圧力が印加された位置を検出するとき、前記第２の電極を前記位置検出部に接続し、前記複数の表示画素による画像表示を行うとき、前記第２の電極を、前記各表示画素を駆動するための所定の電圧を印加する電圧源に接続する切換部と、
    を備えることを特徴とする表示装置。
12. 一面側に前記抵抗膜が設けられた第２の基板を有し、前記押圧力は前記第２の基板の他面側に印加され、前記押圧力により前記第２の基板及び前記抵抗膜が撓んで前記第２の電極と導通することを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
13. 表示装置の駆動制御方法であって、
    前記表示装置は、第１の基板の一面側に設けられた複数の第１の電極と、前記各第１の電極上に設けられた表示機能層と、一面側が前記表示機能層を介して前記複数の第１の電極に共通して対向するように配置された第２の電極と、からなる複数の表示画素を有する表示パネルと、予め設定された抵抗率を有して、一面側が所定の間隙を介して前記第２の電極の他面側に対向するように支持されるとともに、外部から印加される押圧力により前記第２の電極の他面側に導通可能に配置された抵抗膜と、前記抵抗膜が前記第２の電極に導通した位置を検出する位置検出部と、を有し、
    一定の動作期間毎に、前記第２の電極を前記複数の表示画素を駆動するための電圧を印加する電圧源に接続して、前記表示パネルの前記複数の表示画素に表示データを書き込んで、該表示データに応じた画像表示を行うステップと、
    前記動作期間における、前記複数の表示画素への前記表示データの書き込みを行っていない一部の期間において、前記第２の電極を前記位置検出部に接続し、前記抵抗膜に電圧を印加して所定の方向に電圧勾配を形成して、前記押圧力が印加された位置を検出するステップと、
    を含むことを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
14. 複数の第１の電極を第１の基板の一面側に形成する工程と、
    前記各第１の電極上に表示機能層を形成する工程と、
    第２の電極を、前記表示機能層を介して一面側が前記複数の第１の電極に共通して対向するように形成して、前記各第１の電極と前記表示機能層と前記第２の電極とからなる複数の表示画素を有する表示パネルを形成する工程と、
    予め設定された抵抗率を有する抵抗膜を、前記表示パネルの前記第２の電極の他面側に前記抵抗膜の一面側が所定の間隙を介して対向し、外部から印加される押圧力により前記抵抗膜の一面側を前記第２の電極の他面側に導通可能に貼り合わせる工程と、
    を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
15. 前記表示パネルを形成する工程は、前記複数の表示画素の各々の形成領域を画定する隔壁層を形成する工程と、前記第２の電極を前記隔壁層の上面を含んで前記複数の第１の電極に対向するように形成する工程と、を含み、
    前記第２の電極と前記抵抗膜を貼り合わせる工程は、前記隔壁層の上面部分において、前記第２の電極の他面側と前記抵抗膜の一面側が前記所定の間隙を介して対向するように貼り合わせることを特徴とする請求項１４記載の表示装置の製造方法。

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