JP2010217274A - 電気化学表示素子の駆動方法、および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】対向する電極間に画素電圧を所定の時間印加することにより金属を析出または溶解して画像を表示するマトリクス状に配列された電気化学表示素子の駆動方法であって、金属の析出または溶解を開始させる時に印加する画素電圧の絶対値が最も低く、時間とともに印加する画素電圧の絶対値を段階的に増加させることを特徴とする電気化学表示素子の駆動方法。
【選択図】図3
Description
しかしながら、特許文献3に開示されている方法では、最初に高い電圧の強調パルス電圧を印加するので、電圧の印加を開始した直後に非常に大きな電流が流れてしまう。
前記画素電圧の絶対値を前記金属の析出または溶解を開始させる時から時間とともに段階的に増加させることを特徴とする電気化学表示素子の駆動方法。
前記画素電圧の印加に伴って増加する前記電気化学表示素子の抵抗値の変化率が所定値を越える抵抗変化点に達した時点であることを特徴とする前記1から3の何れか1項に記載の電気化学表示素子の駆動方法。
金属の析出または溶解を開始させてから50msec以内の時点と、
増加する前記電気化学表示素子の抵抗値の変化率が所定値を越える抵抗変化点に達した時点と、
であることを特徴とする前記3に記載の電気化学表示素子の駆動方法。
ジメチルスルホキシド2.5g中に、ヨウ化ナトリウム90mg、ヨウ化銀75mgを加えて完全に溶解させた後に、ポリビニルピロリドン(平均分子量15000)を150mg加えて120℃に加熱しながら1時間攪拌し、電解液を得た。
第1のガラス基板上に、透明電極材料であるITOをスパッタ法にて150nmに成膜し、ITO電極32とした。ITO電極32の抵抗は8Ω□であった。
実施例1、2と比較例1では、第2のガラス基板上に、金とクロムをスパッタ法を用いて成膜した。ガラス基板上にまずクロムを5nmスパッタし、その上に金を100nmスパッタした(クロムは金とガラス基板の密着層である)。
a−Si TFTを作成した後、絶縁膜を作成した。なお、TFTのサイズは3.5inchとした。
絶縁膜を作製した後、その上に散乱層を形成した。PVA水溶液に二酸化チタンの粒子を分散させたインクをスクリーン印刷で形成し、80℃で乾燥させた。その上にビーズスペーサ(25μmのシリカ球)を散布した。
図4で説明した駆動方法を用いて画素電圧VGを3段階に変化させて表示パネル50の全画素を駆動し、白書き込みを行った。
図3で説明した駆動方法を用いて画素電圧VGを2段階に変化させて表示パネル50の全画素を駆動し、白書き込みを行った。
銀ペーストから成る画素電極30を用いた表示パネル50に実施例1と同じ駆動条件で白書き込みと黒書き込みを行った。
画素電圧VGを1.5Vにして表示パネル50の全画素を駆動し、白書き込みを行った。画素電圧VGを−1.5Vにして表示パネル50の全画素を駆動し、黒書き込みを行った。
銀ペーストから成る画素電極30を用いた表示パネル50に比較例1と同じ条件で白書き込みと黒書き込みを行った。
(書き込み電流の測定)
白書き込み時と黒書き込み時に表示パネル50に流れる電流値を測定し、得られた電流値を画素数の2500で割り、一画素当たりの電流密度に換算した。
黒書き込み後に、図9に示すようにコモンバス7からの距離X1=1cmの画素Pnmと、距離X2=4cmの画素Pnlの反射率を輝度計で測定した。また、目視で画面むらの評価を行った。
書き込み開始から20ms後の電流密度を測定した結果を表1に示す。
2 駆動トランジスタ
4 スイッチングトランジスタ
5a、5b、5c 走査線
8a、8b、8c 信号線
10 記憶部
11 表示コントローラ
12 ゲートドライバ
13 コモン電源
14 ソースドライバ
21 バス電源
30 画素電極
31 電解液
32 ITO電極
34 電源
50 表示パネル
71 制御部
100 表示装置
Claims (8)
- 対向する電極間に画素電圧を所定の時間印加することにより金属を析出または溶解して画像を表示するマトリクス状に配列された電気化学表示素子の駆動方法であって、
前記画素電圧の絶対値を前記金属の析出または溶解を開始させる時から時間とともに段階的に増加させることを特徴とする電気化学表示素子の駆動方法。 - 電圧の絶対値が2段階に変化する前記画素電圧を前記対向する電極間に印加することを特徴とする請求項1に記載の電気化学表示素子の駆動方法。
- 電圧の絶対値が3段階に変化する前記画素電圧を前記対向する電極間に印加することを特徴とする請求項1に記載の電気化学表示素子の駆動方法。
- 前記画素電圧の絶対値が増加するタイミングは、
前記画素電圧の印加に伴って増加する前記電気化学表示素子の抵抗値の変化率が所定値を越える抵抗変化点に達した時点であることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の電気化学表示素子の駆動方法。 - 前記画素電圧を変化させるタイミングは、
金属の析出または溶解を開始させてから50msec以内の時点と、
増加する前記電気化学表示素子の抵抗値の変化率が所定値を越える抵抗変化点に達した時点と、
であることを特徴とする請求項3に記載の電気化学表示素子の駆動方法。 - 前記画素電圧を印加する時間を、複数の単位時間に分割し、前記画素電圧を印加する単位時間の回数を制御して階調表示を行うことを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の電気化学表示素子の駆動方法。
- 前記画素電圧を前記電気化学表示素子に印加する回路素子の抵抗値を制御して、前記画素電圧の絶対値を変化させることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の電気化学表示素子の駆動方法。
- 請求項1から7の何れか1項に記載の電気化学表示素子の駆動方法を用いて電気化学表示素子を駆動することを特徴とする表示装置。
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JP2009061063A JP2010217274A (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 電気化学表示素子の駆動方法、および表示装置 |
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2009
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