JP2010205937A5 - - Google Patents
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- 蛍光を発する付活剤を少なくとも1種以上含有する(111)面を主面とするY3Al5O12基板と、前記基板上に形成されたAlを含む少なくとも2層以上の窒化物層とを有する発光素子形成用複合基板であり、前記窒化物層は、前記基板上に形成されたAlを含む窒化物層からなる第1の層と、前記第1の層上に形成された転位密度1×1011/cm2以下のAlNからなる第2の層を有することを特徴とする発光素子形成用複合基板。
- 請求項１に記載の発光素子形成用複合基板上に発光層を含む半導体層を形成した発光ダイオード素子であり、発光層からの光の少なくとも一部を波長変換した光を前記発光素子形成用複合基板から放射する機能を有する発光ダイオード素子。
- 請求項１に記載の発光素子形成用複合基板上に青色を発する発光層を含む半導体層を形成した発光ダイオード素子であり、発光層からの光の少なくとも一部を波長変換した光を、発光層からの光とともに、前記発光素子形成用複合基板から放射する機能を有する白色発光ダイオード素子。
- 蛍光を発する付活剤を少なくとも1種以上含有する(111)面を主面とするY3Al5O12基板を、H2ガス、N2ガス、NH3ガスの混合ガス雰囲気のもと1000〜1300℃で熱処理を行う第1の工程と、前記光変換材料基板上に少なくともH2ガス、N2ガス、NH3ガスとAlを含む有機金属化合物ガスを供給し、Alを含む窒化物層からなる第1の層を形成する第2の工程と、前記第1の層上にH2ガス、N2ガス、NH3ガス、Alを含む有機金属化合物ガスの混合ガスを供給し1350〜1480℃でAlNからなる第2の層を形成する第3の工程を有することを特徴とする請求項１記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
- 前記付活剤はCeであることを特徴とする請求項４に記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
- 前記第3の工程におけるNH3ガス中のNとAlを含む有機金属化合物ガス中のAlのモル比が、前記第2の工程におけるNH3ガス中のNとAlを含む有機金属化合物ガス中のAlのモル比よりも小さいことを特徴とする請求項４又は５に記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
- 前記第1の層はAlNからなることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
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| JP4269645B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2009-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 付活剤を含有した基板を用いた窒化物半導体ｌｅｄ素子、及び成長方法 |
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