JP2010199569A - Simoxウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】イオン注入時に保持されるウェーハ面内の温度が不均一になることを抑制してSOI層とBOX層双方の面内における膜厚を均一にする。
【解決手段】SIMOXウェーハ製造における酸素イオン注入工程において、ウェーハ保持手段の内部又は裏面に通路を形成し、この通路に加熱流体を流して前記ウェーハ保持手段と接触する前記ウェーハの外周部を加熱しながら酸素イオン注入する。
【選択図】図1
【解決手段】SIMOXウェーハ製造における酸素イオン注入工程において、ウェーハ保持手段の内部又は裏面に通路を形成し、この通路に加熱流体を流して前記ウェーハ保持手段と接触する前記ウェーハの外周部を加熱しながら酸素イオン注入する。
【選択図】図1
Description
本発明は、SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)ウェーハのSOI(Silicon on Insulator)層及びBOX(Buried Oxide)層の面内の厚さ均一性を改善できる、酸素イオン注入装置用ウェーハ保持手段を用いるSIMOXウェーハの製造方法に関するものである。
SIMOX技術は、イオン注入装置により酸素イオンをシリコン基板に一定の深さに注入した後、高温熱処理により埋め込み酸化膜(BOX層という)を形成するとともにBOX層上部に該当するSOI層の結晶性を回復させることによりSIMOXウェーハを製造する技術である。現在、市販されているSIMOXウェーハの製造方法はMLD(Modified Low Dose)法と呼ばれ、この方法では酸素イオン注入を2段階に分けて行う(例えば、特許文献1参照。)。1回目の酸素イオン注入はシリコンウェーハを加熱して行い、続く2回目の酸素イオン注入はシリコンウェーハの温度を室温程度に下げて行う。1回目の酸素イオン注入では、シリコンウェーハを加熱しながら酸素イオン注入を行うことで、シリコンウェーハ表面を単結晶に維持したまま酸素の高濃度層を形成する。2回目の酸素イオン注入は温度を下げて行うことでアモルファス層を形成する。続いて、酸素とアルゴンの混合ガス中で高温熱処理をすることによりBOX層及びSOI層が形成され、SOI構造が形成される。
この方法では、2回目の室温での酸素イオン注入によりシリコンウェーハにアモルファス層及びその上層に欠陥層を形成し、その後酸素濃度を2段階に変えて高温熱処理を行うITOX(Internal Oxidation)技術により酸素析出を効果的に促進し、BOX層の品質を良好にしている。即ち、上記高温熱処理工程において、欠陥層は酸素の拡散を促進する役割を果たしている。その後の研究・開発により酸素イオン注入条件の検討が行なわれた結果、1回目の酸素イオン注入においてシリコンウェーハを加熱し、2回目のイオン注入において1回目の酸素イオン注入時のウェーハ加熱温度よりも低い温度で予備加熱を行う方法により、ウェーハの表面ラフネス及びSOI層とBOX層の界面ラフネスが改善されることが明らかになっている(例えば、特許文献2参照。)。
現在、SIMOXウェーハ製造に用いられている酸素イオン注入装置では、ウェーハをウェーハ保持手段の裏面と接触せずに或いは極一部に限って接触させ、ウェーハの外周部を保持ピンなどにより固定する形態のウェーハ保持手段を用いている。このような形態のウェーハ保持手段を用いた場合、ウェーハを加熱する手段としてウェーハの裏面に設けられた加熱用ヒータにより加熱し、ウェーハの温度を上昇させてイオン注入を行う。しかしながら、このようなウェーハ裏面をウェーハ保持手段に接触させずに、或いは極一部に限って接触させてウェーハの外周部を保持するタイプのウェーハ保持手段では、加熱中或いはイオン注入中に発生した熱が保持ピンから逃げ、このピンの放熱効果によりピン付近のウェーハの温度が他の部分と比べて低下するため、ウェーハの温度が不均一になる問題が発生している。この温度の不均一性が最終的に形成されるSOI層とBOX層の膜厚分布を悪くする。この問題を解決するために、保持ピンに熱伝導性が低い材料を使い、熱放散を抑制する試みが行われている。その一つに、保持ピンの材質として熱電伝導性の低い熱硬化性樹脂を用いる発明が開示されている(例えば、特許文献3参照。)。また、別の改善方法として、ウェーハ接触部分に加熱ヒータを盛り込み、部分加熱を行う発明が開示されている(例えば、特許文献4参照。)。
一方、被処理体の載置台が設けられた蓋体により装置本体の開口部を気密に閉じ、こうして閉じられた気密雰囲気を真空排気した後、載置台の中に形成された流路に冷媒を流して載置台上の被処理体を冷却しながらこの被処理体に対してイオン注入処理を行い、イオン注入処理後に気密雰囲気を大気圧雰囲気に戻して蓋体を開き、載置台上の被処理体を交換するイオン注入装置が開示されている(例えば、特許文献5参照。)。このイオン注入装置では、流路に熱媒を供給するための熱媒供給手段が設けられる。また蓋体が開いている間に、制御部が冷媒に代えて熱媒供給手段よりの熱媒を流路に供給するように流路内の流体を切替え制御するように構成される。このように構成されたイオン注入装置では、蓋体が開いているときに、熱媒供給手段からの熱媒を流路に供給して載置台が加熱されるので、載置台表面への水分の吸着が低減される。この結果、蓋体を閉じた後の真空排気に要する時間を短縮できるようになっている。
上述したように、SIMOXウェーハの製造における酸素イオン注入工程において、酸素イオン注入中に発生した熱がウェーハ保持手段の保持ピンから逃げ、ピン付近のウェーハの温度が他の部分と比べて低下してウェーハの面内の温度分布が不均一になり、その結果、最終的に形成されるSOI層とBOX層の膜厚分布を悪くすることが問題になっている。特に、MLD法における2回目の温度を下げて行う酸素イオン注入工程において、この問題が顕著になっている。これに対する対策が上記特許文献3及び4に開示されている。
しかし、上記特許文献3に示された発明では、熱硬化性樹脂を使っても熱伝導率がゼロではないので、ウェーハ保持部よりの熱放散を完全に遮断することができず、根本的な解決手段になっていないのが現状である。また、上記特許文献4に示された発明では、部分ヒータを使うだけでは正確に接触部分だけを加熱することが難しいといった問題がある。更に、上記特許文献5に示された発明では、イオン注入時に被処理体を保持する載置台が加熱されるのではなく冷却されるため、ウェーハ面内の温度が更に不均一になる問題点があった。
本発明の目的は、イオン注入時に保持されるウェーハ面内の温度が不均一になることを抑制してSOI層とBOX層の双方の面内における膜厚を均一にするSIMOXウェーハの製造方法を提供することにある。
本発明の第1の観点は、一方の端面に底壁が設けられ他方の端面が開放された円筒状のチャンバと、上記チャンバに収納され複数枚のウェーハを同一円周上に間隔をあけて保持することにより上記ウェーハを公転可能にするウェーハ保持手段と、上記チャンバの開口部をシール部材により気密を保って閉止する円板状のキャップとを備えたイオン注入装置を用いて上記ウェーハに酸素イオン注入を行うSIMOXウェーハの製造方法において、上記ウェーハ保持手段の内部又は裏面に通路を形成し、この通路に加熱流体を流して上記ウェーハ保持手段と接触する上記ウェーハの外周部を加熱しながら酸素イオン注入することを特徴とする。
本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に加熱流体が水又はオイルであることを特徴とする。
本発明の第3の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に加熱流体の温度が20℃以上80℃以下であることを特徴とする。
本発明の第4の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に加熱流体を貯蔵するタンクと、このタンク内の加熱流体を加熱するヒータと、上記タンク内の加熱流体の温度を検出する温度センサと、上記温度センサの検出出力に基づいて上記ヒータを制御するコントローラと、加熱流体をタンクからウェーハ保持手段に循環させるポンプとを備えた加熱流体供給装置を用いて、上記ウェーハ保持手段の通路に加熱流体を流してウェーハの外周部を加熱することを特徴とする。
本発明の第5の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更にウェーハへの全ての酸素イオン注入工程或いは一部の酸素イオン注入工程で、ウェーハ保持手段の通路に加熱流体を流すことを特徴とする。
本発明の第6の観点は、第4の観点に基づく発明であって、更にウェーハ保持手段が、ウェーハ保持基板と、その裏面に取り付けられ内部にU字形状の加熱流体の通路を有するアームと、ウェーハ保持基板の外周表面に取り付けられウェーハ外周部を載せるための1つの先端ステージと、2つの側端ステージと、ウェーハを固定するために先端ステージ上に設置される先端保持ピンと、側端ステージ上に設置される側端保持ピンとを備え、通路が、アームの基端から先端に向いかつアームの一側縁に沿って延びる往路と、アームの先端から基端に向いかつアームの他側縁に沿って延びる復路と、往路の先端と復路の基端とを接続するU字形状の接続路とを有し、往路がウェーハ保持板に取付けられた2つの側端ステージのうちの一方の側端ステージに接近して設けられ、復路が2つの側端ステージのうちの他方の側端ステージに接近して設けられ、接続路がウェーハ保持板に取付けられた先端ステージに接近して設けられることを特徴とする。
本発明の第1の観点の方法では、SIMOXウェーハの製造における酸素イオン注入工程において、ウェーハ保持手段の通路に加熱流体を流すことにより、ウェーハ保持手段の保持部からウェーハの熱が放散するのを抑制することができるため、ウェーハ外周部の温度が安定に保持され、ウェーハ面内の温度が不均一になるのを抑制することができる。このことにより、SIMOXウェーハに形成されるSOI層とBOX層の面内の膜厚均一性が改善される。
次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。図4に示すように、酸素イオン注入装置21には、一方の端面に底壁が設けられ他方の端面が開放された円筒状のチャンバ26と、チャンバの開口部を閉止する円板状のキャップ27と、ウェーハ保持手段11と、複数個のウェーハ保持手段を保持する固定板22とが設置される。この固定板22の外周には13個のウェーハ保持手段11が等間隔に設置される(図5参照)。この固定板22はチャンバ26の底壁中央に回転可能に挿入された回転軸23に固定され、この回転軸23にモータ24が接続される。この回転軸23は床に対して水平に設置されている。
図1、図2及び図3に示すように、酸素イオン注入装置のウェーハ保持手段11はウェーハ保持基板13と、その裏面に取り付けられ内部にU字形状の加熱流体の通路16を有するアーム14と、ウェーハ保持基板13の外周表面に取り付けられウェーハ外周部を載せるための1つの先端ステージ17と、2つの側端ステージ18,18と、ウェーハを固定するために先端ステージ17上に設置される先端保持ピン19と、側端ステージ18,18上に設置される側端保持ピン20,20とを備える。通路16は、アーム14の基端から先端に向いかつアーム14の一側縁に沿って延びる往路16aと、アーム14の先端から基端に向いかつアーム14の他側縁に沿って延びる復路16bと、往路16aの先端と復路16bの基端とを接続するU字形状の接続路16cとを有する(図1〜図3及び図5)。往路16aはウェーハ保持板13に取付けられた2つの側端ステージ18,18のうちの一方の側端ステージ18に接近して設けられ、復路16bは2つの側端ステージ18,18のうちの他方の側端ステージ18に接近して設けられ、接続路16cはウェーハ保持板13に取付けられた先端ステージ17に接近して設けられる。
図5に示すように13個のウェーハ保持手段11には加熱流体供給装置31が接続される。図5の右側部分は、13個のウェーハ保持手段11を裏面から視た図である。13個のウェーハ保持手段11のそれぞれの通路16の出入り口は直列に接続される。この直列に接続された通路16の加熱流体出口には図5の左側部分に示される加熱流体供給装置31の加熱流体導入口39がパイプで接続され、直列に接続された通路16の入口には加熱流体供給装置31の加熱流体導出口40がパイプで接続される。加熱流体供給装置31は、加熱流体33を貯蔵するタンク32と、このタンク内の加熱流体を加熱するヒータ37と、上記タンク内の加熱流体の温度を検出する温度センサ34と、この温度センサの検出出力に基づいて上記ヒータを加熱する出力を制御するコントローラ36と、加熱流体33をタンク32からウェーハ保持手段11に循環させるポンプ38とを備える。この加熱流体33には、温水を用いることが、取り扱いが容易であるため好ましい。また、シリコーン油、ダウサムA(Dowtherm A:ダウケミカル社の登録商標)などのオイルを用いることもできる。これは、もっと広い範囲の温度領域(ダウサムAの場合は15〜257℃)で液体として存在し、極めて安定だからである。加熱流体33の温度は20℃以上80℃以下の所定温度にすることが好ましい。下限値未満であると加熱効果が乏しく、上限値を超えるとウェーハに過剰な熱を与えるためである。更に好ましい温度は、30〜70℃である。
次に、このような構成のイオン注入装置21を用いたSIMOXウェーハの製造方法を説明する。先ず、図4に示すイオン注入装置21のチャンバ26の開口部を開放した状態で、13個のウェーハ保持手段11に13枚のウェーハ12を固定する。具体的には、図1、図2及び図3に示すウェーハ保持手段11のウェーハ保持基板13の表面に平行にウェーハ12を移し、ウェーハ外周部を先端ステージ17及び側端ステージ18,18の上に載せた後、ウェーハ外周部を先端保持ピン19及び側端保持ピン20,20に当てて固定する。
次に、チャンバ26の開口部にキャップ27を取り付け、チャンバ内部を真空ポンプにより真空引きする。真空度が到達真空度に達した後、図5に示す加熱流体供給装置31を作動させる。一方、図4に示すイオン注入装置21のモータ24を作動させて固定板22に取り付けられた13個のウェーハ保持手段11を公転させる。モータ24が回転軸23を回転駆動することにより固定板22が回転し、この回転により13個のウェーハ保持手段11が回転軸23を中心に公転する。この公転によりウェーハ12はウェーハ保持手段11の先端保持ピン19、及び2ヶ所の側端保持ピン20,20により保持され、かつ遠心力により先端保持ピン19に押しつけられるため落下することはない。
前述の加熱流体供給装置31の運転により、温度制御された加熱流体33がウェーハ保持手段11の通路16を循環する。また、加熱流体供給装置31の温度センサ34の検出出力に基づいてコントローラ36がヒータ37を加熱する出力を制御し、タンク32内部の加熱流体33を所定の温度に保持する。
この状態でウェーハ12に酸素イオンを注入し、加熱流体供給装置31からウェーハ保持手段11の通路16を加熱流体33が循環することによって、先端ステージ17及び側端ステージ18,18を介して先端保持ピン19及び側端保持ピン20,20が加熱される。即ち、加熱流体33が一方の側端ステージ18に接近して設けられた往路16aを通過することにより、一方の側端ステージ18を介して一方の側端保持ピン20が効率良く加熱され、加熱流体33が先端ステージ17に接近して設けられた接続路16cを通ることにより、先端ステージ17を介して先端保持ピン19が効率良く加熱され、更に加熱流体33が他方の側端ステージ18に接近して設けられた復路16bを通ることにより、他方の側端ステージ18を介して他方の側端保持ピン20が効率良く加熱される。その結果、酸素イオン注入時に発生するウェーハの熱が先端保持ピン19及び側端保持ピン20,20から放散しなくなり、ウェーハの温度が不均一になることが抑制される。
本発明の方法は、SIMOXウェーハ製造時の酸素イオン注入工程において、全ての酸素イオン注入工程で用いても良いし、一部の酸素イオン注入工程のみで用いても構わない。とりわけ、MLD法による2回目の酸素イオン注入工程において本発明の方法を用いると、SOI層及びBOX層の面内の膜厚均一性を向上させる効果が顕著に得られるので好ましい。
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
<実施例1>
図4に示すように、イオン注入装置21のチャンバ26内にある13個のウェーハ保持手段11に、1回目の酸素イオン注入を行った13枚のシリコンウェーハ12をセットし、キャップ27を取り付けてチャンバ26を真空ポンプにより到達真空度1×10-4Paになるまで真空引きした。その後、図5に示す加熱流体供給装置31を作動させた。なお、1回目の酸素イオン注入は、ウェーハ加熱温度350℃、加速エネルギ200keV、酸素イオン注入量2.5×1017原子/cm2で行った。次に、イオン注入装置21のモータ24を作動させ、13個のウェーハ保持手段11を回転軸23を中心に350rpmで公転させた。加熱流体供給装置31の作動により、加熱流体33が13個のウェーハ保持手段11の通路を循環した。この時、加熱流体供給装置31における加熱流体33の設定温度を70℃にし、設定温度±1℃になるように温度センサ34及びコントローラ36によりヒータの出力を制御して、加熱流体の温度を調節した。この状態でシリコンウェーハ12に200keVの加速エネルギで5×1015原子/cm2の酸素イオンを注入した。2回目の酸素イオン注入終了後、13枚のシリコンウェーハ11を取り出して高温熱処理炉に移し、酸素分圧50%のアルゴン及び酸素の混合ガス中で1350℃に15時間保持する高温熱処理を行った。このようにして、SIMOXウェーハを合計13枚作製した。
図4に示すように、イオン注入装置21のチャンバ26内にある13個のウェーハ保持手段11に、1回目の酸素イオン注入を行った13枚のシリコンウェーハ12をセットし、キャップ27を取り付けてチャンバ26を真空ポンプにより到達真空度1×10-4Paになるまで真空引きした。その後、図5に示す加熱流体供給装置31を作動させた。なお、1回目の酸素イオン注入は、ウェーハ加熱温度350℃、加速エネルギ200keV、酸素イオン注入量2.5×1017原子/cm2で行った。次に、イオン注入装置21のモータ24を作動させ、13個のウェーハ保持手段11を回転軸23を中心に350rpmで公転させた。加熱流体供給装置31の作動により、加熱流体33が13個のウェーハ保持手段11の通路を循環した。この時、加熱流体供給装置31における加熱流体33の設定温度を70℃にし、設定温度±1℃になるように温度センサ34及びコントローラ36によりヒータの出力を制御して、加熱流体の温度を調節した。この状態でシリコンウェーハ12に200keVの加速エネルギで5×1015原子/cm2の酸素イオンを注入した。2回目の酸素イオン注入終了後、13枚のシリコンウェーハ11を取り出して高温熱処理炉に移し、酸素分圧50%のアルゴン及び酸素の混合ガス中で1350℃に15時間保持する高温熱処理を行った。このようにして、SIMOXウェーハを合計13枚作製した。
<比較例1>
酸素イオン注入工程において、ウェーハ保持手段11に加熱流体33を循環させなかった以外は、実施例1と同様な条件でSIMOXウェーハを合計13枚作製した。
酸素イオン注入工程において、ウェーハ保持手段11に加熱流体33を循環させなかった以外は、実施例1と同様な条件でSIMOXウェーハを合計13枚作製した。
<比較試験及び評価>
実施例1と比較例1のSIMOXウェーハについて、SOI層及びBOX層の面内の膜厚分布をそれぞれ求めた。具体的には、ウェーハ全面のSOI層の部分及びウェーハ全面のBOX層部分の各厚さを測定し、その膜厚分布をマップにした。これらを図6、図7、図8及び図9に示す。更に、平均膜厚(Å)、及び最大厚さから最小厚さを引いた値である膜厚レンジ(Å)をマップ上部に示した。図6及び図7は、各々実施例1及び比較例1における代表的なSIMOXウェーハのSOI層の面内膜厚分布のマップである。また、図8及び図9は、各々実施例1及び比較例1における代表的なSIMOXウェーハのBOX層の面内膜厚分布のマップである。なお、上記の膜厚測定は、KLA-Tencor社製のASET−F5x装置を用い、ウェーハ周縁から3mm幅の部分を除いた中央部分の57ポイント/ウェーハで行った。
実施例1と比較例1のSIMOXウェーハについて、SOI層及びBOX層の面内の膜厚分布をそれぞれ求めた。具体的には、ウェーハ全面のSOI層の部分及びウェーハ全面のBOX層部分の各厚さを測定し、その膜厚分布をマップにした。これらを図6、図7、図8及び図9に示す。更に、平均膜厚(Å)、及び最大厚さから最小厚さを引いた値である膜厚レンジ(Å)をマップ上部に示した。図6及び図7は、各々実施例1及び比較例1における代表的なSIMOXウェーハのSOI層の面内膜厚分布のマップである。また、図8及び図9は、各々実施例1及び比較例1における代表的なSIMOXウェーハのBOX層の面内膜厚分布のマップである。なお、上記の膜厚測定は、KLA-Tencor社製のASET−F5x装置を用い、ウェーハ周縁から3mm幅の部分を除いた中央部分の57ポイント/ウェーハで行った。
比較例1(図7及び図9)から明らかなように、先端保持ピンと2ヶ所の側端保持ピン付近のSOI層及びBOX層の膜厚がともに顕著に大きくなる傾向が見られた。一方、実施例1(図6及び図8)から明らかなように、先端保持ピンと2ヶ所の側端保持ピン付近のSOI層及びBOX層の膜厚が顕著に大きくなる傾向は見られなかった。具体的には、実施例1と比較例1のSOI層の膜厚レンジ(図6及び図7)で比較すると、実施例1が15.3Å、比較例1が41.2Åであった。また、実施例1と比較例1のBOX層の膜厚レンジ(図8及び図9)で比較すると、実施例1が23.6Å、比較例1が51.8Åであった。これらのことから、比較例1に比べ、実施例1ではSOI層の膜厚レンジもBOX層の膜厚レンジもともに比較例1より小さくなっていた。即ち、比較例1の方法と比べて実施例1の方法はウェーハ全体の膜厚むらが低減され、面内における膜厚均一性が向上したことが判った。
11 ウェーハ保持手段
12 ウェーハ
16 加熱流体の通路
21 イオン注入装置
26 チャンバ
27 キャップ
31 加熱流体供給装置
32 タンク
33 加熱流体
34 温度センサ
36 コントローラ
37 ヒータ
38 ポンプ
12 ウェーハ
16 加熱流体の通路
21 イオン注入装置
26 チャンバ
27 キャップ
31 加熱流体供給装置
32 タンク
33 加熱流体
34 温度センサ
36 コントローラ
37 ヒータ
38 ポンプ
Claims (6)
- 一方の端面に底壁が設けられ他方の端面が開放された円筒状のチャンバと、前記チャンバに収納され複数枚のウェーハを同一円周上に間隔をあけて保持することにより前記ウェーハを公転可能にするウェーハ保持手段と、前記チャンバの開口部をシール部材により気密を保って閉止する円板状のキャップとを備えたイオン注入装置を用いて前記ウェーハに酸素イオン注入を行うSIMOXウェーハの製造方法において、
前記ウェーハ保持手段の内部又は裏面に通路を形成し、この通路に加熱流体を流して前記ウェーハ保持手段と接触する前記ウェーハの外周部を加熱しながら酸素イオン注入することを特徴とするSIMOXウェーハの製造方法。 - 加熱流体が水又はオイルである請求項1記載のSIMOXウェーハの製造方法。
- 加熱流体の温度が20℃以上80℃以下である請求項1記載のSIMOXウェーハの製造方法。
- 加熱流体を貯蔵するタンクと、このタンク内の加熱流体を加熱するヒータと、前記タンク内の加熱流体の温度を検出する温度センサと、前記温度センサの検出出力に基づいて前記ヒータを制御するコントローラと、加熱流体をタンクからウェーハ保持手段に循環させるポンプとを備えた加熱流体供給装置を用いて、前記ウェーハ保持手段の通路に加熱流体を流してウェーハの外周部を加熱する請求項1記載のSIMOXウェーハの製造方法。
- ウェーハへの全ての酸素イオン注入工程或いは一部の酸素イオン注入工程で、ウェーハ保持手段の通路に加熱流体を流す請求項1記載のSIMOXウェーハの製造方法。
- ウェーハ保持手段が、ウェーハ保持基板と、その裏面に取り付けられ内部にU字形状の加熱流体の通路を有するアームと、前記ウェーハ保持基板の外周表面に取り付けられウェーハ外周部を載せるための1つの先端ステージと、2つの側端ステージと、前記ウェーハを固定するために前記先端ステージ上に設置される先端保持ピンと、前記側端ステージ上に設置される側端保持ピンとを備え、
前記通路が、前記アームの基端から先端に向いかつ前記アームの一側縁に沿って延びる往路と、前記アームの先端から基端に向いかつ前記アームの他側縁に沿って延びる復路と、前記往路の先端と前記復路の基端とを接続するU字形状の接続路とを有し、
前記往路が前記ウェーハ保持板に取付けられた2つの側端ステージのうちの一方の側端ステージに接近して設けられ、前記復路が2つの側端ステージのうちの他方の側端ステージに接近して設けられ、前記接続路がウェーハ保持板に取付けられた先端ステージに接近して設けられる請求項4記載のSIMOXウェーハの製造方法。
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