JP2010192687A - スピン流回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピン流回路は、スピン流を発生する第1スピン注入素子SIEと、第1スピン注入素子SIEにおいて発生したスピン流が流れる非磁性のチャンネル層5Aと、チャンネル層5A上の異なる位置に設けられた複数の磁化自由層4,6と、チャンネル層5Aとそれぞれの磁化自由層4,6との間に介在するトンネル障壁19B,19Cとを備えている。それぞれの磁化自由層4,6とチャンネル層5Aの間の電圧が、それぞれ検出される。各フリー層4,6とチャンネル層5Aとの間にトンネル障壁19B,19Cを介在させておくことで、各フリー層4,6とチャンネル層19B,19Cとの間の出力電圧のバラつきを低減させることができる。
【選択図】図1
Description
Claims (9)
- スピン流を発生する第1スピン流発生手段と、
前記第1スピン流発生手段において発生したスピン流が流れる非磁性のチャンネル層と、
前記チャンネル層上の異なる位置に設けられた複数の磁化自由層と、
前記チャンネル層とそれぞれの前記磁化自由層との間に介在するトンネル障壁と、
を備え、それぞれの前記磁化自由層と前記チャンネル層の間の電圧がそれぞれ検出される、
ことを特徴とするスピン流回路。 - 前記第1スピン流発生手段は、
磁化固定層と、
前記磁化固定層と前記チャンネル層との間に介在するトンネル障壁と、
を備えている、
ことを特徴とする請求項1に記載のスピン流回路。 - 前記磁化固定層の磁化の向きは、
形状異方性によって、及び/又は、
反強磁性層との交換結合によって、
固定されている、
ことを特徴とする請求項2に記載のスピン流回路。 - 前記チャンネル層とそれぞれの前記磁化自由層との間に介在する前記トンネル障壁は、酸化アルミニウム層、酸化マグネシウム層、又は酸化亜鉛層からなる、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のスピン流回路。 - 前記チャンネル層の材料は、
B、C、Mg、Al、Cu及びZnからなる群から選択される一つ以上の元素を含む導電体、又は、
Si、GaAs及びZnOからなる群から選択される半導体、
からなる、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のスピン流回路。 - 前記第1スピン流発生手段、及び複数の前記磁化自由層は、一直線上に整列して配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のスピン流回路。 - 前記チャンネル層は、環状の平面形状を有している、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のスピン流回路。 - 前記第1スピン流発生手段と共に前記チャンネル層を挟む位置に設けられ、この第1スピン流発生手段内の各磁性層の磁化の向きとは、前記チャンネル層内の点に対して点対称な磁化の向きを有する磁性層を有し、前記第1スピン流発生手段において発生するスピン流と同一方向に磁気偏極したスピン流を発生する第2スピン流注入手段を更に備える、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のスピン流回路。 - 前記磁化自由層の磁化容易軸は、前記磁化固定層の磁化容易軸と平行であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のスピン流回路。
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JP2004186274A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Japan Science & Technology Agency | スピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置 |
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2009
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Patent Citations (3)
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