JP2010205933A - 発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子及びその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】入射した光の少なくとも一部を波長の異なる光として入射面とは反対側の面から放射する光変換材料基板と、前記光変換材料基板上に形成されたAlを含む少なくとも2層以上の窒化物層とを有する発光素子形成用複合基板であり、前記光変換材料基板は、Al2O3相と少なくとも1つの蛍光を発する酸化物相とを含む、2つ以上の酸化物層が連続的かつ三次元的に相互に絡み合った組織を有し、前記窒化物層は光変換材料基板のAl2O3相上に形成されたAlを含む窒化物層からなる第1の層と、前記第1の層上に形成され表面部が連続し転位密度1×1011/cm2以下のAlNからなる第2の層を有し、前記蛍光を発する酸化物相上には空洞が形成されていることを特徴とする発光素子形成用複合基板。
【選択図】図2
Description
α-Al2O3粉末(純度99.99%)とY2O3粉末(純度99.999%)をモル比で82:18となるよう、また、CeO2粉末(純度99.99%)を仕込み酸化物の反応により生成するY3Al5O12が1モルとなるように秤量した。これらの粉末をエタノール中、ボールミルによって16時間湿式混合した後、エバポレーターを用いてエタノールを脱媒して原料粉末を得た。原料粉末は真空炉中で予備溶解し一方向凝固の原料とした。
実施例1により得られた発光素子形成用複合基板上に、H2ガス、NH3ガス、TMG(トリメチルガリウム)ガスを用い、MOCVD法による公知の方法でGaN層を形成し、さらにその上にH2ガス、N2ガス、NH3ガス、TMGガス、TMI(トリメチルインジウム)ガスを用い、InGaN井戸層・障壁層からなる3層量子井戸構造型発光層を形成した。
上記実施例の効果を確認するため、比較例1として本発明の発光素子形成用複合基板の製造方法を用いず、以下に示す対照方法で光変換材料基板上へのGaN層の形成と、そのGaN層上へのInGaN井戸層・障壁層からなる3層量子井戸構造型発光層の形成を試みた。
1(a) Al2O3相
1(b) Y3Al5O12:Ce相
2 第1の層
3 空洞
4 第2の層
5 半導体層
6 発光素子形成用複合基板
Claims (8)
- 入射した光の少なくとも一部を波長の異なる光として入射面とは反対側の面から放射する光変換材料基板と、前記光変換材料基板上に形成されたAlを含む少なくとも2層以上の窒化物層とを有する発光素子形成用複合基板であり、前記光変換材料基板は、Al2O3相と少なくとも1つの蛍光を発する酸化物相とを含む、2つ以上の酸化物層が連続的かつ三次元的に相互に絡み合った組織を有し、前記窒化物層は光変換材料基板のAl2O3相上に形成されたAlを含む窒化物層からなる第1の層と、前記第1の層上に形成され表面部が連続し転位密度1×1011/cm2以下のAlNからなる第2の層を有し、前記蛍光を発する酸化物相上には空洞が形成されていることを特徴とする発光素子形成用複合基板。
- 前記光変換材料基板は前記Al2O3結晶の(0001)面を主面とすることを特徴とする請求項1に記載の発光素子形成用複合基板。
- 前記光変換材料基板の蛍光を発する酸化物相はY3Al5O12:Ce相であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子形成用複合基板。
- 請求項1に記載の発光素子形成用複合基板上に発光層を含む半導体を形成した発光ダイオード素子であり、発光層からの光の少なくとも一部を波長変換した光を前記発光素子形成用複合基板から放射する機能を有する発光ダイオード素子。
- 請求項2に記載の発光素子形成用複合基板上に青色を発光する発光層を含む半導体層を形成した発光ダイオード素子であり、発光層からの光の一部を波長変換した光を、発光層からの光とともに、前記発光素子形成用複合基板から放射する機能を有する白色発光ダイオード素子。
- 入射した光の少なくとも一部を波長の異なる光として入射面とは反対側の面から放射する、Al2O3相と少なくとも1つの蛍光を発する酸化物相を含む2つ以上の酸化物層が連続的かつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する光変換材料基板をH2ガス、N2ガス、NH3ガスの混合ガス雰囲気のもと1000〜1300℃で熱処理を行う第1の工程と、前記基板上に少なくともH2ガス、N2ガス、NH3ガスとAlを含む有機金属化合物ガスを供給し、Alを含む窒化物からなる第1の層を形成する第2の工程と、前記第1の層の選択的エッチング処理によりAl2O3相上にのみ第1の層を残す第3の工程と、前記Al2O3相上の第1の層を成長の起点としてその上に、少なくともH2ガス、N2ガス、NH3ガスを供給し、表面が連続するAlNからなる第2の層を形成する第4の工程を有することを特徴とする発光素子形成用複合基板の製造方法。
- 前記第3の工程におけるエッチングはKOH(水酸化カリウム)水溶液を用いることを特徴とする請求項6に記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
- 前記第1の層はAlNからなることを特徴とする請求項6または7に記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
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JP2013021028A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Ritsumeikan | AlN層の製造方法およびAlN層 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1017396A (ja) * | 1996-07-01 | 1998-01-20 | Ube Ind Ltd | セラミックス複合材料 |
WO2006043719A1 (ja) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Ube Industries, Ltd. | 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法 |
JP2007329172A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光素子、発光素子の製造方法および発光装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1017396A (ja) * | 1996-07-01 | 1998-01-20 | Ube Ind Ltd | セラミックス複合材料 |
WO2006043719A1 (ja) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Ube Industries, Ltd. | 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法 |
JP2007329172A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光素子、発光素子の製造方法および発光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013021028A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Ritsumeikan | AlN層の製造方法およびAlN層 |
CN108224366A (zh) * | 2016-12-15 | 2018-06-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 发光元件以及发光元件的制造方法 |
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