JP2010209715A - 内燃機関の空燃比制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】下流側の第2空燃比センサ13の素子温度を直接に検出することなく第2ヒータ15の簡易的な通電制御により第2空燃比センサ13の素子温度を適切に維持する。
【解決手段】内燃機関1の排気通路9に、プリ触媒装置10上流側の第1空燃比センサ12と下流側の第2空燃比センサ13とを備え、各々、第1ヒータ14、第2ヒータ15を備える。上流側の第1空燃比センサ12については、素子温度を検出し、検出温度が所定の温度範囲T1内となるように、第1ヒータ14に対するONデューティ比がフィードバック制御される。これに対し、下流側の第2空燃比センサ13については、第1ヒータ14のフィードバック制御のパラメータ、例えばONデューティ比や素子温度を流用して、第2ヒータ15のONデューティ比が簡易的に制御される。
【選択図】図1
【解決手段】内燃機関1の排気通路9に、プリ触媒装置10上流側の第1空燃比センサ12と下流側の第2空燃比センサ13とを備え、各々、第1ヒータ14、第2ヒータ15を備える。上流側の第1空燃比センサ12については、素子温度を検出し、検出温度が所定の温度範囲T1内となるように、第1ヒータ14に対するONデューティ比がフィードバック制御される。これに対し、下流側の第2空燃比センサ13については、第1ヒータ14のフィードバック制御のパラメータ、例えばONデューティ比や素子温度を流用して、第2ヒータ15のONデューティ比が簡易的に制御される。
【選択図】図1
Description
この発明は、排気通路における触媒装置の上流側および下流側に各々空燃比センサ(いわゆる広域型空燃比センサあるいは酸素センサ)を備えた内燃機関の空燃比制御装置に関し、特に、下流側の空燃比センサの温度制御の改良に関する。
いわゆる排気空燃比を検出するための空燃比センサには、特許文献1に記載されているように、温度によって出力が変化する温度特性があり、従って、精度よく空燃比制御を達成するために、空燃比センサにヒータを付設し、所定の温度範囲に素子温度を維持することが広くなされている。
また、触媒装置の上流側および下流側に各々空燃比センサを設けた空燃比制御装置が公知であるが、この種の構成においては、コスト低減のために、上流側の空燃比センサのヒータのみを高精度にフィードバック制御し、下流側の空燃比センサのヒータは、機関運転条件などから単純にオープンループ制御するのが一般的である。
しかしながら、上記のように下流側の空燃比センサの温度補償を行わない場合には、それだけ空燃比制御の誤差が大きく生じ得る。なお下流側の空燃比センサについても、素子温度の検出に基づいてヒータのフィードバック制御を行うようにすると、コストの上昇を伴う。
この発明は、内燃機関の排気通路において触媒装置の上流側に配置された第1空燃比センサと、この第1空燃比センサに付設された第1ヒータと、触媒装置の下流側に配置された第2空燃比センサと、この第2空燃比センサに付設された第2ヒータと、上記第1空燃比センサの素子温度の検出に基づいて該素子温度が所定温度となるように上記第1ヒータの通電をフィードバック制御する第1ヒータ制御手段と、を備えた内燃機関の空燃比制御装置を前提としている。そして、上記第1ヒータ制御手段による第1ヒータの通電制御に相関して上記第2ヒータの通電を制御することを特徴としている。
第1空燃比センサの第1ヒータは、第1空燃比センサの素子温度の検出に基づいて、その通電がフィードバック制御されるので、例えば排気温度が低ければ通電量が大となるように制御され、逆に排気温度が高くなれば、通電量が小となるように制御される。従って、例えば、このフィードバック制御に用いられるヒータの制御デューティ比は、ヒータを具備しない場合の第1空燃比センサの温度条件を示し、ひいては、その下流に位置する第2空燃比センサの温度条件や排気温度を代替的に示す。さらに、ヒータの通電に対し空燃比センサの素子温度の変化は応答遅れを有し、温度制御の上で、この応答遅れの影響は大きなものとなるが、第1ヒータの通電制御は、フィードバック制御によりこの応答遅れを含んだものとなる。そして、ヒータの通電に対する温度変化の応答は、2つの空燃比センサで同等であるとみなすことができる。従って、フィードバック制御される第1ヒータの通電制御に相関した形で第2ヒータの通電を制御することで、簡易的に第2空燃比センサの温度制御を実現できる。
この発明によれば、第2空燃比センサの素子温度を直接に検出することなく第1空燃比センサの素子温度に基づくフィードバック制御を利用して、第2空燃比センサの第2ヒータの通電をより精度良く制御でき、第2空燃比センサの素子温度を所望の温度範囲に維持することが可能となる。
図1は、この発明に係る空燃比制御装置のシステム構成を概略的に示しており、ガソリン機関である内燃機関1は、ピストン2により形成される燃焼室3に点火プラグ4を備えるとともに、吸気通路5の吸気弁直前に燃料噴射弁6を備え、かつ吸入空気量を検出するエアフロメータ7およびスロットル弁8を吸気通路5に備えている。また、排気通路9には、比較的容量の小さな上流側のプリ触媒装置10と比較的容量の大きな下流側のメイン触媒装置11とが介装されている。上記プリ触媒装置10は、例えば排気マニホルドの出口部に装着され、上記メイン触媒装置11は、例えば車両の床下に配置されている。そして、プリ触媒装置10の上流側には第1空燃比センサ12が配置され、プリ触媒装置10の下流側つまりプリ触媒装置10とメイン触媒装置11との間には第2空燃比センサ13が配置されている。
これらの2つの空燃比センサ12,13は、いわゆる広域型空燃比センサあるいは出力がステップ的に変化する酸素センサのいずれであってもよいが、この実施例では、2つの空燃比センサ12,13の双方が酸素センサからなる。そして、これらの空燃比センサ12,13は、その素子を加熱するセラミックスヒータ等のヒータを各々備えている。ここでは、第1空燃比センサ12のヒータを第1ヒータ14とし、第2空燃比センサ13のヒータを第2ヒータ15とする。これらのヒータ14,15は、その通電量が、ONデューティ比の可変制御によって制御される。
これらの2つの空燃比センサ12,13を用いた空燃比制御そのものは本発明の要部ではないので、その詳しい説明は省略するが、コントロールユニット16において、公知の種々の態様で2つの空燃比センサ12,13の検出信号が利用される。例えば、上流側の第1空燃比センサ12の検出信号を主に用いて燃料噴射量をフィードバック制御するとともに、下流側の第2空燃比センサ13の検出信号を、そのフィードバック制御の片寄りの学習補正や触媒の劣化判定等に利用する、等の制御がなされる。
上記の空燃比センサ12,13においては、例えば図2に例示するような温度特性があり、排気空燃比に対する正しい出力を得るためには、ある温度範囲T1(例えば600℃〜650℃の範囲)に素子温度を維持する必要がある。
そのため、空燃比制御に主に利用される上流側の第1空燃比センサ12については、素子温度を例えば熱電対等を用いて検出し、この検出温度が上記の温度範囲T1内となるように、第1ヒータ14に対するONデューティ比がフィードバック制御される。
これに対し、下流側の第2空燃比センサ13については、上記の第1ヒータ14のフィードバック制御のパラメータを流用して、第2ヒータ15のONデューティ比が簡易的に制御される。
図3は、この制御の具体的な第1実施例を示すフローチャートであって、まずステップ1で、上流側の第1空燃比センサ(フローチャート中ではFr酸素センサと記す)12の第1ヒータ14のONデューティ比を読み込み、ステップ2で、このONデューティ比を用いて、下流側の第2空燃比センサ(フローチャート中ではRr酸素センサと記す)13の素子温度を推定する。これは下記の論理式による。
Rr酸素センサ素子温度=C2+C1*exp(−t/τ1)
ここで、C1およびC2は適宜な定数である。「exp(−t/τ1)」は、第1ヒータ14のONデューティ比の一次応答遅れを表すものであり、τ1は第1ヒータ14のONデューティ比の時定数である。
ここで、C1およびC2は適宜な定数である。「exp(−t/τ1)」は、第1ヒータ14のONデューティ比の一次応答遅れを表すものであり、τ1は第1ヒータ14のONデューティ比の時定数である。
このようにして推定した第2空燃比センサ13の素子温度を用いて、ステップ3で、第2ヒータ15のONデューティ比を算出し、ステップ4で、このONデューティ比に沿って第2ヒータ15の通電を行う。これにより、第2空燃比センサ13の素子温度が、上述の温度範囲T1内に維持される。
ここで、一つの実施例では、ステップ3で算出したONデューティ比が所定の上限値を越えている場合には、実際に出力するONデューティ比をその上限値に制限するようにしている。そして、ステップ3で算出された要求デューティ比を所定のテーブルを用いて要求熱量に換算し、上限値のONデューティ比での通電による熱量を積算していって、この積算熱量が上記要求熱量に達するまで通電を行う。
次に、図4は、第2ヒータ15の制御の第2実施例を示すフローチャートであって、ステップ1では、上記と同様に第1空燃比センサ12の第1ヒータ14のONデューティ比を読み込むが、ステップ2では、このONデューティ比を用いて、下流側の第2空燃比センサ13周囲の雰囲気温度つまりプリ触媒装置10通過後の排気温度を推定する。これは下記の論理式による。
Rr酸素センサ雰囲気温度=C4+C3*exp(−t/τ1)
ここで、C4およびC3は適宜な定数である。上述したように、「exp(−t/τ1)」は、第1ヒータ14のONデューティ比の一次応答遅れを表しており、τ1は第1ヒータ14のONデューティ比の時定数である。
ここで、C4およびC3は適宜な定数である。上述したように、「exp(−t/τ1)」は、第1ヒータ14のONデューティ比の一次応答遅れを表しており、τ1は第1ヒータ14のONデューティ比の時定数である。
このようにして推定した第2空燃比センサ13周囲の雰囲気温度を用いて、ステップ3で、第2ヒータ15のONデューティ比を算出し、ステップ4で、このONデューティ比に沿って第2ヒータ15の通電を行う。これにより、第2空燃比センサ13の素子温度が、やはり上述の温度範囲T1内に維持される。
次に、図5は、第2ヒータ15の制御の第3実施例を示すフローチャートであって、この実施例では、ステップ1で、第1空燃比センサ12の素子温度を読み込み、ステップ2で、この第1空燃比センサ12の素子温度を用いて、下流側の第2空燃比センサ13の素子温度を推定する。これは下記の論理式による。
Rr酸素センサ素子温度=C6+C5*exp(−t/τ2)
ここで、C5およびC6は適宜な定数である。「exp(−t/τ2)」は、第1空燃比センサ12の素子温度の一次応答遅れを表しており、τ2は第1空燃比センサ12の素子温度の時定数である。
ここで、C5およびC6は適宜な定数である。「exp(−t/τ2)」は、第1空燃比センサ12の素子温度の一次応答遅れを表しており、τ2は第1空燃比センサ12の素子温度の時定数である。
このようにして推定した第2空燃比センサ13の素子温度を用いて、ステップ3で、第2ヒータ15のONデューティ比を算出し、ステップ4で、このONデューティ比に沿って第2ヒータ15の通電を行う。これにより、第2空燃比センサ13の素子温度が、上述の温度範囲T1内に維持される。
次に、図6は、第2ヒータ15の制御の第4実施例を示すフローチャートであって、ステップ1では、図5と同様に第1空燃比センサ12の素子温度を読み込むが、ステップ2では、この素子温度を用いて、下流側の第2空燃比センサ13周囲の雰囲気温度つまりプリ触媒装置10通過後の排気温度を推定する。これは下記の論理式による。
Rr酸素センサ雰囲気温度=C8+C7*exp(−t/τ2)
ここで、C8およびC7は適宜な定数である。上述したように、「exp(−t/τ2)」は、第1空燃比センサ12の素子温度の一次応答遅れを表しており、τ2は第1空燃比センサ12の素子温度の時定数である。
ここで、C8およびC7は適宜な定数である。上述したように、「exp(−t/τ2)」は、第1空燃比センサ12の素子温度の一次応答遅れを表しており、τ2は第1空燃比センサ12の素子温度の時定数である。
このようにして推定した第2空燃比センサ13周囲の雰囲気温度を用いて、ステップ3で、第2ヒータ15のONデューティ比を算出し、ステップ4で、このONデューティ比に沿って第2ヒータ15の通電を行う。これにより、第2空燃比センサ13の素子温度が、やはり上述の温度範囲T1内に維持される。
1…内燃機関
9…排気通路
10…プリ触媒装置
12…第1空燃比センサ
13…第2空燃比センサ
14…第1ヒータ
15…第2ヒータ
16…コントロールユニット
9…排気通路
10…プリ触媒装置
12…第1空燃比センサ
13…第2空燃比センサ
14…第1ヒータ
15…第2ヒータ
16…コントロールユニット
Claims (5)
- 内燃機関の排気通路において触媒装置の上流側に配置された第1空燃比センサと、
この第1空燃比センサに付設された第1ヒータと、
触媒装置の下流側に配置された第2空燃比センサと、
この第2空燃比センサに付設された第2ヒータと、
上記第1空燃比センサの素子温度の検出に基づいて該素子温度が所定温度となるように上記第1ヒータの通電をフィードバック制御する第1ヒータ制御手段と、
を備えてなる内燃機関の空燃比制御装置において、
上記第1ヒータ制御手段による第1ヒータの通電制御に相関して上記第2ヒータの通電を制御することを特徴とする内燃機関の空燃比制御装置。 - 上記第1ヒータ制御手段による第1ヒータの制御デューティ比の一次遅れを用いて第2空燃比センサの素子温度を推定し、この推定素子温度に基づき上記第2ヒータを通電制御することを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の空燃比制御装置。
- 上記第1ヒータ制御手段による第1ヒータの制御デューティ比の一次遅れを用いて触媒装置下流側の排気温度を推定し、この推定排気温度に基づき上記第2ヒータを通電制御することを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の空燃比制御装置。
- 検出した第1空燃比センサの素子温度の一次遅れを用いて第2空燃比センサの素子温度を推定し、この推定素子温度に基づき上記第2ヒータを通電制御することを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の空燃比制御装置。
- 検出した第1空燃比センサの素子温度の一次遅れを用いて触媒装置下流側の排気温度を推定し、この推定排気温度に基づき上記第2ヒータを通電制御することを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の空燃比制御装置。
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