JP2010192553A - シリコン基板中のCu及びNi含有量の評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被評価対象のシリコン基板の表裏面にポリシリコン膜を形成する工程(1)、ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800℃〜950℃で30分〜60分加熱する工程(2)、800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する工程(3)、前記シリコン基板を270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する工程(4)、降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する工程(5)を含む、シリコン基板中のCu及びNiの含有量の評価方法。
【選択図】なし
Description
ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800℃〜950℃で30分〜60分加熱する工程(2)、
800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する工程(3)、
前記シリコン基板を270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する工程(4)、
降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する工程(5)、
を含む、シリコン基板中のCu及びNiの含有量の評価方法に関する。
被評価対象のシリコン基板の表裏面の一方または両方にポリシリコン膜を形成する工程(1)、
ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800℃〜950℃で30分〜60分加熱する工程(2)、
800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する工程(3)、
前記シリコン基板を270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する工程(4)、
降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する工程(5)、
工程(1)では、被評価対象のシリコン基板の表裏面の一方または両方にポリシリコン膜を形成する。特許文献3に記載の方法では、シリコン基板の裏面のみにEG層(ポリシリコン膜、サンドブラスティング、レーザ照射またはイオン注入)を形成する。それに対して本発明では、シリコン基板の一方または両面のいずれにもポリシリコン膜を形成することもできる。シリコン基板にポリシリコン膜を形成する方法は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によりSiH4を用いて650℃温度をルーチン条件として行う方法がある。この方法で被評価シリコン基板の両面にポリシリコン膜を形成する場合は、ボートにウェーハを設置し、熱処理炉内で成膜するバッチ処理タイプを用い、通常、一回の処理で100枚程度まで成膜できる。この方法は、生産性に優れ、ウェーハ両面にポリシリコンの膜が形成される。また、ステージの上にウェーハを1〜6枚程度(ウェーハ径により枚数は変化する)水平に置いて成膜する枚様処理タイプでは、裏面にはポリシリコンの膜は形成されず、被評価シリコン基板の一方の面にポリシリコン膜が形成される。
工程(2)では、ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800〜950℃で30分〜60分加熱し、次いで工程(3)では、工程(2)において800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃に降温した後、その温度から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する。工程(4)では、工程(3)において270〜330℃まで降温した前記シリコン基板を、270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する。
工程(5)では、降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する。
実施例1
表1及び2に示すポリシリコン膜を形成したシリコン基板を準備した。
ラップ加工後の酸エッチングしたp-、p+、p++シリコンウェーハを2枚ずつ用意した。各1枚はリファレンスウェーハ(リファレンス基板)として基板中の金属不純物の濃度を測定した。また各残り1枚ウェーハの表裏面に500Åポリシリコン膜を形成した。その後、前記500Åポリシリコン膜を形成したシリコン基板を、窒素ガス雰囲気中の加熱炉に入れて、950℃の第1温度で30分保持し、引続きこのシリコン基板を50℃/分の速度で450℃の第2温度まで降温した後、第2温度から300℃の第3温度まで3℃/分の速度で降温し、第3温度で30分保持した後炉から取出して室温まで保冷し、表裏面ポリシリコン中(PBS膜)および基板中(PBS回収後の基板)の金属不純物の濃度を測定した。これらの結果を図5(Cu)と図6(Ni)に示す。
Claims (6)
- 被評価対象のシリコン基板の表裏面の一方または両方にポリシリコン膜を形成する工程(1)、
ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800℃〜950℃で30分〜60分加熱する工程(2)、
800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する工程(3)、
前記シリコン基板を270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する工程(4)、
降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する工程(5)、
を含む、シリコン基板中のCu及びNiの含有量の評価方法。 - 被評価対象のシリコン基板が、ボロンを含有するシリコン基板である請求項1に記載の方法。
- ポリシリコン膜の厚みが500Å以上である請求項1または2に記載の方法。
- 工程(2)、(3)及び(4)は、窒素、水素及びアルゴンからなる群から選ばれる少なくとも1種のガス雰囲気中で実施される、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 工程(5)におけるCu及びNiの定量をDSE-ICP-MS法で行う、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 被評価対象のシリコン基板が、工程汚染の把握を行うためのシリコン基板である、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
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